CENTRO DE ENSEANZA TCNICA INDUSTRIAL .

Tecnlogo en Electrnica y Comunicaciones

Amplificador compuerta comn

Electrnica II Ulises Gerardo Diaz Chavarreti 10300243
PROFESOR: Minerva Esparza Limon

19/04/2012

Practica N

PRPOSITOS: 1.- Disear un amplificador con JFET con parmetros medidos previamente. 2.- Analizar el funcionamiento de un amplificador C-C. 3.- Calcular las ganancias de corriente y voltaje adems de las impedancias de entrada y salida. RESUMEN: TRANSISTOR FET TRANSISTOR FET (Introduccin). Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. 2) Explicacin de la combinacin de portadores. Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. 3) Explicacin de sus elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Resistor variable por PRINCIPAL VENTAJA USOS Impedancia de entrada alta y Uso general, equipo de medida, de salida baja receptores Sintonizadores de FM, equipo para Bajo ruido comunicaciones Baja distorsin de Receptores de FM y TV,equipos para intermodulacin comunicaciones Facilidad para controlar Receptores, generadores de seales ganancia Instrumentos de medicin, equipos de Baja capacidad de entrada prueba Amplificadores de cc, sistemas de control Ausencia de deriva de direccin Se controla por voltaje Amplificadores operacionales, rganos

voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital

Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia Pequeo tamao

electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

BIBLIOGRAFA:
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php

Configuracin de compuerta comn: En este tipo de configuracin nuestra ganancia de corriente ser menor a 1, mientras que nuestra ganancia de voltaje no ser tan elevada, aunque depende de nuestro diseo. El diagrama de la izquierda solo representa el circuito a analizar a CD. La RG se debe proponer cuando diseemos nuestro amplificador, generalmente se le asigna un valor muy grande para mantener estable nuestro amplificador. El anlisis con parmetros hbridos resulta muy sencillo. Ms adelante se mostrar anlisis para la obtencin de ganancias voltaje, corriente y potencias, as como impedancias de entrada y slida. Equivalente hbrido del FET. Donde rgs y rds son ignorados debido a que sus valores son muy pequeos. ser su de las

DESARROLLO TERICO: Distribucin de las terminales

Datos importantes del transistor Valores mximos VDG Drain-Gate Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage - 25 V IGF Forward Gate Current 10 mA IDSSmax = 5mA IDSSMin = 1mA PROCEDIMIENTO PARA MEDIR LOS PRAMETROS DEL TRANSISTOR:

DISEAR Y DIBUJAR CIRCUITO:

DIBUJAR CIRCUITO EQUIVALENTE CON PARMETROS H PARA CADA UNOS DE LOS CAPACITORES EMPLEADOS:

CALCULAR LAS CAPACIDADES MNIMAS DE LOS CONDENSADORES:

CALCULAR GANANCIAS E IMPEDANCIAS DE ENTRADA Y SALIDA: