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Informaes teis Disciplina Eletrnica Bsica 1 ETR1 Prof. Antonio Luiz

1) Ementa do Curso: O contedo programtico ser dividido em unidades, a saber:
Fsica dos Semicondutores I, Diodos e Aplicaes do Diodo Reversamente Polarizado
Aplicaes do Diodo Diretamente Polarizado, Retificao e Filtragem
Fsica dos Semicondutores II, Transistores Bipolares e Sua Polarizao
Aplicaes do Transistor: Como Chave de Controle e como Amplificador

Esse programa ser desenvolvido conforme a capacidade de absoro da Turma e de acordo
com a durao do Mdulo, podendo, eventualmente, no ser ministrado em sua totalidade.
Ao final de cada unidade ser dada uma Lista de Exerccios, que poder ser resolvida
individualmente ou por grupos de at quatro alunos.

2) Provas Escritas: Sero realizadas 2 Provas Escritas, compostas das seguintes sees:

Laboratrio: Essa seo vale 2 pontos e conter de 1 a 3 questes referentes aos
experimentos de Laboratrio realizados at a data da Prova. Nessa seo no h
possibilidade de escolha das questes a serem resolvidas nem de seu valor.
Parte Discursiva: Essa seo vale 3 pontos e conter 5 questes, das quais o aluno
dever responder 3, escolhidas a seu critrio. O aluno tambm poder escolher o valor de
cada questo, desde que, simultaneamente: a soma dos valores atribudos s trs
questes escolhidas seja igual a 3 pontos, nenhuma delas receba valor maior do que 2
pontos e nenhuma delas receba valor inferior a 0,5 pontos.
Parte de Clculos e Anlise: Essa seo vale 5 pontos e conter 4 questes, das quais
o aluno dever resolver 3, escolhidas a seu critrio. O aluno tambm poder escolher o
valor de cada questo, desde que, simultaneamente: a soma dos valores atribudos s
trs questes escolhidas seja igual a 5 pontos, nenhuma delas receba valor maior do que
2 pontos e nenhuma delas receba valor inferior a 1 ponto.
Qualquer situao diferente das acima descritas, seja no que se refere ao nmero de
questes respondidas em cada seo da prova, seja no que se refere aos valores atribudos s
questes, ser resolvida a critrio exclusivo do professor. O contedo das Provas Escritas ser o
mesmo coberto pelas duas ltimas Listas de Exerccios realizadas anteriormente. Aps cada
duas Listas de Exerccios ser realizada uma Prova Escrita. Assim, a divulgao do gabarito da
2 e da 4 Lista de Exerccios serve, respectivamente, como aviso quanto realizao da 1 e da
2 Prova Escrita.

3) Prova Substitutiva: De acordo com as Normas Acadmicas do Curso, o aluno que faltar num
dia de Prova tem direito a realizar uma Prova Substitutiva, desde que requeira tal direito junto
CAE, num prazo mximo de 48 horas aps a ministrao da prova perdida. Esse direito cobre
apenas a perda de uma prova, ou seja, o aluno que perder as duas provas poder fazer apenas
uma substitutiva. Essa prova ser aplicada no final do mdulo, na aula imediatamente anterior
realizao do Processo Final de Avaliao, somente para os alunos que tiverem feito o devido
requerimento no prazo correto. Ressalta-se que a Prova Substitutiva dada apenas aos alunos
que tiverem perdido uma prova, e no queles que fizeram a prova e foral mal sucedidos.

4) Recuperao Paralela: Ser proporcionado ao aluno que tiver nota inferior a 6,0 em
qualquer das 2 Provas Escritas um processo paralelo de recuperao. Esse processo ser
realizado atravs da incluso em cada Prova (com a bvia exceo da primeira) de questes
referentes prova anterior. As questes de recuperao paralela tero seu valor medido em
porcentagem. 20% sero referentes a duas questes discursivas, 20% sero referentes a uma
ou duas questes de Laboratrio e os 60% restantes sero referentes a uma questo de clculo
e/ou anlise. O aluno que obtiver 100% nessas questes ter o valor da nota da prova anterior
alterado para 6. Para porcentagens inferiores, a nota ser alterada de modo proporcional.
2
5) Orientaes Sobre os Relatrios de Experimentos Prticos: Os Relatrios dos
experimentos devem ser redigidos em conformidade com os princpios estudados em Metodologia
do Trabalho Cientfico, devendo conter: uma breve introduo terica a respeito do assunto (no
ser aceita uma mera transcrio da apostila), os requisitos de projeto, o diagrama do circuito, a
memria de clculo, os valores efetivamente utilizados, explicao sobre o procedimento
experimental, resultados obtidos (descries, grficos e tabelas, incluindo comparaes com os
valores teoricamente esperados), comentrios (item mais relevante), concluses e bibliografia
consultada. Obviamente, nem todos esses itens sero aplicveis a todos os experimentos. Deve
ser entregue um relatrio por grupo de trabalho (bancada) e o prazo para a entrega at a
realizao do prximo experimento, a menos que especificado em contrrio pelo professor.
6) Critrio de Avaliao: A Mdia Final do curso ser obtida atravs da frmula
2
) 2 1 ( P P
MF
+
= , onde P1 a Nota da 1 metade do Mdulo e onde P2 a Nota da 2 metade do
Mdulo.
A nota da Nota da 1 metade do Mdulo ser obtida atravs da frmula
10
1 2 1 3 1 5
1
ML MR PV
P
+ +
= , onde PV1 a nota da 1 Prova Escrita, MR1 a mdia das
notas dos Relatrios das experincias de Laboratrio realizadas at o dia da 1 Prova Escrita e
ML1 a mdia das notas das Listas de Exerccios realizadas at o dia da 1 Prova Escrita.
A nota da Nota da 2 metade do Mdulo ser obtida atravs da frmula
10
2 2 2 3 2 5
2
ML MR PV
P
+ +
= , onde PV2 a nota da 1 Prova Escrita, MR2 a mdia das
notas dos Relatrios das experincias de Laboratrio realizadas aps o dia da 1 Prova Escrita e
ML2 a mdia das notas das Listas de Exerccios realizadas aps o dia da 1 Prova Escrita.
Eventual arredondamento de nota ser realizado apenas aps o clculo da Mdia Final.
Como se pode notar pelo critrio exposto acima, metade da Mdia Final se refere a
atividades individuais (Provas Escritas) e a outra metade se refere a atividades em grupo
(Relatrios de Experincias de Laboratrio e Listas de Exerccios).
7) Processo Final de Avaliao (PFA): Os alunos que obtiverem Mdia Final inferior a 6 (seis) e
igual ou superior a 4 (quatro) podero participar do Processo Final de Avliao (PFA), a ser
realizado na ltima semana do mdulo. O PFA consistir de uma terceira Prova Escrita
abrangendo toda a matria do Mdulo e que ser composta por 4 questes discursivas, cada
uma valendo 0,5 (meio ponto), num total de 2,0 (dois pontos); por 4 questes de clculo e/ou
anlise, cada uma valendo 1,5 (um ponto e meio), num total de 6,0 (seis pontos); e 2 questes de
Laboratrio, cada uma valendo 1,0 (um ponto), num total de 2,0 (dois pontos). No haver nessa
prova escolha de questes a serem resolvidas nem de seus valores. A nota obtida no PFA
substitui a Mdia Final, caso tenha valor superior a esta. Note-se que a Recuperao Paralela da
2 Prova Escrita ser realizada em conjunto com o PFA. Se, por acaso, a nota obtida aps a
recuperao for suficiente para a aprovao do aluno, o PFA ser desconsiderado.
8) Apostila: O curso baseado numa apostila, cuja aquisio fortemente recomendada. Os
alunos que desejarem receber o arquivo contendo o texto da apostila devem solicit-lo atravs de
e-mail para antonio.luiz@advir.com, com cpia para alusfilho@uol.com.br. O aluno dever
acompanhar as aulas munido da apostila. A princpio, as nicas anotaes necessrias se
referem resoluo dos Exemplos Numricos que sero propostos durante as aulas.

9) Devoluo e Guarda dos Trabalhos: Todos os trabalhos realizados ao longo do Curso (Listas
de Exerccios, Relatrios e Provas Escritas) sero devolvidos aos alunos aps sua correo.
Essa devoluo ser feita durante o horrio oficial de aulas e, se o aluno no estiver presente, o
trabalho ser entregue ao Representante da Turma ou ao seu vice. Os trabalhos devero ser
cuidadosamente guardados at o encerramento do mdulo. Reclamaes em relao a notas
no lanadas ou lanadas com erro sero aceitas apenas mediante a apresentao do trabalho
correspondente, antes da data estipulada para a entrega dos resultados finais Secretaria.

3
10) Resultado Final: Aps realizadas todas as atividades previstas neste documento e calculada
a Mdia Final de acordo com o exposto nos itens 4 e 5 deste documento, no caber qualquer
recurso junto ao professor para que a Mdia Final seja alterada (realizao de prova-extra,
trabalho-extra, etc.). Isso deve estar bem claro para o aluno, a fim de que sejam evitadas
situaes constrangedoras para si mesmo e para o professor.

11) Bibliografia Recomendada: A apostila que serve como base para o Curso possui o contedo
estritamente necessrio. As fontes de referncia mais completas so livros, que abrangem um
nmero maior de tpicos e, em geral, com maior profundidade. Um nico livro pode servir como
refernia para vrias disciplinas do Curso. Portanto, sempre que possvel, os livros devem ser
adquiridos. Recomendam-se as seguintes obras, listadas em ordem crescente de complexidade:
a. Eletrnica (2 volumes) Autor: Malvino Editora Makron Books
b. Eletrnica (2 volumes) Autores: Millmann e Halkias Editora Makron Books
c. Microeletrnica Autores: Sedra e Smith Editora Pearson Education
Todas essas obras esto disponveis na Biblioteca da Escola.

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ELETRNICA UMA BREVE INTRODUO


De uma forma bastante simplista, podemos definir a Eletrnica como o ramo da
Eletricidade que se ocupa do controle da corrente eltrica nos slidos (semicondutores) e nos
gases (vlvulas a gs ou a vcuo). Dispositivos como os LCDs (Liquid Crystal Displays)
estendem essa definio tambm aos lquidos, embora a estrutura molecular dos materiais
constituintes de tais dispositivos apresente caractersticas semelhantes s dos slidos.
Os dispositivos a gs (vlvulas), que tiveram grande utilidade no passado, tm
atualmente o seu uso restrito a aplicaes de alta tenso ou alta potncia, razo pela qual no
sero abordados nesse Curso. Faremos breve referncia a eles por ocasio do estudo dos
transistores por efeito de campo. Desse modo, o foco estar voltado para os dispositivos de
estado slido (semicondutores).
Cada dispositivo eletrnico pode ser representado por um ou mais modelos constitudos
por uma associao de componentes eltricos ideais (resistores, capacitores, indutores,
geradores independentes e geradores controlados). Um modelo para um dispositivo obtido
atravs de medidas ou atravs do conhecimento dos mecanismos fsicos internos a esse
dispositivo. Como o comportamento de um determinado dispositivo eletrnico est
necessariamente ligado a condies bem especficas (magnitude e polaridade da tenso
aplicada, temperatura, etc.), possvel que, em situaes diferentes, ele tenha que ser
representado por meio de modelos totalmente. O objetivo obter o modelo mais simples capaz
de descrever satisfatoriamente um dispositivo numa determinada condio.
Para ilustrar esse princpio, tomemos o exemplo do dispositivo (componente) eltrico
capacitor. Numa aplicao ordinria desse dispositivo, ele poderia ser modelado simplesmente
atravs de sua principal caracterstica, a capacitncia. Contudo, se esse mesmo dispositivo for
utilizado numa aplicao em que precise armazenar energia por longos perodos de tempo, torna-
se necessrio, para manter uma aderncia ao comportamento real, acrescentar ao modelo mais
simples uma resistncia paralela com valor adequado para representar as correntes de fuga do
dieltrico. Se o capacitor utilizado numa aplicao em que descarregado atravs de um curto-
circuito entre os seus terminais, a corrente de descarga pode apresentar um comportamento
oscilatrio amortecido. Esse comportamento necessita de um modelo composto por uma
associao srie de uma capacitncia, uma resistncia e uma indutncia para ser
adequadamente representado. A Figura 1 mostra os trs modelos propostos para o componente
capacitor.



Figura 1 - Trs Diferentes Modelos Para um Mesmo Dispositivo

Uma vez escolhido o modelo mais conveniente para o(s) dispositivo(s) eletrnico(s)
presente(s) num circuito, o mesmo deixa de ser um circuito eletrnico e passa a ser um circuito
eltrico. Assim, as ferramentas de anlise desse circuito so as fornecidas pela teoria de
circuitos eltricos: leis de Ohm e de Kirchoff, teoremas de Thvenin e Norton, o princpio de
superposio, etc. Com o uso de tais ferramentas, podem ser obtidas as informaes
relevantes para o circuito em questo.


R
R
C
C C
L
5
MATERIAIS SEMICONDUTORES



Os eltrons de valncia (da ltima camada eletrnica) dos materiais slidos se distribuem
em nveis bem definidos de energia, aos quais se d o nome de bandas de energia. Em ordem
crescente de energia, essas bandas so:

a) Banda de Valncia aquela em que os eltrons da ltima camada se encontram em
condies normais (ou seja, sem a aplicao de energia externa). Nesse nvel de energia, os
eltrons de valncia esto fortemente ligados ao ncleo, no estando disponveis para se
movimentarem e constiturem, dessa forma, uma corrente eltrica.

b) Banda Proibida um nvel de transio, que no abriga eltrons de forma permanente.
Eltrons que eventualmente se encontrem nesse nvel ou receberam energia e esto passando
da banda de valncia para a de conduo ou perderam energia e fazem o percurso contrrio.

c) Banda de Conduo a faixa em que se encontram os eltrons que, tendo recebido
energia de uma fonte qualquer, esto relativamente afastados do ncleo e, dessa forma,
fracamente ligados a ele e passveis de deslocamento sob a influncia de um campo eltrico.
Esses eltrons, chamados de eltrons livres, so os responsveis pelo transporte de corrente
eltrica, ao se movimentarem sob a ao de um campo eltrico.

Uma vez que os nveis de energia associados s partculas atmicas tm valores muito
reduzidos, eles costumam ser expressos por meio de uma unidade especial, o eltron-volt (eV).
Lembrando que a energia W dada pelo produto entre a carga Q e a tenso V, chegamos
relao:
W = Q V 1 eV = 1,6 10
-19
C 1 V 1 eV = 1,6 10
-19
J
De acordo com a constituio das bandas de energia, os slidos se classificam, quanto
condutividade, em trs classes:

1) Isolantes possuem uma banda proibida relativamente larga (intervalos superiores a 5 eV
entre os nveis de valncia e conduo), de modo que necessria a aplicao de grandes
quantidades de energia para levar um eltron a salt-la. Por esse motivo, tais slidos so maus
condutores de corrente eltrica.

2) Metais neles, as bandas de valncia e de conduo se superpem em parte, de modo que
no possuem banda proibida. Logo, esses slidos possuem abundncia de eltrons livres
temperatura ambiente, sendo timos condutores de corrente eltrica. Essa a razo pela qual os
metais so tambm conhecidos como condutores.

3) Semicondutores so aqueles cuja banda proibida tem largura relativamente estreita
(intervalo inferior a 5 eV entre os nveis de valncia e conduo), permitindo a passagem de
eltrons para a banda de conduo com relativa facilidade, se comparados aos isolantes. Como
veremos, a energia necessria para levar os eltrons a "saltar" a banda proibida pode provir da
temperatura (energia trmica) ou da luz incidente (energia luminosa).

Essas trs categorias de materiais podem ser representadas graficamente da forma
mostrada na Figura 2, na qual se apresentam os nveis energticos relacionados com as bandas
de valncia e conduo. A energia na parte superior da banda de valncia simbolizada por E
V
e
a energia na parte inferior da banda de conduo simbolizada por E
C
. Entre elas est o gap
de energia ou banda proibida, simbolizado por E
G
. bvio que: E
G
= E
C
E
V
.


6













Figura 2 - Caracterizao dos Slidos de Acordo com os Nveis Energticos

Os semicondutores constituem a base da Eletrnica moderna. Entre os principais
elementos qumicos com caractersticas de semicondutores temos o germnio (Ge) e o silcio
(Si). Sob determinadas circunstncias o carbono (C) tambm se comporta como semicondutor.
Alguns exemplos de substncias compostas semicondutoras so o arseneto de glio (GaAs), o
fosfeto de ndio (InP) e o seleneto de zinco (ZnSe).
Demonstra-se experimentalmente que a largura da banda proibida, no caso do silcio, varia
em funo da temperatura de acordo com a expresso: E
G
(T) = 1,21 3,6 10
-4
T. De modo
anlogo, para o germnio, obtm-se a expresso: E
G
(T) = 0,785 2,23 10
-4
T. Em ambas
as frmulas, as temperaturas so absolutas (kelvin).

Em nosso curso, trataremos exclusivamente do silcio, mais amplamente utilizado. No
entanto, os princpios que estudaremos aplicam-se todos os materiais semicondutores, que
possuem as seguintes caractersticas em comum:

- Seus tomos possuem quatro eltrons na ltima camada, isto , so tetravalentes.
- Suas molculas so formadas atravs de ligaes covalentes.
- Em suas molculas, os tomos obedecem a uma disposio sistemtica e ordenada, na forma
de cristais tetradricos, chamada de rede cristalina. Por essa razo, falamos em cristais
semicondutores. A Figura 3 mostra a configurao tridimensional de um cristal de silcio.













Figura 3 - Estrutura Cristalina do Silcio e do Germnio
E
V

E
C

E
G
> 5 eV
Nvel
energtico
isolante
E
G
< 5 eV
Nvel
energtico
semicondutor
E
G
0
Nvel
energtico
metal
E
V

E
C

E
V

E
C

7
Representao Bidimensional de um Cristal de Silcio

A Figura 4 representa, agora de forma bidimensional, a estrutura molecular de um cristal
semicondutor de silcio.













Figura 4 Representao Bidimensional de um Cristal de Silcio

Um cristal como o representado acima, que possui "apenas" tomos de silcio, chamado
de cristal semicondutor intrnseco ou puro.
Com uma estrutura "perfeita" como a acima representada, o cristal comporta-se como um
isolante, uma vez que todos os eltrons participam de ligaes covalentes, estando dessa forma,
fortemente ligados aos respectivos ncleos e indisponveis para o transporte de corrente eltrica.
No entanto, a estrutura s tem esse aspecto a 0 K (zero absoluto de temperatura -273 C),
quando no existe agitao trmica das molculas. Em temperaturas superiores, a agitao das
molculas (que devida aplicao de energia trmica) leva ruptura de ligaes covalentes, e
a rede fica com configurao mostrada na Figura 5.












Figura 5 Cristal de Silcio Numa Temperatura Absoluta No Nula
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
As convenes
adotadas na figura so:
Si
+4
tomo de silcio sem
os eltrons da ltima
camada.
Eltron de valncia
(ltima camada).
Ligao covalente
entre os tomos
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Convenes:
Si
+4
tomo de silcio sem
os eltrons da ltima
camada.
Eltron de valncia
(ltima camada).
Ligao covalente
entre os tomos
Falta de eltron (lacuna)
Ligao covalente
rompida
Energia trmica ou
luminosa
8
Com a ruptura de ligaes covalentes, temos eltrons que, no estando fortemente
ligados a um ncleo, esto disponveis para se deslocarem sob a ao de um campo eltrico -
so os eltrons livres. Isso aumenta a condutividade da rede. Alm disso, a ausncia dos
eltrons das ligaes rompidas deixa na rede "buracos" que a tornam suscetvel a receber
eltrons que restabeleam a integridade dessas ligaes, ou seja, a rede tem facilidade de atrair
eltrons externos. da mais alta importncia compreender que, por essa razo, esses "buracos"
tambm contribuem para o aumento da condutividade da rede. Assim, podemos interpretar esses
"buracos" como se fossem cargas eltricas mveis positivas, com a mesma carga, em mdulo, de
um eltron (uma espcie de "eltron positivo"). Esses buracos so denominados lacunas.
As lacunas e os eltrons livres so os portadores de carga eltrica em um semicondutor,
j que a conduo de corrente depende dessas duas partculas. Num metal, como sabemos, a
conduo de corrente se d apenas atravs de eltrons livres, razo pela qual dizemos que os
metais so unipolares (apenas um tipo de portador de carga). Os semicondutores, cuja
condutividade depende de eltrons livres e lacunas, so bipolares (dois tipos de portadores de
carga). Essa a principal diferena entre metais e semicondutores no que concerne conduo
da corrente eltrica.
A gerao de eltrons livres e lacunas devido agitao trmica chamada de gerao
trmica (ou termogerao) de portadores. Nesse processo, a cada eltron livre gerado
corresponde, necessariamente, uma lacuna, ou seja, os portadores aparecem aos pares.
fcil concluir que quanto maior a temperatura, maior a agitao trmica, maior o nmero
de ligaes covalentes rompidas, maior o nmero de portadores gerados e maior a condutividade
da rede. Logo a condutividade de um semicondutor intrnseco diretamente proporcional
temperatura.
Com a agitao de rede, eventualmente um eltron livre pode-se encontrar com uma
lacuna, restabelecendo-se uma ligao covalente e "desaparecendo" ambos os portadores. A
isso chamamos de recombinao. Os fenmenos de gerao e recombinao de portadores
ocorrem simultaneamente, ou seja, enquanto portadores esto sendo gerados termicamente
outros esto desaparecendo por recombinao. Isso impede que todas as ligaes covalentes de
um cristal semicondutor estejam rompidas num dado instante. A gerao e a recombinao
ocorrem com maior freqncia em regies do semicondutor em que a estrutura cristalina
apresenta imperfeies.
Equilbrio Trmico
Para cada valor de temperatura existe uma taxa de equilbrio entre os fenmenos de
gerao e recombinao, de modo que o nmero total de portadores ser uma funo da
temperatura a que se encontra o cristal. A esse nmero chamamos de concentrao intrnseca
de portadores (n
i
). Essa concentrao expressa em termos de portadores por centmetro
cbico. Sua unidade tomos por centmetro cbico (cm
-3
). Seu valor depende no apenas
da temperatura, mas de outros fatores, entre quais o material e a iluminao. A concentrao
intrnseca pode ser calculada atravs da equao: n
i
= BBT
3
Be
@
E
G
KBT
ffffffffffffffff
r
wwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwww
, sendo B um
parmetro dependente do material, T a temperatura absoluta, E
G
a largura da banda proibida e K
a constante de Boltzmann, que vale 1,38 10
-23
J/K (ou 8,62 10
-5
eV/K).
Visto como num semicondutor intrnseco o nmero p de lacunas necessariamente igual
ao nmero n de eltrons livres, podemos escrever: p = n = n
i
. temperatura de 300 K,
equivalente a 27 C e adotada por razes de facilidade de clculo como padro de temperatura
ambiente, os valores aproximados para as concentraes intrnsecas do silcio e do germnio
so, respectivamente, 1,5 10
10
cm
-3
e 2,5 10
13
cm
-3
. Num semicondutor, o valor dado por
n
i
2
= p n uma constante, numa dada temperatura.
9
A Figura 6 apresenta de forma grfica a dependncia da concentrao intrnseca de
portadores em relao temperatura para trs diferentes materiais semicondutores.
Figura 6 - Concentrao Intrnseca de Portadores em Funo da Temperatura
Conduo de Corrente Eltrica nos Cristais Semicondutores
A Figura 7 mostra uma barra semicondutora intrnseca de silcio, onde representamos os
eltrons livres (+) e as lacunas (-):





Figura 7 - Mecanismo de Conduo Num Semicondutor


A B
I
Lacunas

I
Eltrons livres

V
I
Total

S
+
10
Mesmo com a chave S aberta, os portadores esto em movimento contnuo, mas tendo a
sua direo modificada aps cada coliso com os ons. Estes, com massa muito superior dos
eltrons livres, permanecem praticamente estticos. Como o movimento das partculas
totalmente aleatrio, o nmero de eltrons circulando em todas as direes o mesmo. Ou seja,
o valor mdio da corrente resultante nulo.
Fechando-se a chave S, os extremos da barra ficam sujeitos a uma tenso V, que
submete o cristal a um campo eltrico . Esse campo eltrico acelera as partculas na direo
oposta, estabelecendo o que se chama de corrente de deriva. A velocidade v de deslocamento
dada pela equao: v = , onde a mobilidade do portador, cuja unidade cm
2
/Vs
(centmetro quadrado por volt-segundo). Os eltrons livres (cargas negativas) no so impelidos
sentido indicado (de B para A). Como o sentido convencional da corrente corresponde a um
deslocamento de cargas positivas, temos ento uma corrente convencional de A para B. Por sua
vez, as lacunas (cargas positivas) so impelidas de A para B, o que corresponde, como no caso
anterior, a uma corrente convencional de A para B. Isso ilustra que os efeitos dos deslocamentos
de eltrons livres e lacunas em um semicondutor se somam, ao contrrio do que se poderia
erroneamente pensar.
Devido aos diferentes mecanismos envolvidos, a mobilidade dos eltrons livres
(simbolizada por n) possui valor superior ao da mobilidade das lacunas (simbolizada por p). A
300 K, a mobilidade dos eltrons livres no silcio vale n = 1350 cm
2
/Vs e a mobilidade das
lacunas vale p = 480 cm
2
/Vs. Para o germnio, mesma temperatura, os valores de mobilidade
so n = 3800 cm
2
/Vs e p = 1800 cm
2
/Vs.
A condutividade (sigma) do semicondutor pode ser calculada atravs da equao:
=q
e
B nB
n
+ pB
p
b c
, onde q
e
o mdulo da carga de um eltron (q
e
= 1,6 10
-19
C),
n a conentrao de eltrons livres e p a concentrao de lacunas. Lembrando que nos
cristais intrnsecos temos igual concentrao de eltrons livres e lacunas (n = p = n
i
), a frmula
pode ser reescrita como: =n
i
Bq
e
B
n
+
p
b c
. Devemos lembrar que a resistividade o
inverso da condutividade, ou seja:

1
= .
Cristais Semicondutores Extrnsecos - Dopagem

A dependncia que a condutividade de um cristal semicondutor intrnseco apresenta em
relao temperatura e energia luminosa bastante til quando se trata de fabricao de
transdutores trmicos ou ticos. No que se refere a dispositivos eletrnicos de uso geral, porm,
essa dependncia quase sempre inconveniente. Por esse motivo, a maior parte dos
semicondutores utilizados em aplicaes prticas contm em sua estrutura cristalina elementos
diferentes do elemento ou substncia principal. Esses elementos adicionados chamam-se
impurezas e o processo de adio de impurezas chama-se dopagem. Um cristal semicondutor
que passou por esse processo chamado de semicondutor extrnseco ou dopado. A dopagem
pode alterar de maneira significativa o comportamento do semicondutor, sendo possvel at
mesmo conferir ao mesmo caractersticas metlicas de conduo (coeficiente trmico positivo, ou
seja, aumento da resistividade com o aumento da temperatura).
Se chamarmos de N a concentrao de tomos de impurezas num cristal semicondutor
(medida, como visto anteriormente, em cm
-3
), podemos afirmar que, se N << n
i
, (concentrao de
impurezas muito menor do que a concentrao intrnseca), a dopagem irrelevante e, mesmo
com a presena de impurezas o cristal pode ser considerado intrnseco, ou seja, n p n
i
.
Por outro lado, se tivermos N >> n
i
, a dopagem efetiva e a concentrao de portadores
ser controlada, de fato, por intermdio das impurezas adicionadas.
11
H dois tipos de impurezas: as impurezas doadoras, que so elementos pentavalentes
(com cinco eltrons na ltima camada) e as impurezas aceitadoras, que so elementos
trivalentes (com trs eltrons na ltima camada).


Semicondutores Dopados com Impurezas Doadoras

Suponhamos que de algum modo sejam introduzidos em uma rede cristalina de silcio
tomos de um elemento pentavalente, como o antimnio (Sb), o arsnico (As) ou o fsforo
(P). A configurao da rede, numa temperatura diferente do zero absoluto, tomaria o aspecto
mostrado na Figura 8:






















Figura 8 - Cristal de Silcio Dopado Com Impureza Pentavalente

Notar que nessa rede existem de eltrons livres que no so decorrentes de rompimento
de ligaes covalentes. Em vez disso, tratam-se dos eltrons que sobram devido ao fato de a
impureza (na figura acima, o fsforo) ser pentavalente. Logo, no existem lacunas
correspondentes a esses eltrons livres e, portanto, esse tipo de cristal sempre ter mais eltrons
livres do que lacunas. Por esse motivo, diz-se que nos cristais dopados com impurezas
pentavalentes os eltrons livres so os portadores majoritrios. Sendo os eltrons livres
portadores de carga negativa, os cristais dopados com impurezas pentavalentes so conhecidos
como cristais extrnsecos do tipo N, ou simplesmente, cristais N. Esse tipo de cristais possui
tendncia a "doar" os eltrons "em excesso", sendo essa a razo pela qual as impurezas
pentavalentes so chamadas de impurezas doadoras.
Chamando de Nd (d de doadora) a concentrao de tomos de impurezas doadoras no
cristal, lembrando que essa concentrao , numa dopagem efetiva, muito superior
concentrao intrnseca, e lembrando que cada tomo de impureza adicionado contribui com um
eltron livre para a rede, o nmero total de eltrons livres ser a soma dos eltrons livres gerados
termicamente com os provenientes dos tomos de impureza. Logo: n = n
i
+ Nd Nd.
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
P
+5
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Eltron a
mais do
fsforo
12
Como visto acima, n
i
2
uma constante. Logo, podemos calcular a concentrao p de
lacunas presentes no cristal: pBn =n
i
2
[p =
n
i
2
n
ffffff
=
n
i
2
Nd
ffffffff
.
Conclui-se que os cristais N possuem uma concentrao de lacunas inferior de um
cristal intrnseco mesma temperatura. Isso pode ser explicado pelo fato de que, devido maior
quantidade de eltrons livres disponveis, a taxa de recombinao de lacunas aumenta,
reduzindo-se assim a sua concentrao.
EXEMPLO NUMRICO: Calcular a concentrao de lacunas presentes, temperatura ambiente,
num cristal de germnio dopado com impurezas pentavalentes numa concentrao de 1 10
18

tomos por cm
3
.



Semicondutores Dopados com Impurezas Aceitadoras

Introduzindo-se numa rede cristalina de silcio tomos de um elemento trivalente como o
ndio (In), o boro (B) ou o glio (Ga), teremos a estrutura mostrada na Figura 9.
















Figura 9 - Cristal de Silcio Dopado Com Impureza Trivalente

Notamos que para cada tomo de impureza trivalente adicionado rede teremos uma
ligao covalente incompleta (com uma lacuna), "vida" para receber um eltron que a complete.
A rede fica assim com tendncia a "aceitar" eltrons, razo pela qual as impurezas trivalentes so
chamadas de aceitadoras. Nesse tipo de rede, as lacunas so os portadores majoritrios, pois
para as lacunas provenientes dos tomos de impureza no h eltrons livres correspondentes.
importante notar a diferena entre uma ligao covalente incompleta e uma ligao
covalente rompida. No primeiro caso, no houve a absoro de energia trmica ou luminosa, que
d ao eltron energia para passar da banda de valncia para a banda de conduo e assim se
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
B
+3
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Ligao
covalente
incompleta
(falta um
eltron no
boro
13
tornar um eltron livre. Portanto, o nico eltron de valncia que participa da ligao continua
fortemente ligado ao ncleo, no estando disponvel para o transporte de corrente eltrica (em
outras palavras, no um eltron livre). No caso de uma ligao covalente rompida, ocorre
aplicao de energia, que rompe a ligao e liberta os dois eltrons de valncia que dela
participavam da influncia do ncleo, gerando simultaneamente dois eltrons livres e duas
lacunas.
Sendo as lacunas portadores de carga positiva, os cristais dopados com impurezas
trivalentes so conhecidos como cristais extrnsecos do tipo P, ou simplesmente, cristais P.
Esse tipo de cristal possui tendncia a "aceitar" eltrons para suprir as lacunas "em excesso",
sendo essa a razo pela qual as impurezas trivalentes so chamadas de impurezas aceitadoras.
Chamando de Na (a de doadora) a concentrao de tomos de impurezas aceitadoras
no cristal, lembrando que essa concentrao , numa dopagem efetiva, muito superior
concentrao intrnseca, e lembrando que cada tomo de impureza adicionado contribui com um
eltron livre para a rede, o nmero total de lacunas ser a soma das lacunas geradas
termicamente com as provenientes dos tomos de impureza. Logo: n = n
i
+ Na Na.
Podemos calcular a concentrao n de eltrons livres no cristal:
pBn =n
i
2
[n =
n
i
2
p
ffffff
=
n
i
2
Na
ffffffff
.
Analogamente ao observado em relao aos cristais N, os cristais P possuem uma
concentrao de eltrons livres menor que a de um cristal intrnseco mesma temperatura. Isso
pode ser explicado pelo fato de que, devido maior quantidade de lacunas disponveis, a taxa de
recombinao de eltrons livres aumenta, reduzindo-se assim a sua concentrao.

Corrente de Difuso em Semicondutores
Alm da corrente de deriva analisada anteriormente, os semicondutores apresentam outro
mecanismo de deslocamento de cargas eltricas que no ocorre nos metais a chamada
corrente de difuso. Diferentemente da corrente de deriva, que ocorre por influncia de um
campo eltrico, a corrente de difuso devida ao deslocamento de partculas de regies onde se
encontram fortemente concentradas para regies em que exista uma baixa concentrao, num
processo bastante semelhante ao que ocorre nos gases. Quando essas partculas possuem
carga eltrica, como no caso dos eltrons livres ou das lacunas, esse deslocamento caracteriza
uma corrente eltrica. A Figura 10 ilustra esse conceito.




Figura 10 Mecanismo de Corrente Por Difuso de Portadores
Caso no seja interrompida por outro motivo, a corrente de difuso continua at que se
alcance uma distribuio homognea dos portadores ao longo do cristal.
A difuso influenciada pelo chamado coeficiente de difuso (D), expresso em
centmetros quadrados por segundo (cm
2
/s). Como ele possui valores diferentes para os
eltrons livres e para as lacunas, definem-se Dn (coeficiente de difuso para os eltrons livres) e
Dp (coeficiente de difuso para as lacunas), que valem, para o silcio, Dn = 34 cm
2
/s e Dp = 13
cm
2
/s. Para o germnio, os valores so: Dn = 99 cm
2
/s e Dp = 47 cm
2
/s.
regio com alta
concentrao de
portadores
regio com baixa
concentrao de
portadores
deslocamento

de cargas

14
Como se pode intuir, a difuso depende da mobilidade dos portadores. Essas duas
grandezas esto ligadas pela chamada relao de Einstein:
D
n

n
fffffff
=
D
p

p
fffffff
=
kBT
q
ffffffffffffff
= V
T
.
O termo k a constante de Boltzmann, j mencionada anteriormente. A grandeza V
T
, de
grande importncia para a compreenso do funcionamento dos semicondutores, conhecida
como o equivalente trmico da tenso ou tenso termodinmica.
Em resumo, enquanto a corrente de deriva, que ocorre em metais e semicondutores,
conseqncia da ao de um campo eltrico (desequilbrio de tenso ao longo do espao), a
corrente de difuso, mecanismo exclusivo dos semicondutores, resultado de uma distribuio
no-uniforme de portadores de carga (desequilbrio de carga no espao). Embora
eventualmente um dos fenmenos (ou ambos) possa estar ausente, a corrente total num
semicondutor ser a soma algbrica das correntes de deriva e de difuso.

Detalhes Importantes em Relao aos Cristais N e P
Tanto os cristais P como os cristais N so eletricamente neutros. A carga eltrica das lacunas
ou eltrons livres anulada pela carga eltrica do "resto" dos tomos a que esses portadores
pertencem.
Uma concentrao relativamente baixa de tomos de impureza (da ordem de partes por
milho ou mesmo partes por bilho) altera drasticamente as propriedades eltricas de um
cristal semicondutor.
temperatura ambiente, podemos considerar que cada tomo de impureza adicionado a um
cristal semicondutor contribui com um portador de carga.
Em temperaturas elevadas, o nmero de portadores termicamente gerados pode se tornar
maior do que os introduzidos por meio de dopagem. Nesse caso, o semicondutor volta a se
comportar como um cristal intrnseco.
possvel tambm modificar o tipo de um cristal semicondutor (tornar um cristal P em N ou
intrnseco ou tornar um cristal N em P ou intrnseco) atravs da injeo de portadores opostos
nesse cristal (impurezas doadoras num cristal P ou impurezas aceitadoras num cristal N).




15
FORMAO DE UMA JUNO PN


Considere uma barra semicondutora pura (intrnseca), que submetida simultaneamente
a dois processos diferentes de dopagem: uma de suas extremidades recebe a injeo de
impurezas aceitadoras e a outra recebe impurezas doadoras, como mostra a Figura 11.





FIGURA 11 Cristal Puro Submetido a Dois Diferentes Tipos de Dopagem
Devido injeo de impurezas aceitadoras, existe uma grande concentrao de lacunas
no lado esquerdo da barra, enquanto que no restante da barra a concentrao de lacunas muito
baixa. Logo, ocorre uma corrente de difuso das lacunas em direo extremidade direita da
barra. Analogamente, os eltrons livres abundantes no lado direito da barra se deslocam para a
extremidade esquerda.
Assim sendo, haver um ponto intermedirio em que os eltrons livres provenientes da
direita se encontram com as lacunas que vm da esquerda, ocorrendo a recombinao desses
portadores, isto , "desaparecem" um eltron livre e uma lacuna. O tomo que "perdeu" um
eltron livre devido recombinao torna-se um on positivo (que no um portador de carga,
uma vez que um on no uma carga mvel). O tomo que "perdeu uma lacuna" torna-se, por
sua vez, um on negativo. Com a continuidade desse processo, vai-se formando na regio
central do semicondutor uma "barreira" composta por ons imveis e carregados, que so
conhecidos como cargas fixas (porque no se movem) ou cargas no-neutralizadas (porque
possuem carga eltrica diferente de zero).
Essa barreira de ons, chamada barreira de potencial, d origem a uma ddp que repele
os portadores que continuam chegando devido corrente de difuso, reduzindo gradativamente a
intensidade dessa corrente. Quando a ddp da barreira de potencial alcana o valor suficiente
para levar a corrente de difuso a zero, chega-se a uma situao de equilbrio, mostrada na
Figura 12, onde um dos lados do cristal ser do tipo P e o outro ser do tipo N.







Figura 12 - Aspecto do Cristal No Final do Processo
Como se pode notar, existem alguns eltrons livres na regio P e algumas lacunas na
regio N so os portadores minoritrios de cada lado da juno. Esses portadores minoritrios
se originam do rompimento de ligaes covalentes, que, como vimos, ocorre sempre que a
temperatura superior a 0 K. Os portadores majoritrios (lacunas na regio P e eltrons livres na
regio N), por sua vez, se originam da injeo de impurezas e tambm do rompimento de
ligaes covalentes.

Barra de Cristal Semicondutor
Intrnseco (puro)
Injeo de
impurezas
doadoras
Injeo de
impurezas
aceitadoras
+ + + +
+ + + +
+ + + +
REGIO DE DEPLEO










- - - - -
- - - - -
- - - - -
REGIO P REGIO N
ONS POSITIVOS ONS NEGATIVOS
+
+
+
+
-
-
-
-
Convenes:
+
on Positivo
on Negativo
+
Lacuna
Eltron livre
16
Com a interrupo da corrente de difuso, temos esquerda da barra uma regio P com
uma concentrao uniforme Na de lacunas e, direita, uma regio N com concentrao uniforme
Nd de eltrons livres. Em ambos os casos, estamos desprezando a concentrao de portadores
termicamente gerados. A regio central, em que no existem portadores (tendo, portanto,
caractersticas de isolante) chamada de regio de carga espacial, regio de transio ou
regio de depleo (que a denominao que adotaremos).
Essa estrutura denominada de juno PN. Junes PN como a esquematizada acima,
em que ocorre uma drstica variao na concentrao de portadores de ambos os lados so
denominadas junes em degrau ou junes abruptas. O potencial interno Vo entre as duas
regies denominado potencial de contato ou potencial de barreira. Seu valor pode ser
calculado pela expresso: Vo = V
T
Bln
NaBNd
ni
2
ffffffffffffffffffffff
.
Podemos entender a origem desse potencial da seguinte forma: existe um desequilbrio na
concentrao de portadores dos dois lados da juno. Logo, deveria haver uma corrente de
difuso. O fato de que essa corrente nula s pode ser explicado pela presena de um campo
eltrico oposto, representado pelo potencial de contato.
Na prtica, a concentrao de lacunas no lado P no precisa ser igual concentrao de
eltrons livres no lado N. Assim, para manter o equilbrio de cargas, a regio de depleo
avana mais profundamente no lado menos dopado da juno. Chamando de x
n
a poro da
regio de depleo que fica dentro da regio N e de x
p
a poro que fica dentro da regio P,
temos a relao:
x
n
x
p
fffffff
=
Nd
Na
ffffffff
. A largura total W da regio de depleo vale:
W =x
n
+ x
p
=
2B
q
e
fffffffffffffffff
v
u
u
t
wwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwww
BVoB
1
Nd
fffffffffff
+
1
Na
fffffffffff
h
j
i
k
, onde o valor da permissividade
(constante dieltrica) absoluta do material semicondutor. Para o silcio = 1,04 10
-12
F/cm e,
para o germnio, = 1,42 10
-12
F/cm.
Para se ter uma idia da ordem de grandeza, a largura da regio da ordem de micra,
enquanto que o comprimento total da barra da ordem de cm (dez mil vezes maior). Logo, a
largura da regio de depleo desprezvel em relao ao comprimento total do dispositivo.
Como o campo eltrico igual diferena de potencial dividida pela distncia, conclui-se que a
sua intensidade no interior da regio de depleo bastante elevada.

EXEMPLO NUMRICO: Numa juno PN de germnio, a concentrao de lacunas no lado P
de 10
18
cm
-3
e a concentrao de eltrons livres no lado N de 10
16
cm
-3
. Calcular o potencial
de contato e a largura da regio de depleo, a 300 K.

17
Diodo Semicondutor

Para que se obtenha acesso externo juno PN necessrio o acoplamento de
terminais metlicos. A conexo eltrica entre um metal e um semicondutor P ou N constitui o
que se chama juno metal-semicondutor. Essas junes podem ser realizadas de modo a
conduzirem igualmente em ambos os sentidos, quando so chamados de contatos hmicos (ou
no-retificadores), ou de modo a apresentarem conduo predominantemente em um dos
sentidos, quando so chamados de contatos no-hmicos (ou retificadores).
Fazendo-se contatos hmicos para colocao de terminais em cada uma das
extremidades de uma juno PN, temos o componente eletrnico que se chama diodo
semicondutor ou, simplesmente, diodo.
A presena das duas junes metal-semicondutor presentes num diodo explica o fato de
que, mesmo existindo um potencial de contato Vo entre os dois lados da juno PN, a medio da
tenso entre os terminais de um diodo em circuito aberto resulte numa leitura nula. Quando se
utiliza um multmetro para medir esse potencial, as junes metal-semicondutor do origem a dois
novos potenciais de contato, que equilibram o potencial interno. Assim, a leitura obtida ser zero.
A simbologia e o aspecto fsico de um diodo so mostrados na Figura 13. O terminal
ligado regio P chamado de anodo (A) e o terminal ligado regio N chamado catodo (K).
O catodo representado por um trao transversal e o anodo por uma seta, que indica, como
veremos a seguir, o sentido preferencial de conduo de corrente em um diodo semicondutor. At
observao em contrrio, os termos diodo e juno PN sero utilizados como sinnimos.



Figura 13 - Simbologia e Aspecto Fsico de um Diodo Semicondutor


Polarizao de uma Juno PN

Chamamos de polarizao de um dispositivo eletrnico a aplicao de tenses de modo a
faz-lo operar de modo conveniente. Diferentemente do que ocorre com os dispositivos eltricos,
o comportamento de um dispositivo eletrnico pode sofrer alteraes significativas com a
mudana de sua polarizao. Essa , em ltima anlise, a razo para a grande versatilidade
desses dispositivos.
Existem duas maneiras de polarizar uma juno PN: a polarizao reversa, que provoca
a circulao de corrente pelo sentido no preferencial de conduo, e a polarizao direta, que
leva circulao de corrente pelo sentido preferencial de conduo. Estudaremos a seguir o
comportamento, as caractersticas e as aplicaes de uma juno PN polarizada de cada uma
das duas formas possveis.








ANODO (A) CATODO (K)
Smbolo
Aspecto Fsico
marca no corpo do
componente indicando o catodo.
18
Juno PN Reversamente Polarizada - Caractersticas e Aplicaes

Dizemos que uma juno PN est reversamente (ou inversamente) polarizada quando o
potencial do anodo menor de que o potencial do catodo, ou seja, o anodo negativo em relao
ao catodo. A Figura 14 ilustra algumas situaes de polarizao reversa de uma juno PN.




Figura 14 Trs Diferentes Situaes de Polarizao Reversa de Uma Juno PN

A polarizao reversa altera o equilbrio da juno PN de duas maneiras. Em primeiro
lugar, os portadores majoritrios de cada lado da juno so afastados da mesma pelo potencial
VR aplicado. Logo, a polarizao reversa provoca o aumento da largura da regio de depleo e
impossibilita qualquer corrente de portadores majoritrios. Em segundo lugar, a polarizao
reversa causa um aumento na altura da barreira de potencial.
A corrente de portadores majoritrios nula, mas, como sabemos, existem eltrons livres
no lado P e lacunas no lado N - so os portadores minoritrios termicamente gerados. A tenso
reversa VR tem a polaridade adequada para dar a esses portadores a energia necessria para
"saltar" a barreira de potencial. Desse modo, estabelece-se uma corrente, de pequena
intensidade (j que os portadores minoritrios existem em pequeno nmero), chamada de
corrente de saturao reversa do diodo (Is).
temperatura ambiente, para a maior parte das aplicaes prticas, o valor de Is
desprezvel (da ordem de nA para o silcio e de A para o germnio), e pode ser considerado
zero. Logo, uma juno PN reversamente polarizada se comporta como uma resistncia de
altssimo valor. Em condies ideais, como veremos adiante, consideraremos uma juno PN
reversamente polarizada como um circuito aberto.
O valor da corrente de saturao reversa pode ser calculado pela equao:
Is =
ABq
e
BD
p
Bp
n
L
p
fffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffff
, onde A a rea da seo reta da juno, p
n
a concentrao de
lacunas na regio N e L
p
o chamado o chamado comprimento de difuso das lacunas
injetadas no regio N da juno, ou seja, a distncia exponencial mdia que as lacunas, que so
os portadores majoritrios na regio P, percorrem antes de se recombinarem na regio N, onde
so minoritrias. Essa equao parte da premissa de que a concentrao de impurezas na
regio P muito maior do que na regio N.
A denominao corrente de saturao deve-se ao fato de que essa corrente alcana
rapidamente o seu valor mximo, a partir do que se torna praticamente independe do potencial
reverso VR aplicado. Isso pode ser entendido lembrando que a tenso reversa produz dois
efeitos conflitantes: tende a aumentar a circulao de portadores minoritrios (o que aumentaria o
valor da corrente) e tende a aumentar a largura da regio de depleo (o que reduziria o valor da
corrente).
O valor da corrente de saturao reversa, no entanto, altamente dependente da
temperatura da juno, j que essa influencia diretamente o nmero de portadores minoritrios
disponveis. O valor dobra, aproximadamente, a cada 10 C de aumento na temperatura da
juno, tanto para os diodos silcio, como para os de germnio. Assim, conhecido o valor de Is a
uma temperatura 1, pode-se calcular de forma aproximada o valor Is a uma temperatura 2
atravs da frmula: Is = IsB2

2
@
1
10
ffffffffffffffffffff
.

VR
5 V
4 V 8 V 2 V
19
Essa equao mostra uma das formas como os diodos semicondutores podem ser
utilizados como sensores de temperatura. Nesse tipo de aplicao, os diodos de germnio so
preferveis, pois embora possuam a mesma sensibilidade
|

\
|

Is
dos diodos de silcio, apresentam
um valor de corrente reversa muito mais elevado e, portanto, mais fcil de ser medido com
preciso.
Nos diodos reais, corrente de saturao reversa se soma uma corrente de fuga
superficial, cujo valor independe da temperatura. A equao acima j leva em conta essa
corrente de fuga.

EXEMPLO NUMRICO: No circuito abaixo, utiliza-se um diodo de silcio que possui corrente de
saturao reversa igual a 100 nA, a 20 C. a) Sabendo que o valor da temperatura de 35 C,
calcular a tenso sobre o diodo. b) Calcular a temperatura em que a tenso sobre o resistor
iguala a tenso sobre o diodo.







Capacitncia de Transio do Diodo Reversamente Polarizado

A Figura 15 mostra a situao de uma juno PN reversamente polarizada. Percebe-se
uma perfeita analogia com um capacitor operando em corrente contnua: uma carga acumulada
(na forma de ons) num meio isolante que serve como dieltrico (a regio de depleo) submetido
a uma tenso (a tenso reversa VR). A corrente de saturao reversa do diodo, de muito baixa
intensidade, equivale corrente de fuga do dieltrico do capacitor.










Figura 15 Aspectos Geomtricos de Uma Juno PN Reversamente Polarizada

Assim, constatamos a existncia de um efeito capacitivo em uma juno PN reversamente
polarizada - a chamada capacitncia de barreira ou capacitncia de transio do diodo
(CT). Seu valor da ordem de pF (10
-12
F).
Is 0
VR
+ + +
+ + +
+ + +
LARGURA ORIGINAL DA REGIO DE DEPLEO










- - - -
- - - -
- - - -
REGIO P REGIO N










REGIO DE DEPLEO ALARGADA
PELA TENSO REVERSA VR
+ -
+ -
4 V
R
800
K
20
Como sabemos, a capacitncia de um capacitor plano inversamente proporcional
espessura do dieltrico. Como a largura da regio de depleo (que faz as vezes de dieltrico)
proporcional ao mdulo da tenso de polarizao reversa VR, conclui-se que um diodo
reversamente polarizado pode ser usado como capacitor com capacitncia dependente da
tenso. O valor mximo da capacitncia de transio ser obtido, portanto, sem tenso aplicada
(ou seja, com VR = 0), pois nessa condio a largura da regio de depleo ser mnima.
Chamando esse valor mximo de capacitncia de transio de Co, podemos calcul-lo por meio
da equao:
Co =CT
mx
= AB
Bq
e
BNaBNd
2BVoB Na + Nd
` a
ffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffff
v
u
u
t
wwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwww
.
Conhecido o valor de Co, o valor CT da capacitncia de transio para valores de tenso
reversa diferentes de zero pode ser calculado atravs da equao: CT =
Co
1 +
VR
Vo
fffffffffff
f g
m
ffffffffffffffffffffffffffff
.
O expoente m vale 0,5 para junes abruptas e cerca de 0,33 para junes graduais.
No havendo informao ao contrrio, utilizaremos esse ltimo valor. O valor da tenso reversa
VR deve ser tomado em mdulo.
Os diodos fabricados especialmente com a finalidade de servir como capacitores de
capacitncia controlada por tenso so conhecidos como varicaps ou varactores (que, na
verdade, so nomes comerciais). O smbolo desses dispositivos mostrado na Figura 16.




Figura 16 Simbologia de um Capacitor Varivel Por Tenso

O smbolo deixa bastante claro que o efeito capacitivo obtido a partir de um diodo e que
a capacitncia do dispositivo varivel. A particularidade que no caso dos varicaps a variao
da capacitncia conseguida atravs da variao da tenso reversa aplicada, e no da rotao
de um cursor, como ocorre nos capacitores variveis comuns. Assim, os varicaps possuem
sobre os capacitores variveis comuns a vantagem de no terem partes mveis, alm das
dimenses muito menores. Tais caractersticas tm levado os varicaps a substituir os capacitores
variveis convencionais em circuitos de sintonia de receptores de rdio e televiso.
EXEMPLO NUMRICO: Um diodo de silcio com concentrao Na igual a 5 10
16
cm
-3
e
concentrao Nd igual a 8 10
13
cm
-3
apresenta capacitncia de transio igual a 20 pF quando
submetido a uma tenso reversa de 5 V. Calcular a rea da seo reta do corpo desse diodo.

21
Diodos Zener - Estabilizao


O valor da corrente de saturao reversa de uma juno PN, como vimos, muito
pequeno. Entretanto, aumentando-se o mdulo da tenso reversa aplicada, chega-se a um
ponto em que a corrente reversa aumenta consideravelmente, atingindo intensidades
comparveis s das correntes diretas. Ao mesmo tempo, a variao da tenso sobre a juno
muito pequena. Essa regio de operao do diodo, chamada de regio de avalanche ou regio
de breakdown, mostrada na Figura 17.










Figura 17 Caracterstica Volt-Ampre de Uma Juno PN Reversamente Polarizada

Existem dois mecanismos fsicos que explicam o comportamento da juno na regio de
avalanche:
Ruptura por efeito Zener Ocorre quando o campo eltrico na regio de depleo se torna
suficientemente intenso para levar eltrons da banda de valncia para a banda de conduo,
gerando dessa forma novos portadores minoritrios que elevaro o valor da corrente reversa.
Ruptura por avalanche Ocorre quando os portadores minoritrios que atravessam a juno
ganham energia cintica suficiente para, atravs de choques com a estrutura cristalina,
romper outras ligaes covalentes, gerar novos portadores que por sua vez tambm se
chocam com a estrutura, num efeito cumulativo.

O valor da tenso de avalanche de um diodo estabelecido atravs do controle do nvel
de dopagem durante o processo de fabricao. Altos nveis de dopagem favorecem o efeito de
Zener, que d origem a tenses de avalanche abaixo de 5 V. Menores nveis de dopagem
favorecem o efeito de avalanche, que d origem a tenses de avalanche superiores a 5 V.
Embora os mecanismos fsicos dos efeitos de Zener e avalanche sejam diferentes, sua
manifestao externa exatamente a mesma, ou seja, do origem a uma regio na polarizao
reversa em que uma grande variao no valor da corrente corresponde a uma pequena variao
no valor da tenso.
Os diodos comuns de silcio entram na regio de avalanche com uma polarizao reversa
da ordem de centenas de volts. O diodo 1N4007, por exemplo, suporta at 1000 V de polarizao
reversa antes de entrar em avalanche. Logo, um diodo comum na regio de avalanche
percorrido por uma corrente relativamente alta ao mesmo tempo em que est submetido a uma
tenso elevada, resultando numa alta potncia dissipada. Por esse motivo, a avalanche um
processo que normalmente leva destruio de um diodo comum, devendo ser evitada. Os
fabricantes informam a mxima tenso reversa a que um diodo pode ser submetido com
segurana, ou seja, sem entrar na regio de avalanche. Essa tenso chamada de tenso de
breakdown (V
BR
).
Pequena variao
de tenso ( v)
v
i
Grande variao
de corrente ( i)
Regio de
avalanche
22
Existem diodos fabricados de tal maneira que entram na regio de avalanche com valores
relativamente pequenos de tenso reversa (alguns volts a algumas dezenas de volts), a chamada
avalanche controlada. Desse modo, limitando-se a corrente que os percorre, podem operar na
regio de avalanche sem que sejam danificados. Esse tipo de diodo conhecido como diodo
Zener, independente de qual seja o mecanismo fsico (efeito Zener ou avalanche) que explique o
comportamento do dispositivo.
Uma das principais aplicaes dos diodos Zener na estabilizao de tenso, j que, uma
vez dentro da regio de avalanche (que no caso desses diodos chamada de regio de Zener
ou regio de regulao), a tenso os terminais do Zener praticamente no varia,
independentemente do valor da corrente (pequena variao de tenso v para uma grande
variao de corrente i). A Figura 18 mostra a simbologia de um diodo Zener.



Figura 18 Smbolo de um Diodo Zener

A tenso reversa necessria para levar o diodo Zener regio de regulao chamada de
tenso de regulao ou tenso de Zener (VZ). So fabricados diodos Zener com tenses de
regulao na faixa de poucos volts a dezenas de volts. Para um melhor ajuste da tenso que se
deseja regular, possvel utilizar diodos Zener associados em srie. Pode-se fazer tambm
uma associao paralela de diodos Zener, para aumentar a capacidade de corrente. A
associao paralela, no entanto, no muito freqente e s ser vlida caso os diodos Zener
associados possuam o mesmo valor de tenso de regulao.
Como o efeito Zener (que predomina para VZ < 5 V) possui coeficiente trmico negativo (a
tenso de avalanche diminui com o aumento da temperatura) e o efeito avalanche (que
predomina para VZ > 5 V) possui coeficiente trmico positivo (a tenso de avalanche aumenta
com o aumento da temperatura), os diodos Zener com maior estabilidade trmica so os que
possuem tenso de regulao por volta de 6 V, em que os dois efeitos se compensam.

Consideraes de Ordem Prtica no Uso de Diodos Zener

Em projetos envolvendo diodos Zener, importante conhecer a mnima corrente reversa
para a qual o diodo se mantm na regio de regulao (IZmn) e sua potncia nominal (PZ), que
a mxima potncia que o diodo consegue suportar sem dano alm, obviamente, da tenso de
regulao (VZ). Esses dados so normalmente fornecidos pelo fabricante do diodo. Vale a
relao:

PZ = VZ IZmx, onde IZmx a mxima corrente reversa que o diodo Zener pode
suportar.

Quando no possvel determinar o valor de IZmn, pode-se utilizar a aproximao prtica
IZ
mn
=
IZ
mx
10
ffffffffffffff
. Trata-se apenas de uma estimativa prtica que costuma funcionar com boa
margem de segurana - no uma lei da Eletrnica.

Os fabricantes costumam adotar como valor nominal da tenso de regulao de um diodo
Zener aquele que obtido em 25% da potncia mxima, ou seja, quando a corrente que percorre
o diodo igual a um quarto do valor mximo permitido. Assim, um diodo Zener com
especificao de 5,6 V / 1 W apresentar a tenso de regulao nominal a uma corrente igual a:
44,6
5,6 4
1
VZ 4
PZ
I

= mA.
23
Circuito Bsico de Estabilizador de Tenso Utilizando Diodo Zener


Quase sempre necessrio que o valor da tenso contnua que alimenta um dispositivo
qualquer seja mantido praticamente constante. No entanto, existem alguns fatores que
concorrem para a variao desse valor, como a alterao do valor da tenso AC a partir da qual
se obtm a tenso contnua ou a alterao do valor da corrente consumida pelo dispositivo. Para
minimizar essa variao, utilizam-se circuitos chamados de estabilizadores de tenso, cuja
verso bsica, empregando o diodo Zener, est esquematizado na Figura 19.













Figura 19 Circuito Bsico de Estabilizador de Tenso Com Diodo Zener

Respeitadas certas condies bsicas, esse circuito permite obter na sada uma tenso de
cuja variao seja significativamente menor do que as variaes no valor da tenso de entrada ou
na resistncia de carga. Obviamente, nesse tipo de circuito estabilizador, o valor da tenso de
sada ser sempre inferior ao valor mnimo assumido pela tenso de entrada.



Anlise Para Tenso de Entrada Varivel e Resistncia de Carga Fixa

Temos, nesse caso, uma corrente de carga I
L
de valor fixo. O ponto crtico para o
adequado funcionamento do circuito o correto dimensionamento do resistor limitador RS. Se for
superdimensionado, RS far com que, nos valores mnimos da tenso de entrada, a corrente no
diodo Zener seja inferior a IZmn, saindo dessa forma da regio de regulao. Se RS for
subdimensionado, quando a tenso de entrada atingir seus valores mximos a corrente no diodo
Zener ser maior que IZmx e ele ser danificado.

Para calcular os valores limite para RS, devemos conhecer:

- os limites de variao da tenso de entrada (vi
mn
e vi
mx
)
- a corrente na carga I
L

- a mxima corrente permissvel para o diodo Zener IZ
mx

- a mnima corrente de regulao IZ
mn

- a tenso de regulao VZ

O limite superior de RS (RS
mx
) deve ser calculado de modo a garantir que mesmo no
valor mnimo da tenso de entrada a corrente no diodo Zener seja superior (no limite, igual) a
IZ
mn
. O circuito equivalente nessa situao o mostrado na Figura 20.





RS
R
L
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
vi
v
RS

vo = v
L
= VZ
i
Z

I
RS
= i
Z
+ I
L


I
L

24











Figura 20 Circuito Estabilizador na Condio de Mnima Tenso de Entrada

Aplicando-se as leis de Kirchoff e de Ohm:

I
RS
= IZ
mn
+ I
L
, V
RS
= vi
mn
- VZ, RS
mx
=
V
RS
I
RS
fffffffffffff
[RS
mx
=
vi
mn
@VZ
IZ
mn
+ I
L
ffffffffffffffffffffffffffffffffff
.

O limite inferior (RS
mn
) deve garantir que a corrente no Zener no ultrapasse IZ
mx
,
mesmo quando a tenso na entrada atingir seu valor mximo. Aplicando as leis de Kirchoff e de
Ohm ao circuito equivalente nessa situao:











Figura 21 Circuito Estabilizador na Condio de Mxima Tenso de Entrada

I
RS
= IZ
mx
+ I
L
, V
RS
= vi
mx
- VZ, RS
mn
=
V
RS
I
RS
fffffffffffff
[RS
mn
=
vi
mx
@VZ
IZ
mx
+ I
L
fffffffffffffffffffffffffffffffffff
.

O valor efetivo de RS deve ser escolhido entre os dois limites acima, isto , de tal forma
que: RS
mn
< RS < RS
mx
. Uma boa escolha a mdia aritmtica entre os dois limites.
Isso garante uma boa margem de segurana, para o caso dos valores reais no serem
exatamente iguais aos considerados no momento do projeto.
possvel que em alguns projetos os clculos acima conduzam a um valor de RS
mn

superior ao de RS
mx
(uma impossibilidade fsica). Quando isso ocorre, significa que a potncia
do diodo Zener empregado insuficiente para atender aos requisitos do projeto, devendo ser
substitudo por outro de maior potncia. Ao se atingir o limite de potncia do Zener, temos
RS
mx
= RS
mn
.
Outras situaes em que esse circuito pode ser usado so:
Tenso na entrada constante, mas corrente de carga varivel.
Tenso de entrada constante combinada com corrente de carga tambm varivel.

Embora no abordemos diretamente essas situaes nesta apostila, os princpios vistos
acima se aplicam a elas de forma anloga.
RS
mx

R
L
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
vi
mn

v
RS

vo = v
L
= VZ
i
Zmn

I
RS
= i
Zmn
+ I
L

I
L

RS
mn

R
L
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
vi
mx

v
RS

vo = v
L
= VZ
i
Zmx

I
RS
= i
Zmx
+ I
L

I
L

25
Exemplo Numrico: Uma carga de resistncia igual a 100 e que necessita de uma
corrente de 200 mA alimentada a partir da tenso cujo grfico mostrado abaixo. Projetar um
circuito estabilizador com diodo Zener para fornecer a alimentao adequada para a carga a partir
da tenso disponvel. O diodo Zener deve ser o de menor potncia possvel.




























b) Supondo que o verdadeiro valor da corrente mnima de regulao seja de 2 mA, recalcular o
valor mnimo de potncia do diodo.














vi (V)
t
35
25
26
JUNO PN DIRETAMENTE POLARIZADA
CARACTERSTICAS E APLICAES


Uma juno PN est diretamente polarizada quando o potencial do anodo superior ao do
catodo, como mostra a Figura 22.






Figura 22 Trs Diferentes Situaes de Polarizao Direta de Uma Juno PN
Uma vez que a queda de tenso ao longo do semicondutor desprezvel, a tenso de
polarizao estar quase que inteiramente concentrada na regio de depleo. Como a tenso
tem polaridade oposta do potencial interno de contato Vo, a polarizao direta atua no sentido
de reduzir a barreira de potencial que, nas condies de equilbrio (sem tenso externa aplicada),
impede a difuso dos portadores majoritrios localizados em cada lado da juno.
Com a virtual eliminao da barreira de potencial, retoma-se o processo de difuso e as
lacunas abundantes na regio P cruzam a juno, sendo injetadas na regio N. Analogamente,
os eltrons livres em excesso na regio N so injetados na regio P. Ao cruzar a juno, os
portadores majoritrios provenientes de ambos os lados entram numa regio em que eles so
minoritrios. Logo, os portadores injetados rapidamente se recombinam com os portadores
opostos que existem em grande quantidade do outro lado da juno. Isso provoca uma reduo
exponencial na corrente de difuso medida em que os portadores penetram na regio oposta.
Como a corrente a mesma ao longo de todo o dispositivo, conclui-se que, nas proximidades da
juno, antes de cruz-la, as correntes de portadores majoritrios tambm sofrem uma reduo.
A Figura 23 mostra as componentes da corrente numa juno PN diretamente polarizada,
em que a regio P mais dopada do que a regio N. Embora o valor da corrente seja constante
ao longo do dispositivo, a proporo devida s lacunas (setas mais claras) e aos eltrons livres
(setas mais escuras) varia em funo da distncia. A figura permite visualizar claramente o
carter bipolar da corrente no semicondutor.












Figura 23 Composio da Corrente Numa Juno PN Diretamente Polarizada
Vd
999 V
1000 V
8 V 8,7 V
REGIO P
corrente de lacunas majoritrias
corrente de eltrons livres
majoritrios

corrente de eltrons livres
minoritrios

corrente de lacunas minoritrias

decrscimo exponencial da corrente de lacunas
injetadas, devido recombinao
decrscimo exponencial da corrente
de eltrons livres injetados,
devido recombinao
REGIO N
CORRENTE TOTAL NA JUNO (LACUNAS + ELTRONS LIVRES)
27
Como na polarizao direta a corrente composta basicamente de portadores
majoritrios, conclui-se que sua intensidade ter valor muito superior ao que se verifica na
polarizao reversa. Na prtica, valores significativos de corrente (acima de 1% da corrente
mxima suportada pela juno) s se verificam quando a tenso de polarizao direta ultrapassa
um determinado valor, que denominado de tenso de limiar (V ). O valor aproximado de V
de 0,5 V para junes de silcio e de 0,2 V para junes de germnio. Essa , alis, uma das
vantagens que os diodos de germnio apresentam sobre os de silcio (necessitam de menor
tenso direta para o incio efetivo da conduo de corrente).
A relao entre a tenso de polarizao direta vd aplicada a uma juno PN e a corrente
id que a percorre expressa atravs da chamada equao caracterstica direta do diodo:

id = IsB e
v
d
BV
T
ffffffffffffffffffff
@1
d e
.
O fator chamado de parmetro de emisso e tem valor situado entre 1 e 2. Esse
fator varia em funo do mtodo de fabricao do diodo. Para diodos discretos, o valor do
parmetro de emisso est mais prximo de 2, enquanto diodos integrados em pastilhas
possuem valores mais prximos de 1. Experimentos realizados com o diodo de silcio 1N4004
apresentam um valor de parmetro de emisso igual a 1,984. A ordem de grandeza da corrente
tambm influi sobre o valor do parmetro de emisso. Quanto maior o valor da corrente, mais o
valor desse parmetro se aproxima de 1. Salvo indicao em contrrio, utilizaremos o valor 2
para esse fator. Lembrando tambm que a tenso termodinmica VT, temperatura ambiente,
vale aproximadamente 26 mV, a equao anterior pode ser aproximada como:

id = IsB e
v
d
0,052
ffffffffffffffffff
@1
d e
.

Representando-se a equao caracterstica do diodo na forma de um grfico ele ter o
aspecto mostrado na Figura 24.












Figura 24 Caracterstica Volt-Ampre de uma Juno PN Diretamente Polarizada
fcil constatar na curva que a corrente praticamente zero at que o valor da tenso
direta ultrapassa a tenso de limiar. A partir de ento, pequenos incrementos no valor da tenso
aplicada do origem a grandes incrementos no valor da corrente que percorre o diodo, sendo
bastante fcil atingir valores danosos para o dispositivo, caso no sejam tomadas as devidas
medidas de proteo. O exemplo numrico a seguir demonstrar claramente essa afirmao.
EXEMPLO NUMRICO: Calcular o valor da corrente que percorre os diodos de silcio em cada
um dos casos abaixo. A corrente de saturao reversa em todos os casos vale 50 nA e a
temperatura vale 27 C.





i
D

v
D

v


Vd = 0,8 V
a)
Vd = 0,6 V
b)
Vd = 1,2 V
c)
28
Resistncia Dinmica do Diodo

Observando a equao caracterstica direta do diodo, notamos que, se a tenso aplicada
for suficientemente superior a VT, pode-se fazer a aproximao:
id
t
IsBe
v
d
BV
T
ffffffffffffffffffff
[v
d
t
BV
T
Bln
id
Is
ffffff
h
j
i
k
. Lembrando que a resistncia dinmica (ou
resistncia incremental) rd definida como a derivada da tenso em funo da corrente,
podemos calcular: rd =
dv
di
ffffffff
= BV
T
B
Is
id
ffffff
B
1
Is
fffff
[rd =
BV
T
id
fffffffffffffffff
. No entanto, ao se utilizar
essa equao no se deve esquecer que, alm da resistncia dinmica, o diodo apresenta
tambm a resistncia hmica, que pode ter valor superior.

EXEMPLO NUMRICO: Calcular o valor da resistncia dinmica do diodo nas trs situaes do
exemplo anterior.

Capacitncia de Difuso de uma Juno PN Diretamente Polarizada

Assim como ocorre na polarizao reversa, a juno PN diretamente polarizada tambm
apresenta um efeito capacitivo. Esse efeito tem origem na variao de carga que ocorre quando
os portadores majoritrios cruzam a juno, tornando-se minoritrios do lado oposto e sendo
destrudos pela recombinao. Como a capacitncia a derivada da carga em relao
tenso, conclui-se que a essa variao de carga corresponde um efeito capacitivo, ao qual se d
o nome de capacitncia de difuso (CD). importante notar que a capacitncia de difuso
mais um efeito capacitivo do que uma capacitncia propriamente dita, visto que neste caso, ao
contrrio do que ocorre com a capacitncia de transio CT, no se verifica a caracterstica
essencial de uma capacitncia fsica, que a presena de um campo eltrico entre cargas
fisicamente separadas e de sinais contrrios.
O valor da capacitncia de difuso pode ser calculado pela equao:
V
id
T

CD

=

, sendo o chamado tempo mdio de vida dos portadores, ou seja, o tempo
mdio decorrido at a recombinao dos portadores majoritrios que cruzam a juno.
Dependendo do diodo, a ordem de grandeza de varia entre nanossegundos e centenas de
microssegundos.
Ao contrrio do que ocorre com a capacitncia de transio (na polarizao reversa), no
existe uma aplicao prtica para a capacitncia de difuso, que sempre considerada
indesejvel, de forma que a juno deve ser projetada de tal forma a apresentar um valor mnimo
para essa caracterstica, especialmente quando se objetivam aplicaes em alta freqncia.
As capacitncias de transio (CT) e de difuso (CD) se manifestam tanto na polarizao
direta como na polarizao reversa. No entanto, na polarizao reversa predomina a capacitncia
de transio, e podemos desprezar a de difuso. Na polarizao direta ocorre justamente o
contrrio, e desprezamos a capacitncia de transio, considerando apenas a de difuso.

EXEMPLO NUMRICO: Supondo que a capacitncia do diodo na situao b) do exemplo
anterior seja de 0,1 F, calcular o tempo mdio de vida dos portadores.
29
Tempo de Recuperao Reversa de um Diodo

Imaginemos que o circuito esquematizado na Figura 25 seja submetido a uma tenso com
o comportamento temporal mostrado no grfico superior.

























Figura 25 Circuito Com Diodo e Respectivos Grficos de Tenso e Corrente
O grfico do meio mostra o comportamento esperado: assim que se inverte a polaridade
da tenso de entrada, a corrente deveria passar do valor aproximado de para o valor aproximado
de 0 (na verdade, -Is). No entanto, o comportamento real o mostrado no grfico inferior: logo
aps a inverso da polaridade da tenso de entrada, a corrente, ao invs de cair imediatamente a
zero, simplesmente inverte o seu sentido, mas mantm, durante um certo intervalo, o seu valor
anterior. Depois de um tempo, o valor da corrente comea a diminuir exponencialmente, at que
se atinge o valor esperado, ou seja, a corrente de saturao reversa.
Tal comportamento se explica pelo fato de que imediatamente antes do instante t1
(inverso da polaridade) havia uma grande quantidade de portadores majoritrios se deslocando
atravs da juno. Quando a polaridade se inverte, durante um intervalo de tempo t
s
o nmero
de portadores acumulados praticamente mantm o mdulo da corrente anterior, havendo apenas
uma inverso de sentido. Esse intervalo t
s
chamado de tempo de acumulao.
vi
i
i
t
t
t
+V
-V
-Is
RL
V
+
-Is
t1
t
s

t
t

t
rr =
t
s +
t
t

vi(t) RL
RL
V

RL
V
+
30
Logo aps o tempo de acumulao, o nmero de portadores decai exponencialmente
devido recombinao. Depois de um intervalo de tempo t
t
, chamado de tempo de transio,
a corrente finalmente atinge o valor de saturao reversa. O intervalo compreendido entre o
instante da inverso de polaridade e o instante em que a corrente chega ao valor de saturao
reversa conhecido como tempo de recuperao reversa (t
rr
), e uma caracterstica de grande
importncia para os diodos, especialmente quando utilizados em aplicaes de chaveamento, nas
quais podem ocorrer inverses de polaridade num intervalo muito pequeno.
Nos diodos comerciais, a ordem de grandeza do tempo de recuperao reversa varia entre
centenas de milissegundos e centenas de picossegundos.

Limitando a Corrente Direta com uma Resistncia em Srie

Como pudemos notar atravs do exemplo numrico da Pgina 24, o valor da corrente que
percorre uma juno PN diretamente polarizada aumenta bruscamente com pequenos aumentos
na tenso aplicada. Desse modo, necessrio limitar o valor dessa tenso, para impedir que a
juno seja danificada pelo excesso de potncia dissipada. Essa limitao pode ser facilmente
obtida colocando-se uma resistncia em srie com a juno, como na Figura 26, que mostra um
circuito dado, com propsito apenas ilustrativo, com valores numricos.




Figura 26 Circuito de Polarizao Direta de um Diodo

A resistncia R limita o valor mximo possvel para a corrente no circuito, protegendo
assim o diodo. Calculando o valor mximo terico para a corrente (que ocorreria se a tenso v
D

sobre o diodo fosse considerada igual a zero):
1
100
100
R
V
R
V
i
v
i i
D
R D
= =

= = = A. Supondo que o valor da corrente de saturao reversa do

diodo seja igual a 50 nA (mesmo valor utilizado no exemplo numrico), podemos calcular a tenso
sobre o diodo correspondente a uma corrente direta de 1 A:

0,874V 1
50
1
ln 0,052 1
Is
ln 0,052
1
Is
ln
0,052
v
1
Is
1
v
Is
1
v
Is
10
v
i
v
i v
e
i
e
i
e i
9 D
D
D
D D
0,052
D
0,052
D
0,052
D
D D D

|
|

\
|
+

=
|
|

\
|
+ =

|
|

\
|
+ = = + =
|
|

\
|
=

Esse exemplo mostra claramente o efeito protetor da resistncia limitadora. Quando no
existirem os dados necessrios para a realizao dos clculos, consideraremos que, existindo
alguma resistncia em srie com uma juno PN diretamente polarizada, o valor aproximado da
tenso sobre ela ser igual a 0,7 V.
Uma vez que a tenso sobre uma juno PN reversamente polarizada relativamente
baixa (centsimos de volts) mesmo para uma corrente relativamente alta (centenas de
miliampres ou at alguns ampres), podemos concluir que, em condies de polarizao direta,
uma juno PN se comporta como uma resistncia de baixo valor.
R = 100
V = 100 V i
+ ++ +
+ ++ +
v
R

v
D

31
EXEMPLO: As lmpadas no circuito abaixo necessitam de uma tenso mnima de 5 V para
apresentar uma luminosidade perceptvel, sendo nessa condio percorridas por uma corrente de
10 mA. Determinar quais delas esto acesas e quais esto apagadas e explicar o porqu.














Conceito de Reta de Carga

Apliquemos as leis de Kirchoff e de Ohm ao circuito anterior, desconsiderando dessa vez
os valores numricos.

Obtm-se as seguintes equaes: +V - v
D
- Vr = 0 (LKT) v
D
= V - Vr
Vr = i
D
R (Lei de Ohm) v
D
= V - i
D
R

Essa ltima equao representa uma reta, chamada reta de carga, que relaciona a
tenso e a corrente no diodo. Esse conceito no exclusivo para o diodo, mas se estende a
qualquer tipo de dispositivo eletrnico, como teremos oportunidade de constatar futuramente.
Como vimos anteriormente, a relao entre a tenso e a corrente num diodo diretamente
polarizado tambm representada atravs da equao caracterstica do diodo. Logo, com essas
duas equaes (equao caracterstica diodo e equao da reta de carga), obtm-se um sistema
que permite calcular com exatido os valores de i
D
e v
D
.
Infelizmente, a soluo desse sistema no pode ser obtida atravs de operaes
normais, sendo necessrio o uso de mtodos iterativos (tentativa e erro). No entanto, pode-se
obter uma soluo grfica para o problema: basta traar no mesmo sistema de eixos a reta de
carga e a curva caracterstica do diodo, obtendo-se os valores de i
D
e v
D
atravs da interseo
de ambas.
Para traar uma reta, basta obter dois quaisquer de seus pontos. Para tanto, vamos
tomar a equao da reta de carga e fazer primeiramente i
D
= 0 e calcular o valor correspondente
de v
D
(obtendo assim o 1 ponto) e depois fazer v
D
= 0 e calcular o valor correspondente de i
D

(obtendo assim o 1 ponto):
para i
D
= 0, tenho v
D
= V (primeiro ponto)
v
D
= V - i
D
R,
para v
D
= 0, tenho i
D
= V / R (segundo ponto)

Assim, a reta de carga tem o aspecto mostrado no primeiro grfico da Figura 27. No
grfico da direita, vemos a reta de carga e a curva caracterstica do diodo traadas
simultaneamente. O ponto de interseo entre ambas determina os valores efetivos i
D
e v
D
da
tenso e da corrente no diodo. Isso o que chamamos de determinao grfica do ponto de
operao do diodo.
L1 L3
L2
L4
L5
D1
D2
D3
D4
D5
6 V
32












Figura 27 Traado da Reta de Carga e Determinao do Ponto de Operao de um Diodo

Curva Caracterstica Completa de uma Juno PN

Havendo estudado o comportamento de uma juno PN tanto em polarizao reversa
como em polarizao direta, estamos em condies de compreender o aspecto completo da
curva caracterstica de uma juno PN, representada fora de escala na Figura 28.
























Figura 28 Caracterstica Volt-Ampre Completa de uma Juno PN

Analisando essa curva, conclumos que uma juno PN diretamente polarizada (com
tenso direta superior a V ) apresenta baixssima resistncia, enquanto reversamente polarizada
(com tenso reversa inferior a Vbr) apresenta altssima resistncia. justamente essa
caracterstica que lhe permite ser utilizada como retificadora de tenso.

i
v
V
R
V

i
v
V
R
V

Reta de carga Reta de carga
Curva caracterstica
Ponto de interseo
v
D

i
D

i
D

v
D

v


V
BR

33
Conceito de Diodo Ideal

Vrias das caractersticas da juno PN que estudamos at aqui so indesejveis para
boa parte das aplicaes. Embora, obviamente, elas estejam presentes, os procedimentos
envolvidos em um projeto utilizando diodos seriam grandemente facilitados caso tais
caractersticas pudesse ser desprezadas. Por esse motivo, introduziu-se um modelo com as
seguintes caractersticas para o diodo semicondutor:
corrente de saturao reversa nula
resistncia reversa infinita
tenso de avalanche infinita
capacitncias de transio e de difuso nulas
resistncia direta nula
tenso de limiar nula
comportamento independente da temperatura

Esse modelo, conhecido como diodo ideal, se comportar como uma chave perfeita:
quando diretamente polarizado, equivale a um curto-circuito (chave fechada) e quando
reversamente polarizado, equivale a um circuito aberto (chave aberta), como mostra a Figura 28.






Figura 28 Modelo Diodo Ideal

Desde que se obedeam determinadas condies, esse modelo pode ser utilizado sem
que se incorra em erro significativo. Isso possvel quando:

As resistncias no circuito esto bem acima da resistncia direta do diodo e bem abaixo de
sua resistncia reversa (500 < R < 10 K).
A tenso direta aplicada ao circuito bem superior tenso de limiar (Vd >> V ).

A tenso reversa aplicada ao circuito inferior tenso de limiar do diodo (Vr < Vbr).

A freqncia de operao do circuito inferior a 10 KHz.

A temperatura na juno permanece aproximadamente constante.

A alternncia na polaridade da tenso de alimentao feita de forma suave.

Vrios so os circuitos em as condies acima so satisfeitas, permitindo considerar o(s)
diodo(s) neles utilizado(s) como ideal(ais). Deste ponto em diante, consideraremos todos os
diodos utilizados em nossos circuitos como ideais, a menos que sejam expressamente declarados
como reais.
+
diodo diretamente polarizado
chave fechada
+
diodo reversamente polarizado
chave aberta
34
RETIFICAO
A forma mais comum em que se obtm energia eltrica a alternada senoidal na forma
v(t) = Vmx sen( t + ). Apesar disto, boa parte dos aparelhos e dispositivos eletrnicos requer
tenso contnua para o seu correto funcionamento. Por esse motivo, muitas vezes necessrio
que se obtenha tenso (e/ou corrente) contnua a partir de tenso (e/ou corrente) alternada. A
este processo chamamos retificao. Os circuitos que realizam esse processo chamam-se
retificadores. H, basicamente, dois tipos de retificadores: os retificadores de meia-onda
(RMO) e os retificadores de onda completa (ROC).
Nas anlises de circuitos que faremos a seguir usaremos o modelo ideal para os diodos.

Retificadores de Meia-Onda

So aqueles que realizam a retificao bloqueando a circulao da corrente pela
resistncia de carga durante um dos semiciclos. O circuito bsico de um RMO utilizando diodo
semicondutor apresentado na Figura 29.







Figura 29 Diagrama Bsico de um Retificador de Meia-Onda

Nos semiciclos positivos do sinal de entrada vi, o diodo se encontra diretamente
polarizado, uma vez que o anodo est positivo em relao ao catodo. Supondo o diodo ideal, ele
se comportar como um curto-circuito e o circuito equivalente ser o mostrado na Figura 30.





Figura 30 Circuito Equivalente do RMO nos Semiciclos Positivos

Nos semiciclos negativos do sinal de entrada, o diodo estar reversamente polarizado,
comportando-se como um circuito aberto. O circuito equivalente ser o mostrado na Figura 31.







Figura 31 Circuito Equivalente do RMO nos Semiciclos Negativos
vo
R
L

vi
(alternado)
D
vo = vi
vi
D
+ ++ + + ++ +
v
D
= 0
R
L

vo = 0
R
L

vi

D
+ ++ + + ++ +
v
D
= vi

i = 0
35
Supondo de o sinal de entrada vi seja senoidal , ou seja, vi(t) = V
mx
sen( t + ),
teremos no circuito as formas de onda mostradas na Figura 32.













Figura 32 Formas de Onda das Vrias Tenses num RMO

Como podemos notar atravs do grfico de vo, a tenso na sada possui uma nica
polaridade, sendo, portanto, uma tenso contnua. Como a tenso de entrada alternada,
ocorreu, de fato, uma retificao.
O valor mdio DC (vo
DC
) e o valor eficaz (vo
ef
) da tenso de sada podem ser calculados
atravs das frmulas abaixo (vlidas apenas para entradas senoidais):
vo
DC
=
vi
mx

ffffffffffffff
e vo
ef
=
vi
mx
2
ffffffffffff
.
Dimensionamento do Diodo

Em aplicaes prticas muito importante dimensionar corretamente os componentes a
serem utilizados no circuito real. A primeira considerao refere-se corrente a ser suportada
pelo diodo. No caso do circuito em questo, temos: I
DC
=
vo
DC
RL
fffffffffffff
=
vi
mx
BRL
ffffffffffffffffff
. Logo, deve ser
escolhido um diodo que suporte continuamente esse valor de corrente. O valor de pico da
corrente ser: I
mx
=
vi
mx
RL
ffffffffffffff
.
O diodo escolhido dever ser capaz de suportar periodicamente picos de corrente com
esse valor. O ltimo dado de importncia para a escolha do diodo adequado ao projeto a
tenso de pico inverso (TPI), que o mximo valor de tenso reversa a que ele ficar
submetido. Atravs dos grficos acima podemos constatar que para o retificador em questo
teremos:
TPI = Vimx , e devemos escolher um diodo com tenso de avalanche com
valor superior (V
BR
> Vimx).
t
vi
+Vimx
0
-Vimx
v
D

t
0
vo
t
-Vimx
-Vimx
36
Retificadores de Onda Completa

So aqueles que realizam a retificao invertendo o sentido da corrente na resistncia de
carga em um dos semiciclos. Possuem sobre os RMOs a grande vantagem de aproveitar quase
toda a energia fornecida sua entrada, com a desvantagem de necessitarem de circuitos mais
complexos. Existem dois circuitos bsicos para o ROC: o que utiliza transformador com
tomada central (ROCT) e o retificador em ponte (ROCP).

Retificador Utilizando Transformador com Tomada Central

Esse circuito necessita de um transformador cujo secundrio possua uma tomada central
(center tap) que divida a tenso AC na entrada do retificador em duas partes iguais. Seu
diagrama est esquematizado na Figura 33.








Figura 33 Diagrama de um Retificador de Onda Completa com Transformador

Nos semiciclos positivos, o diodo D1 est diretamente polarizado e se comporta como um
curto-circuito, enquanto o diodo D2 est reversamente polarizado e se comporta como um circuito
aberto. Logo, o circuito equivalente nesses semiciclos ser o mostrado na Figura 34. Notar o
sentido de percurso da corrente de carga I
L
.









Figura 34 Circuito Equivalente do ROCT nos Semiciclos Positivos
Percorrendo-se a malha formada pelo secundrio do transformador e pelos diodos, chega-
se seguinte equao (LKT):
+ vi - v
D1
- v
D2
+ vi = 0 v
D1
+ v
D2
= 2 . vi. Como v
D1
= 0, temos v
D2
= 2 vi.
Logo, o diodo cortado fica submetido ao dobro da tenso efetiva de entrada vi e o valor
mximo da tenso sobre ele ser 2 vi
mx
. Isso deve ser levado em conta no dimensionamento
dos diodos.
RL
vi
(alternado)
vo
vi' (tenso
efetiva de
entrada)

vi'
D2
D1
TRAFO

RL
+
+ +
+
vi

vo = vi
vi'

vi'
D1 (diretamente polarizado)
D2 (reversamente polarizado)
+
+
v
D2
= 2 vi
I
L


+
37
Nos semiciclos negativos, invertem-se as polarizaes dos diodos e o novo circuito
equivalente ser o mostrado na Figura 35.












Figura 35 Circuito Equivalente do ROCT nos Semiciclos Negativos

Como se pode notar, apesar da inverso da polaridade da tenso de entrada, a corrente
percorre a resistncia de carga no mesmo sentido. Assim, em ambos os semiciclos a polaridade
da tenso sobre a resistncia de carga a mesma, isto , a tenso de sada contnua.
Supondo uma tenso de entrada senoidal, teremos no circuito as formas de onda da Figura 36.


































Figura 36 Formas de Onda das Vrias Tenses num ROCT
t
vi
+Vimx
0
-Vimx
t
-Vimx
v
D1

t
v
D2

+Vimx
t
v
RL

+Vimx

RL
+
+
+
+
vi

vo = vi
vi'
D1 (reversamente polarizado)
D2 (diretamente polarizado)
+
+
v
D1
= 2 vi
I
L


+
vi'
38
Como a tenso efetiva de entrada senoidal, valem as relaes:

max Vi' 2
voDC

=
2
max Vi'
voef
= .
Escrevendo a equao LKT para o secundrio do transformador (semiciclo positivo):
+vi v
D1
v
D2
+ vi = 0. Como v
D1
= 0 (diodo diretamente polarizado nesse semiciclo), temos:
v
D2
= 2 vi. Conclui-se que o diodo reversamente polarizado fica submetido a uma tenso igual
ao dobro da tenso efetiva de entrada. Esse fato deve ser levado em conta ao se dimensionar
os diodos de um ROCT.

Retificador em Ponte

O ROCT possui a desvantagem de necessitar de um tipo especial de transformador. Isso
impossibilita, por exemplo, que tenses alternadas no senoidais sejam retificadas sem sofrer
significativa distoro. Por essa razo, muito utilizado na prtica o retificador de onda
completa em ponte (ROCP), que dispensa o uso de transformador
(*)
. Seu diagrama
apresentado na Figura 37, em duas representaes diferentes. O nome do circuito deve-se ao
fato de que os diodos esto conectados de modo a formar uma Ponte de Wheatstone.














Figura 37 Dois Possveis Diagramas Para um Retificador em Ponte
Nos semiciclos positivos da tenso de entrada, os diodos D1 e D3 estaro diretamente
polarizados e se comportando como curto-circuitos. Os diodos D2 e D4, por sua vez, estaro
reversamente polarizados, comportando-se como circuitos abertos. O circuito equivalente
mostrado na Figura 38.














Figura 38 Circuito Equivalente do ROCP nos Semiciclos Positivos
R
L
vi
D1
D2
D3
D4
vo
RL
vo
vi
D1 D4
D3 D2
R
L
D1
D2 D3
D4
vo = vi
RL
vo = vi
D1 D4
D3 D2
+ ++ +
vi
I
L

+ ++ +
+ ++ +
vi
+ ++ +
I
L

39
Nos semiciclos negativos, invertem-se as polarizaes dos diodos e o novo circuito
equivalente ser o da Figura 39.












Figura 39 Circuito Equivalente do ROCP nos Semiciclos Negativos

Como podemos ver, em ambos os semiciclos a tenso na sada tem a mesma polaridade,
mostrando que o circuito realmente um retificador. Para o caso de uma entrada senoidal, as
formas de onda so semelhantes s observadas no ROCT. A diferena que os diodos
reversamente polarizados ficam submetidos a uma tenso igual a vi (em vez de 2 vi). Logo,
para um mesmo valor de tenso de sada, o ROCP utiliza diodos menos robustos (e portanto
mais baratos) do que os exigidos por um ROCT com mesmo valor de tenso de sada. Em
compensao, necessita de quatro diodos, ao invs dos dois requeridos pelo ROCT.
Para o caso de tenso de entrada senoidal vi(t) = vi
mx
sen( t + ), temos as relaes:

Vimax 2
voDC

=
2
Vimax
voef
=

Observaes Finais Sobre os Circuitos Retificadores

O fato de o ROCP dispensar a utilizao de transformador para o seu funcionamento trata-se
de uma vantagem apenas relativa sobre o ROCT, j que na maioria das vezes o transformador
necessrio para a reduo (ou, algumas vezes, elevao) da tenso alternada disponvel.
Em alguns casos, essa reduo pode ser feita utilizando-se um capacitor. Somente nesses
casos a vantagem do ROCP efetiva.
possvel encontrar no mercado o conjunto de 4 diodos que forma o retificador em ponte
encapsulado como um componente nico. Esse componente, que tem o aspecto apresentado
na figura 40, conhecido como ponte retificadora e facilita a montagem e reduz as
dimenses dos circuitos de fontes de alimentao.




Figura 40 Aspecto de uma Ponte Retificadora Monoltica

Os circuitos retificadores que estudamos at aqui so os tipos clssicos. Existem outros
circuitos utilizando diodos que realizam a retificao. O mtodo para a anlise desses circuitos
o mesmo: verifica-se a polarizao do(s) diodo(s) nos semiciclos positivo e negativo do sinal
alternado de entrada, determina-se o circuito equivalente em cada caso e se obtm o sinal de
sada. Caso o sinal de sada seja contnuo (uma nica polaridade), o circuito retificador.
Caso o sinal de sada seja alternado ou zero, o circuito no retificador.

R
L
D1
D2 D3
D4
vo = vi
+ ++ +
vi
I
L

+ ++ +
RL
vo = vi
D1 D4
D3 D2
+ ++ +
vi
+ ++ +
I
L

40
EXEMPLO: Dados os circuitos abaixo, cujos diodos so ideais, analisar o seu funcionamento
determinando o circuito equivalente para cada polaridade do sinal de entrada, que o mesmo
para ambos os circuitos. Esboar o grfico do sinal de sada para cada um deles. Determinar
se os circuitos so ou no retificadores. Cada diviso vertical dos grficos equivale a 3 V.




















































R1 15
R2
10

R3
5

vi vo1
t
vi
t
vo1
t
vo2
R1 15
R2
10

R3
5

vi vo2
41
FILTRAGEM


Como pudemos notar em nosso estudo sobre retificadores, a tenso sobre a resistncia
de carga, apesar de contnua, no constante, isto , no se trata de uma tenso contnua pura
- juntamente com a componente DC (vo
DC
) existem componentes alternadas misturadas.
possvel demonstrar que essas componentes alternadas so uma soma de senides, com
freqncias que so mltiplos inteiros da freqncia da rede. Quanto maior a freqncia da
componente, menor a sua amplitude. O valor eficaz dessa soma de componentes alternadas
chamada de tenso de ondulao ou tenso de ripple (Vr).
A relao entre a tenso de ripple e a tenso DC na sada de um retificador chamada de
fator de ondulao ou fator de ripple ( r ), sendo calculado atravs da frmula: r =
v
r
vo
DC
fffffffffffff
.
O fator de ripple permite avaliar a qualidade de um retificador. Quanto menor seu valor,
melhor o retificador. Como geralmente difcil determinar o valor de Vr, mais comum calcular o
fator de ripple utilizando a frmula: r =
vo
ef
vo
DC
fffffffffffff
h
j
i
k
2
@1
v
u
u
u
u
t
wwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwwww
. O fator de ripple geralmente dado
na forma de porcentagem.

Exemplo Numrico: Calcular o fator de ripple de um RMO e de um ROC.






















Como o exemplo numrico demonstrou, a porcentagem de tenso alternada na sada dos
retificadores que estudamos bastante elevada, sendo inclusive suficiente para inviabilizar o
correto funcionamento da maior parte dos aparelhos que exigem corrente contnua. Por esse
motivo, necessrio reduzir o valor das componentes alternadas na sada, diminuindo
conseqentemente as variaes na sada do retificador. O processo que permite essa reduo
chamado de filtragem. A maneira mais simples e usual de se realizar a filtragem atravs do
filtro capacitivo, que consiste simplesmente na colocao de um capacitor em paralelo com a
resistncia de carga, formando um filtro passa-baixas. Estudaremos o princpio de funcionamento
desse filtro.
42
Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo

Temos na Figura 41 o diagrama de um retificador de meia-onda ao qual foi adicionado um
capacitor para realizar a filtragem do sinal de sada. Para simplificar a anlise, faremos as
seguintes suposies: a entrada senoidal, o capacitor est inicialmente descarregado, e no
instante inicial estamos iniciando o semiciclo positivo, ou seja, temos vi = 0 e a tenso de entrada
est aumentando.








Figura 41 Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo

Como a Figura 42 ilustra, medida em que a tenso na entrada comea a subir, o diodo
fica diretamente polarizado. O diodo se comporta como um curto circuito e a tenso no capacitor
ser igual tenso de entrada vi. Essa situao perdura at que se atinja o valor de pico do
semiciclo positivo, quando o valor da tenso no capacitor passa a ser igual a vi
mx
.












Figura 42 Circuito Equivalente Durante a Subida do 1 Semiciclo Positivo

Nesse instante, o valor da tenso de entrada comea a decrescer, o que leva o diodo a
ficar reversamente polarizado ainda no semiciclo positivo de vi. Isso ocorre porque a tenso no
anodo, embora ainda positiva, menor do que a tenso no anodo. Assim, o diodo passa a se
comportar como um circuito aberto e o capacitor passa a se descarregar sobre a resistncia de
carga RL. A Figura 43 ilustra essa situao.








Figura 43 Circuito Equivalente Aps a Subida do 1 Semiciclo Positivo
vo
R
L

vi
(senoidal)
D
C
+Vimx
0
-Vimx
t
vo = vc = vi
R
L

vi (valor
crescente)

D
C
carga do capacitor at
atingir vi
mx


vo = vc = vi
R
L

vi (valor
decrescente)

D
C
descarga do capacitor at
que vc seja menor do que vi

+Vimx
0
-Vimx
t
43
Esse processo de descarga continua durante o restante do semiciclo positivo e durante
todo o semiciclo negativo, s se interrompendo no prximo semiciclo positivo, no momento em
que a tenso na entrada do retificador volte a ser superior tenso sobre o capacitor. A partir
desse ponto, o diodo volta a ficar diretamente polarizado, permitindo uma nova carga do capacitor
e recomeando o ciclo. A forma de onda sobre a carga conhecida como dente-de-serra. Na
Figura 44 a forma de onda mais clara uma dente-de-serra.










Figura 44 Forma de Onda Dente-de-Serra (grfico mais claro)
Quanto maior a constante de tempo de descarga do capacitor (
D
= RL . C), menor ser a
variao de tenso sobre a carga e menor o fator de ripple. A Figura 45 ilustra esse efeito.









Figura 45 Efeito da Variao da Constante de Tempo do Filtro
Como geralmente no possvel alterar o valor da resistncia de carga, procura-se
aumentar o valor da capacitncia de filtragem para melhorar o desempenho do filtro. Como
veremos adiante, existem limites prticos para o valor dessa capacitncia.

A anlise para os ROC inteiramente similar, com a diferena de que o fator de ripple
ainda menor, j que nesse caso o capacitor fica menos tempo se descarregando. Os valores da
tenso DC na sada e do fator de ondulao quando se usa um filtro capacitivo e entrada senoidal
vi(t) = vi
mx
sen( t + ) podem ser calculados atravs das frmulas abaixo.

Para o RMO: vo
DC
= vi
mx
@
I
DC
2BfBC
ffffffffffffffffffffff


C f 2
I
vi vo
DC
max DC

=

C f RL 3 2
1
r

=


Para o ROC:
+Vimx
-Vimx
0
t
0
Constante de tempo 1 (maior)
Constante de tempo 2 (menor)
Variao da tenso
na sada com o uso
da constante 1

vo
t
Variao da tenso
na sada com o uso
da constante 2

44

C f 4
I
vi vo
DC
max DC

=

C f RL 3 4
1
r

=

Em ambos os casos (RMO e ROC), no perodo em que o(s) diodo(s) est(o) conduzindo
o circuito fica sujeito a picos de corrente Ip, cujo valor pode ser calculado atravs da frmula:

( )
|

\
|

+ =
RL
1
C f 2
vi
2
2
max
Ip


Nas frmulas acima, temos:

- I
DC
: corrente exigida pela carga ( I
DC
= vo
DC
/ RL).

- f : freqncia do sinal senoidal de entrada.

- C : capacitncia do capacitor de filtragem.


As frmulas confirmam o fato de que o desempenho do filtro melhora medida em que se
aumenta o valor da capacitncia do capacitor de filtragem. Apesar disto, no se pode aumentar
indefinidamente o valor dessa capacitncia, pois, como demonstra a ltima frmula, os picos de
corrente se tornam maiores, exigindo a utilizao de componentes (diodos, transformador) mais
robustos, maiores e mais caros. Isso impe restries de ordem prtica ao valor da capacitncia
de filtragem
importante notar que a ltima frmula calcula o valor dos picos repetitivos de corrente
(que tm a freqncia da rede, no caso dos RMO, e o dobro da freqncia da rede, no caso dos
ROC), e no o valor da corrente que percorre de forma contnua o circuito. Portanto, o(s)
diodo(s) e o transformador devem ser dimensionados levando-se em conta esse fato. No caso
dos diodos, os manuais costumam designar o valor suportvel de picos de corrente, na base de
um por ciclo da tenso da rede, como I
FSM
. Para se ter uma idia de ordem de grandeza, um
diodo 1N4007 suporta, em regime permanente, uma corrente de at 1,3 A. Esse mesmo diodo
suporta picos de 33 A, a 120 Hz (freqncia de um ROC com entrada de 60 Hz), ou seja um valor
cerca de 25 vezes maior.
A soluo prtica , com o auxlio de um manual ou folha de dados, dimensionar o diodo
capaz de suportar os picos de corrente calculados, observar o valor de corrente que esse diodo
capaz de suportar em regime permanente (chamado no manual de I
FAV
) e especificar o
transformador para suportar esse mesmo valor de corrente.


Exemplo Numrico: Uma resistncia de carga de 100 necessita de uma corrente contnua
e constante de 200 mA, com um fator de ripple mximo de 10% para o seu correto
funcionamento. Sabendo que est disponvel uma tenso senoidal de 220 V / 60 HZ, projetar e
desenhar o diagrama de um retificador em ponte para a alimentao dessa carga. Fazer o
correto dimensionamento dos componentes.






45
OUTROS CIRCUITOS UTILIZANDO DIODOS


Concluindo o estudo sobre os diodos semicondutores, ser feita a anlise de
configuraes clssicas adicionais de circuitos utilizando diodos. Nessas anlises ser utilizado
o modelo ideal para os diodos.

Circuitos Limitadores
Tambm conhecidos como ceifadores ou cortadores, os circuitos limitadores so
caracterizados pelo fato de que o seu sinal de sada composto pela parte do sinal de entrada
que fica acima de um determinado limite, ou que fica abaixo de um determinado limite ou que fica
situada entre dois determinados limites. Em outras palavras, o sinal de sada de um circuito
limitador uma parte do seu sinal de entrada. De acordo com essa caracterizao, conclui-se
que os retificadores de meia-onda constituem um caso particular de circuito limitador. As
principais aplicao dos circuitos limitadores so a gerao de ondas quadradas a partir de
ondas senoidais e na proteo de cargas.
Cada um dos limites que determina o nvel de corte do sinal de sada em relao ao sinal
de entrada chamado de tenso de referncia (V
REF
). A Figura 46 mostra o diagrama de um
circuito limitador com uma nica tenso de referncia.








Figura 46 Circuito Limitador Com Uma Tenso de Referncia
Usando o modelo ideal para o diodo e supondo uma tenso de entrada alternada e que
possua valores de pico superiores a V
REF
, constata-se que, nos semiciclos positivos do sinal de
entrada, o diodo D estar diretamente polarizado (e, portanto, comportando-se como um curto-
circuito) apenas enquanto o valor instantneo do sinal de entrada for superior a V
REF
. Nessa
situao, o circuito equivalente tem o diagrama mostrado na Figura 47.








Figura 47 Circuito Equivalente nos Semiciclos Positivos para vi > V
REF


D
R
V
REF

vi
vo
+
D
R
V
REF

vi
vo = V
REF

+
46
Em qualquer outra situao, o diodo estar reversamente polarizado, comportando-se
como um circuito aberto. Assim, temos o circuito equivalente mostrado na Figura 48.







Figura 48 Circuito Equivalente para os Demais Valores de vi
Assim, supondo um sinal de entrada senoidal, podemos ver na Figura 49 os grficos
referentes aos sinais de entrada e sada. As reas hachuradas no grfico do sinal de entrada
correspondem aos intervalos em que o sinal de entrada tem valor superior tenso de referncia
e, portanto, o diodo est diretamente polarizado. O grfico do sinal de sada permite ver o corte
na altura de V
REF
.




















Figura 48 Formas de Onda de Entrada e Sada de um Limitador com um Nvel
Note-se que a anlise feita acima totalmente independente da forma de onda do sinal de
entrada. A nica informao importante para a anlise do circuito a relao entre o valor de
pico do sinal de entrada e o valor da tenso de referncia, pois esse o fator determinante da
condio de polarizao do diodo durante a operao do circuito.
D
R
V
REF

vi vo = vi

vi
+Vimx
-Vimx
0
t
V
REF

vo
-Vimx
0
t
V
REF

47
Podemos ter tambm circuitos limitadores com duas tenses de referncia, como o
mostrado no diagrama da Figura 50.







Figura 50 Circuito Limitador Com Duas Tenses de Referncia

Para o correto funcionamento desse circuito necessrio que o sinal de entrada seja
alternado e que possua valor de pico mximo superior tenso de referncia positivo e valor de
pico mnimo inferior referncia negativa. Satisfeitas essas condies, deve-se dividir a anlise
do circuito em trs etapas. Lembrando que durante os semiciclos positivos do sinal de entrada o
diodo D2 estar reversamente polarizado (independente do valor de vi), constata-se que o diodo
D1 s estar diretamente polarizado enquanto o valor da tenso de entrada for superior ao da
tenso de referncia positiva V
REF1
. Nessa situao, o circuito equivalente tem o diagrama
mostrado na Figura 51.







Figura 51 Circuito Equivalente nos Semiciclos Positivos para vi > V
REF1

Nos semiciclos negativos, o diodo D1 que permanece reversamente polarizado. O diodo
D2, por sua vez, s ficar diretamente polarizado quando a tenso de entrada tiver mdulo
superior ao da tenso de referncia negativa, ou seja quando vi for mais negativo do que V
REF2
.
Nessa situao, o circuito equivalente tem o diagrama mostrado na Figura 52.








Figura 52 Circuito Equivalente nos Semiciclos Negativos para vi < V
REF2

Em qualquer outra situao, ambos os diodos estaro simultaneamente em polarizao
reversa, de forma que o circuito equivalente ser o mostrado no diagrama da Figura 53.
D1
R
V
REF1

vi
vo
D2
V
REF2

V
REF2

+
D1
R
V
REF1

vi
vo = V
REF1

+
D2
+
+
V
REF2

D1
R
V
REF1

vi
vo = V
REF2

D2
48







Figura 52 Circuito Equivalente nas Demais Situaes

Feita essa anlise, podemos ver na Figura 53 os grficos dos sinais de entrada e sada
para um circuito desse tipo, supondo que o sinal de entrada seja uma senide que atenda s
condies para o correto funcionamento do circuito. As reas hachuradas dos semiciclos
positivos correspondem aos intervalos em que o diodo D1 est diretamente polarizado, enquanto
as dos semiciclos negativos correspondem aos intervalos de polarizao direta de D2. O grfico
do sinal de sada permite ver os cortes nas alturas de V
REF1
e de V
REF2
.
















Figura 53 Formas de Onda de Entrada e Sada de um Limitador com Dois Nveis
A implementao de circuitos limitadores significativamente simplificada quando, ao
invs de diodo(s) comum(uns) e fonte(s) de tenso de referncia, utiliza(m)-se diodo(s) Zener.
Nesses circuitos a(s) tenso (es) de referncia (so) determinada(s) pela(s) tenso(es) de
regulao do(s) diodo(s) Zener. A Figura 54 mostra os diagramas de limitadores com uma e
duas tenses de referncia utilizando diodos Zener. A anlise desses circuitos deixada a cargo
do estudante.
A grande vantagem dos circuitos limitadores implementados a partir de diodos Zener a
simplificao e economia que eles proporcionam. Sua principal desvantagem devida ao fato de
que a tenso de regulao varia em funo da corrente que percorre o diodo. Dessa forma, o
aspecto do(s) corte(s) no sinal de sada ser mais longe do ideal (horizontal) do que no caso dos
circuitos utilizando diodos comuns e fontes de alimentao. Outra desvantagem que os
circuitos limitadores com diodos Zener no permitem o ajuste dos nveis de corte, o que pode ser
necessrio em algumas aplicaes.
V
REF2

D1
R
V
REF1

vi vo = vi
D2
vi
+Vimx
-Vimx
0
t
V
REF1

V
REF2

vo
0
t
V
REF1

V
REF2

49







Figura 54 Circuitos Limitadores Utilizando Diodos Zener
EXEMPLO NUMRICO: Dado o circuito abaixo e o grfico do seu sinal de entrada, traar o
grfico do sinal de sada correspondente. Cada diviso vertical dos grficos equivale a 3 V.















DZ
R
vi vo
DZ1
R
vi
vo
DZ2
D1
R 1K
6 V
vi
vo
D2
DZ1
12 V
vi
vo
t
t
0
0
50
Circuitos Grampeadores

So circuitos que apresentam em sua sada um sinal correspondente ao sinal de entrada
somado algebricamente a um determinado nvel DC. Por esse motivo, os circuitos
grampeadores tambm so conhecidos como circuitos deslocadores de nvel. Da mesma
forma como os circuitos limitadores, os grampeadores tambm utilizam uma fonte de tenso de
referncia. A Figura 55 mostra o diagrama de um circuito grampeador.








Figura 55 Diagrama de um Circuito Grampeador
Pelo fato de incluir um capacitor em seu diagrama, a anlise de um circuito grampeador
deve ser dividida em duas fases: o estado transitrio (antes que o capacitor atinja a sua mxima
tenso de carga) e o estado permanente (aps o capacitor atingir a mxima tenso de carga).
Em geral, os componentes so dimensionados de tal modo que a durao do estado transitrio
seja bastante pequena. Para facilitar a anlise, conveniente considerar o capacitor inicialmente
descarregado (v
C
(to) = 0) e comear pelo semiciclo em que o diodo estar diretamente
polarizado.
Supondo que o sinal de entrada para o circuito da Figura 55 seja uma senide com valor
de pico superior a V
REF
, comearemos a anlise pelo semiciclo negativo, pois nele que o diodo
estar diretamente polarizado, independente do valor instantneo do sinal de entrada.
Lembrando que o capacitor est inicialmente descarregado, o circuito equivalente no incio do
primeiro semiciclo negativo o mostrado na Figura 56.








Figura 56 Circuito Equivalente no Incio do 1 Semiciclo Negativo


Aplicando a LKT malha de entrada, obtemos: - vi + v
C
- V
REF
= 0 v
C
= vi + V
REF
.
Assim, constatamos que o capacitor se carrega com a soma da tenso de entrada com a tenso
de referncia. Logo, a situao no momento em que a tenso de entrada atinge o mximo valor
negativo ser a apresentada na Figura 57.


D
V
REF

vi
vo
C
+
v
D
= 0
C
v
C

D
V
REF

vi
vo = V
REF

+
+
corrente de carga
do capacitor
+
51







Figura 57 Situao do Circuito ao Se atingir o Pico do 1 Semiciclo Negativo

No momento imediatamente seguinte, o mdulo da tenso de entrada comea a diminuir
e, apesar de o semiciclo negativo ainda no se haver encerrado, o diodo fica reversamente
polarizado. Para constatar esse fato, basta obter o valor da tenso sobre o diodo atravs da LKT:
vi + v
C
+ v
D
V
REF
= 0 v
D
= vi + V
REF
v
C
. Substituindo o valor obtido acima para
a tenso no capacitor:
v
D
= vi + V
REF
(Vmx + V
REF
) v
D
= vi Vmx. Como temos vi < Vmx (o
mdulo da tenso est diminuindo), conclui-se que o valor obtido para v
D
negativo, o que indica
uma inverso da polaridade atribuda tenso sobre o diodo. Logo, o catodo na verdade est
positivo em relao ao anodo, confirmando-se a polarizao reversa.
Com o diodo reversamente polarizado, o capacitor no tem por onde se descarregar e da
para a frente manter o valor acumulado de tenso, independente de qual seja o semiciclo ou o
valor instantneo da tenso de entrada. Atingiu-se, portanto, o estado permanente do
grampeador, cujo circuito equivalente passa a ser o mostrado na Figura 58. Essa situao
perdura enquanto no se alterar a forma de onda do sinal de entrada do circuito ou o valor da
tenso de referncia.







Figura 58 Circuito Equivalente no Estado Permanente (Semiciclos Negativos e Positivos)
Na figura, a polaridade para a tenso de sada em ambos os semiciclos meramente
arbitrada. Somente conhecendo-se os valores de V
REF
e Vmx ser possvel determinar a
polaridade correta em cada instante. Aplicando-se a LKT:
- Semiciclos negativos: - vi + v
C
vo = 0 vo = v
C
vi vo = (Vmx + V
REF
) vi.
- Semiciclos positivos: + vi + v
C
vo = 0 vo = v
C
+ vi vo = (Vmx + V
REF
) + vi.

As duas equaes acima mostram que, no estado permanente, o circuito produz um sinal
de sada que a soma algbrica do sinal de entrada com uma tenso constante, confirmando que
os grampeadores atuam como deslocadores de nvel DC. A Figura 59 mostra os grficos dos
sinais de entrada e sada de um circuito grampeador como o da Figura 55. Para facilitar a
visualizao da caracterstica de deslocamento de nvel DC, atribui-se o valor de 2 V para a
tenso de referncia e de 3 V para o valor de pico do sinal senoidal de entrada.

+
C
v
C
= Vmx + V
REF


D
V
REF

vi = Vmx
vo = V
REF

+
+
v
D
= 0
+
+
C
v
C
= Vmx + V
REF


D
V
REF

vi
vo = V
REF

+
+
+
+
+
C
v
C
= Vmx + V
REF


D
V
REF

vi
vo = V
REF

+
+
+
+
52





















Figura 59 Formas de Onda de Entrada e Sada de um Circuito Grampeador
A rea hachurada no grfico do sinal de sada corresponde ao estado transitrio do
circuito, no qual o capacitor est sendo carregado. Descontado esse intervalo de tempo, que ter
durao mxima de um quarto de ciclo, pode-se notar que a forme de onda e o valor de pico a
pico dos sinais de entrada e sada so exatamente iguais. A diferena entre os dois sinais em
relao ao nvel DC: o sinal de sada corresponde ao sinal de entrada deslocado de um certo
valor V. Esse deslocamento do valor mdio exatamente igual ao da tenso armazenada no
diodo, que por sua vez depende da polarizao do diodo e do valor de pico do sinal de entrada.
Uma diferena fundamental entre os circuitos limitadores e os circuitos grampeadores
que o comportamento desses ltimos depende da forma de onda do sinal de entrada. Alm
disso, presena do capacitor nos circuitos grampeadores impe aos sinais que no sejam
senoidais uma distoro cujo grau ser diretamente proporcional freqncia do sinal aplicado.
Outro ponto de grande importncia para o correto funcionamento de um circuito grampeador a
qualidade do capacitor utilizado. Quanto menor for o valor da sua corrente de fuga, mais prximo
do ideal ser o comportamento do circuito.
Como ser visto oportunamente, circuitos grampeadores so costumeiramente utilizados
nas etapas de entrada e sada de amplificadores transistorizados.

EXEMPLO NUMRICO: Dados os grficos das tenses va e vb abaixo, projetar e desenhar o
diagrama de um circuito que recebendo va em sua entrada, fornea vb em sua sada. Os
grficos contemplam apenas o estado permanente do circuito.

vi
+5 V
(+Vmx)
-5 V
(-Vmx)
0
t
+2 V
(V
REF
)
vo
+2 V
(V
REF
)
+12 V
(2Vmx + V
REF
)
0
t
+5 V
(+Vmx)

v
-5 V
(-Vmx)

53
























Circuitos Multiplicadores de Tenso

So circuitos que apresentam em sua sada uma tenso contnua e (idealmente) constante
com valor igual a n vezes o valor de pico do sinal de entrada. So utilizados para a alimentao
de cargas que necessitam de elevadas tenses mas que consomem pouca corrente. Um
exemplo tpico de carga com essas caractersticas o cinescpio (tubo de imagem) de
monitores e receptores de TV. Apesar de largamente aceita e utilizada, a denominao dada a
esses circuitos no correta, pois diferente do que o nome sugere, eles no produzem em sua
sada um sinal vo = n vi, mas sim Vo = n Vimx, ou seja, enquanto o sinal de entrada de
um multiplicador de tenso um sinal varivel, sua sada uma tenso (idealmente) constante.
O nome mais apropriado seria circuito somador de picos.
Vamos considerar inicialmente o caso particular de n = 2 (os chamados dobradores de
tenso) e faremos em seguida a generalizao para qualquer valor inteiro de n.

Dobrador de Tenso de Onda Completa
O circuito cujo diagrama mostrado em duas configuraes diferentes na Figura 60
chamado de dobrador de tenso de onda completa. A configurao da direita permite
visualizar claramente que se trata de um retificador em ponte que teve dois de seus diodos
substitudos por capacitores. A expresso dada para o sinal de sada pressupe que o sinal de
entrada seja alternado.
va
+5V
0
t
-2V
+2V
-5V
vb
0
t
54











Figura 60 Duas Diferentes Configuraes de um Dobrador de Tenso de Onda Completa

Supondo os dois capacitores inicialmente descarregados e comeando a anlise pelo
semiciclo positivo da tenso de entrada, o diodo D1 est diretamente polarizado e permite a carga
do capacitor C1, cuja tenso vai acompanhando o sinal de entrada at que atinja o valor de pico
mximo. A partir desse ponto, caso o valor da tenso de entrada diminua, o diodo D1 fica
reversamente polarizado e C1 mantm-se com tenso igual a Vimx, j que no tem por onde se
descarregar. Nesse ponto, tenho vo = v
C1
+ v
C2
= Vimx + 0 = Vimx.
Iniciando-se o semiciclo negativo, o diodo D2 se torna diretamente polarizado e comea a
conduzir, permitindo a carga de C2, o que ocorre at que se alcance o valor mnimo de tenso
Vimn (em mdulo, o valor mximo de tenso no semiciclo negativo). A partir da, D2 tambm
fica reversamente polarizado e os dois capacitores permanecero com o seu valor mximo de
carga at que ocorra uma alterao na forma de onda do sinal de entrada ou que seja colocada
uma resistncia de carga na sada do circuito, que permita a descarga dos capacitores. Nesse
ponto, tenho vo = v
C1
+ v
C2
= Vimx + Vimn. Para sinais simtricos (|Vimn| = |Vimx|),
teremos um sinal de sada igual ao dobro do valor de pico do sinal de entrada.
A Figura 61 mostra as formas de onda dos sinais de entrada e sada do circuito, supondo
um sinal de entrada senoidal.













Figura 61 Tenses de Entrada e Sada de um Dobrador de Onda Completa
D1
C1
D2
C2
vo = Vimx + |Vimn|
vi
D1
vi
vo
D2
C1
C2
vi
+Vmx
-Vmx
0
t
vo
2 Vmx
0
t
Vmx
55
A rea hachurada mostra o intervalo de tempo necessrio para que a tenso de sada
atinja o seu valor final. Esse intervalo, para o caso de um sinal senoidal, de trs quartos de um
perodo, sendo essa a razo pela qual o circuito chamado de dobrador de onda completa.

Dobrador de Tenso de Meia-Onda
O circuito cujo diagrama mostrado na Figura 62 conhecido como dobrador de tenso
de meia-onda.










Figura 62 Diagrama de um Dobrador de Tenso de Meia-Onda

Como se pode observar, o circuito formado por duas combinaes entre um diodo e um
capacitor. A cada uma dessas combinaes daremos o nome de seo. A seo formada pelo
diodo D1 e pelo capacitor C1 o que chamamos de uma seo negativa, pois o diodo s
poder conduzir (e, consequentemente, o capacitor s poder ser carregado) durante um
semiciclo negativo da tenso de entrada. A seo constituda por D2 e C2, por sua vez, uma
seo positiva, pois a conduo do diodo e a carga do capacitor ocorrero durante um semiciclo
positivo da tenso de entrada.
Para a anlise do comportamento do circuito, iremos supor, como de costume, um sinal de
entrada senoidal, os capacitores inicialmente descarregados e o incio da anlise a partir do incio
do primeiro semiciclo negativo da tenso de entrada. O circuito equivalente na condio inicial
o mostrado na Figura 63.









Figura 63 Situao Inicial do Dobrador de Tenso de Meia-Onda

O capacitor C1 se carrega com a polaridade mostrada na figura at que a tenso de
entrada atinja o seu valor mximo. A partir desse instante, o diodo D1 fica reversamente
polarizado e o circuito equivalente passa a ser o mostrado na Figura 64.
vo = Vimx + |Vimn|
D1
C2
C1
D2 vi
vo = 0
D1
C2
C1
D2
vi
+
+
v
C1
= vi

56










Figura 64 Situao do Dobrador de Tenso de Meia-Onda no Pico do Semiciclo Negativo

A partir do momento em que a tenso de entrada comea a diminuir, ainda durante o
semiciclo negativo, o diodo D2 fica diretamente polarizado, permitindo que o capacitor C2 se
carregue com a mesma tenso armazenada no capacitor C1 (v
C2
= v
C1
= Vimx). Quando se
inicia o semiciclo positivo, a tenso armazenada no capacitor C1 possui a mesma polaridade da
tenso de entrada, de forma que o capacitor C2 passa a ser carregado pela soma de ambas as
tenses. Assim, quando se atinge o valor de pico do semiciclo positivo, a tenso em C2 atinge o
valor igual soma dos mdulos dos valores mximos dos semiciclos positivo e negativo. No
caso em questo, em que a tenso de entrada senoidal, isso equivale ao dobro do valor
mximo do sinal de entrada. A Figura 65 mostra o circuito equivalente at o momento em que
se atinge o valor de pico do semiciclo positivo da tenso de entrada.










Figura 65 Situao do Dobrador de Tenso de Meia-Onda At o Pico do Semiciclo Positivo

Quando se atinge o valor mximo de tenso do semiciclo positivo, o capacitor C2 fica
carregado com uma tenso igual ao dobro do valor de pico da tenso de entrada. Lembramos
que essa observao vlida apenas para sinais de entrada com formas de onda simtricas em
relao ao eixo. Caso contrrio, a tenso final do capacitor C2 ser a soma dos mdulos dos
valores de pico positivo e negativo. Do pico do primeiro semiciclo positivo em diante, os dois
diodos permanecem reversamente polarizados e se mantm o valor da tenso armazenada nos
dois capacitores. A Figura 66 mostra os grficos dos sinais de entrada e sada para o exemplo
analisado acima.



vo = 0
D1
C2
C1
D2
vi
+
+
v
C1
= Vimx

+
vo = Vimx + vi
D1
C2
C1
D2
vi
+
+
v
C1
= Vimx

+
+
57





















Figura 66 Tenses de Entrada e Sada de um Dobrador de Meia-Onda

A rea hachurada mostra o intervalo de tempo necessrio para que a tenso de sada
atinja o seu valor final. Esse intervalo, para o caso de um sinal senoidal, de metade de um
perodo, sendo essa a razo pela qual o circuito chamado de dobrador de meia-onda.
Os dobradores de onda completa possuem sobre os de meia-onda a vantagem de que a
tenso de sada obtida sobre dois capacitores em srie. Dessa forma, cada um deles precisa
suportar apenas metade da tenso total, o que possibilita utilizar capacitores com menor valor de
tenso de trabalho, o que significa componentes menores e mais baratos.
Os dobradores de meia-onda, no entanto, possuem diversas vantagens em relao aos de
onda completa:
O fato de que a tenso de sada obtida sobre um nico capacitor significa constantes de
tempo maiores quando uma resistncia de carga conectada sada do circuito. Logo,
nessa situao, o desempenho de um dobrador de meia-onda ser mais prximo do ideal do
que o de um dobrador de onda completa.
Os dobradores de meia-onda possuem um ponto de referncia (terra) comum entre os sinais
de entrada e sada, o que no ocorre com os dobradores de onda completa.
Como veremos a seguir, bastante simples modificar um dobrador de meia-onda de forma a
obter circuitos multiplicadores de tenso.

Circuitos Multiplicadores de Tenso

Suponhamos que o circuito dobrador de tenso de meia-onda analisado acima seja
modificado pela adio de uma nova seo negativa em paralelo com o diodo D2, depois que os
dois capacitores originais j tenham alcanado os seus valores definitivos. A Figura 67
apresenta essa situao, no exato instante em que o primeiro semiciclo negativo ocorrido aps a
adio da nova seo atinge o seu mximo valor de tenso.
vi
+Vmx
-Vmx
0
t
vo
2 Vmx
0
t
Vmx
58







Figura 67 Adio de uma Seo Negativa a Um Dobrador de Tenso de Meia-Onda
Nessa situao, o diodo D3 est diretamente polarizado, comportando-se como um curto-
circuito e permitindo a carga do capacitor C3. Aplicando a LKT malha externa do circuito,
obtemos:
- Vi
mx
+ v
C1
+ v
C3
- v
C2
= 0 v
C3
= Vi
mx
+ v
C2
- v
C1
= Vi
mx
+ 2 Vi
mx
- Vi
mx
= 2 Vi
mx
.
Conclui-se que a tenso armazenada no capacitor adicionado igual ao dobro do valor de
pico do sinal de entrada (para o caso de um sinal simtrico, como os senoidais). Assim, caso a
sada do circuito seja entre as armaduras no-comuns dos capacitores C1 e C3, a tenso obtida
ser:
vo = v
C1
+ v
C3
= Vi
mx
+ 2 Vi
mx
= 3 Vi
mx
, ou seja, o circuito opera como um
triplicador de tenso.
Adicionando-se uma nova seo positiva em paralelo com D3, o novo diodo (D4)
conduzir no prximo semiciclo positivo, dando origem situao mostrada na Figura 68.








Figura 68 Adio de uma Seo Positiva a Um Triplicador de Tenso
Aplicando a LKT malha externa do circuito, obtemos:
+ Vi
mx
+ v
C1
+ v
C3
- v
C4
- v
C2
= 0 v
C4
= Vi
mx
+ v
C1
+ v
C3
- v
C2

v
C4
= Vi
mx
+ Vi
mx
+ 2 Vi
mx
2 Vi
mx
= 2 Vi
mx
. Logo, o capacitor adicionado
ao circuito (C4) tambm se carrega com o dobro do valor de pico da tenso de entrada. Caso a
tenso de sada seja tomada sobre C2 e C4, teremos:
vo = v
C2
+ v
C4
= 2 Vi
mx
+ 2 Vi
mx
= 4 Vi
mx
, ou seja, o circuito opera como um
quadruplicador de tenso.
Esse princpio pode ser estendido indefinidamente: adicionando-se uma nova seo ao
circuito, o novo capacitor ser carregado com o dobro da tenso de pico do sinal de entrada.
Assim, temos um dos capacitores (C1) carregado com o valor de pico do sinal de entrada e os
demais carregados com o dobro desse valor. Logo, escolhendo-se convenientemente os pontos
entre os quais se obter o sinal de entrada, implementa-se um multiplicador por n.
D1
C2
C1
D2 vi = Vimx D3
C3
seo negativa
adicionada
v
C1
= Vimx

+
v
C2
= 2
Vimx

+
+
v
C3

+
D1
C2
C1
D2 vi = Vimx D3
C3
seo
positiva
adicionada
v
C1
= Vimx

+
v
C2
= 2

+
+
v
C4

+
C4
D4
+
v
C3
= 2

59
Em termos prticos, a implementao de um circuito multiplicador de tenso requer o uso
de capacitores de alta qualidade, com baixo valor de corrente de fuga. O desempenho desse
tipo de circuito cai drasticamente em funo da corrente que lhe seja exigida, pois a presena de
uma resistncia de carga prov um caminho para descarga dos capacitores, o que causa a
reduo do valor da tenso neles armazenada.
A queda de tenso V causada pela drenagem de uma corrente I na sada de um
multiplicador por n formado por capacitores de capacitncia C e alimentado por uma tenso
peridica de freqncia f pode ser calculada de forma aproximada atravs da equao:
|

\
|
+

=
n n n
C f
I
V
6
1
2
1
3
2 2 3
.
EXEMPLO NUMRICO: Um quintuplicador de tenso utilizado para alimentar uma resistncia
de carga de 47 M a partir de uma tenso de entrada vi(t) = 50 sen 500 t. Os capacitores
utilizados no circuito so iguais e sua capacitncia vale 100 nF. Calcular o valor aproximado da
tenso sobre a carga.






Folhas de Especificao (Data Sheets) de Diodos Semicondutores

Para permitir a familiarizao com a terminologia e as abreviaturas empregadas pelos
fabricantes de diodos semicondutores, apresentada abaixo uma tabela com os dados de uma
das mais utilizadas famlias de diodos semicondutores empregados em retificao e, em seguida,
um glossrio com o significado dos termos presentes nas folhas de especificao desses
dispositivos.
Tabela 1 Folha de Especificao da Famlia de Diodos Retificadores 1N400X
60
O significado dos termos mais comuns utilizados nessas folhas de especificao dado a
seguir. Note-se que a terminologia pode variar de um fabricante para outro.
V
RRM
(maximum repetitive reverse voltage = mxima tenso reversa repetitiva) o mximo
valor de tenso reversa que o diodo pode suportar na forma de pulsos peridicos.
V
R
ou V
DC
ou V
BR
(maximum DC reverse voltage = mxima tenso reversa contnua) o
mximo valor de tenso reversa que o diodo pode suportar em modo contnuo.
V
F
(maximum forward voltage = mxima tenso direta) o valor mximo de tenso direta
suportado pelo diodo, relacionado com a potncia mxima que ele pode dissipar.
I
F(AV)
(maximum average forward current = mxima corrente direta mdia) o valor mximo
de corrente mdia que o diodo capaz de suportar na polarizao direta. Trata-se
fundamentalmente de uma limitao de ordem trmica, ou seja, est ligada quantidade de calor
que a juno capaz de dissipar.
I
FSM
ou i
f(surge)
(maximum peak or surge forward current = mximo valor de pico ou de surto de
corrente direta) o valor mximo de corrente que o diodo capaz de conduzir quando
diretamente polarizado. Da mesma forma como o anterior, este parmetro limitado pela
capacidade trmica da juno.
P
D
(maximum total dissipation = mxima dissipao total) a quantidade de potncia que o
diodo capaz de dissipar, seja ela obtida pelo produto entre a corrente no diodo e a queda d
tenso sobre ele, ou obtida pelo produto entre o quadrado da corrente no diodo e a resistncia
hmica do corpo do diodo.
T
J
(operating junction temperature = temperatura de operao da juno) o mximo valor
permitido de temperatura para a juno.
T
STG
(storage temperature range = faixa de temperatura de armazenamento) a faixa
permitida de temperaturas na qual um diodo pode ser estocado. Freqentemente,T
J
e T
STG

possuem valores iguais.
R() (thermal resistance = resistncia trmica) Pode ser calculada de duas formas
diferentes: a diferena entre temperatura da juno e a temperatura ambiente dividida pela
potncia dissipada (nesse caso denominada como R()
JA
), ou a diferena entre temperatura
da juno e a temperatura dos terminais do diodo dividida pela potncia dissipada (nesse caso
denominada como R()
JL
). A unidade desse parmetro graus Celsius por watt (
o
C/W).
Quanto menor o valor da resistncia trmica, melhor o desempenho do diodo. Um valor zero para
esse parmetro seria o ideal, pois significaria que o encapsulamento do diodo seria um perfeito
dissipador de calor. Um alto valor de resistncia trmica significa que o diodo sofrer uma
grande elevao de temperatura na juno, o que limita sua mxima dissipao de potncia.
I
R
(maximum reverse current = mxima corrente reversa) o valor de corrente reversa quando
o diodo est submetido mxima tenso reversa contnua (V
BR
). Note-se que essa corrente no
constituda simplesmente pela corrente de saturao reversa I
S
, mas inclui a corrente que
passa pelo corpo do diodo. Por isso, essa corrente s vezes chamada de corrente de fuga.
C
J
(typical junction capacitance = capacitncia tpica de juno) o valor tpico da capacitncia
de transio.
t
rr
(reverse recovery time = tempo de recuperao reversa) o tempo necessrio para que o
diodo abra quando a tenso sobre ele passa da polarizao direta para a polarizao reversa.

Visto que a maior parte desses parmetros tem valor dependente da temperatura,
comum que os fabricantes forneam tabelas com os valores em uma determinada temperatura de
referncia (normalmente 25 C) e disponibilizem grficos mostrando a variao desses
parmetros em funo da temperatura.


61
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO


Considere uma barra de cristal semicondutor do tipo P, em cuja regio central se faa uma
dopagem que leve essa regio a se tornar do tipo N (ou seja, injetam-se impurezas pentavalentes
at que o nmero de eltrons nessa regio se torne superior ao de lacunas), como representado
na Figura 69, esquerda. Ao final do processo, a barra ter o aspecto representado no lado
direito da figura.











Figura 69 Diagrama Simplificado da Fabricao de um Transistor Bipolar de Juno

O dispositivo assim formado possui, como mostra a figura, trs regies distintas e duas
junes PN, uma vez que a regio central passou a ser do tipo N devido dopagem realizada.
Colocando-se terminais nas trs regies distintas para permitir ligaes externas, obtm-
se o dispositivo conhecido como transistor bipolar de juno. Esse dispositivo chamado de
bipolar porque, como veremos adiante, a sua corrente composta pelos dois tipos de portadores
de carga (os eltrons livres e as lacunas). Existem vrios tipos de transistores, mas como o
transistor bipolar de juno o mais comum de todos, daqui para a frente iremos denomin-lo
simplesmente como transistor.
No caso do exemplo acima, obteve-se o transistor do tipo PNP, como fica evidente atravs
da estrutura do dispositivo. Uma das regies P chamada de coletor (C), a outra regio P
chamada de emissor (E) e a regio N, no centro, chamada de base (B). Analogamente, seria
possvel submeter uma barra do tipo N a uma injeo de impurezas trivalentes em sua regio
central, obtendo-se um transistor do tipo NPN. A estrutura interna e a simbologia desses dois
tipos de transistores esto representadas na Figura 70.












Figura 70 Estrutura e Simbologia dos Transistores Bipolares de Juno
+ + + + + + + ++ + +
+ + + + + + + + ++ +
+ + + + + ++ + + ++
INJEO DE IMPUREZAS
PENTAVALENTES
NA REGIO CENTRAL
1 juno PN
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+ + + +- - + ++ + + +
+ + + - - - - ++ + + +
+ + ++ + - - - ++ + +
-
-
-
-
-
-
-
-
REGIO P REGIO P REGIO N
2 juno PN
P N P
COLETOR
(C)
EMISSOR
(E)
BASE (B)
BASE (B)
EMISSOR (E)
COLETOR (C)
N P N
COLETOR
(C)
EMISSOR
(E)
BASE (B)
BASE (B)
EMISSOR (E)
COLETOR (C)
62
Notar que a nica diferena entre a simbologia do transistor PNP e a do transistor NPN
consiste no sentido da seta que representa o emissor. Um transistor , portanto, constitudo por
duas junes PN: a juno base-coletor e a juno base-emissor. Cada uma dessas junes
possui as caractersticas eltricas j explanadas no estudo sobre os diodos semicondutores.
A representao da estrutura interna de um transistor mostrada na Figura 70 d a
impresso de que as regies de coletor e emissor so absolutamente idnticas e que, portanto,
seria possvel inverter os papis desses terminais (utilizar o emissor como coletor, e vice-versa).
Essa representao, no entanto, no corresponde realidade. Na prtica, as tcnicas industriais
empregadas na fabricao de transistores fazem que essas regies sejam diferentes, tanto em
termos de nvel de dopagem como em termos de geometria. A Figura 71 mostra algumas das
tecnologias utilizadas na fabricao de transistores.














Figura 71 Algumas Tecnologias de Fabricao de Transistores

Em todas as tecnologias apresentadas, podemos notar que a regio de base muito
estreita e que a rea da regio de coletor muito maior do que a da regio de emissor. Isso
ocorre porque, como os nomes das regies indicam, a funo do coletor coletar os portadores
que so emitidos pelo emissor. Assim, quanto maior a sua rea, melhor ser o seu desempenho
nessa tarefa. Outra particularidade, que no pode ser notada a partir das figuras, que a regio
de base muito menos dopada do que as regies de coletor e de emissor. A razo para isso
ficar clara mais adiante.


Regies de Operao de um Transistor

Como o transistor possui duas junes PN e trs terminais, existem quatro formas
possveis de polariz-lo. Cada uma dessas formas de polarizao determina caractersticas
peculiares de funcionamento para o dispositivo, as quais chamamos de regies de operao do
transistor. Passaremos a descrever essas regies de operao, mostrando a maneira de
polarizar o transistor para faz-lo operar na regio desejada.
Os exemplos mostrados so para transistores NPN. Para obter a polarizao
correspondente para um transistor PNP, basta inverter as polaridades das tenses e os sentidos
das correntes.

A) Ambas as junes diretamente polarizadas: Nesse caso, teremos a circulao de correntes de
valor considervel atravs de ambas as junes. Os valores dessas correntes podem ser
calculados atravs da equao caracterstica de uma juno PN diretamente polarizada, que j
estudamos. Por outro lado, a tenso entre os terminais do transistor dever ser mantida num
valor relativamente pequeno (dcimos de volts); do contrrio, como vimos, a corrente seria muito
elevada, podendo danificar o componente. Nessas condies, representadas na Figura 72, o
transistor est na regio de operao chamada de regio de saturao
Transistor do tipo CRESCIMENTO

25
3 mm
B
C
E

B E C
0,3 mm
5
Transistor do tipo PLANAR
25
E
C
B
3 mm
Transistor do tipo LIGA
63






Figura 72 Transistor NPN Polarizado na Regio de Saturao
A regio de saturao, portanto, se caracteriza por baixa queda de tenso sobre o
transistor e as correntes que circulam pelas duas junes tm os seus valores limitados pelos
componentes externos. Por esse motivo, um transistor na regio de saturao se comporta
como uma chave fechada.

B) Ambas as junes reversamente polarizadas: Nesse caso, as junes sero percorridas por
correntes de valor desprezvel (ordem de nA, temperatura ambiente, para transistores de
silcio). Trata-se da corrente de saturao reversa das junes. Por outro lado, o valor da tenso
entre os terminais pode ser bem maior do que no caso anterior, sendo necessrio apenas o
cuidado de no se atingir a tenso de avalanche das junes. Nessas condies, representadas
na Figura 73, o transistor est na regio de operao chamada de regio de corte.






Figura 73 Transistor NPN Polarizado na Regio de Corte
A regio de corte se caracteriza por uma circulao praticamente nula de corrente pelo
transistor, enquanto que a queda de tenso sobre ele ser praticamente igual tenso externa
aplicada ao circuito. Por esse motivo, um transistor na regio de corte se comporta como uma
chave aberta.
A principal utilizao do transistor nas regies de saturao e corte , portanto, como uma
chave liga/desliga eletrnica. bvio que um circuito em que o transistor esteja
permanentemente na regio de saturao ou permanentemente na regio de corte no teria
nenhuma utilidade. Os circuitos de aplicao devem ser tais que faam o transistor passar da
saturao para o corte (ou vice-versa) quando for conveniente. Uma aplicao que possui tal
caracterstica so os circuitos integrados digitais, dos quais a famlia lgica TTL um exemplo.

C) Uma das junes reversamente polarizada e a outra diretamente polarizada: Nessas condies,
representadas na Figura 74, o transistor est na regio de operao conhecida como regio
ativa ou regio linear. Quando a juno diretamente polarizada a base-emissor, a regio de
operao chamada de ativa direta. Quando a juno diretamente polarizada a base-coletor,
a regio de operao chamada de ativa reversa. Devido s caractersticas construtivas do
transistor, no h sentido prtico em polariz-lo na regio ativa reversa. Logo, estudaremos
exclusivamente para o comportamento do transistor quando polarizado na regio ativa direta
(juno base-emissor diretamente polarizada e juno base-coletor reversamente polarizada),
qual nos referiremos simplesmente como regio ativa. As caractersticas de funcionamento de
um transistor nessa regio so to peculiares que as estudaremos com mais detalhes no item
seguinte. A principal aplicao de um transistor polarizado na regio ativa a amplificao.
N P N
B
C E
V
CB
0,7 V

V
BE
0,7 V

IE IC
N P N
B
C E
V
CB
V
BE


IE 0 IC 0
64






Figura 74 Transistor NPN Polarizado nas Regies Ativa Direta e Ativa Reversa

Funcionamento do Transistor Polarizado na Regio Ativa Efeito Transistor


Observando-se o comportamento de um transistor na regio ativa, constata-se que, ao
contrrio do que se poderia supor, a corrente no coletor (que percorre uma juno reversamente
polarizada) bem maior do que a corrente na base (que percorre uma juno diretamente
polarizada). Observa-se tambm que a corrente no emissor a soma das outras duas.
Para compreender esse comportamento "inesperado" preciso analisar o dispositivo do
ponto de vista microscpico. Os portadores majoritrios do emissor so os eltrons livres (lembrar
que estamos trabalhando com um transistor NPN). Impulsionados pela tenso VBE, esses
eltrons livres atravessam a juno em direo base, onde tenderiam a se recombinar com as
lacunas, que so majoritrias nessa regio. Mas, como vimos anteriormente, a base muito
estreita e muito pouco dopada, de forma que somente uma pequena parte dos eltrons livres
provenientes do emissor realmente se recombina com lacunas na base. Em sua maioria, os
eltrons livres que chegam base acabam atravessando a juno base-coletor, atrados pelo
potencial positivo VCB (que muito maior do que VBE).
A Figura 75 mostra a composio das correntes no interior de um transistor NPN. As
setas mais claras representam os deslocamentos de eltrons livres e as mais escuras
representam o deslocamento de lacunas. Deve-se ter em mente que o deslocamento de
portadores negativos (eltrons livres) num certo sentido corresponde a uma corrente
convencional (deslocamento de portadores positivos) no sentido oposto.















Figura 75 Configurao de Correntes Num Transistor NPN Polarizado na Regio Ativa
N P N
B
C E
V
CB
V
BE


IE
IC
IB
N P N
B
C E
V
CB
V
BE


IE
IC
IB















IE (corrente de emissor)
IB (corrente de base)
IC (corrente de coletor)
VBE
VCB
6
5
4
3
2
1
65
O deslocamento com o nmero 1 representa a difuso de eltrons livres do emissor para
a base, impulsionados pela polarizao direta VBE. O nmero 2 representa o movimento
correspondente de lacunas da base para o emissor, que bem menor do que o deslocamento 1
(pelo fato de que a base bem menos dopada do que o emissor). A soma dessas duas
componentes constitui a corrente de emissor IE, que a maior das correntes de um transistor
bipolar polarizado na regio ativa.
Os deslocamentos com o nmero 3 representam a recombinao na base dos eltrons
livres provenientes do emissor. Como a largura W
B
da regio de base muito menor do que o
comprimento de difuso Ln dos eltrons livres e o nvel de dopagem da regio de base muito
baixo, fcil compreender a razo para a pequena magnitude dessa corrente, que a corrente
de base IB, a menor das corrente num transistor bipolar polarizado na regio ativa.
O deslocamento com o nmero 4 representa os eltrons livres que conseguiram
atravessar a regio de base e chegar regio de coletor, atrados pelo potencial favorvel VCB.
Os deslocamentos com os nmeros 5 e 6 representam, respectivamente, as lacunas que
circulam do coletor para a base e os eltrons livres que circulam da base para o coletor,
impulsionados, em ambos os casos, pelo potencial reverso VCB. Em outras palavras, a soma
de 5 e 6 constitui a corrente de saturao reversa entre base e coletor. Essa corrente
chamada de ICBo ou ICo (corrente entre coletor e base com o emissor aberto) e possui o valor
tpico de uma corrente de saturao reversa numa juno PN (nA para transistores de silcio e A
para transistores de germnio, temperatura ambiente). A soma algbrica dos deslocamentos
4, 5 e 6 constitui a corrente de coletor IC.
Em funo do que foi exposto, conclui-se que apesar de a juno base-coletor estar
reversamente polarizada, a corrente que a atravessa possui magnitude muito superior de uma
corrente de saturao reversa, uma vez que a corrente da juno de entrada (base-emissor), que
tem baixa resistncia (por estar diretamente polarizada), transferida para a juno de sada
(base-coletor), de alta resistncia (por estar reversamente polarizada). A essa caracterstica, que
responsvel pelas propriedades amplificadoras do transistor polarizado na regio ativa,
chamamos de efeito transistor (TRANSfer resISTOR). Esse efeito determinado
principalmente pela injeo de portadores provenientes do emissor.
Assim, o valor da corrente de coletor IC praticamente independente do valor da tenso
entre coletor e base (VCB), sendo controlado na prtica pela corrente de emissor IE, que por sua
vez determinada pela tenso entre base e emissor, VBE. Logo, o transistor bipolar de juno
se comporta como uma fonte de corrente (IC) controlada por corrente (IB). Em outras palavras,
um transistor bipolar de juno um amplificador de corrente por excelncia.
Caso seja polarizado na regio ativa reversa (juno base-emissor reversamente
polarizada e juno base-coletor diretamente polarizada), a eficincia de um transistor se reduz
drasticamente. Isso ocorre porque tudo se passa como se o emissor e o coletor invertessem os
seus papis. Como, tanto em termos geomtricos quanto em termos de dopagem, a regio de
emissor apropriada para emitir e no para coletar portadores (e vice-versa para o caso da
regio de coletor), compreende-se a causa da queda no desempenho do dispositivo. Esse o
motivo pelo qual a polarizao ativa reversa no empregada na prtica.

Parmetros Construtivos de um Transistor

Lembrando que a corrente de emissor formada soma dos deslocamentos dos portadores
majoritrios provenientes de ambos os lados da juno base-emissor, podemos definir a
eficincia de emissor como a frao da corrente de emissor devida exclusivamente aos
portadores majoritrios provenientes da regio de emissor. Assim, temos:
IE
IE
1
IE
IE

base emissor
= = , onde IE
emissor
e IE
base
representam, respectivamente, as
parcelas da corrente de emissor devidas aos portadores majoritrios de emissor e de base.
Sendo a regio de emissor muito mais dopada do que a de base, conclui-se que a eficincia de
66
emissor ser um nmero bastante prximo unidade. Em termos construtivos, a eficincia de
emissor pode ser calculada pela equao (vlida para transistores NPN):
Nd Ln Dn
Na WB
Dp
1


= , onde Dp e Dn so os respectivos coeficientes de difuso
de lacunas e eltrons livres, Na e Nd so respectivamente as concentraes de lacunas na base
e de eltrons livres no emissor, WB a largura da regio de base e Ln o comprimento de
difuso dos eltrons livres. Essa equao mostra que a diminuio da largura da regio de base
e o aumento da concentrao de portadores na regio de emissor colaboram para o aumento da
eficincia. Para o caso de um transistor PNP, devem-se inverter na equao os ndices
referentes a eltrons livres e lacunas.
Outro parmetro construtivo importante de um transistor o chamado fator de transporte
de base B, que pode ser interpretado como a probabilidade de que um portador injetado na
regio de base a partir da regio de emissor alcance a regio de coletor. Desprezando-se a
parcela da corrente de coletor devida corrente de saturao reversa da juno base-coletor,
vale a relao:
IE B IC emissor =
. O fator de transporte de base pode ser calculado atravs das equaes:
Ln 2
WB
1 B 2
2

= (transistores NPN) e
Lp
2
WB
1 B 2
2

= (transistores PNP).

O Transistor Como um Quadriplo

A principal aplicao de um transistor polarizado na regio ativa como amplificador, ou
seja, um circuito capaz de fornecer em sua sada um sinal com potncia maior do que o sinal
aplicado sua entrada. Um conceito muito importante no estudo de amplificadores a noo de
quadriplo, que nada mais do que um circuito (que muita vezes pode ser encarado como uma
caixa preta) que possui quatro terminais de acesso, sendo dois de entrada e dois de sada. Um
exemplo bastante conhecido de quadriplo o transformador de tenso, mostrado na Figura 76.










Figura 76 Transformador de Tenso Ilustrando o Conceito de Quadriplo

Nessa figura podemos ver as principais grandezas de interesse do quadriplo
transformador: a tenso de entrada vi, a corrente de entrada ii, a tenso de sada vo e a
corrente de sada io.
Num quadriplo importante tambm conhecer as relaes entre as grandezas de
interesse. Algumas dessas relaes recebem nomes especiais:
TRAFO
vi

vo

io

ii

67
Ganho de Tenso (Av) relao entre a tenso de sada e a tenso de entrada, ou seja:
vi
vo
Av = .
Ganho de Corrente (Ai) relao entre a corrente de sada e a corrente de entrada, ou seja:
ii
io
Ai = .
Impedncia de Entrada (Zi) relao entre a tenso de entrada e a corrente de entrada, ou
seja:
ii
vi
Zi = .
Impedncia de Sada (Zo) relao entre a tenso de sada e a corrente de sada, ou seja:
io
vo
Zo = .
Como o transistor possui apenas 3 terminais, para analis-lo como um quadriplo
necessrio fazer com que um dos seus terminais seja comum entrada e sada, ou seja,
aparea em ambas ao mesmo tempo. Seguindo-se este conceito, temos as chamadas
configuraes bsicas dos circuitos transistorizados, que so: base comum, coletor comum e
emissor comum. Examinaremos de forma sucinta as caractersticas principais de cada uma
dessas configuraes, sempre supondo um transistor NPN operando na regio ativa.

Configurao Base Comum

Nessa configurao, como o nome sugere, o terminal de base aparece simultaneamente
na entrada e na sada, como mostra a Figura 77. A entrada feita pelo emissor e a sada pelo
coletor.







Figura 77 Diagrama Simplificado de um Transistor NPN na Configurao Base Comum

Para essa configurao, o ganho de tenso vale:

VBE
VBC
vi
vo
Av = = . Como VBC a tenso sobre uma juno PN reversamente polarizada
(juno base-coletor), seu valor numrico ser maior do que o de VBE, que a tenso sobre
uma juno diretamente polarizada (juno base-emissor). Logo, teremos AV >> 1 (ganho de
tenso muito superior unidade). Das trs configuraes, a base comum a que possui maior
ganho de tenso.

O valor do ganho de corrente ser: = = =
IE
IC
ii
io
Ai .
Por esse motivo, o parmetro chamado de ganho de corrente da configurao
base comum. Lembrando do que foi visto no estudo dos parmetros construtivos de um
transistor, podemos escrever:
vi = VBE vo = VBC
ii = IE io = IC
68
|
|
|

\
|

|
|
|

\
|


= =

= =
Lp
2
WB
1
Nd Ln Dn
Na WB
Dp
1 B

IE
IE B
IE
IC
2
2
emissor
emissor
, para
transistores NPN. Para transistores de baixa e mdia potncia, o valor de pouco menor que
a unidade ( 1).
O ganho de potncia da configurao obtido atravs do produto do ganho de tenso
pelo ganho de corrente:

1 Ai Av
Ap
> = , o que significa que a configurao base comum fornece em sua sada um
sinal com potncia maior do que a do sinal de entrada. Isso no ocorre, por exemplo, com um
transformador de tenso, que sempre fornece no enrolamento secundrio uma potncia inferior
aplicada no enrolamento primrio. Esse fato, obviamente, no constitui uma violao do princpio
de conservao de energia: a amplificao realizada por um transistor ocorre s custas da
energia fornecida pela fonte de alimentao necessria para a polarizao do dispositivo.
A Figura 78 apresenta o conjunto de curvas caractersticas de entrada (IE em funo de
VBE) e de sada (IC em funo de VCB) para a configurao base comum. Sendo a juno
base-emissor um diodo, a curva caracterstica de entrada tem o aspecto visto anteriormente por
ocasio do estudo das junes PN. O conjunto de curvas caractersticas de sada permite
visualizar as diferentes regies de operao do transistor e a dependncia da corrente de coletor
em relao corrente de emissor. Note que a regio de saturao corresponde polarizao
direta da juno base-coletor (VCB < 0, para um transistor NPN). Caso a polarizao reversa da
juno base-coletor ultrapasse determinado valor, ela entra na regio de avalanche, ocorrendo
um aumento considervel no valor da corrente de coletor. Essa regio no aparece no conjunto
de curvas caractersticas representado na figura.








Figura 78 Conjuntos de Curvas Caractersticas da Configurao Base Comum

A configurao base comum caracterizada por uma baixa impedncia de entrada e uma
elevada impedncia de sada, o que a torna apropriada para realizar o casamento de impedncias
entre uma carga e um circuito ou entre dois circuitos. Possui como vantagens sobre um
transformador o ganho de potncia e a possibilidade de trabalhar com sinais que no sejam
senoidais. Sob a configurao base comum o transistor apresenta melhor desempenho em altas
freqncias, razo pela qual essa configurao utilizada como estgio amplificador em circuitos
que operam nessa faixa de freqncias. Na configurao base comum os sinais de entrada e
sada esto em fase.

regio de corte
IE = 0
IE
1

IE
2

IE
3

IE
4

IC
VCB
regio de saturao
IE
VBE
69
Configurao Coletor Comum

Neste caso, o terminal comum entrada e sada o coletor. Seu diagrama simplificado
mostrado na Figura 79. O sinal de entrada aplicado base e o sinal de sada obtido no
emissor. Essa configurao tambm conhecida como seguidor de emissor.







Figura 79 Diagrama Simplificado de um Transistor NPN na Configurao Coletor Comum

O ganho de tenso da configurao coletor comum vale:
VBC
VCE
vi
vo
Av = = . O valor
numrico de VBC ser ligeiramente maior do que o de VCE. Logo, teremos AV 1 (ganho de
tenso prximo unidade).
O ganho de corrente nessa configurao vale: = = =
IB
IE
ii
io
Ai . O parmetro (gama)
chamado ganho de corrente da configurao coletor comum.
Como a corrente de emissor IE a maior corrente de um transistor na regio ativa e a
corrente de base IB a menor delas, teremos >> 1. Logo, das trs configuraes bsicas, o
coletor comum a que apresenta o maior ganho de corrente.
Multiplicando o ganho de tenso pelo ganho de corrente, obtemos o ganho de potncia da
configurao: 1 Ai Av Ap > = , o que significa que a configurao coletor comum tambm
fornece em sua sada um sinal com potncia maior do que a do sinal de entrada. O ganho de
potncia do coletor comum inferior ao das outras duas configuraes.
Como o valor da tenso entre base e coletor possui influncia praticamente nula sobre o
valor da corrente de base, o conjunto de curvas caractersticas de entrada (IB em funo de VCB)
no tem utilidade nessa configurao. A Figura 80 apresenta o conjunto de curvas caractersticas
de sada (IE em funo de VCE) para a configurao coletor comum. Esse conjunto de curvas
bastante semelhante ao da configurao emissor comum, como veremos a seguir.








Figura 80 Conjunto de Curvas Caractersticas de Sada da Configurao Coletor Comum

vi = VBC vo = VCE
ii = IB io = IE
IE
VCE
IB = 0
IB
1

IB
2

IB
3

IB
4

IB
5

70
Outras caractersticas importantes da configurao coletor comum so elevada
impedncia de entrada, baixa impedncia de sada e sinal de sada em fase com o sinal de
entrada. Essas caractersticas tornam o coletor comum apropriado como casador de
impedncias e como buffer (isolador) entre dois circuitos ou entre um circuito e uma carga.
Essa configurao melhora o desempenho do transistor em baixas freqncias e proporciona
uma maior banda passante.

Configurao Emissor Comum

Nessa configurao, o emissor o terminal comum entrada (que aplicada base) e
sada (que obtida no coletor). Seu diagrama simplificado mostrado na Figura 81.






Figura 81 Diagrama Simplificado de um Transistor NPN na Configurao Emissor Comum
Para essa configurao, o ganho de tenso vale:
VBE
VCE
vi
vo
Av = = . O valor numrico de
VBE ser muito menor do que o de VCE. Logo, teremos AV >> 1 (ganho de tenso muito maior
do que a unidade).
O ganho de corrente nessa configurao vale:
IB
IC
ii
io
Ai = = = . O parmetro (beta)
chamado de ganho de corrente da configurao emissor comum. Esse parmetro
tecnicamente conhecido como hFE, que a denominao que adotaremos daqui em diante.
Sendo IC praticamente igual a IE (maior corrente de um transistor na regio ativa) e IB a menor
delas, teremos hFE >> 1.
Assim, a configurao emissor comum possui tanto o ganho de tenso quanto o ganho de
corrente com valores bem superiores unidade. Logo, o ganho de potncia dessa configurao
ser o maior de todas as configuraes bsicas, pois 1 Ai Av Ap >> = .
A Figura 82 apresenta o conjunto de curvas caractersticas de entrada (IB em funo de
VBE) e de sada (IC em funo de VCE) para a configurao emissor comum.










Figura 82 Conjuntos de Curvas Caractersticas da Configurao Emissor Comum
vi = VBE vo = VCE
ii = IB io = IC
IC
VCE
IB = 0
IB
1

IB
2

IB
3

IB
4

IB
5

regio de saturao
regio de
corte
IB
VBE
VCE
1

VCE
2

VCE
3

IB
1

VBE
1
VBE
3
VBE
2

71
As curvas caractersticas de entrada mostram que a tenso VCE influi sobre o
comportamento da juno base-emissor: quanto maior o valor da tenso entre coletor e emissor,
h necessidade de maior tenso entre base e emissor para se conseguir um determinado valor de
corrente de base (no conjunto de curvas caractersticas de entrada mostrado na Figura 82, temos
VCE3 > VCE2 > VCE1).
As curvas caractersticas de sada mostram o relacionamento entre a corrente de coletor e
a tenso entre coletor e emissor. Podemos notar que, com exceo da parte inicial das curvas, o
valor da tenso entre coletor e emissor VCE tem pequena influncia sobre o valor da corrente de
coletor IC, que por sua vez bastante dependente do valor da corrente de base IB. As curvas
caractersticas de sada permitem a visualizao das trs regies de operao do transistor:
abaixo de IB = 0 temos a regio de corte; esquerda da regio de linearidade entre IC e IB
temos a regio de saturao e, entre as duas, temos a regio linear ou ativa.
A regio ativa reversa, que no est representada no conjunto de curvas, teria um aspecto
semelhante ao da regio ativa rebatida no 3 quadrante. A diferena fundamental em relao s
curvas da regio ativa direta seria que, para um dado valor de corrente de base IB, a corrente de
coletor IC teria um valor bastante inferior. Em outras palavras, o hFE na regio ativa reversa tem
um valor muito menor do que o da regio ativa direta.
Pelo fato de possuir maior ganho de potncia, que o objetivo principal de um
amplificador, a configurao emissor comum a mais utilizada entre as trs configuraes
bsicas e ser a escolha natural, a menos que estejam envolvidas questes referentes ao
casamento de impedncias ou ao desempenho numa determinada faixa de freqncias de
operao.
As caractersticas gerais do emissor comum so: altos ganhos de tenso, corrente e
potncia, valores mdios de impedncias de entrada e sada, sinais de entra e sada defasados
em 180, bom desempenho em mdias freqncias.

Influncia da Corrente de Saturao Reversa I
CBo


As equaes relacionando as correntes num transistor apresentadas no estudo das trs
configuraes bsicas do transistor so, na verdade, expresses aproximadas, pois no levam
em conta a corrente de saturao reversa I
CBo
. Voltando Figura 75, a aplicao da Lei de
Kirchoff das Correntes no transistor conduz equao I
E
= I
C
+ I
B
. Observando a regio de
coletor, e lembrando que representa a porcentagem de portadores que partem do emissor e
chegam ao coletor, obtemos a relao:
I
C
= I
E
+ ++ + I
CBo
. A partir da primeira equao, obtemos:
I
B
= I
E
I
C
I
B
= (1 - ) I
E
- I
CBo

1
I I
I
CBo B
E

+
= .
temperatura ambiente, a influncia da corrente de saturao reversa desprezvel e as
equaes aproximadas podem ser utilizadas sem que se incorra em erro significativo.

Relao Entre os Ganhos de Corrente de um Transistor

Dos trs ganhos de corrente vistos acima, os manuais dos fabricantes de transistores
fornecem em geral apenas um deles, hFE. Alm disso, existem multmetros que possuem
escalas prprias para a medio desse mesmo parmetro (hFE). Por esse motivo, bastante
til que se conhea o relacionamento entre os trs valores de ganho de corrente, de forma que
seja possvel, a partir do conhecimento do valor de um deles, calcular os valores dos outros dois.
Para tanto, basta utilizar as relaes acima, e lembrar que IE = IC + IB. Manipulando-se
essas equaes, obtm-se:
72

1 hFE
hFE

+
= e = hFE + 1, frmulas que permitem calcular e em funo de hFE.

1

hFE

= e
1
1

= , frmulas que permitem calcular hFE e em funo de .

1 -
= e 1 hFE = , frmulas que permitem calcular e hFE em funo de .

Circuitos de Polarizao Para Transistores

O objetivo da polarizao de um transistor faz-lo operar na regio de interesse para a
aplicao especfica em que ele esteja sendo utilizado (linear, corte ou saturao). Em outras
palavras, seu objetivo determinar o chamado ponto de operao esttica (POE) ou ponto
quiescente do transistor, ou seja, o valor da sua tenso entre coletor e emissor e de sua corrente
de coletor na ausncia de sinal alternado (VCEq e ICq). A localizao desse ponto nas curvas
caractersticas de sada determina a regio de operao do transistor.
Embora o transistor tenha duas junes a ser polarizadas, a utilizao de duas fontes de
tenso independentes para esse propsito seria antieconmica, de forma que se desenvolveram
circuitos capazes de polarizar um transistor utilizando uma nica fonte de alimentao.
Estudaremos agora alguns desses circuitos, utilizando como exemplos transistores NPN. Para
transistores PNP, basta inverter as polaridades das tenses e os sentidos das correntes.

1) Circuito de Polarizao Fixa

o mais simples dos circuitos de polarizao para transistores. Seu diagrama
apresentado na Figura 83.











Figura 83 Circuito de Polarizao Fixa Para um Transistor NPN
Como podemos ver, o resistor RB leva o potencial positivo da fonte de alimentao VCC
at a base, fazendo com que ela fique positiva em relao ao emissor. Como se trata de um
transistor NPN, isso significa que a juno base-emissor est diretamente polarizada. Da mesma
forma, o resistor RC leva o potencial positivo de VCC at o coletor. Se a queda de tenso
sobre RC for menor do que a queda de tenso sobre RB, o potencial do coletor ser mais positivo
do que o da base, o que equivale a dizer que a juno base-coletor est reversamente polarizada.
As duas condies ocorrendo simultaneamente colocam o transistor na regio ativa.
R
C
R
B
IBq ICq
IEq
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ + + ++ +
+ ++ +VCC
VCEq
VBEq
VRC
VRB
malha de coletor
malha de base
R
C
R
B
IBq ICq
IEq
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ + + ++ +
VCC
VCEq
VBEq
VRC
VRB
malha
de
coletor
malha
de base
+ ++ +
73
Antes de fazer a anlise do circuito, vamos estabelecer alguns pontos que sero bastante
teis daqui para a frente. Em primeiro lugar, devemos notar que os dois diagramas acima so
absolutamente idnticos, ou seja, so duas formas distintas de representar o mesmo circuito.
Embora j estejamos familiarizados com a representao da direita, utilizaremos com mais
freqncia a representao da esquerda, por que ela a mais utilizada para circuitos eletrnicos
de maior complexidade. Nessa representao, temos assinalado um ponto que serve como
referncia de tenso para os demais pontos do circuito. Esse ponto ( ) chamado de terra
ou massa, e no positivo, nem negativo (os demais pontos do circuito que sero positivos ou
negativos em relao a ele). Como se pode notar, no diagrama da esquerda apenas um dos
plos (o positivo) da fonte de alimentao VCC est representado. Quando isso ocorre, o outro
plo est, necessariamente, ligado ao terra.
Em segundo lugar, no caso particular da anlise de circuitos de polarizao de
transistores, faremos as seguintes consideraes:
VBEq 0,6 V (a juno base-emissor um diodo diretamente polarizado)
ICq = hFE IBq
IEq ICq (considerao opcional, vlida somente para transistores de baixa potncia)

Essas consideraes so vlidas apenas se o transistor estiver operando na regio linear.
No entanto, como veremos adiante, se por acaso o transistor estiver fora dessa regio, os
resultados obtidos sero absurdos, o que nos permite facilmente perceber o equvoco.
Por ltimo, temos basicamente dois tipos de problema. Um deles , conhecidos os valores
das resistncias de polarizao e das caractersticas do transistor (hFE), determinar as
coordenadas do POE (VCEq e ICq). O outro, mais comum em projetos prticos, determinar os
valores das resistncias de polarizao a partir do conhecimento do ponto de operao desejado
e das caractersticas do transistor e da tenso de alimentao disponvel. Suponhamos que
nosso objetivo com o circuito acima seja determinar as coordenadas do POE. Escrevendo a
equao LKT da malha de base:
+VCC IBq RB VBEq = 0
RB
VBEq VCC
IBq

= . Lembrando que estamos considerando
que VBEq 0,6 V, o valor de IBq est determinado. Lembrando agora que ICq = hFE IBq,
chegamos primeira das coordenadas do POE.
Aplicando a LKT malha de coletor:
+VCC ICq RC VCEq = 0 VCEq = VCC ICq RC, obtendo-se assim a segunda
coordenada do POE. simples notar que as equaes acima podero ser utilizadas para se
determinar os valores das resistncias, caso as demais grandezas sejam conhecidas.

Determinao Grfica do Ponto de Operao Reta de Carga Para o Transistor

Da mesma forma como fizemos no estudo do diodo, podemos tambm determinar o POE
de um transistor por meio de um processo grfico, bastando traar a reta de carga do circuito
transistorizado sobre o conjunto de curvas caractersticas de sada.
A metodologia para o traado da reta de carga semelhante utilizada no caso do diodo.
A partir da equao LKT da malha de coletor: VCE = VCC IC RC, obtm-se dois pontos para
determinar a reta. Para o 1
o
ponto faz-se IC = 0 , obtendo-se VCE = VCC. Para o 2
o
ponto, faz-
se VCE = 0, obtendo-se IC = VCC / RC.
Com estes dois pontos, traa-se a reta de carga, que representada na Figura 84 no
mesmo sistema de coordenadas onde aparecem as curvas caractersticas de sada da
configurao emissor comum, o que permite a desejada determinao grfica do ponto de
operao do transistor, desde que se conhea o valor quiescente da corrente de base (IBq). A
localizao do POE ser determinada pela interseo entre a reta de carga e a curva relativa a
esse valor de corrente de base, conforme mostra a figura.
74











Figura 84 Determinao Grfica do Ponto de Operao Atravs da Reta de Carga

EXEMPLOS NUMRICOS:
1) Calcular os resistores de polarizao para fazer um transistor PNP que possui hFE = 100
operar em ICq = 5 mA e VCEq = 10 V. A tenso de alimentao disponvel de 15 V.









2) Suponha que no mesmo circuito do exemplo anterior, o resistor de coletor substitudo por
outro de 10 K. Determinar as novas coordenadas do POE.



IC
VCE
IB = 0
IB
1

IBq = IB
2

IB
3

IB
4

IB
5

ICq
reta de carga
RC
VCC

VCEq
ponto de operao esttica
75
Influncia da Temperatura Sobre o Ponto de Operao de um Transistor

Como o ltimo exemplo numrico demonstrou, a alterao de uma das resistncias de
polarizao pode levar a alteraes radicais no POE, a ponto de faz-lo passar de uma regio de
operao para outra. No entanto, como veremos agora, tais alteraes podem ocorrer apenas
em funo da temperatura, sem que haja qualquer mudana nas resistncias de polarizao.
A temperatura da juno tem influncia sobre trs fatores que determinam alteraes no
valor da corrente de coletor ICq, e, em conseqncia, na localizao do ponto de operao do
transistor. O primeiro desses fatores a corrente de saturao reversa ICBo que, como visto
por ocasio do estudo de diodos, dobra de valor a cada 10 C de acrscimo na temperatura. O
segundo fator o ganho de corrente hFE, que aumenta com a temperatura numa taxa que
depende do processo de fabricao do transistor. O terceiro fator a tenso entre base e
emissor VBE, que diminui cerca de 2,5 mV a cada acrscimo de 1 C na temperatura. Por esse
motivo, definem-se os seguintes fatores de estabilidade S para a corrente de coletor:
Fator de Estabilidade em Relao Corrente de Saturao Reversa: ( )
dICBo
dIC
ICBo S = .
Fator de Estabilidade em Relao Tenso Entre Base e Emissor: ( )
dVBE
dIC
VBE S = .
Fator de Estabilidade em Relao ao Ganho de Corrente: ( )
dhFE
dIC
hFE S = .

A melhor denominao para as derivadas acima fatores de instabilidade ou fatores de
sensibilidade, pois quanto maior o seu valor menor a estabilidade do ponto de operao. O
que se deseja, portanto, obter os menores valores possveis para esses parmetros.
Voltando expresso exata da corrente de coletor: ICq = hFE IBq + ICBo (hFE + 1),
podemos obter uma expresso para o fator de estabilidade S(ICBo):
( ) ( ) [ ] ( ) 1 hFE ICBo S 1 hFE ICBo IB hFE
dICBo
d
dICBo
dIC
ICBo S + = + + = = .
Lembrando que a corrente de base IBq tem uma correlao direta com o valor da tenso
entre base e emissor VBEq, possvel avaliar o efeito da variao de temperatura sobre o valor
da corrente de coletor. O exemplo numrico a seguir permite uma idia quantitativa a esse
respeito.

EXEMPLO NUMRICO: Supondo que no circuito do exemplo numrico 1 acima o transistor
tenha ICBo igual a 80 nA a 25 C, calcular as coordenadas do POE nessa temperatura, levando
em conta essa corrente. Calcular depois o POE a 125 C, supondo que nessa temperatura o
novo valor de hFE seja de 120. Desprezar variaes no valor de VBE.







Esse exemplo permite compreender a razo pela qual o circuito de polarizao fixa,
apesar de sua simplicidade e baixo custo, pouco utilizado: ele no possui recursos para conferir
estabilidade trmica ao ponto de operao do transistor, ou seja, tornar a localizao do ponto
de operao mais estvel em funo de flutuaes na temperatura. Para se alcanar tal objetivo,
necessrio o uso de circuitos de polarizao mais elaborados, alguns dos quais veremos a
seguir.
76
2) Circuito de Polarizao Com Resistncia de Emissor

Como indica o nome e pode ser constatado na Figura 85, a diferena entre esse circuito
de polarizao e o estudado anteriormente consiste no acrscimo de uma resistncia entre o
emissor e o terra.











Figura 85 Circuito de Polarizao Com Resistncia de Emissor

O efeito estabilizador da resistncia de emissor RE pode ser compreendido da seguinte
forma: a equao LKT da malha de base +VCC IBq RB VBEq - IEq RE = 0. A partir
dessa equao, obtenho o valor de
RB
RE IEq VBEq VCC
IBq

= .
Lembrando que as variaes de VBE so muito pequenas, caso o valor da corrente de
coletor ICq aumente por qualquer motivo, isso causar um aumento na corrente de emissor IEq.
A equao acima mostra claramente que um aumento da corrente de coletor causa uma reduo
na corrente de base, o que por sua vez reduz o valor da corrente de coletor, compensando o
aumento inicial no valor dessa corrente.
Caso o que ocorra seja uma reduo no valor da corrente de coletor, tudo ocorre de forma
oposta ao descrito acima, levando no final do processo a uma elevao do valor de ICq,
deixando-o prximo do valor original. Em resumo:
Ocorre um aumento de ICq: ICq IEq IEq RE IBq ICq
Ocorre uma reduo de ICq: ICq IEq IEq RE IBq ICq
Podem-se demonstrar que, para esse circuito de polarizao, os fatores de estabilidade da
corrente de coletor IC so dados pelas equaes:
( )
( )
( ) 1 hFE RE RB
RE RB hFE
ICBo S
+ +
+
= , ( )
( )
2
RE) hFE (RB
VBE VBB RB
hFE S
+

= , ( )
RE hFE RB
hFE
VBE S
+
=
Nas trs equaes, quanto maior o valor da resistncia de emissor RE, menor o valor do
fator de estabilidade, ou seja, mais prximo do ideal ser o comportamento do circuito. Isso
significa que quanto maior for o valor de RE, maior ser o seu efeito de estabilizao trmica do
ponto de operao. Obviamente, existem restries relacionadas ao rendimento do circuito que
impem um limite superior para o valor dessa resistncia. De qualquer forma, torna-se evidente
a razo pela qual a grande maioria dos circuitos de polarizao inclui a resistncia de emissor.
R
C
R
B
IBq
ICq
IEq
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +VCC
VCEq
VBEq
VRC
VRB
malha de coletor
malha de base
R
E
+ ++ +
VRE
77
Esse circuito de polarizao tem como peculiaridade o fato de que a tenso sobre o
resistor RE (que produzida pela corrente de sada IEq) influi sobre o valor da corrente de base,
que a corrente de entrada do circuito. Essa influncia de uma grandeza de sada sobre o valor
de uma grandeza de entrada chamada de realimentao, sendo nesse caso uma
realimentao negativa, pois quando a grandeza de sada aumenta, a grandeza de entrada
diminui e vice-versa. Por esse motivo, esse circuito de polarizao conhecido tambm como
circuito de polarizao por realimentao de emissor.
Para o clculo dos valores das resistncias, caso sejam conhecidas as coordenadas do
POE, partiremos das mesmas premissas utilizadas para o circuito de polarizao fixa: o transistor
est na regio ativa e, por isso, VBEq 0,6 V e ICq = hFE IBq. Outra aproximao, para
simplificar os clculos, que IEq ICq. Desenvolvendo a equao da malha de coletor:
+VCC ICq RC VCEq IEq RE = 0 +VCC ICq RC VCEq ICq RE = 0
+VCC VCEq ICq ( RC + RE) = 0
ICq
VCEq VCC
RE RC

= + . Como se trata de uma
nica equao com duas incgnitas (RC e RE), comum atribuir-se uma relao arbitrria entre
RC e RE, o que permite obter os valores de ambas as resistncias.
Desenvolvendo agora a equao da malha de base:

IBq
RE ICq VBEq VCC
IBq
RE IEq VBEq VCC
RB

=

= . A essa altura, todas as grandezas
envolvidas na frmula j so conhecidas, o que permite calcular o valor de RB.

EXEMPLOS NUMRICOS:
1) Calcular os resistores de polarizao para fazer um transistor que possui hFE = 100 e ICBo =
80 nA a 25 C operar em ICq = 5 mA e VCEq = 10 V. A tenso de alimentao disponvel de
15 V. Utilizar um circuito de polarizao com resistncia de emissor no qual RC = 4 RE.









2) Recalcular as coordenadas do POE do transistor do exemplo anterior para uma temperatura de
125 C, supondo que nessa temperatura o novo valor de hFE seja igual a 120.



78
Comparando os resultados dos exemplos acima com os obtidos quando o circuito de
polarizao no tinha a resistncia de emissor, podemos avaliar a importncia dessa resistncia
na estabilizao trmica do ponto de operao. Por esse motivo, praticamente todos os circuitos
de polarizao prticos utilizam resistncia no emissor, embora existam tambm circuitos que
utilizam realimentao de coletor. Os circuitos de polarizao fixa so apropriados apenas em
aplicaes onde o transistor opera do corte para a saturao e vice-versa. Em circuitos onde o
transistor opera na regio linear, os circuitos de polarizao sem nenhum tipo de realimentao
s devem ser utilizados quando a temperatura de operao rigorosamente controlada.


3) Circuito de Polarizao Autopolarizante

Apesar de ter um desempenho superior ao do circuito de polarizao fixa, o circuito de
polarizao com resistncia de emissor estudado acima possui alguns inconvenientes. Para
garantir uma boa estabilidade trmica, necessrio que o resistor de emissor de emissor seja
dimensionado de tal forma que a queda de tenso sobre ele seja aproximadamente igual
metade da tenso da fonte de alimentao VCC. Dessa forma, uma parcela considervel da
potncia aplicada ao circuito ser dissipada sobre o resistor de emissor, o que reduz a sua
eficincia.
Para contornar esses inconvenientes, utilizado o circuito chamado de autopolarizante
ou de polarizao por divisor de tenso na base, cujo diagrama mostrado na Figura 86.














Figura 86 Circuito de Polarizao Com Divisor de Tenso na Base

Como se pode ver pelo diagrama, este circuito tambm utiliza a realimentao de emissor.
A diferena em relao ao circuito anterior a presena de um segundo resistor de base (RB2),
que fica praticamente em paralelo com o resistor de emissor RE (se desprezarmos a pequena
tenso VBEq). Isso faz com que a corrente de base IBq seja muito mais sensvel a eventuais
variaes na tenso sobre o resistor de emissor, o que torna a estabilizao trmica mais
eficiente.
Essa maior eficincia permite trabalhar com valores de RE que proporcionem uma queda
de tenso entre 10% e 20% da tenso de alimentao VCC. Dessa forma, a potncia dissipada
sobre o resistor de emissor ser bem menor do que no caso anterior, o que aumenta o
rendimento do circuito.
R
C
R
B
1
I1
ICq
IEq
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ + + ++ +
+ ++ +VCC
VCEq
VBEq
VRC
VRB1
R
E
+ ++ +
VRE
R
B
2
IBq
I2
+ ++ +
VRB2
M1
M2
79
Os resistores de base devem ser dimensionados de forma que a corrente I1 que percorre
o primeiro resistor seja entre 20 e 50 vezes maior do que a corrente de base IBq, o que permite
considerar que a corrente I2 ter praticamente o mesmo valor da corrente I1.
O clculo dos resistores deste circuito de polarizao segue o seguinte roteiro:
Atravs da equao LKT da malha de coletor, chega-se a
ICq
VCEq VCC
RE RC

= + .
Existindo uma relao conhecida entre RC e RE, obtm-se os valores dessas duas
resistncias.
Calcula-se o valor da corrente de base pela equao
hFE
ICq
IBq = . Escolhe-se o valor da
corrente I1 de tal forma que 20 IBq < I1 < 50 IBq. Feito isso, pode-se considerar I2 I1.

Calcula-se o valor de RB2 atravs da equao LKT da malha M1:

I1
RE ICq VBE
I2
RE IEq VBE
RB2
+

+
=
Por fim, obtm-se o valor de RB1 atravs da equao LKT da malha M2:
R2
I1
VCC
I1
RB2 I2 VCC
RB1

=

Todas as dedues feitas acima mostram de modo claro que, uma vez conhecidos alguns
princpios bsicos do funcionamento dos transistores na regio ativa, os valores das resistncias
de polarizao podem ser obtidos por meio da aplicao das leis de Kirchoff e de Ohm. Isso
vlido qualquer que seja o circuito utilizado para polarizar o transistor.

Determinao das Coordenadas do POE a Partir dos Valores das Resistncias

No caso do circuito autopolarizante, a determinao direta das coordenadas do POE a
partir dos valores das resistncias de polarizao mais complicada do que no caso dos outros
circuitos de polarizao estudados. Para facilitar essa tarefa, utiliza-se o artifcio de aplicar o
teorema de Thvenin base do transistor, obtendo-se o circuito equivalente da Figura 87.












Figura 87 Aplicao do Teorema de Thvenin Base do Circuito Autopolarizante
R
C
ICq
IEq
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +VCC
VCEq
VBEq
VRC
VRBB
R
E
+ ++ +
VRE
IBq
+ ++ +
VBB
RBB
80
Segundo os princpios do teorema de Thvenin, para esse circuito equivalente teremos
(caso tenha sido respeitada a exigncia de I1 >> IBq):
RB2 RB1
RB2
VCC VBB
+
= (gerador equivalente de Thvenin)
RB2 RB1
RB2 RB1
RB1//RB2 RBB
+

= = (resistncia equivalente de Thvenin)

A partir desse circuito, possvel chegar ao valor da corrente de base IBq atravs da
equao LKT da malha de base (lembrando que IEq ICq):
RE hFE RBB
VBEq VBB
IBq 0 RE IBq hFE VBEq RBB IBq VBB
0 RE ICq VBEq RBB IBq VBB 0 RE IEq VBEq RBB IBq VBB
+

= = +
= + = +

A partir do valor de IBq, calcula-se ICq = hFE IBq e chega-se ao valor de VCEq por
meio da equao LKT da malha de coletor:
VCEq = VCC ICq (RC + RE). Ficam, assim, determinadas as coordenadas do POE.

EXEMPLO NUMRICO: Refazer o exemplo 1 da pgina 74 utilizando agora um circuito de
polarizao autopolarizante. Depois, calcular as coordenadas do POE em funo dos valores
obtidos para as resistncias de polarizao.












81
Polarizao de um Transistor nas Regies de Saturao e de Corte

Em todos os circuitos de polarizao estudados partiu-se da premissa de que o transistor
estivesse operando na regio ativa. No caso dessa premissa no ser verdadeira, eram obtidos
resultados fisicamente impossveis, indicando que o transistor, na verdade, se encontrava na
regio de saturao. Como existem aplicaes nas quais se deseja polarizar o transistor na
regio de saturao e/ou na regio de corte, estudaremos agora as tcnicas para se atingir esse
objetivo. Como nessas duas regies de operao a estabilizao trmica no um requisito
importante, utiliza-se o circuito de polarizao fixa, de menor custo e de projeto mais simples.

1) Polarizao na regio de saturao

Consideremos o circuito de polarizao fixa, representado na Figura 88, no qual a
resistncia de base um potencimetro de valor nominal PB.










Figura 88 Circuito de Polarizao Fixa Com Potencimetro na Base

A corrente de base vale:
RB
VBEq VCC
IBq

= (1), onde RB o valor para o qual o
potencimetro PB est ajustado. A corrente de coletor pode ser calculada de duas formas
diferentes. A primeira atravs da relao com a corrente de base:

IBq hFE ICq = (2). A segunda atravs da equao LKT da malha de coletor:

RC
VCEq VCC
ICq

= (3). Uma vez que o potencimetro P pode ser ajustado inclusive para o
valor zero, no h limite matemtico para o valor da corrente de base, que pode chegar a ter valor
infinito. No entanto, a equao (3) para a determinao da corrente de coletor deixa claro que
ela tem um valor limite, acima do qual no pode mais aumentar. Esse valor ser alcanado
quando a tenso entre coletor e emissor VCEq for igual a zero.
Em resumo, ao se diminuir o valor ajustado no potencimetro PB, aumenta o valor da
corrente de base. A corrente de coletor, de acordo com a equao (2) aumenta na mesma
proporo, enquanto no chegar ao limite imposto pela equao (3). Quando esse limite
alcanado, deixa de existir a relao direta entre o valor da corrente de coletor e o valor da
corrente de base, ou seja, a corrente de base aumenta, mas a corrente de coletor continua com o
mesmo valor e temos ICq < hFE IBq. Essa condio indica que o transistor chegou regio
de saturao.
As coordenadas do POE de um transistor saturado possuem uma notao especial: o
valor da corrente de coletor simbolizado por ICsat e o valor da tenso entre coletor e emissor
VRC
R
C
P
B
IBq
ICq
IEq
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ + + ++ +VCC
VCEq
VBEq
VRB
82
simbolizado por VCEsat. O valor de VCEsat no nulo, mas de alguns dcimos de volt. Em
nossos problemas consideraremos VCEsat = 0,2 V, salvo indicao contrria. O valor da tenso
entre base e emissor de um transistor saturado tambm recebe uma denominao especial,
VBEsat. Consideraremos, salvo indicao em contrrio, VBEsat = 0,8 V . Podemos ento
calcular o valor da corrente de coletor de um transistor saturado (equao vlida para o circuito
acima):
RC
VCC
RC
0,2 VCC
RC
VCEsat VCC
ICsat

= .
Podemos ento calcular o valor-limite de corrente de base que leva o transistor a operar
na regio de saturao:
RC hFE
VCC
hFE
ICsat
IBlim

= . A partir da equao LKT da malha de base, podemos

determinar o valor-limite da resistncia de base para que o transistor sature:
IBlim
VBEsat VCC
RBlim 0 VBEsat - RBlim IBlim - VCC

= = + . Assim, para valores de
resistncia de base iguais ou inferiores a RBlim, o transistor estar operando na regio de
saturao.
Em projetos prticos, para que se garanta a saturao mesmo com as inevitveis
variaes nos parmetros do transistor, deve-se calcular o valor-limite acima para a resistncia de
base e utilizar-se no circuito uma resistncia com valor 10 vezes menor, ou seja:
10
RBlim
RB = .

2) Polarizao na Regio de Corte
Como vimos no incio de nosso estudo sobre transistores, a operao na regio de corte
caracterizada pela polarizao reversa de ambas as junes. No entanto, como na prtica
necessria uma tenso mnima para que uma juno comece efetivamente a conduzir (a tenso
de limiar V ), no necessrio realmente aplicar uma tenso reversa entre base e emissor para
levar o transistor ao corte basta fazer com que VBE seja igual a zero. Isso pode ser feito de
duas maneiras:
A Deixando a base em aberto Como se pode ver pelo 1 diagrama abaixo, a corrente de
base ser nula e a corrente de coletor ser praticamente zero (apenas o valor da corrente de
saturao reversa da juno base-coletor, que desprezvel temperatura ambiente).
B Aterrando a base Exatamente como no caso anterior, teremos corrente de base nula.
Assim, no h necessidade de clculos para se levar um transistor ao corte. As correntes
de base e de coletor sero nulas e a tenso entre coletor e emissor ter praticamente o valor da
tenso de alimentao. As duas possibilidades para levar um transistor ao corte so mostradas
na Figura 89.








Figura 89 Mtodos Para Polarizar Um Transistor na Regio de Corte

Base Aberta
R
C
PB
IBq = 0
ICq 0
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +VCC
VCEq VCC
VBEq = 0
Base Aterrada
R
C
PB
IBq = 0
ICq 0
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +VCC
VCEq VCC
VBEq = 0
83
Aplicaes do Transistor no Corte e na Saturao


Estudaremos agora algumas aplicaes em que o transistor deve operar nas regies de
corte ou saturao: portas lgicas (circuitos digitais), acionamento de cargas DC e geradores de
sinais. Para efeito de simplificao, consideraremos que o valor de VCEsat em todos os
circuitos seja igual a 0. Adotaremos para VBEsat o valor padro de 0,8 V.

Utilizao do Transistor como Inversor Lgico Binrio

Considere o circuito da Figura 90, cuja entrada no ponto A e cuja sada no ponto B.









Figura 90 Inversor Lgico Transistorizado
Supondo que o sinal de entrada vi seja uma onda quadrada cuja tenso varie entre os
valores 0 e VB e que RB est dimensionado de tal forma que quando vi = VB o transistor chegue
saturao, o diagrama de tempos mostrando o comportamento do sinal de sada em funo do
sinal de entrada ter o aspecto mostrado na Figura 91.











Figura 91 Diagrama Temporal dos Sinais de Entrada e Sada do Inversor
Podemos constatar que quando o sinal de entrada baixo (OFF, nvel lgico 0), o sinal
de sada alto (ON, nvel lgico 1), e vice-versa. Este exatamente o comportamento de uma
porta lgica inversora, mostrando que o circuito acima pode ter essa aplicao. O detalhe
principal o correto dimensionamento dos resistores RB e RC, que devem garantir a saturao
do transistor quando o sinal de entrada estiver alto. Conhecendo-se o valor de VB e as
caractersticas do transistor, os resistores podem ser calculados atravs das equaes e dos
conceitos vistos quando estudamos polarizao de transistores.
RB
R
C
+VCC
B
A
vi
vo
vi
t
VB
0
vo
t
VCC
0
84
importante notar que os valores de VB e VCC no precisam ser iguais. Isso significa
que o valor de tenso correspondente ao nvel 1 do sinal de entrada pode ser diferente do valor
de tenso correspondente ao nvel 1 do sinal de sada. Essa propriedade extremamente til
no projeto de circuitos de interface (casadores), que servem para interligar portas de famlias
lgicas diferentes (TTL e CMOS, por exemplo).
Relembrando o que foi visto por ocasio do estudo sobre polarizao de transistores, o
roteiro para o clculo dos resistores do circuito acima :
Conhecido o valor desejado para ICsat, o resistor de coletor pode ser calculado atravs da
frmula:
ICsat
VCC
RC = (j que estamos considerando VCEsat = 0).
O valor-limite de corrente de base que leva o transistor saturao :
hFE
ICsat
IBlim = .
A parir desse valor de corrente, obtenho o valor-limite para a resistncia de base que leva o
transistor saturao:
IBlim
0,8 - VB
IBlim
VBEsat - VB
RBlim = = , onde VB o valor da tenso de
nvel 1 do sinal aplicado entrada.
Uso, na prtica, um resistor de base com valor resistncia 10 vezes menor do que o calculado
pela frmula acima:
10
RBlim
RB = . Isso garante a saturao ainda que haja variaes nos
parmetros do transistor


EXEMPLO NUMRICO: Para casar um sinal digital que varia entre 0 e 2 V, proveniente de
um circuito CMOS (um tipo de famlia lgica) com um circuito TTL, utiliza-se um inversor
construdo com um transistor cujo h
FE
vale 50. Sabendo que a corrente de saturao deve ser de
1 mA, projetar o inversor.




Circuito de Interface sem Inverso (Buffer)


Muitas vezes necessrio que uma interface como a realizada por meio do circuito do
exemplo anterior tenha um sinal de sada com o mesmo nvel lgico do sinal de entrada, ou seja,
em que no ocorra inverso lgica, de forma que para uma entrada em 1 apresente uma sada
tambm em 1 e para uma entrada em 0 apresente uma sada tambm em 0. Tal dispositivo
conhecido como buffer e tm como funo apenas permitir a interligao de circuitos que
possuam nveis diferentes de tenso e/ou corrente. O smbolo de um buffer, sua expresso
lgica e sua tabela-verdade so mostrados na Figura 92.




Figura 92 Smbolo, Tabela-Verdade e Expresso Lgica de Um Buffer

Para se obter um buffer transistorizado basta simplesmente que se liguem dois inversores
em srie, como na Figura 93, que apresenta o diagrama em blocos e o diagrama completo de
uma ligao desse tipo.
X Y
0 0
1 1


Y = X

X Y
85










Figura 93 Diagrama em Blocos e Diagrama Esquemtico de Um Buffer
Implementao de uma Porta Lgica NOR de n Entradas

Suponhamos que no circuito da Figura 94 todos as tenses aplicadas s bases dos
transistores sejam do tipo digital (ora em nvel 0, ora em nvel 1) e que todos os resistores de
base foram dimensionados de tal forma que quando a tenso aplicada a eles estiver em nvel 1
o respectivo transistor esteja saturado. Apenas se todas a tenses de entrada (de V1 a Vn)
estiverem em 0 (isto , se todos os transistores estiverem na regio de corte) que a tenso de
sada vo estar em nvel 1. Caso pelo menos uma das tenses de entrada esteja em nvel 1,
o transistor correspondente a essa entrada estar saturado, levando a tenso do ponto X a zero.
Como os coletores de todos os transistores esto ligados a esse ponto, basta que um deles
sature para que os demais tambm sejam levados saturao, mesmo que no tenham tenso
aplicada sua base. Logo, esse circuito funciona como uma porta lgica NOR de n entradas.










Figura 94 Diagrama de uma Porta NOR de N Entradas

Utilizando-se as leis de de Morgan, possvel construir qualquer porta lgica a partir de
um conjunto de portas NOR ou a partir de um conjunto de portas NAND. Logo, combinando-se
convenientemente um certo nmero de portas como a mostrada acima podemos obter qualquer
porta lgica que seja necessria.

EXEMPLO: A partir das portas lgicas estudadas, desenhar o diagrama de uma porta AND de
duas entradas.

RB
R
C
+VCC
X


1 Inversor
RB
R
C
Y = X


2 Inversor
X
Y = X
X
+VCC
V1
Vn V V VS + + + = ... 2 1
R
C
R
B
2
R
B
1
R
B
n
T1 T2 Tn
V2 V3
86
Porta Lgica NAND da Famlia TTL

Das diversas famlias de circuitos integrados digitais, a TTL continua sendo a mais
utilizada. A porta lgica bsica da famlia TTL, ou seja, aquela que mais facilmente
implementada, servindo de base para as demais portas lgicas da famlia a porta NAND.
Estudaremos essa porta para ilustrar os princpios bsicos que regem a famlia TTL.
A Figura 97 mostra o diagrama de uma porta NAND de trs entradas da famlia TTL, com
os valores tpicos das resistncias empregadas.
















Figura 97 Diagrama de Uma Porta NAND TTL Com Trs Entradas
O primeiro detalhe que chma a ateno o fato de que o transistor T1 possui 3 emissores
(na verdade, o nmero de emissores ser igual ao nmero de entradas da porta lgica). Essa
tcnica, denominada de transistor multiemissor, largamente utilizada em circuitos integrados.
Caso pelo menos um dos emissores estiver aterrado (vi = 0), o transistor T1 estar saturado, o
que leva a base do transistor T2 ao nvel lgico 0, ou seja, leva T2 ao corte. Com T2 cortado, o
transistor T3 levado saturao atravs do resistor R2, enquanto T4, sem corrente de base,
permanece cortado. Logo, a sada S estar em nvel 1. Podemos calcular a corrente IS que a
sada fornecer a uma carga a ela conectada:
RL R4
VD1 VCEsat VCC
IS
+
+
= . O valor numrico aproximado da corrente de curto circuito ser:
32
130
7 , 0 2 , 0 5
IS

= mA. Fica evidente, portanto, que a funo do resistor R4 limitar a
corrente de sada caso ocorra um curto-circuito acidental com o terra.
Caso as trs entradas estejam simultaneamente em nvel 1, teremos a juno base-
emissores de T1 reversamente polarizada e a juno base-coletor diretamente polarizada, isto ,
o transistor T1 passa a operar na regio ativa reversa. Lembrando que nessa regio o valor de
hFE muito baixo (nos CIs TTL os transistores so projetados para hFE por volta de 0,02 nessa
regio), a corrente de emissor ter um valor muito baixo, enquanto as correntes de coletor e de
base tero valores elevados e aproximadamente iguais. Como a corrente de coletor do transistor
R1
4
K
R2
1,6
K
R4
130

R3
1
K
T1
T2
T3
T4
D1
A
B
C
S = A B C
+ 5V
87
T1 tambm a corrente de base do transistor T2, este estar saturado, levando o transistor T4
saturao e a sada S ao nvel 0. A tenso no coletor do transistor T2 ser, ento:
VC
T2
= VCEsat
T2
+ VBEsat
T3
0,2 + 0,8 = 1 V. Logo, caso o circuito no tivesse o
diodo D1, essa tenso poderia ser suficiente para levar o transistor T3 saturao. Explica-se,
portanto a incluso do diodo no circuito.
O estgio de sada do circuito analisado, formado pelo resistor R4, pelo diodo D1 e pelos
transistores T3 e T4 conhecido pelo nome de totem-pole. Em portas cujas sadas devero ser
utilizadas para o acionamento de cargas que requeiram correntes elevadas ou em portas lgicas
utilizadas como interface entre circuitos com nves lgicos de tenses diferentes, utiliza-se um
outro tipo de estgio de sada, denominado de coletor aberto ou open collector.

Utilizao do Transistor Como Chave de Acionamento


Em algumas situaes, um transistor operando entre o corte e a saturao pode ser
utilizado como uma chave eletrnica de estado slido, substituindo chaves eletromecnicas, como
os rels. A Figura 98 ilustra essa situao.










Figura 98 Diferentes Opes Para o Acionamento de Uma Lmpada
Uma dvida bastante razovel que pode surgir comparando-se o primeiro e o terceiro
circuitos sobre que vantagem haveria em se utilizar um transistor para o acionamento da
lmpada, uma vez que foi necessrio utilizar, alm da chave, um transistor e um resistor, dos
quais o primeiro circuito no precisa. Para compreendermos essa questo, suponhamos que a
lmpada seja de 12 V e 50 W. Logo, a sua corrente vale aproximadamente 4 A, de forma que o
interruptor utilizado no primeiro circuito tem que ser dimensionado para suportar esse nvel de
corrente. Se no terceiro circuito o transistor tiver um hFE igual a 50, a corrente de base
necessria para a saturao ser de cerca de 100 mA. Como nesse circuito a chave est na
malha de base, ser possvel utilizar uma unidade que suporte apenas 100 mA de corrente, o
que na prtica significa uma chave menor e mais barata do que a requerida pelo primeiro circuito.
Em muitos casos, a diferena de preo entre as duas chaves mais do que suficiente para pagar
o transistor e o resistor de base que so utilizados a mais pelo terceiro circuito.
Mesmo quando isso no ocorre, o circuito transistorizado possui uma grande vantagem
sobre o circuito manual: seu acionamento pode ser automatizado, ou seja, a tenso de base no
precisa vir da mesma fonte que alimenta a malha de coletor (VCC), mas pode ser proveniente,
por exemplo, de um sensor ou da porta serial de um computador. Nesse caso, a chave que
aparece na malha de base pode ser eliminada, sendo substituda pela ligao ao elemento de
controle. Isso permite que a lmpada seja acesa ou apagada automaticamente, em condies
bem especficas, determinadas por esse elemento. A Figura 99 ilustra essa situao.


Tenso de
controle

Acionamento de uma
lmpada atravs de um
interruptor manual.

Acionamento de uma
lmpada atravs de um
rel.

Acionamento de uma
lmpada atravs de um
transistor.
R
B
+VCC
88










Figura 99 Acionamento Automatizado de Uma Carga DC

O princpio da utilizao do transistor no acionamento da lmpada bastante simples.
Supondo-se que o resistor de base foi calculado de tal forma que ao ser fechada a chave (ou
quando a tenso de controle assume o seu nvel 1) a corrente de base seja suficiente para
saturar o transistor (IB > IBlim), a tenso entre coletor e emissor cai a zero e toda a tenso de
alimentao estar sobre a lmpada. Quando a chave estiver aberta, a base fica sem
alimentao, o transistor vai para a regio de corte e a corrente de coletor (bem como a tenso
sobre a lmpada) ser igual a zero.
Para se projetar esse circuito necessrio que se conheam, alm das caractersticas do
transistor, as caractersticas da carga a ser controlada (tenso e corrente requeridas). Quando a
tenso disponvel igual tenso requerida pela carga, a mesma ser ligada diretamente na
malha de coletor. No caso de a tenso ser superior da carga, deve-se utilizar uma resistncia
limitadora em srie. Em ambos os casos, a corrente de coletor na saturao IC
sat
deve ser
igual corrente requerida pela carga. De posse destes dados e aplicando-se os princpios j
estudados, obtm-se o circuito apropriado.
EXEMPLOS NUMRICOS:

1) O LED (Ligth Emitting Diode - Diodo Emissor de Luz) um tipo especial de diodo que ao ser
diretamente polarizado emite luminosidade. Projetar um circuito de acionamento do LED
utilizando um transistor NPN de hFE igual a 200, a partir de uma tenso disponvel de 9 V. O
LED, quando aceso, fica submetido a uma queda de tenso V
LED
= 1,8 V e a corrente I
LED
que
o percorre deve ser de 30 mA.











2) Modificar o circuito do exemplo anterior para acionar o mesmo LED, desta vez a partir de um
sinal enviado pela porta serial de um computador, que tem nvel 1 igual a 5 V e nvel 0 igual a
+5 V.
RB
+VCC
Sensor ou
Equipamento
Microprocessado
tenso
de
controle
89
Multivibrador Astvel Transistorizado

Os circuitos capazes de gerar sinais peridicos com determinadas formas de onda
(senoidais, quadradas, triangulares, dente-de-serra, etc.) so chamados de osciladores. Entre os
vrios tipos de osciladores existentes encontram-se os multivibradores astveis, que so
apropriados para a gerao de ondas quadradas e dente-de-serra, podendo, por isso, ser usados
na gerao de pulsos de clock em circuitos digitais.
Existem muitas maneiras de se implementar um multivibrador astvel. Estudaremos um
circuito que utiliza transistores bipolares operando nas regies de corte e saturao. Temos na
Figura 100 o diagrama esquemtico de um multivibrador astvel transistorizado. Notar que no
h ligao entre as bases dos dois transistores.










Figura 100 Multivibrador Astvel Transistorizado

Princpio de Funcionamento

As premissas iniciais so as seguintes:

No momento em que o circuito ligado (t = 0), ambos os capacitores esto descarregados,
sendo equivalentes, portanto, a curto-circuitos.
Os resistores de base (R2 e R3) e de coletor (R1 e R4) de ambos os transistores foram
calculados de modo a garantir a saturao dos transistores.
Com essas condies, ambos os transistores tenderiam saturao. Contudo, mesmo
que os dois transistores sejam de igual especificao, ser muito pouco provvel que ambos
tenham caractersticas exatamente iguais. Logo, um deles ir atingir a saturao primeiro do que
o outro. Vamos supor que o transistor T
1
tenha sido o primeiro a chegar saturao. Logo,
sua tenso v
CE
ser praticamente nula, e o circuito equivalente no instante inicial o mostrado
na Figura 101.













Figura 101 Circuito Equivalente Para o Transistor T1 Saturado
R
1
R
2
R
3
R
4
+VCC
C1 C2
T1 T2
vo1
1
vo2
2
R
1
R
2
R
3
R
4
+VCC
C1
C2
T1
saturado
T2
cortado
vo1 vo2
+ ++ + + ++ +
carga
de C1
carga
de C2
90
Como C1 est inicialmente descarregado, a base de T2 est aterrada em t = 0. Logo, T2
estar inicialmente cortado. O capacitor C1 comea a se carregar atravs de R2. Ao mesmo
tempo, o capacitor C2 comea a se carregar atravs de R4. Note bem a polaridade da tenso
nos capacitores. Esse processo continua at que a tenso no capacitor C1 atinja o valor
suficiente para levar o transistor T2 saturao (vC1 0,8 V). Nesse instante vCE2 passa a ser
praticamente 0 e o novo circuito equivalente ser o mostrado na Figura 102.















Figura 102 Circuito Equivalente Para o Transistor T2 Saturado

Note que a polaridade da tenso sobre C2, agora aplicada base do transistor T1, leva-o
imediatamente ao corte (j que polariza reversamente a juno base-emissor). Temos agora T2
saturado e T1 cortado, e o capacitor C1 passa a se carregar atravs de R1, enquanto o capacitor
C2 comea a se carregar atravs de R3. Como podemos notar, a polaridade da tenso nos
capacitores se inverte ao longo do tempo, isto , a tenso nos capacitores alternada.
No momento em que a tenso em C2 atinge o valor suficiente para levar T1 novamente
saturao, a tenso armazenada em C1 aparece entre a base e o emissor de T2, levando-o ao
corte e recomeando todo o ciclo, que se repete indefinidamente. O diagrama de tempos da
Figura 103 mostra o comportamento ideal das tenses em vrios pontos do circuito. Na prtica,
as ondas no apresentam a perfeio mostrada nos grficos, apresentando arredondamentos e
picos nos instantes de transio (passagem do corte para a saturao ou vice-versa).
fcil concluir que o tempo em que cada transistor ficar cortado depender do tempo
necessrio para que a tenso no capacitor correspondente atinja o valor necessrio para lev-lo
saturao. Em outras palavras, depende da constante de tempo = R x C. Pode-se demonstrar
que:
C1 R2 0,693
t1
= , onde t
1
o tempo em que o transistor T
1
permanece cortado (e a
tenso entre o seu coletor e o seu emissor permanece alta, isto , v
CE1
V
CC
).
C2 R3 0,693
t2
= , onde t
2
o tempo em que o transistor T
2
permanece cortado (e a
tenso entre o seu coletor e o seu emissor permanece baixa, isto , v
CE2
= V
CEsat
0).
O perodo T das formas de onda, que o tempo necessrio para um ciclo completo, ser
dado por:
) ( 0,693 T T
C R C R t t 2 3 1 2 2 1
+ = + = .

Logo, a freqncia f das ondas ser:
C R C R 1 2 2 3
1,443
T
1
f
+
= = .



R
1
R
2
R
3
R
4
+VCC
C1
C2
T1
cortado
T2
saturado
vo1 vo2
+ ++ + + ++ +
C1
+ ++ +
+ ++ +
C2
carga
de C2
carga
de C1
91




































Figura 103 Diagrama de Tempos das Diversas Tenses Num Multivibrador Astvel

Observando os grficos, constata-se que as tenses v
CE1
e v
CE2
so complementares,
isto , uma o inverso lgico da outra. Para essas duas formas de onda, define-se o chamado
ciclo de trabalho (DC - do ingls duty cycle), como sendo a relao entre o tempo t
H
em que a
onda permanece em nvel alto e o seu perodo T, isto : DC
t
T
H
= == = . Assim, para o transistor
T
1
, teremos:


C R C R
C R
DC
C R C R
C R t
DC
2 3 1 2
1 2
1
2 3 1 2
1 2 1
1
) ( 0,693
0,693
T +

=
+

= = .


Para o transistor T
2
:

C R C R
C R
DC
C R C R
C R t
DC
2 3 1 2
2 3
2
2 3 1 2
2 3 2
2
) ( 0,693
0,693
T +

=
+

= =

t
t
t
t
vo2
vo1
vB1
vB2
T1 cortado
T2 cortado
+VCC
+VCC
VBEsat
VBEsat
t1 t2
T
92

fcil demonstrar que DC
1
+ DC
2
= 1. O ciclo de trabalho freqentemente expresso
na forma de porcentagem.


EXEMPLO NUMRICO: Utilizando transistores que possuem h
FE
= 200, projetar um
multivibrador astvel com freqncia de 1 KHz. A corrente de saturao de ambos os
transistores dever ser igual a 5 mA e a tenso de alimentao igual a 12 V. O ciclo de trabalho
de um dos transistores dever ser quatro vezes maior do que o do outro.









93
Amplificador Transistorizado de Pequenos Sinais


Vimos que uma vez estabelecida a tenso de alimentao e o circuito de polarizao de
um transistor, seu ponto de operao, dado pelas coordenadas ICq e VCEq, permanecer fixo,
desde que no haja variaes na temperatura nem nos parmetros do transistor. Chegamos a
essa concluso considerando a tenso entre base e emissor (VBEq) como uma constante, o que
resulta numa corrente de base (IBq) tambm constante.
Utilizando as curvas caractersticas de entrada e de sada do transistor configurado em
emissor comum, vamos avaliar graficamente o efeito que uma variao da tenso entre base e
emissor produz sobre a tenso entre o coletor e o emissor. Para que tenhamos uma idia
quantitativa, utilizaremos valores numricos.
Suponhamos que no circuito da Figura 104 o valor quiescente da tenso entre base e
emissor seja VBEq = 0,65 V e que, de alguma forma, ele sofra uma variao de 0,1 V para
cima e para baixo, conforme indicado na curva caracterstica de entrada, mostrada ao lado.










Figura 104 Efeito da Variao da Tenso Entre Base e Emissor Sobre a Corrente de Base
Podemos notar que uma variao de 0,2 V na tenso VBE originou uma variao de 40
A na corrente de base IB. Com o auxlio do conjunto de curvas caractersticas de sada
mostrado na Figura 105, podemos determinar o efeito dessa variao de corrente de base sobre
a corrente de coletor IC e sobre a tenso entre coletor e emissor VCE.










Figura 105 Efeito da Variao da Corrente de Base Sobre a Malha de Sada

12 V
R
C
R
B
IBq ICq
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ + + ++ +
+ ++ +VCC
VCEq
VBEq
1 K
VRB
VBE (V)
IB ( A)
60
40
20
0,55 0,65 0,75
IB
Ponto de operao
quiescente
VBE
IC
VCE
IB = 0
IB = 20 A
IB = 40 A (IBq)

IB = 60 A

IB = 80 A

IB = 100 A

5 mA (ICq)
reta de carga 12 mA
|

\
|
RC
VCC
7 V
(VCEq)
ponto de operao esttica

12 V
(VCC)
5 V
(VCE2)
9 V
(VCE1)
7 mA (IC2)
3 mA (IC1)
94
Como j vimos, o ponto de operao estar necessariamente localizado sobre a reta de
carga. Dessa forma determinamos os pontos de operao correspondentes s variaes da
corrente de base e chegamos aos seguintes valores de VCE (variao da tenso entre coletor e
emissor) e de IC (variao da corrente de coletor):
VCE = VCE2 - VCE1 = 5 - 9 = -4 V IC = IC2 - IC1 = 7 - 3 = 4 mA.
Assim, constatamos que as variaes na tenso entre base e emissor e na corrente de
base (grandezas de entrada do circuito) ocasionaram variaes de magnitude muito superior na
tenso entre coletor e emissor e na corrente de coletor (grandezas de sada do circuito). Esse
o princpio fundamental para a principal aplicao do transistor quando polarizado na regio ativa:
com amplificador de tenso e/ou de corrente.
Os nmeros do exemplo mostram tambm que uma variao positiva da corrente de base
ocasiona uma variao negativa da tenso entre coletor e emissor e uma variao positiva da
corrente de coletor. Os sinais contrrios dessas variaes j eram esperados, uma vez Qua a
inclinao da reta de carga (sobre a qual necessariamente todos os pontos de operao esto
localizados) negativa.
Considerando VBE como sinal de entrada e VCE como sinal de sada, podemos
calcular o ganho de tenso Av do circuito: 20
2 , 0
4
=

=
V
V
A
BE
CE
V
.
Da mesma forma, podemos calcular o ganho de corrente Ai do circuito:
100
04 , 0
4
= =

=
I
I
A
B
C
V
.
O ganho de potncia Ap ser: Ap = | Av x Ai | = | -20 x 100 | = 2000.
O sinal negativo do ganho de tenso a traduo matemtica do fato de que a um
aumento de VBE corresponde uma diminuio de VCE e vice-versa, isto : as variaes de
VCE e VBE ocorrem em sentidos opostos. Para o caso de sinais de entrada senoidais, que
veremos adiante, isso significa que existe uma defasagem de 180
o
entre o sinal de sada e o sinal
de entrada correspondente.

Utilizao de Sinais Alternados Para Produzir Variaes em VBE

A maneira usual de obter variaes na tenso entre base e emissor atravs da aplicao
de um sinal varivel entrada do circuito, conforme ilustrado na Figura 106. A presena dos
capacitores Ci e Co necessria para que a fonte geradora do sinal de entrada ou uma carga
eventualmente ligada sada do circuito no venham a interferir na polarizao DC do transistor,
alterando dessa forma o POE originalmente projetado. Esses capacitores so chamados de
capacitores de desacoplamento DC.












Figura 106 Diagrama de um Amplificador Transistorizado com Acoplamento Capacitivo
R
C
R
B
vi
+ ++ +VCC
VCEq
VBEq
Ci
Co
vo
95
A fonte do sinal de entrada vi pode ser um microfone, uma cpsula cermica, a sada de
um outro amplificador, etc. Em nosso estudo, consideraremos como sinal de entrada uma tenso
alternada senoidal.
Lembrando que, na regio ativa, a juno base-emissor um diodo real diretamente
polarizado, que pode ser representado como um diodo ideal em srie com uma fonte de tenso
igual a VBE, conclumos que a entrada do circuito comporta-se como um circuito grampeador de
tenso com tenso de referncia igual a VBEq. O comportamento desse grampeador pode ser
visto na Figura 107.








Figura 107 Representao da Entrada do Amplificador Transistorizado Como um Grampeador

Nota-se claramente que se o sinal de entrada tiver valor de pico-a-pico superior ao valor
quiescente da tenso entre base e emissor (algumas centenas de milivolts), o sinal de sada do
grampeador atingir valores inferiores a zero. Isso significa que a juno base-emissor ficar
reversamente polarizada durante esse intervalo, resultando no corte do transistor. Logo, o sinal de
sada ser constante e igual a VCC durante esse intervalo.
Por outro lado, se o valor positivo de vi for muito elevado, a corrente de base poder ser
suficiente para levar o transistor saturao, resultando num sinal de sada igual a VCEsat
(aproximadamente zero) enquanto perdurar essa situao.
Em ambos os casos, teremos o sinal de sada com forma de onda diferente da forma de
onda do sinal de entrada. A essa diferena entre as formas de onda dos sinais de entrada e
sada chamamos de distoro.
Visto que a distoro quase sempre uma caracterstica indesejvel, os amplificadores
que estudaremos devem utilizar como sinal de entrada os chamados pequenos sinais, que so
aqueles com amplitude tal que mantenham o transistor sempre dentro da regio ativa, no o
levando ao corte nem saturao.

Notao Utilizada Para os Sinais Num Amplificador

Com a incluso de sinais variveis (senoidais, em nosso caso) temos no circuito
componentes constantes (referentes polarizao DC) somadas a componentes variveis
(referentes ao sinal aplicado entrada), sendo por isso necessrio convencionar uma notao
que permita identificar corretamente o sinal em questo. A conveno adotada a seguinte:

Todas as letras maisculas: refere-se exclusivamente parcela constante, isto , ao ponto
de operao esttica escolhido para o circuito. Tratam-se dos valores presentes no circuito
quando no h sinal de entrada aplicado. Exemplos: VCC (tenso de alimentao) - IC
(corrente quiescente de coletor) - VCE (tenso quiescente entre coletor e emissor).

Todas as letras minsculas: refere-se exclusivamente parcela varivel, ou seja, s
variaes de tenso e corrente no circuito ocasionadas pelo sinal varivel aplicado entrada.
Essas variaes so chamadas de variaes incrementais. Exemplos: ib (variao da
corrente de base em torno de IBq, devida aplicao do sinal de entrada) - vce (variao da
tenso entre coletor emissor em torno de VCEq).

Primeira letra minscula e as demais maisculas: refere-se totalidade do sinal, ou seja,
soma das duas componentes citadas anteriormente. Desse modo, vCE = VCE + vce.
+vimx
-vimx
vi
t
emissor
base
VBEq
Ci
vi vo

VBEq
vo
t
96
Os grficos da Figura 108 ajudam a visualizar o significado das parcelas que compem as
tenses e correntes num amplificador transistorizado.














Figura 108 Componentes das Tenses e Correntes Num Amplificador Transistorizado

Em nosso estudo sobre os amplificadores de pequenos sinais, levaremos em conta
apenas a parcela incremental, de modo que ao nos referirmos, por exemplo, a ganho, teremos:
V
A
vce
vbe
= == = e
i
A
ic
ib
= == = .

Influncia do Ponto de Operao Sobre o Sinal de Sada

Suponhamos que o POE de um transistor utilizado como amplificador esteja localizado
nas proximidades da regio de saturao (extremidade superior da reta de carga). Com muita
facilidade, uma variao positiva da tenso VBE levaro transistor a ficar saturado (ou seja, fora
da regio linear), distorcendo a parte inferior do sinal de sada. Da mesma forma, se o POE
estiver localizado prximo regio de corte (extremidade inferior da reta de carga), qualquer
variao negativa de VBE levar o transistor ao corte, distorcendo a parte superior do sinal de
sada. Essas situaes so ilustradas na Figura 109.











Figura 109 Efeito da Escolha do Ponto de Operao

Logo, supondo-se um sinal de entrada simtrico (como os sinais senoidais) e tendo como
objetivo obter-se a mxima variao possvel (complincia) do sinal de sada sem que ocorra
distoro, deve-se polarizar o transistor no meio da reta de carga. Assim fazendo, garante-se
que o transistor permanea sempre na regio ativa. Os amplificadores que usam essa tcnica
so chamados de amplificadores Classe A.
vCE (V)
t
6
5
4
VCE (V)
t
5
VCE (polarizao)
vCE (sinal completo) vce (sinal de entrada)
1
vce
(V)
t
-1
IC
VCE
IB = 0
IB
1

IB2
IB
3

IB
4

IB
5

RC
VCC

ponto de operao ideal
ponto de operao muito prximo ao corte
ponto de operao muito prximo saturao
97
EXEMPLO NUMRICO: O amplificador esquematizado abaixo possui ganho de tenso com
mdulo igual a 200. Sabendo que o transistor utilizado possui hFE = 100: a) Calcular o mximo
sinal de entrada senoidal que pode ser aplicado a ele sem que ocorra distoro do sinal de sada.
b) Calcular o valor de RB necessrio para colocar o POE na posio ideal.













Efeito da Resistncia de Emissor Sobre o Ganho de um Amplificador

J consideramos anteriormente a necessidade de uma resistncia no emissor para
proporcionar estabilidade trmica ao ponto de operao de um transistor. Consideraremos agora
o efeito dessa resistncia sobre o ganho de tenso de um amplificador. Para tanto,
compararemos, levando em conta apenas a parte incremental, as malhas de entrada de um
amplificador sem RE e de outro que utiliza essa resistncia, como mostrados na Figura 110.








Figura 110 Efeito da Resistncia de Emissor Sobre um Amplificador de Tenso
Como vimos, o sinal efetivamente amplificado pelo transistor a tenso vbe. No primeiro
circuito acima, a tenso vbe exatamente igual ao sinal aplicado entrada vi. Isso significa que
todo o sinal aplicado entrada ser amplificado pelo circuito.
No segundo circuito, podemos notar que uma parte do sinal de entrada fica sobre a
resistncia de emissor, resultando numa tenso vbe menor do que no caso anterior, para um
mesmo valor de sinal de entrada. Assim, sinal de sada ser menor do que o do primeiro circuito.
Conclui-se ento que a presena da resistncia de emissor provoca uma reduo no
ganho de tenso de um amplificador transistorizado. Ser demonstrado oportunamente que o
valor do ganho de tenso dos circuitos que possuem resistncia de emissor dado,
aproximadamente, por:
v
A
C
R
E
R
.
Circuito sem RE
vi
vbe
Ci
+ ++ + + ++ +
Circuito com RE
vi
vbe
Ci
+ ++ +
+ ++ +
R
E
+ ++ +
vRE
R
C
R
B
vi
+ ++ +VCC
10 V
1 F
470 K
Ci
Co
vo
1 K
1 F
98
EXEMPLO NUMRICO: O transistor abaixo possui hFE = 100. Calcular o mximo valor de
pico de um sinal de entrada senoidal para que no ocorra distoro na sada.





















Capacitor de Emissor (ou de By-Pass)

J vimos que os bons circuitos de polarizao de transistores possuem resistncia no
emissor para garantir a estabilidade trmica do ponto de operao. Vimos tambm que a
presena dessa resistncia reduz o ganho de tenso do amplificador. Nos casos em que essa
reduo de ganho inconveniente, a soluo colocar um capacitor em paralelo com a
resistncia de emissor, como mostra a Figura 111. Esse capacitor chamado de capacitor de
emissor ou capacitor de by-pass (desvio).
















Figura 111 Amplificador de Tenso Transistorizado com Capacitor de Desvio

O princpio envolvido na utilizao desse capacitor desviar as componentes alternadas,
de modo que elas no passem pela resistncia de emissor. O capacitor prov um caminho de
baixa reatncia para essas componentes.
R
C
+ ++ +VCC
Co
R
E
CE
vi
Ci
vo
R
B
1
R
B
2
+ ++ +VCC

12 V
1K5 47 K
1 K 33 K
R
B
1
R
B
2
R
C
R
E
vi
Ci
1F
vo
Co
1F
99
Como sabemos, a reatncia do capacitor CE vale:
CE
X
f
E
C
= == =
1
2
, onde f a freqncia
do sinal senoidal que percorre o capacitor. A frmula nos mostra que a reatncia capacitiva
inversamente proporcional aos valores da freqncia e da capacitncia. Assim, caso o capacitor
seja corretamente dimensionado, sua reatncia na faixa de freqncias em que o circuito opera
ser to baixa que poder ser considerada como se fosse um curto-circuito. Essa dimenso
correta, em geral, resultar numa capacitncia da ordem de microfarads, exigindo o uso de
capacitores eletrolticos ou de tntalo. Desse modo, o amplificador funcionar, do ponto de vista
AC, como se no tivesse resistncia de emissor, evitando-se a reduo no ganho de tenso do
circuito.
Do ponto de vista DC, sabemos que um capacitor totalmente carregado se comporta como
um circuito aberto. Logo, a incluso do capacitor de desvio mantm o valor do POE original do
circuito, bem como a estabilizao trmica proporcionada pela resistncia de emissor RE.
Uma frmula aproximada para calcular um bom valor para a capacitncia de desvio :


RE 2
20
CE
f mn

=
. Esse valor garante que o mdulo da reatncia
capacitiva do capacitor de emissor ser, de fato, muito menor (20 vezes) do que a resistncia do
resistor de emissor. Nesta frmula, f
mn
a freqncia mnima do sinal de entrada do
amplificador.


Parmetros Hbridos - Modelo Hbrido Para o Transistor

Ao se projetar um amplificador transistorizado, de fundamental importncia que seja
possvel estimar o valor dos ganhos e demais caractersticas desse amplificador, com base no
circuito de polarizao e nos parmetros dos transistores utilizados. Para se alcanar esse
objetivo, necessrio utilizar um modelo apropriado para o transistor.
Dentre os vrios modelos capazes de representar o funcionamento do transistor operando
na regio ativa, utilizaremos o chamado modelo hbrido, que adequado para descrever o
transistor operando como amplificador de pequenos sinais (aqueles que no tiram o transistor
da regio ativa) em baixas freqncias (aquelas em que a influncia das capacitncias internas
desprezvel). Esse modelo caracterizado por quatro parmetros, que, por terem unidades
dimensionais diferentes so chamados de parmetros h (de hbridos), vindo da o nome dado
ao modelo.
Retomando o conceito de quadriplo j abordado anteriormente, analisemos o circuito da
Figura 112, supondo que a corrente de entrada ii e a tenso de sada vo sejam as variveis
independentes do quadriplo e que a tenso de entrada vi e a corrente de sada io sejam as
variveis dependentes, podemos escrever as equaes que regem o funcionamento do
quadriplo.







Figura 112 Quadriplo Para a Determinao dos Parmetros Hbridos


vi K ii K vo
io K ii K vo
= == = + ++ +
= == = + ++ +



1 2 1
3 4 2
. . . ( )
. . . ( )
, onde K1, K2, K3 e K4 so os chamados parmetros hbridos do
quadriplo.

Quadriplo
+ ++ +

vo
io
+ ++ +

vi
ii
100
Analisando a equao (1), constatamos que K1 x ii e K2 x vo devem obrigatoriamente
ter a dimenso de tenso (volts). Assim, fcil concluir que a dimenso de K1 resistncia
(ohms) e que K2 adimensional.
Usando o mesmo raciocnio em relao equao (2), conclumos que K3 x ii e K4 x vo
tm a dimenso de corrente (Ampres) e, conseqentemente, K3 adimensional e K4 possui a
dimenso de condutncia (inverso de resistncia - ampre por volt).
A partir das equaes (1) e (2), possvel determinar o circuito eltrico que representa o
funcionamento do quadriplo. Esse circuito mostrado na Figura 113.










Figura 113 Circuito Eltrico Equivalente a um Quadriplo Descrito Pelos Parmetros Hbridos
Trata-se de um circuito em que aparece na entrada um gerador de tenso controlado pela
tenso de sada e que tem sada um gerador de corrente controlado pela corrente de entrada. A
equao (1) corresponde aplicao da LKT malha de entrada e a equao (2) aplicao da
LKC ao n onde est ligado o resistor 1/K4.
Para obter os valores numricos dos parmetros h de um quadriplo, voltemos s
equaes (1) e (2), igualando as variveis independentes ii e vo a zero (uma de cada vez).
Fazendo vo = 0 (o que equivale a curto-circuitar a sada do quadriplo):

Na equao (1), teremos vi K ii K
vi
ii
= == = = == = 1 1 . Assim, constatamos que K1 constitui uma
relao entre duas grandezas da entrada do quadriplo. Por esse motivo, o parmetro K1
simbolizado por hi (h de hbrido e i de input - entrada). Mais especificamente, ele chamado
de impedncia de entrada do quadriplo e definido como a relao entre a tenso de
entrada e a corrente de entrada do quadriplo quando a sua sada est em curto-circuito.

Na equao (2), teremos io K ii K
io
ii
= == = = == = 3 3 . Assim, constatamos que K3 constitui uma
relao entre uma grandeza da sada e uma grandeza da entrada do quadriplo. Por esse
motivo, o parmetro K3 simbolizado por hf (h de hbrido e f de forward - para a frente).
Trata-se do ganho de corrente do quadriplo e definido como a relao entre a corrente de
sada e a corrente de entrada do quadriplo quando a sua sada est em curto-circuito.


Fazendo agora ii = 0, (o que equivale a deixar a entrada do circuito em aberto), teremos:
Na equao (1), teremos vi K vo K
vi
vo
= == = = == = 2 2 . Assim, constatamos que K2 constitui uma
relao entre uma grandeza de entrada e uma grandeza de sada do quadriplo. Por esse
motivo, o parmetro K2 simbolizado por hr (h de hbrido e r de reverse - para trs). Mais
especificamente, ele chamado de ganho reverso de tenso do quadriplo e definido como
a relao entre a tenso de entrada e a tenso de sada do quadriplo quando a sua entrada
est aberta.
K1
+ ++ +

K3 x ii
K2 x vo
ii io
+ ++ +

vi
+ ++ +

vo
+ ++ +


1/
K4
101
Na equao (2), teremos io K vo K
io
vo
= == = = == = 4 4 . Assim, constatamos que K4 constitui uma
relao entre duas grandezas da sada do quadriplo. Por esse motivo, o parmetro K4
simbolizado por ho (h de hbrido e o de output - sada). Trata-se da admitncia de sada
do quadriplo, que definida como a relao entra a corrente de sada e a tenso de sada do
quadriplo quando a sua entrada est aberta.

Quando o modelo hbrido aplicado aos transistores, os nomes dos smbolos dos seus
parmetros sero ainda acrescidos de uma terceira e ltima letra, que ser b, c ou e, caso o
transistor a ser substitudo pelo modelo esteja configurado, respectivamente, como base comum,
coletor comum ou emissor comum. Exemplificando, a impedncia de entrada de um transistor
configurado em coletor comum ser simbolizado por hic, o ganho de corrente de um transistor
configurado em base comum ser simbolizado por hfb e o ganho reverso de tenso de um
transistor configurado em emissor comum ser simbolizado por hre.
A Tabela 2 apresenta valores tpicos dos parmetros hbridos de um transistor de baixa
potncia. Esses dados servem apenas para transmitir uma noo quantitativa da ordem de
grandeza dos parmetros, uma vez que o seu valor exato depende de fatores como o ponto de
operao do transistor, a temperatura de trabalho, etc.














Tabela 2 Ordem de Grandeza dos Parmetros Hbridos nas Diversas Configuraes

Modelo Hbrido Aplicado a um Transistor Configurado em Emissor Comum

Aplicando-se os princpios vistos acima a um transistor configurado em emissor comum,
desde que sua freqncia de operao esteja na faixa em que as capacitncias internas ainda
possuem influncia desprezvel (baixas freqncias) e que o transistor opere sempre dentro da
regio ativa (pequenos sinais), o transistor pode ser substitudo pelo circuito da Figura 114.













Figura 114 Modelo Hbrido Para o Transistor na Configurao Emissor Comum
+ ++ +
hfe x ib
hre x vce

1
hoe

ib
ic
vi = vbe vo = vce
E E
B
hie C
+ ++ +
+ ++ +
Configurao
do
Transistor
Impedncia
de
Entrada ( )
Ganho
de
Corrente
Admitncia
de
Sada (A/V)
Ganho
Reverso
de Tenso

Emissor Comum

hie = 10
3


hfe = 10
2


hoe = 10
-4


hre = 10
-4


Coletor Comum

hic = 10
3


hfc = 10
2


hoc = 10
-4


hrc =10
0


Base Comum

hib = 10
1


hfb = 10
0


hob = 10
-6


hrb = 10
-4

102
importante lembrar que o circuito acima equivale a um transistor apenas para fins de
anlise incremental (AC). Ele no representa corretamente um transistor no que se refere aos
aspectos de polarizao DC. por esse motivo que os nomes dos parmetros possuem apenas
letras minsculas. Por exemplo, at ento vnhamos trabalhando com o parmetro
FE
h
IC
IB
= == = ,
que pode ser definido como o ganho DC de corrente de um emissor comum. Agora entramos
em contato com o parmetro hbrido
IB
IC
ib
ic
hfe
= = , que o ganho de corrente incremental (AC)
do emissor comum. Em geral h
FE
h
fe
, ou seja, os valores desses parmetros no so iguais.
Apesar disso, para simplificar nossos clculos, consideraremos esses dois parmetros como
tendo o mesmo valor, salvo indicao explcita em contrrio.
Como o modelo hbrido refere-se exclusivamente ao aspecto incremental do circuito
transistorizado, ele pode ser utilizado, sem qualquer modificao, tanto para transistores NPN
como para transistores PNP.
Temos a seguir os passos que devem ser seguidos para utilizar o modelo hbrido do
transistor para obter as caractersticas de interesse.

1. Em lugar do transistor, desenhar o circuito equivalente modelo hbrido.

2. Desenhar os demais componentes do circuito original em suas posies correspondentes.

3. Substituir todos os geradores de tenso constantes pela sua resistncia interna. Como
sempre trabalhamos com geradores ideais, isso equivale a substitu-los por um curto-circuito.

4. Substituir todos os capacitores do circuito por curto-circuitos. Ao fazer isso, estaremos
considerando apenas a faixa de freqncias em que os capacitores externos ao transistor
possuem influncia desprezvel sobre o desempenho do circuito.

5. A partir do circuito equivalente AC obtido, que um circuito puramente eltrico, aplicar as leis
de Kirchoff e de Ohm para obter as relaes desejadas.


EXEMPLO: Obter o circuito equivalente AC do amplificador transistorizado abaixo utilizando o
modelo hbrido. Obter a expresso matemtica do ganho de tenso do circuito, provando que
essa expresso pode ser aproximada por
v
A
RC
RE


















R
C

R
B
1
+ ++ +VCC
Co
R
E

R
B
2
vi
Ci
vo
103

Modelo Hbrido Simplificado

Como pudemos notar no exemplo anterior, a utilizao do modelo hbrido conduz a
equaes de razovel complexidade. Observando a tabela de ordem de grandeza dos valores
dos parmetros hbridos, nota-se que hre e hoe possuem valores absolutos muito reduzidos.
Logo, possvel desprezar esses valores (considerando-os iguais a zero), sem que se introduza
um erro considervel. Fazendo isso, chega-se ao modelo hbrido simplificado para o transistor,
tambm conhecido como modelo T. O circuito equivalente desse modelo mostrado na Figura
115.








Figura 115 Modelo Hbrido Simplificado Para o Transistor

O modelo hbrido simplificado pode ser utilizado sempre que for satisfeita a condio:
hoe x (RC // RL) < 0,1.
Daqui para a frente, utilizaremos apenas o modelo simplificado. A utilizao desse
modelo simplifica significativamente as equaes na anlise de um amplificador. Alm disso,
tem a vantagem de ser aplicvel a qualquer que seja a configurao do transistor (base comum,
coletor comum ou emissor comum), sem que seja necessria qualquer alterao no circuito
equivalente. Desse modo, s necessrio conhecer os valores dos parmetros hie e hfe,
mesmo que no circuito analisado o transistor esteja nas configuraes base comum ou coletor
comum.


EXEMPLO: Refazer o exemplo anterior, utilizando o modelo hbrido simplificado.






















hie
hfe x ib
ib
B
E
C
104

Impedncias de Entrada e Sada de um Amplificador

Alm dos ganhos e da curva de resposta em freqncia, as impedncias de entrada (Zi) e
de sada (Zo) so caractersticas de grande importncia num amplificador. o valor dessas
impedncias que ir determinar a maneira como devem ser feitas as conexes entre um gerador
e um amplificador, entre um amplificador e uma carga ou entre dois amplificadores, de modo que
se obtenha a mxima transferncia de potncia.
A impedncia de entrada Zi de um amplificador pode ser definida como a impedncia que
o amplificador apresenta fonte de sinal de entrada vi. O diagrama da Figura 116 mostra como
obter experimentalmente essa impedncia.












Figura 116 Mtodo Experimental Para a Determinao da Impedncia de Entrada

Uma forma alternativa (e mais simples) de se medir a impedncia de entrada utilizar um
potencimetro em srie, como ilustrado na Figura 117.










Figura 117 Mtodo Experimental Alternativo Para a Determinao da Impedncia de Entrada

O princpio da medio bastante simples. Em primeiro lugar, ajusta-se o potencimetro
na sua resistncia mnima (curto-circuito), de forma que ele no tenha nenhuma influncia sobre
o desempenho do amplificador. Nessa condio, mede-se o valor da tenso de sada vo. Em
seguida, varia-se gradativamente o cursor do potencimetro, aumentando a sua resistncia, ao
mesmo tempo em que se acompanha a variao no valor da tenso de sada. Quando essa
atingir a metade do valor original, isso significa que metade da tenso de entrada est sobre o
potencimetro. Logo, nesse ponto o valor da resistncia ajustada no potencimetro igual
impedncia de entrada do amplificador. Basta, portanto, retirar o potencimetro do circuito e
medir o valor da sua resistncia. Esse ser tambm o valor da impedncia de entrada Zi.
Zi
vi
ii
= == =

R
C
R
B
vi
+ ++ +VCC

Ci
Co
vo
V
A
ii
R
C
R
B
vi
+ ++ +VCC

Ci
Co
vo V
POT
105
A impedncia de sada Zo aquela enxergada pela resistncia de carga RL do
amplificador. Devemos lembrar que RL um elemento externo e, como tal, no faz parte do
amplificador. Por isso, ao determinar o valor da impedncia de sada de um amplificador, a
influncia da resistncia de carga deve ser neutralizada. Para tanto, ao se obter o valor da
tenso de sada, a resistncia de carga deve ser desconectada do circuito, para que a sua
influncia sobre o valor dessa tenso seja eliminada. Da mesma forma, ao se determinar a
corrente de sada do amplificador, a resistncia de carga deve ser curto-circuitada, para que no
venha a influir no valor da corrente. A impedncia de sada do amplificador ser a relao entre
a tenso de sada e a corrente de sada assim obtidas. Os diagramas da Figura 118 ilustram a
determinao experimental da impedncia de sada de um amplificador.














Figura 118 Determinao Experimental da Impedncia de Sada de um Amplificador

A Tabela 3 mostra a ordem de grandeza das principais caractersticas de cada uma das
trs configuraes bsicas de amplificadores transistorizados. A configurao apropriada para
cada aplicao especfica de um amplificador escolhida a partir dessas caractersticas.

Configurao
do
Transistor
Ganho de
Tenso
(Av)
Ganho de
Corrente
(Ai)
Ganho de
Potncia
(Ap)
Impedncia
de Entrada
(Zi)
Impedncia
de Sada
(Zo)

Emissor Comum

ALTO

ALTO

ALTO

MDIA

MDIA

Coletor Comum

UNITRIO

ALTO

MDIO

ALTA

BAIXA

Base Comum

ALTO

UNITRIO

MDIO

BAIXA

ALTA
Tabela 3 Ordem de Grandeza das Principais Caratersticas das Trs Configuraes Bsicas
io
vo
Zo =
R
C
R
B
vi
+ ++ +VCC

Ci
Co
vo V
R
L
S
R
C
R
B
vi
+ ++ +VCC

Ci
Co
io
A
R
L
S
106
Resposta em Freqncia de um Amplificador

Como vimos, comum que o circuito de um amplificador transistorizado inclua capacitores
(por exemplo, os capacitores de desacoplamento e o capacitor de desvio). Alm desses
capacitores, o circuito apresenta ainda outras capacitncias, entre as quais aquelas apresentadas
pelas junes do transistor, conforme visto em nosso estudo sobre as junes PN. Completando
a lista dos elementos reativos presentes num circuito de amplificador, temos as capacitncias e
indutncias parasitas resultantes da fiao, do layout e de outras caractersticas da montagem do
circuito.
Sendo que as reatncias capacitiva e indutiva possuem valor dependente da freqncia de
operao, podemos concluir que o comportamento de um amplificador ser uma funo da
freqncia do sinal a ele aplicado. Assim, os valores de caractersticas como os ganhos e as
impedncias de entrada e sada de um amplificador real iro variar medida em que se varia a
freqncia. Para compreender melhor essa questo, analisemos o diagrama completo de um
estgio amplificador, mostrado na Figura 119, no qual esto assinaladas (em linha pontilhadas)
as capacitncias internas que existem entre as regies de um transistor (cbc entre base e coletor
e cbe entre base e emissor). No diagrama, desprezam-se as capacitncias e indutncias
parasitas, que s tero influncia perceptvel no desempenho do circuito em freqncias muito
elevadas.


















Figura 119 Diagrama de um Amplificador Mostrando as Capacitncias Internas do Transistor
Relembrando a frmula da reatncia capacitiva
C
X
fC
= == =
| || |
\ \\ \

| || |

| || |
1
2
, analisemos a influncia das
capacitncias dos capacitores reais (Ci, Co e CE) nas baixas freqncias:

Ci Apresenta alta reatncia, retendo parte do sinal de entrada vi, impedindo que ele seja
amplificado pelo transistor. Isso reduz o ganho de tenso do circuito.

Co Apresenta alta reatncia, retendo parte do sinal de sada vo, impedindo que ele seja
transferido para a carga. Isso tambm reduz o ganho de tenso.

CE Apresenta alta reatncia, de modo que no pode ser considerado como um curto-circuito
para os sinais alternados. Logo, uma parte do sinal de entrada fica sobre o paralelo RE-CE,
reduzindo o ganho.
R
C
R
B
1
+ ++ +VCC
Co
R
E
CE
R
B
2
vi
Ci
vo
cbc
cbe
107
Ainda nas baixas freqncias, as capacitncias internas tambm tero alta reatncia,
mas no tero nenhuma influncia sobre o comportamento do amplificador, pois se encontram
em paralelo com o percurso da corrente (ou seja, a corrente no passa por essas capacitncias
porque encontram em paralelo com elas um caminho com resistncia muito menor).
Em altas freqncias, todas as capacitncias apresentaro baixa reatncia, e ocorre
justamente o contrrio: as capacitncias dos capacitores Ci, Co e CE, que ficam em srie com o
caminho da corrente, tero pouca influncia sobre o comportamento do circuito (pois a parcela de
sinal que fica sobre elas desprezvel), enquanto que as capacitncias internas do transistor, que
ficam em paralelo com o caminho da corrente, comeam a desviar o sinal do amplificador,
reduzindo dessa forma o seu ganho.
Resumindo, em baixas freqncias prevalece a influncia das capacitncias que esto em
srie com o caminho da corrente, enquanto em altas freqncias prevalece a influncia das
capacitncias internas do transistor, que ficam em paralelo com o caminho da corrente. Para
minimizar o efeito das primeiras, devem-se utilizar os maiores valores possveis de capacitncia.
Com relao s ltimas, que se tratam de caractersticas internas do transistor e que no podem
ser modificadas, a nica soluo escolher outro tipo de transistor, que possua menor valor para
as capacitncias internas, de modo a minimizar sua influncia.
Pelo que vimos acima, o ganho de um amplificador reduzido nas freqncias baixas
pelas capacitncias em srie (capacitores Ci, Co e CE) e nas freqncias altas pelas
capacitncias em paralelo (capacitncias internas do transistor). Conclui-se que haver uma
faixa intermediria de freqncias em que a influncia das capacitncias em srie j se tornou
desprezvel, mas a influncia das capacitncias em paralelo ainda no significativa. Logo, o
ganho do amplificador ser reduzido em freqncias muito altas ou muito baixas e ser mximo
na faixa intermediria.
O grfico que representa o mdulo do ganho de tenso de um amplificador em funo da
freqncia do sinal de entrada chamado de curva de resposta em freqncia. O aspecto
tpico da curva de resposta de um amplificador transistorizado com acoplamento capacitivo
mostrado na Figura 120.













Figura 120 Aspecto Tpico da Curva de Resposta em Freqncia de um Amplificador

A curva acima possui as seguintes caractersticas notveis:

Resposta Plana: a faixa de freqncias em que o valor do ganho se mantm constante e
igual ao valor mximo. Podemos cham-la de faixa mdia de freqncias. Nesta faixa, a
influncia dos capacitores externos (Ci, Co e CE) no sentido de reduzir o valor do ganho j
desprezvel e a influncia das capacitncias internas do transistor ainda no se faz sentir.
Desse modo, o ganho atinge o seu valor mximo (Av
mx
).

fci fcs
Av
mx

|Av|
f
max Av
2
resposta plana
banda passante
108
Freqncias de Corte Inferior (fci) e Superior (fcs): Observando o grfico, notamos que
existem dois valores de freqncia em que o valor do ganho aproximadamente igual a 70%
do valor mximo
V
Vmax
A
A
= == =
| || |
\ \\ \

| || |

| || |
2
. A menor dessas freqncias chamada de freqncia de
corte inferior (fci) e a maior delas chamada de freqncia de corte superior (fcs),
exatamente como no casos dos filtros. Essas freqncias tambm so conhecidas como
pontos de meia potncia, pois nelas a potncia de sada vale a metade da potncia mxima.

Banda Passante (BW, do ingls Band Width - Largura de Faixa): a diferena entre a
freqncia de corte superior e a freqncia de corte inferior. BW = fcs - fci.


Estimativa do Valor da Freqncia de Corte Inferior

Como vimos, o valor da freqncia de corte inferior determinado pela capacitncia dos
capacitores externos do circuito (Ci, Co e CE). Lembrando que num filtro RC a freqncia de
corte aquelas em que o mdulo da reatncia capacitiva igual ao valor da resistncia associada
ao capacitor, podemos calcular os valores das freqncias relativas a cada um desses trs
capacitores.
O circuito equivalente visto pelo capacitor de desacoplamento de entrada Ci o
mostrado na Figura 121.




Figura 121 Circuito Equivalente Visto Pelo Capacitor de Desacoplamento de Entrada

Zi a impedncia de entrada do circuito, cuja determinao j estudamos anteriormente.
Atravs do circuito equivalente, podemos determinar a expresso da freqncia de corte relativa
ao capacitor de desacoplamento de entrada Ci:
Ci Zi 2
1
fciCi

= .

O circuito equivalente visto pelo capacitor de desvio CE o mostrado na Figura 122.





Figura 122 Circuito Equivalente Visto Pelo Capacitor de Desvio

RB a impedncia de base refletida no emissor, ou seja, dividida por um fator igual a hfe.
Logo, a expresso da freqncia de corte relativa ao capacitor de desvio CE ser:
CE Zeq 2
1
fciCE

= , onde Zeq vale: //RE
hfe
RB1//RB2 hie
Zeq |

\
| +
= .
Z
i
vi
Ci
R
E
CE
RB
109
O circuito equivalente visto pelo capacitor de desacoplamento de sada Co o mostrado
na Figura 123.





Figura 123 Circuito Equivalente Visto Pelo Capacitor de Desacoplamento de Sada

RL a resistncia de carga ligada sada do circuito, sem a qual no haver queda de
tenso sobre o capacitor Co e, conseqentemente, no haver freqncia de corte relacionada a
esse capacitor. Atravs do circuito equivalente, podemos determinar a expresso da freqncia
de corte relativa ao capacitor de desacoplamento de sada Co:
( ) Co RL RC 2
1
fciCo
+
= .
Com o objetivo de simplificar o clculo do valor efetivo da freqncia de corte inferior,
devem-se escolher valores para os capacitores de tal forma que uma das trs frmulas acima
resulte num valor no mnimo 10 vezes superior ao produzido pelas outras duas frmulas. Assim
sendo, o valor da freqencia de corte superior pode ser aproximado pela maior das frequncias
relativas. Essa a chamada tcnica do plo dominante. Em geral, faz-se com que o plo
dominante seja determinado pelo capacitor de desvio CE, ou na ausncia deste, pelo capacitor
de desacoplamento de entrada Ci.
Uma vez determinada a freqncia de corte inferior fci, a expresso que relaciona o
ganho de tenso do amplificador com a freqncia de operao, na faixa que vai de 0 at fci :
f
fci
1
(f)
Av
Av
mx
+
= , onde Av
mx
, como vimos, representa o valor mximo do ganho, obtido na
regio de resposta plana.

Consideraes Relativas Freqncia de Corte Superior

O valor da freqncia de corte superior de um amplificador transistorizado determinado
por vrios fatores, alguns deles de difcil mensurao: as capacitncia internas do transistor, a
dependncia do hfe do transistor em relao freqncia de operao e as capacitncias e
indutncias parasitas do circuito.
Existem modelos do transistor que contemplam essas caractersticas, mas sua
complexidade vai alm do escopo de nosso curso. Assim, com relao ao comportamento de um
amplificador em altas freqncias, mais prtico realizar uma determinao experimental da
freqncia de corte superior fcs. Conhecido o valor de fcs, a expresso que relaciona o ganho
de tenso do amplificador com a freqncia de operao, na faixa que vai de fcs at o infinito :
fcs
f
1
(f)
Av
Av
mx
+
= , onde Av
mx
o valor mximo do ganho, obtido na regio de resposta plana.
R
L
Co
R
C
110
Em sendo impossvel a determinao experimental da freqncia de corte superior, uma
boa estimativa do seu valor :
hfe
fT
fcs , onde hfe o valor nominal do ganho de corrente
incremental na resposta plana e fT um parmetro do transistor chamado de freqncia de
transio, que se caracteriza pelo fato de que, nessa freqncia, o valor efetivo de hfe unitrio,
ou seja, a partir dessa freqncia o transistor deixa de ser um amplificador de corrente.
Note-se que a aproximao dada pela frmula acima s vlida para circuitos de banda
larga, ou seja, nos quais no se utiliza nenhum tipo de recurso para, intencionalmente, restringir a
banda passante do amplificador. A Figura 124 mostra dois exemplos de circuitos em que a banda
passante deliberadamente restringida. No primeiro, isso feito atravs da incluso de um
capacitor de realimentao (CF) entre o coletor e a base do transistor. Quanto maior a
capacitncia desse capacitor, menor ser o valor da freqncia de corte superior e mais restrita
ser a banda passante. No segundo circuito, a restrio da banda passante obtida por meio de
um filtro LC ressonante que funciona como impedncia de coletor. Logo, a banda passante ser
uma faixa restrita em torno da freqncia de ressonncia. Quanto maior o fator de qualidade do
filtro, mais estreita ser a banda passante. Esse um exemplo de amplificador sintonizado.













Figura 124 Dois Exemplos de Amplificador com Banda Passante Restrita


Ganho em deciBis (dB)

Nos amplificadores prticos, o ganho que realmente importa o ganho de potncia Ap, o
qual costuma apresentar valores muito elevados. Considere-se, por exemplo, o ganho de
potncia total proporcionado por um receptor de rdio: enquanto a potncia captada pela antena
da ordem de miliwatts ou de microwatts, a potncia entregue aos auto-falantes de ordem de
watts ou de dezenas de watts, ou seja, um ganho de potncia da ordem de at 10
7
.
Por esse motivo, bastante comum expressar o ganho dos amplificadores atravs de uma
unidade com caractersticas logartmicas, o que, alm de resultar em nmeros menores, facilita
os clculos (pois transforma operaes de multiplicao e diviso em operaes de soma e
subtrao, respectivamente). Essa unidade o Bel (B nome originado de Alexander Graham
Bell), ou, mais especificamente, o seu submltiplo deciBel (dB).
A definio do Bel baseia-se na caracterstica logartmica da percepo acstica do ser
humano. Isso significa que um acrscimo real de 10 vezes numa potncia sonora percebido
pelo ouvido humano como uma variao de duas vezes. Essa a razo pela qual os
potencimetros utilizados em controle de volume so do tipo logartmico.
R
C
R
B
1
+ ++ +VCC
Co
R
E
CE
R
B
2
vi
Ci
vo
CF
R
B
1
+ ++ +VCC
CC
R
E
CE
R
B
2
vi
Ci
vo
TC
111
O deciBel no uma unidade absoluta, baseando-se na verdade na relao com um nvel
referencial de potncia. Esse nvel de referncia (1 dB) corresponde, freqncia de 600 Hz,
densidade sonora de 1 10
-16
W / cm
2
, que o nvel mnimo perceptvel pelo ser humano. O
valor mximo suportvel (limiar da dor) corresponde a 130 dB.
Apesar de estar intimamente relacionado a potncia, o deciBel tambm pode ser utilizado
para representar ganhos de tenso e de corrente. Valem as relaes:

- Ganho de Potncia em deciBis:
P
O
i
A
P
P
dB ( ) log = == = 10 .
- Ganho de Tenso em deciBis:
v
v
A
i
O
V
dB log 20 ) ( = .
- Ganho de Corrente em deciBis:
i
i
A
i
O
i
dB log 20 ) ( = .

EXEMPLO NUMRICO: Calcular o ganho de tenso mximo, em dB, do amplificador abaixo,
bem como o ganho de tenso, tambm em dB, nas freqncias de corte do amplificador: a)
Quando a chave S estiver aberta. b) Quando a chave S estiver fechada. Dados: hfe = 200 hie
= 1,5 K. Esboar a curva de resposta em freqncia em ambos os casos, supondo que a
freqncia de corte superior seja constante e igual a 500 KHz.


























Com o resultado do exemplo acima, podemos concluir que quando o ganho de tenso de
um amplificador expresso em dB, as freqncias de corte tero ganho 3 dB inferior ao ganho
mximo.
2
K
7

33
K

+ ++ +VCC
1 nF
1
8
0

10
F
15
K


vi
1 nF
vo
S