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EL TRANSISTOR BJT (Bipolar Junction Transistor).

El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en la conduccin de la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino junction (unin) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a continuacin tenemos dos uniones pn en el transistor y mediante la polarizacin de estas uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo. El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos hablando de un transistor npn. La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp. La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misin es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector. La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o colectar los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres. ZONAS DE FUNCIONAMIENTO Desde el punto de vista global del dispositivo tenemos cuatro zonas de funcionamiento posibles en funcin del estado de polarizacin de las dos uniones. De esta forma, si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor est trabajando en la zona de saturacin. En el caso de que la unin de emisor la polaricemos en directa y la unin de colector en inversa, estaremos en la zona activa. Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor est en la zona de corte. Por ltimo, si la unin de emisor se polariza en inversa y la unin de colector en directa, el transistor se encuentra en activa inversa. De las cuatro zonas, las 3 mencionadas en primer lugar son las ms interesantes desde el punto de vista del funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa una zona puramente terica y sin inters prctico. ZONA ACTIVA El transistor solo amplifica en esta zona, y se comporta como un fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente). Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic). ZONA DE CORTE

En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, entre otras.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. ZONA DE SATURACIN El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, entre otras.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas ( y en especial Ic). ZONA ACTIVA INVERSA En zona activa inversa el modelo es muy parecido al correspondiente a la zona activa directa. Lo nico que tenemos que hacer es intercambiar los papeles de los terminales de emisor y colector. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos: Transistor de Efecto de Campo de Unin: JFET (Junction Field Effect Transistor). Transistor de Efecto de Campo Metal - xido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

Vamos a comenzar el estudio de este tipo de transistores viendo algunas de las principales analogas y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT. Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conduccin depender nicamente de un nico tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p. Una de las caractersticas ms importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de mega-hmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del orden de unos pocos kilo-hmios. Esto proporciona a los FET una posicin de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores. Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la seal aplicada, es decir, la variacin de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los FET para la misma variacin de la tensin aplicada. Por ello, tpicamente, las ganancias de tensin en alterna que presentan los amplificadores con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET. En general los FET son ms estables con la temperatura y, normalmente, ms pequeos en construccin que los BJT, lo que les hace particularmente tiles en circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).

TRANSISTORES DE UNIN DE EFECTO DE CAMPO. (JFET) Vamos a comenzar el estudio de los transistores de efecto de campo con los JFET (Junction Field Effect Transistor). Estructura Bsica.
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:

JFET de canal n JFET de canal p

Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p). Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los portadores. Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de portadores a travs del canal.

ZONAS DE TRABAJO Zona de corte o de no conduccin: Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto se da para valores d est completamente cerrado. Zona hmica o de no saturacin: Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es decir, cuando VDS VGS - VGSoff. Para estos valores de tensin el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat. En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para valores pequeos de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre. Zona de saturacin o de corriente constante: Esta zona se da para valores VDS > VDSsat. Ahora la corriente ID permanece invariante frente a los cambios de VDS (suponiendo la hiptesis de canal largo) y slo depende de la tensin VGS aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin de puerta VGS. Zona de ruptura: En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa, tanto ms cuanto menor sea el valor de VGS. Tal y como vimos al abordar el estudio de la unin p-n en el tema 2 cuando una unin p-n la polarizamos en inversa, la zona de carga de espacio aumenta. Sin embargo, esta tensin inversa no se puede

aumentar indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor (tensin de ruptura, caracterstico de cada unin y que suele ser proporcionado por el fabricante en sus hojas de caractersticas) la unin se perfora, producindose la ruptura del dispositivo.

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL XIDO SEMICONDUCTOR. (MOSFET) Visto el transistor JFET vamos ahora a ver el otro gran grupo de transistores de efecto de campo: Los transistores MOSFET. Vamos a ver que existen dos tipos de transistores MOSFET. MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento. MOSFET de deplexin o empobrecimiento.

MOSFET de Acumulacin. Vamos a comenzar el estudio de los transistores MOSFET viendo en primer lugar el MOSFET de acumulacin. ZONAS DE TRABAJO

Zona de corte o de no conduccin: Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS VT, donde el canal no est completamente formado.

Zona hmica o de no Saturacin: Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es decir, cuando VDS VGS - VT Para estos valores de tensin el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat. En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para valores pequeos de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.

Zona de saturacin o de corriente constante: Esta zona se da para valores VDS > VDSsat. Ahora la corriente ID permanece invariante frente a los cambios de VDS y slo depende de la tensin VGS aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin de puerta VGS.
Zona de ruptura: Un transistor MOSFET puede romper por dos motivos. Bien porque se perfora el dielctrico cuando la tensin VGS supera una determinado valor que vendr determinado por el aislante, o bien porque en la unin pn del lado del drenador (polarizada en inversa) se supera el valor de la tensin de ruptura de dicha unin, dado que esta unin est polarizada con una tensin inversa de valor VDS la en la zona de ruptura todas las distintas curvas en funcin de VGS se juntan en una nica.

MOSFET de Deplexin. Vamos a continuar con el siguiente gran grupo de transistores MOSFET, en este caso, el MOSFET de deplexin o empobrecimiento.

Principio de Funcionamiento.
En este caso, si aplicamos una tensin VGS > 0, se atraern ms electrones hacia la zona de la puerta y se repelern ms huecos de dicha zona, por lo que el canal se ensanchar. Por lo tanto, el efecto que tenemos es el mismo que en el caso del MOSFET de acumulacin, es decir, para valores VGS > 0 el MOSFET de deplexin tiene un comportamiento de acumulacin. Si por el contrario damos valores VGS < 0 el efecto ser el contrario, disminuyndose la anchura del canal. En definitiva, volvemos a tener de nuevo un efecto de modulacin de la anchura de un canal en funcin de una tensin aplicada VGS . Sin embargo, si seguimos disminuyendo el valor de VGS podr llegar un momento en que el canal desaparezca por completo, esto suceder cuando VGS disminuya por debajo de un valor VGSoff .

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