Diody

Dioda prostownicza:

Parametry charakterystyczne: - Napicie przewodzenia UF przy okrelonym prdzie przewodzenia IF lub max prdzie wyprostowania I0 - prd wsteczny IR przy szczytowym napiciu wstecznym pracy URWM Parametry graniczne: - max rednia prdu przewodzenia I0 - powtarzalny szczytowy prd przewodzenia IFRM - niepowtarzalny szczytowy prd przewodzenia IFSM - szczytowe napicie wsteczne pracy URWM - powtarzalne szczytowe napicie wsteczne URSM

Diody uniwersalne:

Napicie progowe: - dioda germanowa 0,2-0,3 V - dioda krzemowa 0,6-0,7 V Parametry statyczne: - napicie przewodzenia UF przy okrelonym prdzie przewodzenia IF - prd wsteczny IR przy okrelonym napiciu wstecznym UR Parametry dynamiczne: - pojemnod diody przy okrelonej czstotliwoci i okrelonym napiciu wstecznym - sprawnod detekcji (stosunek mocy sygnau zdemodulowanego do mocy sygnau wejciowego) Parametry graniczne: - max stay prd przewodzenia IFmax - max szczytowy prd przewodzenia IFMmax - max stae napicie wsteczne URmax - max szczytowe napicie wsteczne URMmax Stosuje si w ukadach odbiornikw AM i FM

Diody Zenera (stablilizacyjna):

Przebicie lawinowe UZ>7V (zcza sabo domieszkowe) Przebicie Zenera UZ<5V (zcza silnie domieszkowych) Przebicie lawinowe i Zenera UZ= 5-7V (zcza o redniej koncentracji domieszek) Parametry charakterystyczne: - napicie Zenera Uz definiowane zwykle jako napicie na diodzie przy prdzie stabilizacji - temperaturowy wspczynnik napicia Zenera TKUz - rezystancj dynamiczn - maksymaln moc strat Pmax = UzIzmax Temperaturowy wspczynnik napicia Zenera TKUz przyjmuje wartoci: - ujemne dla diody, w ktrych wzrost prdu spowodowany jest zjawiskiem Zenera - dodatnie dla diody, w ktrych wystpuje zjawisko powielania lawinowego - bliskie zera dla diody, w ktrych wystpuje jednoczenie zjawisko Zenera i powielania lawinowego

Diody pojemnociowe Diody pojemnociowe diody, w ktrych wykorzystuje si zjawisko zmian pojemnoci warstwy zaporowej zcza p-n pod wpywem polaryzacji w kierunku zaporowym Parametry charakterystyczne: - pojemnod zcza Cj przy okrelonej czstotliwoci i napiciu polaryzacji wstecznej - stosunek pojemnoci Cj przy dwch rnych wartociach napicia polaryzacji wstecznej - parametry pasoytnicze: indukcyjnod szeregowa doprowadzeni LS oraz pojemnoci pasoytniczej Cp Diody tunelowe Diody tunelowe diody, w ktrych charakterystyka prdowonapiciowa przy polaryzacji w kierunku przewodzenia ma odcinek o ujemnej rezystancji dynamicznej. Diody maj silnie domieszkowe zcze p-n.

Fotodiody

Tranzystory
Budowa tranzystora i rozpyw prdu Tranzystor trjkoocwkowy element pprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnaw prdu staego i zmiennego. Kady tranzystor jest zatem wzmacniaczem

Stany pracy tranzystora

Konfiguracja pracy tranzystora

WB konfiguracja wsplnej bazy, wejcie sygnau jest midzy emiterem a baz, a wyjcie pomidzy kolektorem a baz; baza jest elektrod wspln WE konfiguracja wsplnego emitera, wejcie sygnau jest midzy baz a emiterem, a wyjcie midzy kolektorem a emiterem, emiter jest elektrod wspln WC konfiguracja wsplnego kolektora, wejcie sygnau jest midzy baz, a kolektorem, wyjcie midzy emiterem a kolektorem, kolektor jest elektrod wspln Charakterystyka statyczna

Charakterystyka wejciowa. Ksztat przebiegu jest zbliony do charakterystyki diody przy polaryzacji w kierunku przewodzenia. Spowodowane jest to polaryzacj zcza B-E tranzystora w kierunku przewodzenia. Rnice w przebiegu dla rnych napi UCE spowodowane s wystpowaniem zjawiska Earlyego. Przy wikszym UCE maleje efektywna grubo bazy i mniej nonikw wstrzykiwanych z emitera do bazy rekombinuje w jej objtoci, przez co prd IQ maleje (mona porwna dla kadego UBE = const). Charakterystyka wyjciowa. W pocztkowym zakresie charakterystyka prdu Kolektora szybko wzrasta. Tranzystor wychodzi ze stanu nasycenia i przy UCE > UBE pracuje w obszarze aktywnym. Ten zakres pracy charakteryzuje si natomiast niemal sta wartoci prdu kolektora, ktra jest proporcjonalna do artoci prdu bazy (7C = P0/B) bdcego na wykresie parametrem. Przyczyn pewnego nachylenia charakterystyk w tym zakresie jest wystpowanie zjawiska Early'ego. Wzrost wartoci napicia UCE zmieniajc efektywn grubo bazy zwiksza gradient koncentracji nonikw w bazie, zwikszajc tym samym skadow dyfuzyjn prdu bazy, a nastpnie zwikszajc warto prdu kolektora. Charakterystyka przejciowa. Charakterystyka ta w przyblieniu jest liniowa, jdy Ic = (30/B. Napicie UCE wpywa na t zaleno przez zmian efektywnej gruboci bazy (podobnie jak w przypadku charakterystyki wejciowej).

Charakterystyka zwrotna. Gdyby charakterystyka ta bya lini prost rwnoleg do osi UCE, mona by mwi o braku wpywu napicia UCE na UBE oddziaywanie zwrotne z wyjcia na wejcie tranzystora). Fakt istnienia tego oddziaywania jest zjawiskiem negatywnym. Mwi si, e tranzystor w pewnych warunkach jest przezroczysty". Na skutek modulacji efektywnej gruboci bazy istnieje (cho niewielkie) oddziaywanie zwrotne w tranzystorze. Prd bazy jest parametrem charakterystyki zwrotnej. Przy wzrocie napicia UCE a wic i UBE) i zmniejszaniu si efektywnej gruboci bazy oraz, co za tym idzie, zmniejszaniu iloci rekombinujcych nonikw w zmniejszonej objtoci bazy stanowicych skadow prdu bazy, prd bazy ma tendencj malejc. Aby zachowa warto parametru IB = const, musi nastpi wzrost UBE celem zwikszenia iloci wstrzykiwanych nonikw. Aby prd rekombinacji by ten sam w mniejszej objtoci bazy, musi wpywa ich wicej. Std istnieje pewne pochylenie charakterystyki zwrotnej. Ograniczenia obszaru pracy tranzystora

Parametry statyczne wpywajce na ograniczenia obszaru pracy aktywnej tranzystora: - maksymalna moc admisyjna Pa (Moc admisyjna okrela maksymaln warto iloczynu prdu kolektora IC i napicia kolektor-emiter UCE, przy ktrym tranzystor moe pracowa w sposb dugotrway) - max prd kolektora ICmax (Prd maksymalny ICmax jest ograniczeniem wynikajcym czsto nie z nadmiernej iloci ciepa wydzielanego w tranzystorze, lecz ze zmian wspczynnika wzmocnienia prdowego ) - max napicie kolektora emiter UCEmax - prd zerowy ICE0 (Prd zerowy ICE0 jest to prd w obwodzie emiter-kolek-tor przy prdzie bazy IB = 0. Zwizek tego prdu ze znanym ju prdem ) - napicie nasycenia UCEsat Ograniczenia czstotliwociowe tranzystora: Sam tranzystor nie ma ograniczeo w przenoszeniu sygnau w dolnym zakresie czstotliwoci. Ograniczenia spowodowane s stosowaniem kondensatorw sprzgajcych w ukadach wzmacniaczy.