CIRCUITOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS PROTOCOLO II

CIPAS: ULLYJE JESUS BABILONIA HERNANDEZ LINO GONZALEZ LARA LUIS F. ZAPATA MEDRANO UBEIMAR NAVARRO HERRERA YAN PEARANDA SANCHEZ

PRESENTADO A: JULIO C. PADILLA MORALES.

UNIVERSIDAD DE CARTAGENA V SEMESTRE DE INGENIERIA DE SISTEMAS CARTAGENA DE INDIAS D. T y H. C 2012-02-09

Fecha de Reunin: Febrero 9 de 2012 Lugar de encuentro: Altos de San Isidro Nmero de Sesin: 2 Temas a tratar: DEFINICIONES Y CONCEPTOS ADQUIRIDOS Introduccin a los Semiconductores 1. Estructura atmica 2. Aisladores conductores y semiconductores 3. Tipo de materiales : N y P 4. Unin P-N Dispositivos Semiconductores 5. Dispositivos Semiconductores 6. El Diodo 7. Otros Tipos de Diodos 8. El transistor 9. Transitares bipolares 10. Construccin y operacin de transistores 11. Configuracin de base comn 12. Accin de amplificacin de transistor 13. Configuracin en emisor comn 14. Configuracin en colector comn 15. Limite de operacin hoja de especificaciones, prueba de transistores. 16. Polarizacin DC del transistor BJT 17. Punto de operacin 18. Circuito de polarizacin fija 19. Circuito de polarizacin estabilizada por emisor 20. Polarizacin por divisor de voltaje .

DIFICULTADES Tengo un poco de dificultad en entender un poco sobre los transistores y los Tipos de materiales N y P. ACUERDOS y CONCLUSIONES. Unos de los acuerdos al cual lleg nuestro cipas. PREGUNTAS. 1) No entiendo muy bien los usos de los Transistores. 2) 3) PROPUESTAS PROXIMO ENCUENTRO Para el prximo encuentro esperamos que

INTRODUCCION A LOS SEMICONDUCTORES SEMICONDUCTORES Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en

electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con signo positivo. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos: - Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila. - Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. - Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio. - Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica. Semiconductores P y N En la prctica, para mejorar la conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas aadidas voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado, utilizndose dos tipos: Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fsforo, el antimonio y el arsnico. Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio. Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N. En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P. Unin PN Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN. Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en sta, producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para Recombinarse.

Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la regin P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece una barrera de potencial que repele los huecos de la regin P y los electrones de la regin N alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a temperatura constante. Unin PN polarizada en directo Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la regin N , la tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido contrario. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la unin PN se hace conductora, presentando una resistencia elctrica muy pequea. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente elctrica. Unin PN polarizada en inverso Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la regin P (figura 6), la tensin U de la pila ensancha la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P y de iones positivos en la regin N, impidiendo la circulacin de electrones y huecos a travs de la unin. La unin PN se comporta de una forma asimtrica respecto de la conduccin elctrica; dependiendo del sentido de la conexin, se comporta corno un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso).

Dispositivos Semi-Conductores El Diodo Es el elemento semiconductor ms sencillo y de los ms utilizados en la electrnica es el diodo. Est constituido por la unin de un material semiconductor tipo N y otro tipo P.

Tipos de Diodos Diodo Emisor de Luz (LED): En un diodo polarizado directamente, los electrones libres cruzan la unin y se combinan con los huecos. Como estos electrones pasan de un nivel alto de energa a uno bajo, irradian o emiten energa. En los diodos comunes y corrientes esta energa se disipa en forma de calor. Pero en los diodos emisores de luz ( LED ), esta energa se irradia en forma de luz. Los diodos normales estn hechos de silicio o germanio, los cuales impiden el paso de

la luz. Los LEDs utilizan elementos como el galio, arsnico y fsforo, para que puedan irradiar luz roja, verde, amarilla, azul, naranja, o infrarroja (invisible). El Diodo Zner: Todo diodo que se ha polarizado en forma inversa tiene una regin de voltaje zner que una vez superada hace que el diodo entre en conduccin. En los diodos comunes el voltaje zner (Vz) es muy alto y por esta razn no entran en conduccin fcilmente. El diodo zner est construido de tal manera que el voltaje en inverso sea de valores relativamente pequeos para poderlo utilizar.

El Fotodiodo: Cuando incide energa luminosa en una unin P-N tambin se desalojan electrones de valencia, es decir, la cantidad de luz que llega a la unin puede controlar la corriente inversa de un diodo. Un fotodiodo es aquel que ha sido optimizado para mayor sensibilidad a la luz. En este diodo, una ventanilla permite el paso de la luz hasta la unin y dicha luz produce electrones libres y huecos. Cuanto mayor sea la cantidad de luz, mayor ser el nmero de portadores minoritarios y mayor ser la corriente inversa.

EL TRANSISTOR Es un dispositivo semiconductor de tres capas, dos de material P y una de material N o dos de material N y una de material P. Para cualquiera de los casos el transistor tiene tres pines denominados emisor, base y colector. Este dispositivo se puede emplear para muchas aplicaciones, pero se destacan las siguientes: Como Amplificador Como Conmutador En Sistemas Digitales Como Adaptador de Impedancias

Transistores Bipolares Existen dos tipos de transistores bipolares, los PNP y los NPN. Su nombre proviene de acuerdo al tipo de materiales que los componen.

En la figura se muestran las dos posibilidades para un transistor bipolar. El transistor PNP es el complemento del transistor NPN. Su comportamiento es muy similar y lo explicaremos en un transistor NPN. En principio, el emisor se encarga de emitir electrones, el colector los recolecta y la base es la unin de las otras dos capas y el terminal por donde entra la seal que se quiere amplificar.