Introduo aos tiristores

So os componentes bsicos da Eletrnica Industrial, chaveando grandes cargas, como motores, eletroims, aquecedores, convertendo CA em CC, CC em CA e gerando pulsos de controle para outros tiristores.

1 - DIAC
O Diodo de quatro camada bilateral (DIAC = DIode AC) um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tenso aplicada, com qualquer polaridade, ultrapassar um determinado valor chamado de tenso ( corrente ) de avalanche, voltando a cortar quando a tenso ( corrente) cair abaixo de um valor chamado de tenso ( corrente) de manuteno( IH ). A Figura abaixo mostra a estrutura interna, o smbolo e a curva caracterstica.

Estrutura

Smbolo

Curva caracterstica DIAC 1

2 SCR
Funcionamento Fsico do Silicon Controlled Rectifier (SCR) Introduo:
O SCR, tambm conhecido como tiristor, um dispositivo semicondutor NPNP de 4 camadas. Em seu estado normal o SCR bloqueia a passagem de corrente (ou tenso) entre os seus dois terminais. Porm quando o eletrodo do GATE submetido a uma voltagem apropriada, a corrente passar livremente e levando a carga ao estado ligado ("ON"). Se a voltagem nos dois terminais do dispositivo for invertida o mesmo ir assumir um estado de alta impedncia novamente, no podendo mais ser ativado por uma tenso no gate. Ou seja, o SCR equivale a um retificador convencional, exceto que o gate controla o incio do seu funcionamento, a partir de quando o dispositivo se torna independente da tenso do gate. Ainda vale ressaltar que um outro dispositivo, o Gate Controlled Switch (CGS) exerce as mesmas funes do SCR, mas retm o controle mesmo quando o dispositivo esta no estado ligado ("ON").

Simbologia:

Figura - 1

A Estrutura NPNP:
Conforme mencionado anteriormente um SCR construdo dopando-se quatro materiais e concatenando-os de modo a formar uma seqncia NPNP com trs junes P-N, duas em um sentido e uma no outro. Aplica-se ento uma tenso no anodo (terminal do material tipo p externo) em relao ao catodo (terminal do material tipo n externo). Desta forma polariza-se diretamente as duas junes de mesmo sentido e reversamente a terceira juno. Esta ltima impede, a princpio, a conduo de corrente pelo dispositivo. Mas se aplicarmos uma tenso a seo tipo p interna (a ser chamada de GATE), conforme a figura 2, podemos polarizar diretamente todas as junes P-N, levando a carga ao estado "ON".

Figura 2 - A Estrutura NPNP. A diagonal simboliza o corte virtual do dispositivo. Para analisar o SCR podemos utilizar uma tima analogia. Imaginando um corte virtual nos dois materiais internos da sua estrutura podemos interpret-la como dois transistores bipolares distintos conectados conforme a figura 3, podendo desta forma aplicar a anlise usual de transistores. Nela temos um transistor pnp e um npn. Em ambos o emissor representado pelo bloco externo ( esquerda no npn e direita no pnp). As bases so representadas pelos blocos do meio e os coletores pelos blocos internos ( direita no npn e esquerda no pnp). Ou seja, a base de um fica ligada ao coletor do outro.

Figura 3 Anlogo de 2 Transistores para a Estrutura NPNP Fazendo isso chegamos a concluso que para o dispositivo conduzir (ganho de malha fechada igual a unidade) necessrio que os parmetros de ambos transistores se somem de modo que 1 + 2 1, levando ambos transistores a saturao. Porm se a soma for maior do que 1, uma vez que o dispositivo comece a conduzir ele no bloquear jamais. De fato impossvel dopar os materiais de modo a ter precisamente 1 + 2 = 1. O ponto crucial do controle do GATE reside no fato de ambos parmetros serem funes da temperatura e da corrente. Assim, dopa-se os materiais de modo a fazer o valor da soma ser menor que 1 para temperaturas usuais, o que no to simples pois a dependncia em relao a temperatura grande e uma vez que valores da soma muito pequenos impossibilita a ativao do dispositivo. Fornecendo-se uma corrente externa ao gate, aumentamos a corrente no emissor de Q1 (transistor npn), enquanto a corrente em seu coletor mantida constante. Quando a corrente do emissor pequena, a maioria dos eltrons se "perde" na regio de depleo da base de Q1, e s uma pequena parcela chega ao coletor. Ao se aumentar esta corrente a parcela recombinada (capturada na regio de depleo) se torna menor, aumentando o valor de . Logo uma corrente no gate ativa o dispositivo, mas uma vez ativado ela pode ser cortada, pois 1 + 2 ser superior a 1 at que a corrente total diminua a ponto do dispositivo bloquear novamente

Parmetros bsicos do SCR

Figura 4 caracterstica corrente-tenso Esses parmetros devem ser levados em conta nos projetos. a. Tenso de disparo (Vbo): a tenso que podemos Ter entre A(anodo) e K(catodo) para que o dispositivo no conduza quando no h disparo. Caso a tenso Vbo exceda o limite, o SCR conduzira mesmo sem pulso no gate. b. Tenso mxima reversa (Vbr). a tenso que pode ser aplicada entre A e K sem causar dano no componente. c. Corrente mxima de conduo (Iak): a corrente mxima que o SCR pode conduzir. Nesse caso temos de dividir esse parmetro em outros trs: corrente mxima direta em RMS, corrente mdia direta e corrente de pico; d. Temperatura mxima de operao (T max): a temperatura limite de operao normal do SCR. Caso ela seja ultrapassada, podero ocorrer disparos indevidos ( no comandados), ou ainda ter incio o processo de "avalanche", com a queima do componente. e. l t: Essa caracterstica descreve a capacidade mxima de corrente, num determinado intervalo de tempo, onde o componente atinge a mxima potncia dissipvel. O l t o resultado da integral do quadrado da corrente do anodo nesse intervalo de tempo. Essa tambm uma caracterstica fundamental para o tcnico ou engenheiro de desenvolvimento, pois atravs dela que podemos dimensionar os dispositivos de proteo ( fusveis, disjuntores, etc.) do projeto. Vamos explorar mais esse conceito atravs de um a exemplo prtico. Antes porem, bom saber que deve-se levar em conta que uma proteo eficaz para o SCR deve atuar em um tempo menor que meio ciclo de senide ( t<8 ms) . Na prtica, esse tempo limitado e 6 ms ( tipicamente). Suponha que o surto mximo previsto seja 6KA, isto , Ip=6000 A. . O valor de l t, adotando 6 ms como tempo mximo admissvel, ser: I=Ip/(2^1/2)=4255,3 A Portanto: 4

l t=(4255,3) . 6 . 0.001 = 108645 A.s Isso significa que esse valor deve ser superior ao fusvel a ser utilizado como proteo nesse circuito. f. Taxa mxima de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt): Quando o SCR atua no chaveamento de cargas indutivas, picos de tensao podem surgir nos terminais de anodo e catodo. A amplitude da tenso de pico, juntamente com a velocidade que essa tenso surge podem danificar o componente, caso esteja acima da especificao. g. Taxa mxima de crescimento de corrente ( di/dt) : Analogamente, o SCR sensvel as variaes de corrente assim como as tenses. Esse outro conceito que vale ser explorado. Quando o SCR inicia o processo de conduo, a corrente surge ao redor do gate e, ento, espalha-se radialmente at preencher toda a rea do ctodo. Nos SCRs antigos, por facilidade construtivas, o gate era colocado na periferia da estrutura cristalina. Dependendo da velocidade de crescimento da corrente Iak( di/dt), ocorria uma dissipao de potncia muito grande prxima ao gate, antes da corrente ocupar toda a rea disponvel do nodo ( seo condutora do SCR ). Esse fenmeno danificava o componente. Atualmente, os SCRs so construdos com uma estrutura denominada "interdigital", isto , o gate colocado no centro do cristal e ocupa uma rea maior que os antigos . h. Corrente de manuteno ( I h): Uma vez disparado, o SCR necessita de uma corrente mnima para manter seu estado de conduo, aps a retirada do pulso de disparo. Essa corrente chamada de "corrente de manuteno". i. Corrente mnima de disparo (Igk): a corrente mnima necessria, entre o gate e ctodo, para levar o SCR ao estado de conduo. j. Tenso mxima entre gate e ctodo (Vgk): Esse uma parmetro muito importante no desenvolvimento de circuitos com SCRs, pois o excesso de tenso entre o gate e o ctodo pode danificar o componente. Normalmente a tenso de disparo encontra-se entre 0,7 V e 2,0 V. k. Tempo de disparo (ton) e tempo de desligamento (toff) : Quanto maior for a capacidade de corrente do SCR, maior a rea das junes ( seco condutora). Na mesma proporo, as capacitncias parasitas formadas por essas junes provocam um atraso, tanto no tempo de conduo quanto no desligamento. Portanto, o tempo necessrio para o SCR sair do estado desligado e atingir a conduo (ton), e o tempo de desligamento (toff) so fatores limitantes entre a velocidade do circuito de comando e a carga.

Modos de funcionamento
Disparo pela porta A porta de um SCR aproximadamente equivalente a um diodo. Por esta razo preciso pelo menos 0,7 V para disparar um SCR. Alm disso , para a regenerao ter incio, necessrio uma corrente de entrada mnima. As folhas de dados fornecem a tenso de disparo e a corrente de disparo para os SCRs. Por exemplo, a folha de dados de um 2N4441 fornece uma tenso de disparo tpica de 0,7 V e uma corrente de disparo de 10 mA. A fonte que alimenta a porta de um 2N4441 pode alimentar pelo menos 10 mA em 0,7 V ; caso contrrio, o SCR no fechar a trava. Tenso de bloqueio Os SCRs no so construdos para funcionamento em interrupo. As tenses de interrupo 5

situam-se na faixa de cerca de 50 V a mais de 2500 V, dependendo do tipo de SCR. A maioria dos SCRs so projetados para fechar com disparo e abrir com baixa corrente. Em outras palavras , um SCR permanece aberto at que um disparo acione a sua porta. A ento o SCR trava e permanece fechado , mesmo que o disparo desaparea . O nico modo de abrir um SCR com um desligamento por baixa corrente. A maioria das pessoas pensa que o SCR um dispositivo que bloqueia a tenso at que o disparo feche. Por esta razo , a tenso de interrupo frequentemente chamada tenso de bloqueio direta nas folhas de dados. Por exemplo, o 2N4441 tem uma tenso de bloqueio direta de 50 V. Desde que a tenso de alimentao seja menor do que 50 V, o SCR no pode interromper. O nico modo de fech-lo com um disparo pela porta. Altas correntes Quase todos os SCRs so dispositivos industriais que podem trabalhar com correntes grandes variando numa faixa de menos de 1 at mais de 2500 A, dependendo do nmero do tipo. Pelo fato de serem dispositivos de alta corrente, os SCRs tm um diparo relativamente alto e grandes correntes de manuteno. O 2N4441 pode conduzir at 8 a continuamente; a sua corrente de disparo de 10 mA, e esta tambm a sua corrente de manuteno. Isto significa que voc precisa alimentar a porta com pelo menos 10 mA para controlar at 8 A de corrente no anodo. Um outro exemplo, o C701 um SCR que conduz at 1250 A com uma corrente de disparo de 500 mA e uma corrente de manuteno de 500 mA. Taxa crtica de elevao Em muitas aplicaes, usada uma tenso de alimentao ca com o SCR. Fazendo o disparo atravs da porta num certo ponto do ciclo, podemos controlar grandes quantidades de potncia ca para uma carga como um motor, um aquecedor, ou qualquer outra carga. Devido s capacitncias da juno dentro do SCR, possvel que uma tenso de alimentao variando rapidamente dispare o SCR. Colocando de outra forma, se a taxa de elevao de tenso direta for suficientemente alta, a corrente de carga capacitiva pode iniciar a regenerao. Para evitar o disparo falso de um SCR, a taxa andica de variao de tenso no deve exceder a taxa crtica de elevao da tenso fornecida pela folha de dados. Por exemplo, um 2N4441 tem uma taxa crtica de elevao de tenso de 50 V/s. Um outro exemplo, o C701 tem uma taxa crtica de elevao de tenso de 200 V/s. Para evitar um fechamento falso, a tenso do anodo no deve aumentar mais rapidamente do que 200 V/s . O chaveamento por transientes a causa principal de se exceder a taxa crtica de elevao de tenso. Uma forma de se reduzir os efeitos de chaveamento por transientes com um amortecedor RC . Se um transiente de chaveamento de alta velocidade aparecer na tenso de alimentao, a sua taxa de elevao ser reduzida no anodo devido ao circuito RC. A taxa de elevao de tenso do anodo depende da resistncia de carga, bem como dos valores de R e C. Os SCRs maiores tambm tm uma taxa crtica de elevao de corrente. Por exemplo, o C701 tem uma taxa crtica de elevao de corrente de 150 A/s. Se a corrente do anodo tentar subir mais rpido do que este valor, o SCR pode ser destrudo. Incluindo um indutor em srie, reduz-se a taxa de elevao de corrente e ajuda tambm o amortecedor RC a diminuir a taxa de elevao de tenso. Alavanca SCR Uma das aplicaes do SCR de proteger uma carga contra uma sobre tenso produzida por uma fonte de alimentao. Este processo de alavanca, embora seja uma forma drstica de proteo, necessrio em vrios CIs digitais; eles no suportam muita sobre tenso. Em vez de destruir CIs dispendiosos, podemos usar uma alavanca SCR para por em curto os terminais da carga ao primeiro indcio de sobre tenso. As fontes de alimentao com uma alavanca SCR precisam de limitao de corrente para evitar uma corrente excessiva quando o SCR fecha. 6

Modelos de SCR

Encapsulamento tipo TO para SCR, com dissipador de calor.

SCR com encapsulamentos tipo rosca e tipo disco para altas potncias

POLARIZAO DIRETA:
A figura a seguir apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar: Tenso do nodo positiva em relao ao Ctodo J1 e J3 polarizadas diretamente J2 polarizada reversamente: apresenta maior barreira de potencial Flui pequena Corrente de Fuga Direta de nodo para Ctodo, IF (Forward Current). Bloqueio Direto DESLIGADO

a) SCR bloqueado em polarizao direta; b) analogia com diodos b) efeito da polarizao direta nas junes;

POLARIZAO REVERSA:
A figura a seguir apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar: Tenso de Ctodo positiva em relao ao nodo J2 diretamente polarizada J1 e J3 reversamente polarizadas: apresentam maiores barreiras de potencial Flui pequena Corrente de Fuga Reversa de Ctodo para nodo, IR (Reverse Current). Bloqueio Reverso DESLIGADO

a) SCR bloqueado em polarizao reversa; b) analogia com diodos c) efeito da polarizao reversa nas junes 8

3 TRIAC
Um TRIAC , ou TRIode for Alternating Current um componente eletrnico equivalente a dois retificadores controlados de silcio (SCR/tiristores) ligados em antiparalelo e com o terminal de disparo gate ligados juntos. Este tipo de ligao resulta em uma chave eletrnica bidirecional que pode conduzir a corrente eltrica nos dois sentidos. O TRIAC faz parte da famlia de transistores de potncia. Um TRIAC pode ser disparado tanto por uma tenso positiva quanto negativa aplicada no eletrodo de disparo (gate). Uma vez disparado, o dispositivo continua a conduzir at que a corrente eltrica caia abaixo do valor de corte, como o valor da tenso final da metade do ciclo de uma corrente alternada. Isto torna o TRIAC um conveniente dispositivo de controle para circuitos de corrente alternada ou C.A, que permite acionar grandes potncias com circuitos acionados por correntes da ordem de mA. Tambm podemos controlar o incio da conduo do dispositivo, aplicando um pulso em um ponto pr-determinado do ciclo de corrente alternada, o que permite controlar a porcentagem do ciclo que estar alimentando a carga (tambm chamado de controle de fase). O TRIAC de baixa potncia utilizado em vrias aplicaes como controles de potncia para lmpadas dimmers, controles de velocidade para ventiladores entre outros. Contudo, quando usado com cargas indutivas, como motores eltricos, necessrio que se assegure que o TRIAC seja desligado corretamente, no final de cada semi-ciclo de alimentao eltrica. Para circuitos de maior potncia, podemos utilizar dois SCRs ligados em antiparalelo, o que garante que cada SCR estar controlando um semi-ciclo independente, no importando a natureza da carga.