Informe Amp de Potencia

INDICE
Introduccin 3
Condiciones del Proyecto 3
Circuito 3
Calculo de Vo
max
y Io
max
4
Seleccin de Transistores de Potencia 5
Ganancia del Sistema 5
Seleccin de Excitadores 6
Diseo de Etapa Diferencial 8
Calculo de los Filtros de Fuente 10
Ganancia Total 11
Red de Entrada 11
Calculo de Fuentes de Corriente 13
Clculo del Multiplicador de Vbe 14
Capacidad de Compensacin 14
Proteccin de Transitorios 16
Detalles Finales 16
Simulacin 16
Calibracin 18
1 de 17
Informe Amp de Potencia
Amplificador de Hi-Fi
Introduccin
Un amplificador de Hi-Fi se caracteriza por usar 2 caminos de seal, tener una muy baja
distorsin armnica, tener acople directo para evitar frecuencias de corte inferiores (fcif = 0), y
salida de potencia en configuracin AB.
Condiciones de Proyecto
Se pretende crear un amplificador de Hi-Fi con las siguientes caractersticas:
Datos para el Proyecto
Po 40,0 W
RL 4
S 0,4 V
fcsf 100.000 Hz
fcif 0 Hz
Riaf 200.000
Fd 250
THD% 1,00%
Circuito:
2 de 17
Informe Amp de Potencia
Calculo de Vo
max
y Io
max
Para comenzar con el proyecto, lo primero a calcular va a ser las tensiones y corrientes mximas
de salida.
Conociendo la Potencia de salida puedo despejar Vo
max
:
V
oef
2
=
V
omax
2
2
P
o
=
V
omax
2
2. R
L
=> V
o max
=
.
2. P
o
. R
L
V
o max
=.2. 40W. 4D
V
o max
=17,89V
V
oef
=
V
omax
.2
V
oef
=
17,89V
.2
V
oef
=12,65V
I
omax
=
V
omax
R
L
I
omax
=
17,89V
4D
I
omax
=4,47 A
Una vez obtenidos estos valores, adopto un valor para las resistencias de proteccin tipo PTC.
Estas deben ser de un valor entre un 5% y una 10% de R
L
.
En este caso:
R
p
=0,33D
Teniendo el valor de las Rp, R
L
y sabiendo el valor de la corriente mxima, puedo calcular el
valor de la fuente mnima necesaria.
V
+
=I
omax
. ( R
L
+R
p
)+V
sat
V
sat
2V
V
+
=4,47 A.(4D+0,33D)+2V
V
+
=21,36V
Por lo tanto elijo el valor comercial ms cercano:
Fuente partida +/- 24V
Calculo de Potencia Disipada por los Transistores de Salida.
Del anlisis de la potencia disipador por transistores en clase AB, se llego a la siguiente
3 de 17
Informe Amp de Potencia
ecuacin:
P
da
=
(1,1. V
fuente
)
2
40. 0,8. R
L
V
fuente
=2.V
+
=> P
da
=
(1,1. 2.V
+
)
2
40. 0,8. R
L
P
da
=
(1,1. 2. 24V)
2
40. 0,8. 4D
P
da
=21,78W
Seleccin de Transistores de Potencia
Conociendo la potencia mxima disipada, la corriente mxima que debe manejar los transistores
y sabiendo que:
BVCE
O
=
2. V
+
0,75
BVCE
O
=
2. 24V
0,75
BVCE
O
=64V
Transistores de Salida TIP142 Tip 122/1127 2SD1277
Ic max > 4,47 A 10,00 A 5,00 A 8,00 A
Bvceo > 64,0 V 100,0 V 100,0 V 60,0 V
Pda max > 21,78 W 125,00 W 125,0 W 45,0 W
Hfe > Maximo 4000 1500 5000
VA1 100,0 V 100,0 V
Complementario TIP147 2SB0951
En la eleccin debo tratar de obtener el valor de hfe lo mayor posible.
Por disponibilidad en el mercado, precio y caractersticas elegimos el par complementario
TIP142/147.
Ganancia del Sistema
De los parmetros iniciales del sistema, se puede calcular la ganancia necesaria, as como
tambin la red , y la ganancia a lazo abierto.
Av
f
=
Vo
ef
S
=
12,65V
0,4V
Av
f
=31,62
=
1
Av
f
=
1
31,62
=0,0316
4 de 17
Informe Amp de Potencia
THD=1
1
1+
1
A
Av=
1
1
1THD%
1
Av>
1
1
10,01
1
Av>99
Av>99.
1

=99.
1
0,0316
Av>3130,65
Sabiendo que Av es el producto de la ganancia de las 3 etapas, siendo la ultima un colector
comn, el cual no solo no tiene ganancia de tensin, sino que tiene una pequea cada Entonces es
posible hacer el siguiente razonamiento:
Av=Av
1
. Av
2
. Av
3
Av
3
=0,8
Av
1
. Av
2
=
Av
Av
3
>
3130,65
0,8
Av
1
. Av
2
>3913,32
Por lo tanto consideramos un valor de Av
1
. Av
2
de 4000 como para poder seguir holgados en
cuanto a errores por aproximacin.
Finalmente debemos dividir la ganancia obtenida entre las 2 primeras etapas. Para lo cual
elegimos considerar:
Av
2
=400
Av
1
=10
Seleccin de Excitadores:
I
b1max
=
I
omax
1+h
FE1
=
4,47 A
1+4000
I
b1max
=1,12mA
Analizando el circuito, podemos ver que a la
salida de T3 tenemos como carga al paralelo de la
impedancia de salida (Roca4) de T4 (que acta
como carga activa) y la impedancia de entrada
(Ri1) de T1.
Siendo que T3 es un amplificador en
configuracin Re sin puentear:
5 de 17
Informe Amp de Potencia
Av
2
=Av
T3
=
Vo
3
Vi
3
=
gm
3
. V
3
. ( Ro
3
// Roca
4
// Ri
1
)
Vi
3
Av
2
=gm3 .Vi3
ri
3
ri
3
+R
3
(1+hfe)
.
( Ro
3
// Roca
4
// Ri
1
)
Vi
3
Av
2
=gm3.
ri
3
.( Ro
3
// Roca
4
// Ri
1
)
ri
3
+R
3
(1+hfe)
Siendo que T4 tambin esta en configuracin Re sin puentear, puedo considerar Roca
4
muy
grande, de manera de poder despreciarlo del paralelo. De igual manera puedo despreciar para un
primer calculo, a Ro
3
ya que es mucho ms grande que Ri
1
. Pero esto ultimo no es del todo cierto,
por lo que para no cometer un error tan grande, puedo considerar el paralelo igual a la mitad de Ri
1
.
Ri
1
=hie
1
+( Rp1+R
L
)(1+hfe
1
)( Rp
1
+R
L
)(1+hfe)
Ri
1
=(4D+0,33D)(1+4000)
Ri
1
=4,33D. 4001
Ri
1
=17324,33D
Finalmente:
Av
2
=gm3 .
ri
3
.
Ri
1
2
ri
3
+R
3
(1+hfe)
Av
2
=gm3.
ri
3
.
Ri
1
2
ri
3
+R
3
(1+hfe)
.
1/ ri
3
1/ ri
3
Av
2
=gm3.
Ri
1
2
1+R
3
ri
3
(1+hfe)
Av
2
=gm3.
Ri
1
2
1+R
3
gm3
Siendo que icq
3
debe ser mayor a ib
1max
la cual es de un valor muy bajo, se puede intuir que el
transistor T3 ser de baja potencia.
Si elegimos un icq
3
= 10 mA, y sabiendo que la Vceq sera menor a 24V, concluimos que la
Pda
max
ser menor a 240mW.
En vista de lo expuesto se recae en el par BC546C/556C.
Una vez seleccionado el transistor, se busca en la curva de hfe del mismo el rea ms plana para
hacer la seleccin de Icq, de manera de evitar lo ms posible la distorsin de amplitud.
6 de 17
T3 / T4 BC546C bd241c bd237
> Icq =10mA 1 3 2
> 64 80 100 100
> 0,24 0,5 40 25
> (Icq =10,0 mA) 300 190 100
Vbe3 0,65 0,7 0,6
Cc3 6,0 pF 55,0 pF 55,0 pF
150,0 MHz 3,0 MHz 3,0 MHz
Complementario (PNP) BC556C bd242c bd238
Ic max
Bvceo
Pda max
Hfe
fT
Informe Amp de Potencia
En este caso, con los 10mA elegidos anteriormente se obtiene un sector de la curva lo bastante
plana.
Llegado a este punto, se puede calcular el valor de gm3
gm3 = 40(1/V) . Icq3 = 40(1/V) . 10 mA
gm3 = 0,4 mS
Esto nos permite calcular el valor necesario de R3:
Av
2
=gm3.
Ri
1
2
1+R
3
gm3
R
3
=(
gm3. Ri
1
Av
2
. 2
1) .
1
gm3
R
3
=(
0,4 S . 17324,33D
2. 400
1).
1
0,4 S
R
3
=19,2D - R
3
=18OMEGA
Pd
R3
=Icq
3
2
. R
3
=1,8mW
Si re calculo Av2 y Av1 con el valor normalizado de R3:
Av
2
=gm3.
Ri
1
2
1+R
3
gm3
Av
2
=0,4 S .
17324,33D
2
1+18D0,4 S
Av
2
=422,54
Av
1
=
4000
Av
2
=
4000
422,54
Av
1
=9,26
ri
3
=
hfe
3
gm
3
=
300
0,4 S
ri
3
=750D
Ri
3
=ri
3
+R
3
.(1+hfe)=750D+18D(1+300)
Ri
3
=6168D
Diseo de Etapa Diferencial
Conociendo la Icq3 puedo saber la Icq7 mnima necesaria:
Icq
7
>Icq
3
=
Icq
3
hfe
=
10mA
300
Icq
7
>333,3mu A - Icq
7
=1mA
Con la Icq7 adoptada, puedo calcular el gm7, que finalmente que permitir calcular la R9
necesaria.
7 de 17
Informe Amp de Potencia
gm
7
=40(1/ V ) Icq
7
=40(1/ V ). 1mA
gm
7
=0,04 S
Ahora, analizando el circuito, se observa que la cada de tensin en R9 es igual a la cada de
tensin en R3 ms Vbe.
Icq
7
. R
9
=Icq
3
. R
3
+Vbe
Icq
7
. R
9
=10mA.18D+0,65V =0,18V+0,65V
Icq
7
. R
9
=0,83V
Al mismo tiempo, sabemos que:
Av
1
=Avd
1
2
. gm
7
. Rd
7

1
2
. gm
7
.
1
1
R
9
+
1
Ri
3
=9,26
=>
1
2
40(1/ V ) Icq
7
1
1
R
9
+
1
Ri
3
=9,26
Icq
7
1
1
R
9
+
1
Ri
3
=
9,26
20(1/ V )
=0,46V
=> R
9
.
(
1
R
9
+
1
Ri
3
)
=
0,83V
0,46V
(
1+
R
9
Ri
3
)
=1,8
R
9
=(1,81) Ri
3
R
9
=0,8. Ri
3
=0,8. 6168D
R
9
=4934,4 - 4,7 K D
Icq
7
=
0,83
4700D
=0,18mA
Pd
max
Icq
7
.V
+
=0,18mA. 24V
Pd
max
=4,32 mW
BVce
o
=
24V
0,75
=32V
T7 BC550C bd370 BC 547B
> Icq =1,0 mA 0,10 A 0,20 A
> 32,0 V 45,0 V 45,0 V
> 0,02 W 0,50 W 0,30 W
> (Icq =1,0 mA) 480 390
Vbe7 0,60 V 0,60 V
hie7 9.570 8.500
Complementario (PNP) BC560C bd371 bc557B
Ic max
Bvceo
Pda max
Hfe
Por lo que optamos por el BC550C debido a su bajo precio y buenas prestaciones.
Si bien alcanzara con una Icq7 de 180jA , para no caer en una zona de tanta variacin de
hfe, se decide elegir un Icq7 = 1mA. Esto hace que deba usar una R9 menor, pero de todas maneras,
como vamos a comprobar a continuacin esto no solo no reduce la ganancia a lazo abierto, sino que
por el contrario la eleva. Ambas cosa son condiciones favorables para poder mejorar la THD%.
8 de 17
Informe Amp de Potencia
=> R
9
=
0,83V
1mA
=830D
R
9
-820D
P
R9
=Icq
7
2
. R
9
=(1mA)
2
. 820D=0,8mW
Re calculamos la ganancia del diferencial:
Av
1
=Avd=1/ 2 gm
7
. Rd
7
=1/ 2. 0,04S .( R
9
// Ri3)=1/ 2. 0,04S .(820D// 6168D)
Av
1
=14,48
Re calculamos la potencia disipada por los transistores para asegurarnos de no superar la
potencia mxima de los mismos.:
Pd
max
Icq
7
.V
+
=1mA. 24V
Pd
max
=24mW
Y vemos que aun estamos lejos de 500mW que soportan, por lo que mantenemos nuestra
eleccin.
Calculo de los Filtros de Fuente
Primero calculamos R7 y R8 de manera de tener una cada pequea en relacin a la fuente, para
no necesitar cambiar el valor de la misma, lo cual se traducira en una reduccin del del rendimiento
del amplificador.
Por lo que tomando una cada de 2V en R7 y R8, puedo calcular sus valores:
I
T
=Icq
3
+Icq
7
+Icq
9
+Icq
13
+Iref14=10 mA+1mA+1mA+2mA+4mA
I
T
=18mA
=> R
7
=
2V
18mA
=111,1D
R
7
-120D
P
R7
=I
T
2
. R
7
=(18 mA)
2
.120D=38,9 mW
Ahora, para calcular el capacitor del filtro, debo considerar que a la frec de trabajo, o sea 100 Hz
(el doble de la frec de linea) debo conseguir la atenuacin deseada, en este caso 15 veces.
Vo
r

Vr
=
1
15
=
1
.
1+(
o
o
f
)
2
=>
o
o
f

1
10
=>Cf
1
=
10
2. n. 100Hz. 120D
=198,9jF
Cf
1
-220j F
Ganancia del Colector Comn
Av
3
=
( R
L
+Rp
1
).(1+hfe)
(( R
L
+Rp
1
).(1+hfe)+hie
1
)
.
R
L
( R
L
+Rp
1
)
Av
3
=
17324,33D
(17324,33D+666,7D)
.
4D
( 4D+0,33D)
Av
3
=0,89
9 de 17
Informe Amp de Potencia
Ganancia Total:
Roca
3
=Ro
3
Roca
4
=Ro
4
=ro
3
.| 1+hfe
3
(
R
3
ri
3
+R
3
+R
9
)=44005,04D
Av
2
=gm
4
.( Ri
1
// Roca
4
// Ro
3
).
ri
3
ri
3
+R
3
(1+hfe
3
)
Av
2
=0,4. (17324,33D// 44005,04D// 44005,04D) .
750D
6168D
Av
2
=471,43
Av
1
=14,48
=> Av
1
. Av
2
. Av
3
=14,48.(471,43) .0,89
Av=Av
1
. Av
2
. Av
3
=7611,93
Vemos que es un valor muy superior al esperado, lo cual queda a beneficio del proyecto.
Red de Entrada:
A la entrada del amplificador se coloca una red que fija la impedancia de entrada, e igualar la
simetra del diferencial.
Si armamos el circuito dinmico de los diferenciales reemplazando los transistores por su
modelos:
Ri
f
=
Vx
Ib7+Ib8
Ria
f
=R
22
// ( R
17
+Ri
f
)
=
R
21
R
20
+R
21
Aplicando Thevelin a la Red queda R23 en serie con R21//R20.
Por otro lado, siendo que debe ser una etapa simtrica:
10 de 17
Informe Amp de Potencia
R
15
=R
16
=R
17
=R
18
R
15
+hie
7
=R
16
+hie
8
Ri=(2. R
15
+2. hie
7
) // (2. R
16
+2. hie
8
)
Ri =R
15
+hie
7
Ib=Ib
7
+Ib
8
=
V
x
Vo
Ri
f
+R23+( R20// R21)
Ib=
V
x
Vo
R
15
+hie
7
+R23+(
R20. R21
R20+R21
)
Ri
f
=
V
x
I
b
=
V
x
V
x
Vo
R
15
+hie
7
+R23+(
R20. R21
R20+R21
)
V
x
V
x
Vo
=
1
1
Vo
V
x
=
1
1 Av
f
=
1
1
Av
1+ Av
V
x
V
x
Vo
=
1+ Av
1+ Av Av
=1+ Av=D
Ri
f
=( R
15
+hie
7
+R23+(
R20. R21
R20+R21
)) . D
Ri
f
=( R
15
+hie
7
+R23+. R20). D
Adopto:
R
15
=R
16
=R
17
=R
18
=120D
R
17
=R
23
=1,2 KD
hie
7
=9570D
Ri
f
200 K D
Siendo que R20 prcticamente la que fija la impedancia de entrada del amplificador, se adopta
R
22
=330K D
R
20
=R
22
=330KD
11 de 17
Informe Amp de Potencia
Ria
f
=R
22
// ( R
17
+Ri
f
)
=
R
21
R
21
+R
20
1+
R
20
R
21
=
1

=34
R
21
=
R
20
30,62
=
330 K D
30,62
=10776,3D
R
21
-10 K D
=0,0294
1

=34
Ahora que he elegido la red beta puedo calcular el D
D=1+ Av=1+0,0294. 7611,93
D=224,88
Finalmente Riaf:
Ria
f
=R
22
// ((120+9570+1200+0,0294. 330000)D. 232,26)
Ria
f
=330D// 2984740,4D=297158,6D
Ria
f
300 K D
Calculo de Fuentes de Corriente
Para que las fuentes de corriente sean ms estables, se usarn diodos zener para que el error en la
corriente de referencia sea mnima. Por lo que se eligi un zener de 12 V (1N963B) y un diodo
1N4002.
Por un tema de practicidad se usarn en la fuente de corriente los mismos transistores del
diferencial.
Icq
13
. R
11
+( Ieq
11
+Ieq
13
). R
14
+Vz
2
=24V. 2Vbe
13
Vd
2
=48V0,6V 0,7V
Icq
13
. R
11
+( Ieq
11
+Ieq
13
). R
14
+12V=46,7V
Icq
13
. R
11
+( Ieq
11
+Ieq
13
). R
14
=34,7V

V
e7t
=Vbeq
7
Ibq
7
. R
15
=0,6V
1mA
500
. 120D
V
e7t
=0,6V
Si asumimos Vceq11 = -5V
Vbeq
13t
=0,6V 5V =5,6V
R
11
=
24V(5,6V )0,6V
2mA
R
11
=14500,1D-15KD
R
14
=
34,7V 15 K D. 2mA
4 mA
R
14
=1175D-1200D
P
R14
=2. Icq
13
2
. R
14
=( 4mA)
2
. 1200D=388,8mW
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Informe Amp de Potencia
Clculo del Multiplicador de Vbe
Vce
min
=Vbe .
R
5
+R
6
+Rv
1
R
6
+Rv
1
Vce
max
=Vbe.
R
5
+R
6
+Rv
1
R
6
Si uso una corriente de polarizacin 15 veces mayor Ibv = Icq3 / hfe
I
ref
=
10 mA
510
. 15=0,29 mA
R
5
+R
6
+Rv
1
=
Vce
max
I
ref
=
4V
0,29 mA
=13600D
R
6
=
Vbe
I
ref
=
0,6V
0,29mA
=2040D
R
6
-2200D
R
6
+Rv
1
R
6
=
4V
1,5V
=1+
Rv
1
R
6
Rv
1
=
4
1,5
1 R
6
=3666,7D
Rv
!
-5KD
R
5
+R
6
+Rv
1
=13600D
R
5
=13600D2200D5K D=6400D
R
5
-6,8 K D
Capacidad de Compensacin
Para el calculo de la
compensacin debo tener en cuenta
que:

Av=
Av
1+ j
f
f
p
Dado que deseo la frecuencia de
corte en 100 KHz, y para no estar
muy ajustado con el proyecto,
calculo la compensacin de manera
de tener la frecuencia de corte en
110Khz.

Av=
Av
.
1+
(
110 Khz
f
p
)
2
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Informe Amp de Potencia
Analizando y pasivando la realimentacin local en T3:
Avo
3
=
hfe
3
. Ib
3
.
ro
3
ro
3
+R
3
+( Roca
4
// Ri
1
)
. ( Roca
4
// Ri
1
)
Ib
3
.( ri
3
+R
3
)
Avo
3
=
hfe
3
.
ro
3
ro
3
+R
3
+( Roca
4
// Ri
1
)
.( Roca
4
// Ri
1
)
ri
3
+R
3
Avo
3
=
300. 10KD
10KD+18D+(44005,04D// 17324,33D)
. (44005,04D// 17324,33D)
750D+18D
Avo
3
=2163,03
Av
3
=
Avo
3
D
D=
Avo
3
Av
3
=
471,43
2163,03
D=4,59
Ce
3
=
gm
3
o
T
Cc3=
0,4S
2. n.150MHz
6 pF
Ce
3
=418 pF
Coloco el Polo dominante en T3 debido a que es la etapa de mayor ganancia, por lo que define el
polo dominante de todo el circuito.

Av
f

( fcsf )
=
1

.2
=
32,91
. 2
=23,27
Avo
3

Av
f

( fcsf )
=
110KHz
f
p
f
p
=110 KHz .
24,04
2163,03
f
p
=1222,6 Hz
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Informe Amp de Potencia
fcs
3
=
f
p
D
=
1222,6 Hz
4,59
fcs
3
=266,5 Hz
Ce
3
+((Cc
3
+Cc
1
).(1+Avo
3
))=
1
2.n. fcs
3
. ri
3
=
1
2. n. 266,5 Hz . 750
Ce
3
+((Cc
3
+Cc
1
) .(1+Avo
3
))=796,36jF
Cc
1
=
796,36jFCe
3
1Avo
3
Cc
3
=
796,36j F418 pF
1+2163,03
6pF
Cc
1
=361,81 pF -330 pF
Proteccin de Transitorios
A la salida, se agregaran 2 diodos de proteccin por transitorios en los transistores de salida, lo
que reducira su vida til. Para tal fin, se colocaran en paralelo a los mismos 2 diodos 1N4007.
La eleccin de este en particular fue solo para usar los mismo que en la fuente de corriente.
Detalles Finales
A los diodos zener se le agregarn 2 capacitores en paralelo a los mismo para agregarle una
pequea estabilidad adicional. Estos sern de 100uF x 35V.
En la red beta se agregar un capacitor para darle una leve ecualizacin que asente los
agudos. Para lo que se agrega un C = 100uF x 35V.
Para compensar la reactancia inductiva del parlante, se agrega una red Zobel.

R
Z
R
L
=4D-4,7D


C
Z
=47j F
Simulacin
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Informe Amp de Potencia
En la simulacin se comprueba la frecuencia de corte superior en 154 KHz
La Avf = 33,752
No tiene fcif debido al acople directo.
Impedancia de Entrada:
La impedancia de entrada es de 290 K D , aunque cae abruptamente despus de los 10 KHz, y
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Informe Amp de Potencia
sigue cumpliendo con las condiciones del proyecto hasta aproximadamente los 15 KHz.
Calibracin
Ajustar Rv1 a cero, de modo de no polarizar los transistores de salida.
Calibrar la fuente a +/- 24V
Verificar visualmente todas las conexiones
Conectar la fuente
Verificar las tensiones
Calibrar la distorsin por cruce:
Conectar un osciloscopio a la salida, y un generado de 1KHz , Vef = 0,4V de seal
sinusoidal a la entrada, con una carga de 4 ohm a la salida.
Observar la distorsin por cruce y verificar que no se produce recorte en los picos de la
seal.
Aumentar el valor de Rv1 hasta que desaparezca la misma
Volver a reducir el valor de Rv1 hasta volver a observarla
Volver a aumentar su valor lentamente hasta el punto justo donde se dejar de observar la
distorsin
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