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Chapitre 0 Les semiconducteurs: Gnralits

1. Rappels sur la structure de la matire 1.1 Structure de l'atome 1.2 Structure de l'tat solide 1.3 Bandes d'nergies 2. Semiconducteur intrinsque 2.1 Liaison de covalence: gnration de paires lectron-trou 2.2 Recombinaison 2.3 Concentration ni des porteurs dans le silicium intrinsque 3. Semiconducteur extrinsque: Dopage 3.1 Silicium dop de type N 3.2 Silicium dop de type P

1. RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIERE 1.1 structure de l'atome Latome est constitu dun noyau autour duquel gravitent des lectrons (chargs q= -e= -1.6 10-19 Coulombs) en mouvement sur des orbites (couches) plus ou moins loignes du noyau. Le noyau est constitu de particules appeles nuclons, les neutrons (non chargs) et les protons (chargs q = +e = 1.6 10-19 Coulombs). Latome tant lectriquement neutre, le nombre de protons est gal au nombre dlectrons. Dans les structures lectroniques , on distingue : Les lectrons de cur qui occupent les couches internes et qui sont trs fortement lis au noyau. Les lectrons priphriques (ou de valence) qui occupent la couche la plus externe et qui sont peu lis au noyau.

Figure1: structure de l'atome Les lectrons d'un atome isol prennent des valeurs d'nergie discrtes et chaque niveau d'nergie peut accueillir un nombre limit dlectrons. Ce nombre est gale 2 n 2 ou n correspond au numro du niveau (couche) en partant du noyau. Plus le niveau est lev, plus la couche qui lui correspond est loigne du noyau. Si lon choisit comme origine des nergies (E = 0 eV) celle dun lectron soustrait linfluence du noyau (cest dire port une distance infinie), toutes les valeurs de E n sont ngatives. Cela se traduit par le fait quil faut produire un travail pour loigner un lectron.

Figure 2: niveau d'nergie d'un atome A titre dexemple (Figure2) , pour latome de silicium qui possde 14 lectrons, il y aura 2 lectrons sur la premire couche (n=1) (complte), 8 lectrons sur la deuxime couche L (n=2) (complte aussi) et 4 lectrons sur la dernire couche M (n=3) qui n'est donc pas pleine puisqu'elle peut contenir jusqu' 18 lectrons. 1.2 Structure de l'tat solide les matriaux solides se classent en deux grandes grandes catgories: Les matriaux cristallins o les atomes sont rangs rgulirement aux nuds d'un rseau priodique. La maille lmentaire se rpte rgulirement.

Les matriaux amorphes o l'ordre n'est que local et non rpt.

Figure 3: cristal On distingue essentiellement quatre familles de solides cristallins: Les cristaux ioniques, par exemple le Na+Cl- o les ions sont lis par attraction colombienne. Aucun lectron n'est libre ce qui rend ces cristaux isolants et trs dur. Les cristaux covalents (Colonne IV: C, Si, Ge,Sn, ...). Les quatre lectrons priphriques sont mis en commun avec les quatre voisins et tablissent des liaisons de valence. Ces liaisons sont moins fortes que les liaisons ioniques et les proprits des cristaux vont dpendre de la force de ces liaisons (C diamant est isolant, Sn est conducteur). Les mtaux (Li, Na, K, Cu, Ag, Au,...) conducteurs lectriques qui ont un lectron libre par atome. Les cristaux molculaires.

1.3 Bandes d'nergie Les lectrons d'un atome isol prennent des niveaux discrets d'nergie (Figure 1), mais lorsqu'on rapproche deux atomes ces niveaux vont sous ddoubler. En tendant ce raisonnement N atomes, cette dgnrescence fait apparatre des bandes d'nergie permises, qui peuvent s'interpntrer et se sparer nouveau, donnant des bandes d'nergie interdite, de largeur E G (Gap). La figure donne une reprsentation des bandes dnergie spares par des bandes interdites (o il ny a pas dtats permis).

Figure 4: Diagramme de bandes dnergies Les lectrons du cristal occupent en priorit les tats dnergie les plus faibles. Un lectron dont lnergie est situe dans une bande en dessous de la bande de valence est li un atome donn du solide. Dans la bande de valence, llectron est commun plusieurs atomes. La bande situe audessus de la bande interdite sappelle la bande de conduction. Llectron dont lnergie est comprise dans cette bande circule librement dans le solide. Cest un porteur de charge qui participe lcoulement du courant dans le solide lorsque ce dernier est soumis une diffrence de potentiel. Le gap EG reprsente la quantit dnergie minimale ncessaire pour faire grimper un lectron de lun des niveaux de la bande de valence sur lun des niveaux de la bande de conduction. C'est un paramtre essentiel qui permet de distinguer les matriaux isolants, semiconducteurs et conducteurs.

T=0K, seuls sont peupls les niveaux de plus basses nergie: Dans un isolant, la bande de valence est entirement pleine. La largeur de bande interdite est grande. Il ny a pas de niveaux dnergie accessibles et pas de conduction. Dans les conducteurs, la bande de conduction est partiellement remplie. Il existe donc beaucoup de niveaux disponibles et la conductivit et grande.

Pour les semiconducteur, la bande de valence est entirement pleine. Par contre, la hauteur de la bande interdite est plus petite par rapport celle d'un isolant. Le tableau 1 donne quelques exemples de largeur de bande interdite. Atome C (Carbone) Si (Silicium) Ge (Germanium) Sn (Etain) EG (eV) 300K (27C) 5,5 1,1 0,7 0 Tableau 1: Exemple de valeurs de gap 2. SEMICONDUCTEUR INTRINSEQUE Les semi-conducteurs (Germanium (Ge), Silicium (Si),... ) possdent 4 lectrons sur leur couche priphrique. On peut les produire avec un haut degr de puret (moins d'un atome tranger pour 1011 atomes de semi-conducteur) : on parle alors de semiconducteur intrinsque. 2.1 Liaison de covalence: gnration de paires lectron-trou Un atome prsente une grande stabilit quand il a 8 lectrons sur sa couche externe, ce qui n'est pas le cas de silicium isol. Lors de la formation du cristal cet atome va gagner 4 lectrons en formant des liaisons covalentes qui correspondent la mise en commun de ses lectrons avec les atomes voisins. Ainsi un atome de silicium qui s'associe avec quatre autres atomes de silicium verra huit lectrons sur sa dernire couche. Une telle association est illustre la figure 5. Type de matriau Isolant Semiconducteur Semiconducteur Conducteur

Figure 5: gnration de paires lectron-trou Dans le cas d'une temprature nulle (0 Kelvin), la bande de conduction ne contient pas d'lectrons contrairement la bande de valence qui contient 4 N lectrons (N nombre d'atomes formant le cristal). Les lectrons qui participent ces liaisons sont fortement lis, aux atomes de silicium. Il napparat donc aucune charge mobile susceptible dassurer la circulation dun courant lectrique. Le semiconducteur est alors un isolant. Pour une temprature diffrente de 0 K, un lectron de la bande de valence peut recevoir suffisamment d'nergie pour passer dans la bande de conduction (un trou apparat alors dans la bande de valence) et rendre possible la conduction lectrique. Le matriau n'est plus isolant, mais plus EG sera grand plus le nombre de porteurs libres (lectrons dans la bande de conduction ou trous dans la bande de valence) sera faible, et plus le matriau sera isolant. Latome de silicium qui a

perdu un lectron nest plus lectriquement neutre : il est devenu un ion positif. Ce phnomne nintresse quun nombre trs faible datomes de silicium ( 3 sur 1013 la temprature de 300 K). 2.2 Recombinaison Lionisation thermique conduirait, terme lionisation de tous les atomes de silicium ( soit 5.10 22 atomes par cm3) si elle ntait compense par un autre phnomne : les recombinaisons. En effet, un lectron libre, arrivant, lors de son dplacement dans le cristal, proximit dun ion positif peut tre captur par ce dernier afin de satisfaire sa liaison de covalence (trou libre). La liaison de covalence est alors rtablie. Dans le modle des bandes (figure 6) un lectron de la bande de conduction libre sa place et vient occuper une place libre dans la bande de valence, neutralisant alors un trou.
Electron EG Trou Bande de valence Bande de conduction

Figure 6: Phnomne de recombinaison Lorsque llectron descend de la bande de conduction vers la bande de valence, le semiconducteur restitue lnergie sous forme de chaleur ou met de la lumire (photon). En sens inverse, un photon qui possde une nergie suprieure ou gale EG a le pouvoir de gnrer une paire lectron-trou. 2.3 Concentration ni des porteurs dans le silicium intrinsque Un semiconducteur est dit intrinsque lorsque le cristal n'est pas pollu par des impurets pouvant changer la concentration en porteurs libres. Pour une temprature diffrente de 0 K, des lectrons peuvent devenir libre c'est dire passer de la bande de valence la bande de conduction, o leur concentration est note n. Ces lectrons laissent des trous dans la bande de valence (avec une concentration note p) eux aussi libres de se dplacer. Un quilibre stablit entre les phnomnes dionisation thermique et de recombinaison ; les lectrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantits gales. La concentration en lectrons libres n et en trous libres p sont gales ni la concentration intrinsque. La mcanique statistique montre que la population des porteurs libres (n lectrons.cm -3 ) dans la bande de conduction et (p trous .cm-3 )dans la bande de valence sexprime selon les lois: n=Nc e O Nc et Nv sont respectivement la densit effective dtats des lectrons dans la bande de conduction et des trous dans la bande de valence. EFi le niveau dit de Fermi, qui est le niveau nergtique le plus lev quun lectron puisse occuper 0K. K : constante de Boltzman 8,6 .10-5 eV K-1 . T : Temprature absolue en K
( Ec EFi) kT

, p=Nv e

(EFi Ev) kT

Pour le silicium pur 300 K, o p=n=ni , le niveau indicateur de Fermi E Fi est situ au milieu de la bande interdite. En appliquant la loi de masse: n.p=ni2, on obtient un rsultat indpendant de la position du niveau de Fermi. La concentration intrinsque ni en lectrons libres et en trous libres par cm3 dpend de la hauteur de bande interdite EG et de la temprature T selon la loi : n= p=n i= AT
3 /2

EG ) 2KT

Avec A: Constante du matriau, EG: Hauteur de bande interdite (eV)

3. SEMICONDUCTEUR EXTRINSEQUE: DOPAGE L'introduction de certaines impurets dans un matriau semiconducteur permet d'y modifier le nombre de porteurs libres, de choisir le type de concentration (par lectrons ou par trous) et de contrler la conductivit. 3.1 Silicium dop de type N Pour un tel matriau, des atomes de type donneur (d'lectrons) ont t introduits afin de privilgier la conduction par lectrons plutt que par trous. La figure 7 donne l'exemple de silicium dop au phosphore qui possde cinq lectrons sur la couche externe.

Figure 7: Libration d'un lectron par l'atome de phosphore Les quatre atomes voisins de silicium prtent un lectron chacun l'atome de phosphore qui luimme met en commun quatre de ces cinq lectrons priphriques. Le 5 lectron est trs faiblement li latome de phosphore. Un faible apport d'nergie, par exemple d une temprature diffrente de 0 K, peut librer le cinquime lectron de l'atome de phosphore. Latome de phosphore qui a fourni un lectron libre est appel atome donneur. Il a perdu sa neutralit pour devenir un ion positif fixe. A temprature ambiante (300 K), la quasi-totalit des atomes donneurs sont ioniss. Si Nd est la concentration des atomes donneurs, ceux-ci vont librer n = Nd lectrons libres. Les concentrations en lectrons libres (n) et en trous libres (p) sont lies par la loi daction de masse : n.p=ni2 Les lectrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires. Dans la modlisation du schma des bandes dnergie (figure 7), la population des lectrons libres de la bande de conduction est beaucoup plus importante que celle des trous libres dans bande de valence. Le niveau de Fermi EFn se dplace donc du milieu de la bande interdite (E Fi) vers la bande de conduction de telle manire que : Nd EFnEFi=kT.ln ( ) ni 3.2 Silicium dop de type P Cette fois les impurets sont de type accepteur d'lectrons ce qui correspond aux atomes de la colonne III pour un cristal constitu d'atomes de la colonne IV. La figure 8 donne un aperu de ce qui ce passe pour un cristal de silicium dans lequel on a introduit des atomes de bore.

Figure 8: Libration d'un trou par le bore L'association avec ces quatre voisins confre l'atome de bore sept lectrons sur la couche externe ce qui est insuffisant pour la rendre stable et il est alors tent de stabiliser un un proche voisin qui lui est mme peut en prendre un un de ses voisins et ainsi de suite. Pour cela il faut un apport minimum d'nergie qui peut tre fourni par les vibrations thermiques du cristal, le bore se retrouve ionis ngativement (charge fixe) et on assiste au dplacement d'un trou (libre) d'atome en atome de bore qui capte un lectron est appel atome accepteur. Les trous sont les porteurs majoritaires et les lectrons les porteurs minoritaires. Dans la modlisation du schma des bandes dnergie (Figure 8), la population des lectrons libres de la B.C. est beaucoup plus faible que celle des trous libres dans BV. Le niveau indicateur de Fermi E Fp se dplace du niveau intrinsque EFi vers la bande de valence de telle manire que : Na EFiEFp=kT ln( ) ni