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Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

As fitas preparadas pelo processo SDS destinam-se formao de clulas fotovoltaicas pelo que as suas propriedades pticas e elctricas so relevantes para a avaliao da sua qualidade. Neste captulo abordam-se brevemente alguns aspectos caractersticos da absoro ptica do silcio e das tcnicas de caracterizao pticas e elctricas das fitas e clulas solares. Os mtodos utilizados na caracterizao so: - determinao da resistividade superficial pelo mtodo dos 4 pontos; - medida da curva I(V) e respectivos parmetros; - medida da resposta espectral. Apesar do desenvolvimento de clulas solares no constituir objecto do estudo aqui apresentado, foram realizadas algumas clulas simples (ver seco 4.6), exclusivamente para a determinao de parmetros de qualidade dos substratos produzidos. No houve nenhuma optimizao das clulas tais como camadas anti-reflectoras, optimizao da dopagem, passivao ou gettering (mobilizao e neutralizao de impurezas activas) de defeitos. Para controlo, foram preparadas algumas clulas sobre silcio proveniente de crescimento em lingote da marca comercial Baysix, que foram recristalizadas por ZMR e seguiram a mesma sequncia de formao de clulas que as fitas SDS. Estas clulas de controlo permitem testar influncia da etapa de ZMR no que respeita s propriedades das fitas, bem como evidenciar as propriedades inerentes das fitas SDS, uma vez que as diferenas encontradas devero estar relacionadas com as etapas de processamento anteriores recristalizao: preparao e qualidade do p como substrato; crescimento do Si por CVD; limpeza da pr-fita e dopagem do tipo p. O comprimento de difuso dos portadores minoritrios, calculado atravs da resposta espectral, tomado neste trabalho como o principal parmetro de qualidade das fitas e a sua influncia no rendimento das clulas discutida. 125

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7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

7.1 Aspectos Fundamentais das Tcnicas de Caracterizao ptica e Elctrica

7.1.1 Absoro ptica no silcio
Os dois mecanismos principais de absoro de radiao por um semicondutor so: - transio interbanda de um electro da banda de valncia para banda de conduo; - excitao dos portadores livres em transies intrabanda. No que diz respeito converso de energia incidente em corrente elctrica, o mecanismo de transio intrabanda desprezvel face ao interbanda [Serra, 1995]. O efeito fotovoltaico consiste na transferncia quntica de energia entre fotes e electres, promovendo electres da banda de valncia para a banda de conduo do semicondutor desde que a energia dos fotes seja igual ou superior do hiato interbandas, originando conduo elctrica no material. Os pares electro buraco gerados so separados por aco de um campo elctrico intrnseco originado pela juno de dois materiais com diferentes densidades de electres (juno pn) e a sua coleco tem lugar em elctrodos nas superfcies. O coeficiente de absoro do silcio, , definido como o inverso da distncia para a qual a intensidade da radiao incidente cai para e-1 do seu valor inicial [Mertens et al., 1986]. Este funo do comprimento de onda, , e obtm-se normalmente por ajuste emprico dos resultados dos materiais pretendidos. Na medida da resposta espectral, descrita nas seces 7.1.3 e 7.2.3, utilizou-se para o coeficiente de absoro a expresso (7.1), obtida experimentalmente por Serra e vlida na banda 0,8-1,0 m para Si multicristalino com pequenas tenses internas [Serra, 1995; Serra et al., 1996].
2

85,6 77,7 = Na expresso expresso em cm-1 e em m.

(7.1)

7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

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7.1.2 Comprimento de Difuso dos Portadores Minoritrios

Designa-se por comprimento de difuso dos portadores minoritrios a distncia percorrida por estes, para a qual a sua concentrao cai para e-1 do seu valor inicial. Para as clulas solares mais comuns, do tipo n sobre p, a maior parte da carga gerada na zona p (base), pelo que os portadores minoritrios aqui considerados so os electres. O rendimento de converso de uma clula solar determinado pela sua eficincia a colectar os portadores nela gerados. A probabilidade disso acontecer tanto maior quanto maior for o comprimento de difuso dos portadores minoritrios, sendo este um parmetro indicativo da qualidade do material. Defeitos cristalogrficos, impurezas, precipitados existentes no material tm como efeito a diminuio do comprimento de difuso dos portadores. O comprimento de difuso dos portadores minoritrios que se obtm experimentalmente integra o efeito conjunto da presena de todos os tipos de impurezas e defeitos da rede do material, no fazendo distino entre eles. A medida do comprimento de difuso dos portadores minoritrios feita de modo indirecto pela resposta espectral (SR).

7.1.3 Resposta Espectral e Rendimento Quntico

A resposta espectral externa, SRext, de uma clula solar obtm-se por comparao com um padro calibrado por um laboratrio certificado, cuja SR conhecida:
ref SRext ( ) = SRext ( )

a( ) a ref ( )

(7.2)

onde a() a amplitude do sinal da clula a testar, aref() a amplitude medida na clula de referncia e SR ref() a resposta espectral da clula calibrada. O rendimento quntico externo de uma clula solar representa o nmero de electres colectados por cada foto incidente:

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7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

Qext

Ip = q

Popt h

(7.3)

onde Ip a foto-corrente mxima gerada (curto-circuito) pela absoro da radiao de potncia Popt de comprimento de onda correspondente energia h e q a carga do electro. Sendo a resposta espectral a razo entre a corrente gerada e a potncia ptica incidente, tem-se de (7.3): SRext ( ) = Ip Popt = q Q hc (A/W) (7.4)

Define-se tambm o rendimento quntico interno, Qint, como o nmero de electres colectados por cada foto absorvido, diferindo do rendimento quntico externo, pela reflectividade da superfcie, R, na qual incide a radiao:

Qint =

Qext 1 R

(7.5)

O rendimento quntico para uma clula ideal uma funo em degrau, nula para energias dos fotes inferiores do hiato e unitria para energias superiores. Uma boa clula dever por isso apresentar um rendimento quntico interno prximo da unidade numa banda relativamente larga do espectro. O comprimento de difuso dos portadores minoritrios, L, pode ser obtido atravs do rendimento quntico interno pela aproximao [Green, 1987]:

1 1 1+ Qint L

(7.6)

com o coeficiente de absoro do silcio definido na seco 7.1.1. Esta aproximao vlida para clulas em que B>>L>>E e B>>-1>>E, sendo B a espessura da base (zona p) e E a espessura do emissor (zona n) [Serra, 1995],[Henriques, 2002]. Graficamente, o comprimento de difuso L o simtrico da abcissa na origem da regresso linear de 1/Qint em funo de 1/, para comprimentos de onda na regio do infravermelho prximo, onde a variao da reflectividade com o comprimento de onda pode ser desprezada.

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7.1.4

Caracterstica I(V) e Respectivos Parmetros

A caracterstica I-V rene informao quanto qualidade de uma clula solar, e a

partir desta curva que se determina a sua eficincia de converso. Nesta seco faz-se uma breve abordagem dos parmetros significativos na anlise da curva I(V), que auxiliam na discusso dos resultados obtidos. A curva I(V) fornece quatro parmetros externos que so habitualmente usados para caracterizar as clulas solares: - Icc, corrente de curto circuito (Isc) - Vca, tenso em circuito aberto (Voc) - FF, factor de preenchimento (Fill Factor) - , rendimento de converso

7.1.4.1 Corrente de Curto Circuito (Isc)

A corrente de curto-circuito Icc (Isc) a obtida se a clula estiver em curtocircuito, isto com diferena de potencial nula aos seus terminais. Esta fortemente dependente da rea iluminada da clula, e afectada pela resistncia srie que pode ser decomposta nos seguintes componentes: - resistncia de contacto metal-semiconductor; - resistncia hmica nos contactos metlicos; - resistncia hmica no semicondutor.

7.1.4.2 Tenso em Circuito Aberto (Voc)

A tenso em circuito aberto Vca (Voc) obtida quando no extrada qualquer corrente da clula. especialmente sensvel resistncia paralela, que por sua vez influenciada por correntes de fuga, nomeadamente nos extremos da clula, defeitos pontuais na juno pn, ou por impurezas incorporadas na estrutura cristalina.

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7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS O Voc depende fundamentalmente da corrente de saturao e dessa forma constitui

uma boa medida da recombinao na clula solar, apesar de depender tambm da corrente de curto-circuito conforme se pode observar na equao (7.7) [Goetzberger et al., 1998]:

Voc

kT I sc ln q I0

(7.7)

onde K a constante de Boltzman, T a temperatura, I0 a corrente de saturao, e Isc a corrente de curto-circuito.

7.1.4.3

Factor de Preenchimento (FF- Fill Factor)

Como em qualquer sistema elctrico, a optimizao da potncia de sada depende

de uma resistncia de carga adequada, que corresponde razo Vm/Im. Vm e Im so por definio a tenso e a corrente no ponto de funcionamento para o qual a potncia Pm mxima. O factor de preenchimento de uma clula solar dado por:

FF =

Vm I m Voc I sc

(7.8)

Graficamente representa quanto da rea da caracterstica I-V preenchida pelo rectngulo VmIm em relao ao rectngulo VocIsc .

7.1.4.4 Eficincia ou Rendimento de Converso ()

O rendimento ou eficincia de converso obtm-se a partir da razo entre a potncia elctrica gerada e a potncia luminosa incidente:

I mVm Voc I sc FF = Pluz Pluz

(7.9)

em que Pluz a potencia luminosa incidente na clula.

7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

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7.2 Caracterizao das fitas SDS

7.2.1 Determinao da resistividade superficial pelo mtodo dos 4 pontos
As fitas de SDS destinadas formao de clulas solares produzidas neste estudo tiveram que ser dopadas durante a etapa de ZMR, uma vez que se assim no fosse seriam fitas de silcio intrnseco. A determinao da resistividade superficial do silcio permite avaliar a qualidade do material no que respeita dopagem com boro, para formao da base tipo p, e com fsforo, para formao da juno pn, tanto ao nvel da uniformidade como da concentrao de portadores. O mtodo dos 4 pontos a tcnica mais comum para a medio da resistividade superficial, pela sua simplicidade e por no requerer padres calibrados [Schroder, 1998]. Usando quatro pontos equidistantes e alinhados, injecta-se uma corrente elctrica conhecida nos dois contactos externos e mede-se a tenso entre os dois contactos internos. Desta forma consegue-se que a medida no seja afectada pelas resistncias de contacto entre as sondas, Figura 7.1. Os contactos (pontas) so de ao e so pressionados o suficiente para garantirem um bom contacto hmico entre a ponta e a amostra.

A V

3 s b

4 a

Figura 7.1 Esquema elctrico do mtodo dos 4 pontos para medida da resistividade superficial das fitas de Si. Adaptado de [Costa, 2005]

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7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

A resistividade, s para fitas com geometria finita dada por [Schroder, 1998]:

= 2sF

V I

(Ohm.cm)

(7.10)

onde s representa a distncia entre contactos, F um factor de correco que depende da geometria da amostra, V a tenso medida e I a corrente injectada. A resistividade superficial s representa uma medida mdia da resistividade ao longo da espessura da amostra e dada por:

s =
onde t representa a espessura da amostra.

(Ohm ( ) )

(7.11)

A relao entre a resistividade do silcio e a concentrao de dopantes obtida de modo emprico e encontra-se ilustrada na Figura 7.2.

Figura 7.2 Resistividade do silcio em funo da densidade de portadores do tipo-p (boro) e do tipo-n (fsforo). Adaptado de [Schroder, 1998]

No caso dos portadores do tipo-p, [Silva et al., 2007] deduziu uma expresso do grfico acima mostrado, por linearizao no intervalo 1016-1018 cm-3:

log( N ) = m log( ) + b

(7.12)

onde N representa a concentrao de dopante, a resistividade, m=-0,950127914 e b= 15,37030517.

7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

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Na tabela 7.1 mostram-se alguns resultados experimentais para a resistividade e concentrao de dopantes, neste caso o boro, representativos das amostras preparadas, incluindo o mnimo (Amostra 120) e mximo (Amostra114) encontrados para a resistividade. Os valores apresentados so a mdia das medies em toda a amostra, sendo o desvio mximo encontrado inferior a 5% do valor medido. Os resultados experimentais encontrados validam o processo de dopagem por pulverizao com cido brico seguido de recristalizao por ZMR das pr-fitas de Si, por se encontrarem na gama 0,5-2,5 .cm, sendo este o intervalo tpico de resistividades para o material da base de clulas solares.
Tabela 7.1 Resultados experimentais para a resistividade e a concentrao de boro para algumas amostras preparadas por CVD, dopadas e recristalizadas.

Amostra 107 114 119 120

(.cm)

[B+] (at.cm-3) 2,8x10+16 5,9x10+16 3,7x10+16 1,8x10+16

1,13 1,47 1,26 0,94

A formao da juno pn, por dopagem superficial com fsforo fez-se em condies normalizadas para o processo utilizado para a formao de clulas solares (ver seco 4.6), e no foi objecto de estudo nem optimizao no decorrer destes trabalhos. Os resultados obtidos para a resistividade superficial de algumas amostras apresentam-se na tabela 7.2
Tabela 7.2 Resultados experimentais para a resistividade superficial aps formao da juno pn

Amostra 114 119 120

S (

11,6 9,9 15,9

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7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

7.2.2 Caracterstica I(V) e Respectivos Parmetros

A curva I(V) das clulas solares preparadas foi medida iluminando-a com o espectro padro AM1,5. So igualmente utilizados 4 pontos pelas razes atrs apontadas e na configurao indicada na Figura 7.3.

Figura 7.3 Geometria dos contactos para a medio da curva I(V). Adaptado de [Costa, 2005]

No grfico da Figura 7.4 mostram-se as curvas I(V) obtidas para 3 amostras, sob iluminao padro AM1,5 (Pluz=100mW/cm2), e na tabela 7.3 os parmetros caractersticos: Amostra 107 - melhor clula preparada em fitas SDS; Amostra 120 - representativa da maioria das clulas preparadas em fitas SDS; Amostra CR1 Clula de controlo sobre Si Baysix, que foi submetida a todas as etapas de processamento para clula solar, em simultneo com as fitas SDS, incluindo a recristalizao.
Tabela 7.3 Resultados experimentais para os parmetros caractersticos da curva I(V) das clulas solares.

Amostra 107 120 CR1

Jsc(mA/cm2) 17,45 15,97 16,21

Voc(mV) 510 475 500

FF(%) 62,3 50,7 52,7

(%)

5,5 3,8 4,4

7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

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Caracterstica I(V) iluminada

20

15

J(mA/cm2)

10

CR1 107 120

0 0 100 200 300 400 500 600

V (mV)
Figura 7.4 Caractersticas I(V) para 3 clulas: CR1 (clula de controlo); 107 (melhor clula); 120 (clula representativa da mdia de resultados).

Os resultados obtidos para as clulas simples 107 e 120 (sem qualquer optimizao) demonstram a viabilidade do processo SDS para a preparao de Si de qualidade solar directamente a partir de fonte gasosa, o silano. A clula 107 apresenta uma caracterstica I(V), e respectivos parmetros, superiores s clulas de controlo e 120. Uma das razes para tal o facto de a clula 107 no ter sido preparada ao mesmo tempo que as restantes clulas, pelo que pode e deve haver diferenas no processamento. Os valores baixos obtidos para as clulas de controlo para o factor de preenchimento (FF) e para a tenso em circuito aberto (Voc) representam indcios da existncia de algum problema no processamento para a construo das clulas solares daquele grupo. Este problema no foi objecto de estudos posteriores por se tratarem meramente de clulas de teste para avaliao do processo SDS e por se considerar que os resultados encontrados so suficientes para demonstrar todo o processo.

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7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

7.2.3 Resposta Espectral e Rendimento Quntico

A resposta espectral foi medida para vrias amostras, tambm com o objectivo de avaliar a qualidade do material SDS produzido. As medidas foram realizadas no sistema esquematizado na Figura 7.5, utilizando uma clula de referncia calibrada.

PC

Figura 7.5 Esquema do sistema utilizado na obteno da resposta espectral. 1 clula de referncia calibrada; 2- clula a testar. Adaptado de [Serra, 1995].

Os resultados obtidos para a resposta espectral mostram-se no grfico da Figura 7.6, convertidos em rendimento quntico externo (ver seco 7.1.3) no intervalo de comprimento de onda de [700-1100]nm, para as amostras 107, 120 e controlo. A reflectividade das amostras no foi medida, pelo que no se apresentam resultados para a eficincia quntica interna, que seriam mais adequados avaliao da qualidade do material SDS.

7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

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Rendimento Quntico Externo

6,E-01 5,E-01 4,E-01 3,E-01 2,E-01 1,E-01 0,E+00 400

RQE (A/W)

CR1 107 120

500

600

700

800

900

1000

1100

(nm)
Figura 7.6 Eficincia quntica externa para 3 clulas: CR1 (clula de controlo); 107 (melhor clula); 120 (clula representativa da mdia de resultados).

A eficincia quntica externa para as clulas SDS inferior verificada para a clula de controlo, o que indica um comprimento de difuso de portadores minoritrios inferior para material SDS. O comprimento de difuso dos portadores minoritrios, Ln, foi extrado do grfico da eficincia quntica interna (ver seco 7.1.3) e mostra-se na tabela 7.4.
Tabela 7.4 Comprimento de difuso dos portadores minoritrios, extrado da zona do infravermelho das curvas de rendimento quntico externo

Amostra 107 120 CR1

Ln (m) 57 53 ~300

As clulas SDS apresentam comprimentos de difuso de portadores minoritrios muito inferiores aos da clula de controlo. Atendendo ao facto de que o processo de recristalizao foi idntico para a amostra de controlo e para a amostra 120, o baixo comprimento de difuso observado para a amostra 120, 53m, quando comparado com o

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7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

controlo, ~300m, deve-se muito provavelmente a impurezas presentes no p de silcio (ver seco 6.1 e 6.7), que fica incorporado na pr-fita aps CVD, tais como carbono e sobretudo ferro. Como exemplo, se numa clula com comprimento de difuso inicial de Ln= 100m se introduzir ferro numa concentrao de NFe=1,1x1013cm3, o comprimento de difuso diminuir para Ln~30m [Schroder, 1998, pag. 443], o que representa uma degradao significativa.

7.3 Concluses
Os resultados obtidos para as caractersticas pticas e elctricas das clulas solares preparadas sobre fitas de silcio SDS constituem uma demonstrao do processo em estudo aqui apresentado. Os resultados modestos encontrados devem-se por um lado aos problemas de processamento para a formao das clulas (baixos Voc e FF mesmo na clula de controlo) e simplicidade das mesmas (sem qualquer tipo de optimizao), mas por outro lado indicam a necessidade de melhorar a qualidade do Si produzido. Esta melhoria deve ser centrada sobretudo ao nvel das impurezas, com especial ateno no p de Si de partida, como indicado pelos resultados obtidos para o comprimento de difuso dos portadores minoritrios, uma vez que este constitui a principal fonte de contaminao de todo o processo.

7. Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS

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Caractersticas pticas e Elctricas das Fitas SDS ............................................. 125

7.1 7.1.1 7.1.2 7.1.3 7.1.4 7.1.4.1 7.1.4.2 7.1.4.3 7.1.4.4 7.2 7.2.1 7.2.2 7.2.3 7.3 Aspectos Fundamentais das Tcnicas de Caracterizao ptica e Elctrica ... 126 Absoro ptica no silcio ........................................................................ 126 Comprimento de Difuso dos Portadores Minoritrios............................ 127 Resposta Espectral e Rendimento Quntico............................................. 127 Caracterstica I(V) e Respectivos Parmetros .......................................... 129 Corrente de Curto Circuito (Isc)........................................................... 129 Tenso em Circuito Aberto (Voc) ........................................................ 129 Factor de Preenchimento (FF- Fill Factor) .......................................... 130 Eficincia ou Rendimento de Converso () ....................................... 130 Determinao da resistividade superficial pelo mtodo dos 4 pontos...... 131 Caracterstica I(V) e Respectivos Parmetros .......................................... 134 Resposta Espectral e Rendimento Quntico............................................. 136 Concluses........................................................................................................ 138

Caracterizao das fitas SDS............................................................................ 131