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Gnralits

Le transistor en commutation est utilis afin d'ouvrir ou de fermer un circuit. Ainsi il peut commander une LED, un relais, un moteur,etc... On assimile gnralement le circuit de sortie du transistor un interrupteur qui est command soit par une tension, soit par un courant suivant le type de transistor choisi. Le montage d'un transistor en commutation peut tre dcompos en deux circuits : - Circuit de commande ou Circuit d'entre - Circuit commut ou circuit de sortie Il existe deux types de transistor bipolaire : Transistors NPN et PNP

Soit le circuit de commutation suivant utilisant un transistor bipolaire de type NPN, il nous servira de structure d'tude :

Le circuit de sortie
Le courant IC est fix par la valeur de VCC, de RC et par la valeur de VCE que l'utilisateur dsire. Exemple 1 : On dsire un courant dans le collecteur IC = IC1 = 10 mA et une d.d.p VCE = VCE1 = 4 V. On dispose d'une source de tension VCC = 12 V. Le calcul de la rsistance RC donne RC = (VCC-VCE1)/Ic1 L'application numrique donne : RC = 800 Ohms (thorie). Remarques : Lorsque le circuit de sortie du transistor est polaris dans le cas c) on dit que le transistor est SATURE car son VCE = 0 V. Lorsque le transistor est satur : l'interrupteur est ferm donc la tension VCE est gale 0V (transistor parfait). Dans la ralit il est impossible de polariser un transistor avec VCE = 0 V car par construction ce composant ne peut pas prendre pour VCE une valeur infrieure VCEsat qui est donne par le constructeur du composant. Exemple : pour le transistor 2N2222A, VCEsatmax = 0,3V pour IB=15mA et IC =150mA 25C. (La tension VCEsat dpend en autre des courants IC et IB) VCEsat varie de 0,1 V pour les transistors de faible puissance quelques volts pour les transistors de puissance. Dans les calculs on utilisera la valeur de VCEsat max ou min en fonction du pire des cas mettre en uvre. On en dduit alors soit le courant IC qui circule dans la rsistance RC (si la valeur de RC est connue), soit la valeur de la rsistance RC (si la valeur du courant IC est connue).

Lorsque le transistor est bloqu : l'interrupteur est ouvert, le courant IC =0. Alors la tension VCE est sensiblement gale VCC.

En ralit un courant de fuite circule dans la jonction Collecteur - Base (ICB0) ce qui implique VCE peu diffrent de VCC. Le constructeur indique que la tension VCE doit tre infrieure V(BR)CE0 lorsque le transistor est bloqu sous peine de dtruire le composant. Exemple: pour le transistor 2N2222A V(BR)CE0min = 40V pour IB=0 et IC =10mA 25C. V(BR)CE0 : Valeur(minimum) de la tension VCE partir de laquelle il y a destruction du transistor lorsqu'il est bloqu.

Le circuit de commande

Les valeurs de Vcmde et Rb imposent le courant de base IB.

Le schma quivalent d'un transistor N-P-N est le suivant.

On remarque que le schma quivalent est en fait constitu de deux jonctions ( deux diodes ). On admettra le THEOREME DU TRANSISTOR suivant : Un transistor est convenablement polaris dans l'tat passant (ou satur) si la jonction Base-Emetteur est polarise en sens direct et la jonction Base-Collecteur est polarise en sens inverse.

Caractristique d'entre : La jonction Base - Emetteur est quivalente une diode dont la caractristique est la suivante : Dfinitions : La jonction Base - Emetteur est dite passante lorsque la tension VBE est suprieure la tension de conduction de la diode (VBE > 0,7V pour un transistor au silicium 0,4 Volts pour un transistor a l'Arsniure de gallium.). Dans ces conditions il y a prsence d'un courant IB. La jonction Base - Emetteur est considre bloque si la tension VBE est infrieure 0,7V. Le courant IB est fix par la valeur de Vcmde, de Rb et par la valeur de VBE qui est propre au transistor utilis et qui vaut 0,7 Volts pour les transistors au Silicium qui sont utiliss couramment. Exemple 2 : On dsire un courant dans la Base IB = IB1 = 100 A . On dispose d'une source de tension Vcmde = 5 V. Le calcul de la rsistance Rb donne Rb = (Vcmde-VBE)/ IB1 = 44 KOhms (thorie). Lorsque le transistor est satur, la jonction Base - Emetteur est passante. L'inverse n'est pas rciproque car on peut avoir un fonctionnement linaire. Le constructeur indique que la tension VBEsat dpend en autre des valeurs de courants IB et IC. Exemple : pour le transistor 2N2222A VBEsatmax=1,2V pour IC =150mA et IB=15mA 25C ou VBEsatmax=2V pour IC =500mA et IB=50mA 25C.

La caractristique de transfert
On peut remarquer deux rgions sur cette caractristique : Une rgion de rgime linaire pour laquelle IC = .IB et une rgion de rgime satur o mme si IB continue d'augmenter le courant IC n'augmente plus (ou presque plus car il y a une lgre pente). IC = .IB est la formule clef de la commande d'un transistor bipolaire. Cette formule n'est valable que pour la rgion linaire, c'est dire tant que le transistor n'est pas satur. La constante ( qui est en fait la pente de la caractristique de transfert en rgime linaire ) s'appelle le GAIN EN COURANT du transistor est il est donn par le constructeur sous la forme d'une plage de gain garantie pour un chantillon de composants. La valeur de ICsat dpend uniquement du circuit de sortie. Exemple : Pour le transistor NPN 2N2222A le constructeur donne : 100 < < 300 dans certaines conditions de IC et de VCE. C'est dire que le moins bon des transistors pris dans un chantillon de la srie des 2N2222A garantira au moins un de 100 et que le meilleur ne pourra pas dpasser un de 300. Il faudra donc tenir compte de cette dispersion des caractristiques lors du calcul de montages transistors bipolaires car en cas de remplacement du transistor (Maintenance) une autre pice portant la mme rfrence n'aura certainement pas le mme gain en courant. Dans la pratique, on calculera les montages en utilisant le le plus faible de la srie pour tre certain du bon fonctionnement de la structure mme avec l'chantillon le plus mauvais. Lorsque le transistor est bloqu, la jonction Base - Emetteur n'est plus passante. La tension VBE est infrieure la tension de conduction (VBEsat=0,7V), la valeur du courant IB est nulle. Ce qui implique que Vcmde < VBEsat Le constructeur indique que la tension VBE ne doit pas atteindre la valeur de la tension V(BR)EB0 sous peine de dtruire le transistor. V(BR)EB0 : Tension inverse minimale de la jonction base - Emetteur ne pas dpasser (EX : pour le transistor 2N2222A la tension V(BR)EB0min est de 6V pour IC =0 25C).

Si la tension VBE est infrieure -6V alors la jonction sera dtruite. Remarques : La conduction de la jonction Base - Emetteur n'implique pas obligatoirement la saturation du transistor. Il faut aussi que la tension VCE atteigne la valeur VCEsat. Pour saturer correctement un transistor il faut imprativement respecter la condition : IBrel > IBsat La commande de ce circuit de commutation se fait par la prsence ou non du courant IB dans la jonction Base - Emetteur. Ce courant est gnr par la tension Vcmde et la rsistance Rb. Pour dterminer l'tat du transistor (bloqu ou satur) par des mesures il suffit de mesurer les tensions VBEsat et VCEsat ou de vrifier la condition IBrel > IBsat. Caractristiques gnrales