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DEPARTAMENTO DE ELETRO-ELETRNICA COLGIO TCNICO DE CAMPINAS UNICAMP

ELETRNICA

Prof. Roberto Angelo Bertoli V3 setembro, 00

Colgio Tcnico de Campinas

ELETRNICA

NDICE
1
1.1

DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAO


FSICA DOS SEMICONDUTORES A ESTRUTURA DO TOMO ESTUDO DO SEMICONDUTORES DIODO POLARIZAO DO DIODO CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO APROXIMAES DO DIODO RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA RETIFICADOR DE MEIA ONDA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE CAPACITOR FILTRO PARA O RETIFICADOR DIODO ZENER CORRENTE MXIMA NO ZENER REGULADOR DE TENSO COM ZENER CLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS. CIRCUITO COM DIODOS MULTIPLICADORES DE TENSO LIMITADORES GRAMPEADOR CC

4
4 4 4 7 8 8 10 11 12 14 16 17 19 20 24 26 27 28 28 29 29 30 32 32

1.2

1.3 1.4 1.5

1.6 1.7 1.8

1.9

1.10 EXERCCIOS

2
2.1

TRANSISTOR BIPOLAR
FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP AS CORRENTES NO TRANSISTOR MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR

39
39 40 42 42 43

3
3.1 3.2 3.3 3.4

POLARIZAO DE TRANSISTORES
RETA DE CARGA O TRANSISTOR COMO CHAVE O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR CIRCUITOS DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO REGRAS DE PROJETO EXERCCIOS

47
47 49 50 51 51 51 52 53

3.5

AMPLIFICADORES DE SINAL

55
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Colgio Tcnico de Campinas 4.1

ELETRNICA 55 57 57 58 60 60 63 63 65 66 68 70 71 73

AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM TEOREMA DA SUPERPOSIO PARA AMPLIFICADORES CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC. RESISTNCIA CA DO DIODO EMISSOR CA - GANHO DE CORRENTE ALTERNADA AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO REALIMENTAO AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL IMPEDNCIA DE ENTRADA ESTGIOS EM CASCATA AMPLIFICADOR BASE COMUM AMPLIFICADOR COLETOR COMUM IMPEDNCIA DE ENTRADA EXERCCIOS

4.2 4.3 4.4

4.5 4.6 4.7

5
5.1 5.2 5.3

AMPLIFICADORES DE POTNCIA
CLASSE A CLASSE B CLASSE AB

76
76 78 80

6
6.1

OSCILADOR DE BAIXA FREQNCIA


OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE

81
82

7
7.1

TRANSISTORES ESPECIAIS
JFET POLARIZAO DE UM JFET TRANSCONDUTNCIA AMPLIFICADOR FONTE COMUM AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE MOSFET MOSFET DE MODO DEPLEO MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR PTICO EXERCCIOS

83
83 83 87 88 89 89 90 90 91 92 93

7.2

7.3 7.4

REFERNCIA BIBLIOGRFICA

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1
1.1

DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAO


FSICA DOS SEMICONDUTORES
A ESTRUTURA DO TOMO
O tomo formado basicamente por 3 tipos de partculas elementares: Eltrons, prtons e nutrons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio. Os eltrons giram em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num total de at sete camadas. Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente ela que participa das reaes qumicas Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de tomos, diferenciados entre si pelo seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial em eletrnica o comportamento passagem de corrente. Pode-se dividir em trs tipos principais:

MATERIAIS CONDUTORES DE ELETRICIDADE


So materiais que no oferecem resistncia a passagem de corrente eltrica. Quanto menor for a oposio a passagem de corrente, melhor condutor o material. O que caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade para abandonar seus tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo, com somente um eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido pode tornar-se um eltron livre.

MATERIAIS ISOLANTES
So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a passagem da corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seu tomos, sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se transformarem em eltrons livres. Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias compostas (borracha, mica, baquelita, etc.).

MATERIAL SEMICONDUTOR
Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como exemplo temos o germnio e silcio

ESTUDO DO SEMICONDUTORES
Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de valncia com 4 eltrons. Quando os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma estrutura cristalina, ou seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo compartilhado com um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons, ver Figura 1-1.

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Figura 1-1 Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper a ligaes covalentes, elas seriam materiais isolantes. No entanto com o aumento da temperatura algumas ligaes covalentes recebem energia suficiente para se romperem, fazendo com que os eltrons das ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no interior do cristal, tornando-se eltrons livres.

Figura 1-2 Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia, passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um eltron o abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna, sendo tambm conhecida como buraco. As lacunas no tem existncia real, pois so apenas espaos vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas. Sempre que uma ligao covalente rompida, surgem, simultaneamente um eltron e uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao). Como tanto os eltrons como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares, pode-se afirmar que o nmero de lacunas sempre igual a de eltrons livres. Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potencial, os eltrons livres se movem no sentido do maior potencial eltrico e as lacunas por conseqncia se movem no sentido contrrio ao movimento dos eltrons.

IMPUREZAS
Os cristais de silcio (ou germnio. Mas no vamos considera-lo, por simplicidade e tambm porque o silcio de uso generalizado em eletrnica) so encontrados na natureza misturados com outros elementos. Dado a dificuldade de se controlar as Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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caractersticas destes cristais feito um processo de purificao do cristal e em seguida injetado atravs de um processo controlado, a insero proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 106 tomos do cristal, com a inteno de se alterar produo de eltrons livres e lacunas. A este processo de insero d-se o nome de dopagem. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos: impureza doadoras e impurezas aceitadoras.

IMPUREZA DOADORA
So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia. Ex.: Fsforo e Antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e fica um eltron fracamente ligado ao ncleo do pentavalente (uma pequena energia suficiente para se tornar livre).

Figura 1-3

IMPUREZA ACEITADORA
So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia. Ex.: Boro, alumnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto significa que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.

Figura 1-4 Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou excesso de lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores:

SEMICONDUTOR TIPO N
O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo n, onde n est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as lacunas Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as lacunas, portadores minoritrios.

SEMICONDUTOR TIPO P
O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo p, onde p est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livres num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons livres, portadores minoritrios.

1.2

DIODO
A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.

Figura 1-5 Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas direes, alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente. (um on negativo)

Figura 1-6 Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ions esto fixo na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ions aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta regio de camada de depleo. Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A 25, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio. O smbolo mais usual para o diodo mostrado a seguir:

Anodo material tipo p

Catodo material tipo n

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POLARIZAO DO DIODO
Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades. Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo em contato com o material tipo n.

POLARIZAO DIRETA
No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrado para a juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo livre de eltrons a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleo.

POLARIZAO REVERSA
Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo no material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada inversamente. No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer que a bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento de eltrons de uma camada para outra.

CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO


A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

POLARIZAO DIRETA

Figura 1-7

Figura 1-8

Nota-se pela curva que o diodo ao contrrio de, por exemplo, um resistor, no um componente linear. A tenso no diodo uma funo do tipo:
U = RFI + kT I ln + 1 q IS

Eq. 1- 1

TENSO DE JOELHO
Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso de joelho. ( No Si aprox. 0,7V). Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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POLARIZAO REVERSA DO DIODO

Figura 1-9

Figura 1-10

o diodo polarizado reversamente, passa uma corrente eltrica extremamente pequena, (chamada de corrente de fuga). Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um momento em que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente. * Salvo o diodo feito para tal, os diodos no podem trabalhar na regio de ruptura. GRFICO COMPLETO.

Figura 1-11

ESPECIFICAES DE POTNCIA DE UM DIODO


Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo:

P = UI

Eq. 1- 2

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No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante, pois haver um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potncia mxima ou corrente mxima suportada por um diodo. Ex.: 1N914 - PMAX = 250mW 1N4001 - IMAX = 1A Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais (potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores ( PMAX > 0,5W).

RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE


Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso aplicada pode gerar uma alta intensidade de corrente. Em geral um resistor usado em srie com o diodo para limitar a corrente eltrica que passa atravs deles. RS chamado de resistor limitador de corrente. Quanto maior o RS, menor a corrente que atravessa o diodo e o RS .

RETA DE CARGA

Figura 1-12

Sendo a curva caracterstica do diodo no linear, torna-se complexo determinar atravs de equaes o valor da corrente e tenso sobre o diodo e resistor. Um mtodo para determinar o valor exato da corrente e da tenso sobre o diodo, o uso da reta de carga. Baseia-se no uso grfico das curvas do diodo e da curva do resistor. Na Figura 1-12, a corrente I atravs do circuito a seguinte:
I= UR US UD = RS RS

Eq. 1- 3

No circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no resistor. Se forem dados a tenso da fonte e a resistncia RS, ento so desconhecidas a corrente e a tenso sob o diodo. Se, por exemplo, no circuito da Figura 1-12 o US =2V e RS = 100, ento:

I=

2 UD = 0,01* U D + 20mA 100

Eq. 1- 4

Se UD=0V ! I=20mA. Esse ponto chamado de ponto de saturao, pois o mximo valor que a corrente pode assumir. E se I=0A !UD=2V. Esse ponto chamado corte, pois representa a corrente mnima que atravessa o resistor e o diodo. A Eq. 1-4 indica uma relao linear entre a corrente e a tenso ( y = ax + b). Sobrepondo esta curva com a curva do diodo tem-se:

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Figura 1-13 (I=0A,U=2V) - Ponto de corte !Corrente mnima do circuito (I=20mA,U=0V) - Ponto de saturao !Corrente mxima do circuito (I=12mA,U=0,78V) - Ponto de operao ou quiescente!Representa a corrente atravs do diodo e do resistor. Sobre o diodo existe uma tenso de 0,78V.

1.3

DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO


O diodo emissor de luz (LED) um diodo que quando polarizado diretamente emite luz visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha. Ao contrrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo. amplamente usada em equipamentos devido a sua longa vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento.

Figura 1-14

A polarizao do LED similar ao um diodo comum, ou seja, acoplado em srie com um resistor limitador de corrente, como mostrado na Figura 1-14. o LED esquematizado como um diodo comum com seta apontando para fora como smbolo de luz irradiada. A corrente que circula no LED :

ID =

VS VD R

Eq. 1- 5

Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5V para correntes entre 10 e 50mA.

FOTODIODO
um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado que sensvel a luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua a corrente reversa Num diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores minoritrios. Esses portadores existem porque a energia trmica entrega energia suficiente para alguns eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando eltrons livres e lacunas, contribuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma energia luminosa incide numa juno pn, ela injeta mais energia ao eltrons de valncia e com isto gera mais eltrons livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser corrente reversa num diodo.

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1.4

APROXIMAES DO DIODO
ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a curva do diodo, mas dependendo da aplicao pode-se fazer aproximaes para facilitar os clculos.

1 APROXIMAO (DIODO IDEAL)


Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no sentido direto e como um isolante perfeito no sentido reverso, ou seja, funciona como uma chave aberta.

sentido direto sentido reverso U

Figura 1-15

2 APROXIMAO
Leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0,7V para iniciar a conduzir.
I 0 7V rb sentido direto sentido reverso U 0,7V rb

Figura 1-16 Pensa-se no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7V.

3 APROXIMAO
Na terceira aproximao considera a resistncia interna do diodo.

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I

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0,7V

rb sentido direto sentido reverso

0,7V

rb

Figura 1-17 Obs.:. Ao longo do curso ser usada a 2 aproximao. Exemplo 1-1 Utilizar a 2 aproximao para determinar a corrente do diodo no circuito da Figura 1-18: SOL.: O diodo est polarizado diretamente, portanto age como uma chave fechada em srie com uma bateria. ID = IRS = URS U S UD 10 0,7 = = = 186mA , 5k RS RS Figura 1-18

RESISTNCIA CC DE UM DIODO

a razo entre a tenso total do diodo e a corrente total do diodo. Pode-se considerar dois casos: RD - Resistncia cc no sentido direto RR - Resistncia cc no sentido reverso

RESISTNCIA DIRETA
a resistncia quando aplicada uma tenso no sentido direto sobre o diodo. varivel, pelo fato do diodo ter uma resistncia no linear. Por exemplo, no diodo 1N914 se for aplicada uma tenso de 0,65V entre seus terminais existir uma corrente I=10mA. Caso a tenso aplicada seja de 0,75V a corrente correspondente ser de 30mA. Por ltimo se a tenso for de 0,85V a corrente ser de 50mA. Com isto pode-se calcular a resistncia direta para cada tenso aplicada: RD1 = 0,65/10mA = 65 RD2 = 0,75/30mA = 25 RD3 = 0,85/50mA = 17 Nota-se que a resistncia cc diminu com o aumento da tenso

RESISTNCIA REVERSA
Tomando ainda como exemplo o 1N914. Ao aplicar uma tenso de -20V a corrente ser de 25nA, enquanto uma tenso de -75V implica numa corrente de 5A. A resistncia reversa ser de: RS1 = 20/25nA = 800M Prof. Roberto A. Bertoli set-00

Colgio Tcnico de Campinas RS2 = 75/5A = 15M

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A resistncia reversa diminui medida que se aproxima da tenso de ruptura.

1.5

RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA


comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias de alimentao. Devido ao alto custo de uma bateria se comparado com a energia eltrica, torna-se necessrio a criao de um circuito que transforme a tenso alternada de entrada em uma tenso contnua compatvel com a bateria. O diodo um componente importante nesta transformao. que se ver neste item.

ONDA SENOIDAL
A onda senoidal um sinal eltrico bsico. Sinais mais complexos podem ser representados por uma soma de sinais senoidais.

Figura 1-19 A equao que representa a curva da Figura 1-19 a seguinte:


U = UP sen

Eq. 1-6

onde: U ! tenso instantnea Up ! tenso de pico Algumas maneiras de se referir aos valores da onda: Valor de pico UP ! Valor mximo que a onda atinge Valor de pico a pico ( UPP ) ! Diferena entre o mximo e mnimo que a onda atinge Upp = Up - (- Up ) = 2 Up Valor eficaz ( URMS) ( Root Mean Square) O valor rms valor indicado pelo voltmetro quando na escala ca. O valor rms de uma onda senoidal, definido como a tenso cc que produz a mesma quantidade de calor que a onda senoidal. Pode-se mostrar que: VRMS = 0,707 Up Valor mdio O valor mdio quantidade indicada em um voltmetro quando na escala cc. O valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero. Isto porque cada valor da primeira metade do ciclo, tem um valor igual mas de sinal contrrio na segunda metade do ciclo. Eq. 1-7

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O TRANSFORMADOR
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores que 30VCC enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de 127VRMS ou 220VRMS. Logo preciso um componente para abaixar o valor desta tenso alternada. O componente utilizado o transformador. O transformador a grosso modo constitudo por duas bobinas (chamadas de enrolamentos). A energia passa de uma bobina para outra atravs do fluxo magntico. Abaixo um exemplo de transformador:

Figura 1-20 A tenso de entrada U1 est conectada ao que se chama de enrolamento primrio e a tenso de sada ao enrolamento secundrio. No transformador ideal: U2 N2 = U1 N1 Onde: U1 tenso no primrio U2 tenso no secundrio N1 nmero de espiras no enrolamento primrio N2 nmero de espiras no enrolamento secundrio A corrente eltrica no transformados ideal : I1 N2 = I 2 N1 Eq. 1-9 Eq. 1-8

Exemplo 1-2 Se a tenso de entrada for 115 VRMS, a corrente de sada de 1,5ARMS e a relao de espiras 9:1. Qual a tenso no secundrio em valores de pico a pico? E a corrente eltrica no primrio? SOL. U2 N2 U 1 ! 2 = ! U2 = 12,8 VRMS = U1 N1 115 9 U2PP=12,8/0,707=18VPP I1 N2 I 1 ! 1 = !I1 = 0,167ARMS = I 2 N1 1,5 9 obs.: a potncia eltrica de entrada e de sada num transformador ideal so iguais. P=U*I=115*0,167=12,8*1,5=19,2W Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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RETIFICADOR DE MEIA ONDA


O retificador de meia onda converte a tenso de entrada (USECUNDRIIO ) ca numa tenso pulsante positiva UR. Este processo de converso de AC para cc, conhecido como retificao. Na Figura 1-21 mostrado um circuito de meia onda.

Figura 1-21 Considerando o diodo como ideal, as curvas so as mostrada na Figura 1-22. A sada do secundrio tem dois ciclos de tenso: Um semiciclo positivo e um negativo. Durante o semiciclo positivo o diodo est ligado no sentido direto e age como uma chave fechada e pela lei das malhas toda a tenso do secundrio incide no resistor R. Durante o semiciclo negativo o diodo est polarizado reversamente e no h corrente circulando no circuito. Sem corrente eltrica circulando implica em no ter tenso sob o resistor e toda a tenso do secundrio fica no diodo. Este circuito conhecido como retificador de meio ciclo porque s o semiciclo positivo aproveitado na retificao.

Figura 1-22 O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao retificador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e normalmente ele chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga.

VALOR CC OU VALOR MDIO


A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro dado por:

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ELETRNICA VCC = 0.318 UP diodo ideal VCC = 0.318 (UP - V) diodo 2 aproximao

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Eq. 1-10 Eq. 1-11

RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA


A Figura 1-23 mostra um retificador de onda completa. Observe a tomada central no enrolamento secundrio. Por causa dessa tomada, o circuito equivalente a dois retificadores de meia onda. O retificador superior retifica o semiciclo positivo da tenso do secundrio, enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo negativo da tenso do secundrio.

Figura 1-23 As duas tenses denominadas de U2/2 na Figura 1-23 so idnticas em amplitude e fase. O transformador ideal pode ser, portanto, substitudo por duas fontes de tenso idnticas, como mostra a Figura 1-23 direita, sem alterao no funcionamento eltrico da rede. Quando U2/2 positiva, D1 est diretamente polarizado e conduz mas D2 est reversamente polarizado e cortado. Analogamente, quando U2/2 negativa, D2 conduz e D1 cortado. Considerando os dois diodos ideais, temos a curva de tenso sobre o resistor de carga mostrada na Figura 1-24.

VALOR CC OU VALOR MDIO


A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro similar o do retificador de meia onda com a observao de que agora tem-se um ciclo completo e o valor ser o dobro. dado por: VCC = 2*0.318 (UP/2) = 0,318UP diodo ideal VCC = 0.636 (UP/2 - V) diodo 2 aproximao Eq. 1-12 Eq. 1-13

FREQNCIA DE SADA
A freqncia de sada de onda completa o dobro da freqncia de entrada, pois a definio de ciclo completo diz que uma forma de onda completa seu ciclo quando ela Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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comea a repeti-lo. Na Figura 1-24, a forma de onda retificada comea a repetio aps um semiciclo da tenso do secundrio. Supondo que a tenso de entrada tenha uma freqncia de 60Hz, a onda retificada ter uma freqncia de 120Hz e um perodo de 8,33ms.

Figura 1-24

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RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE


Na Figura 1-25 mostrado um retificador de onda completa em ponte. Com o uso de quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso da tomada central do transformador. Durante o semiciclo positivo da tenso U2, o diodo D3 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o D2 um potencial negativo no catodo. Dessa forma, D2 e D3 conduzem, D1 e D4 ficam reversamente polarizado e o resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tenso U2. Durante o semiciclo negativo da tenso U2, o diodo D4 recebe um potencial positivo em seu anodo, e o diodo D1 um potencial negativo no catodo, devido inverso da polaridade de U2. Os diodos D1 e D4 conduzem e os diodos D2 e D3 ficam reversamente polarizado.

Figura 1-25 A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido. Portanto a tenso UR sempre positiva. Na Figura 1-26 mostrado as formas de ondas sobre o resistor de carga e os diodos, considerando os diodos ideais. Na Tabela 1-1 feito uma comparao entre os trs tipos de retificadores. Para diodos ideais. Tabela 1-1 MEIA ONDA N. de Diodos Tenso Pico de Sada Tenso cc de Sada Tenso Pico Inversa no Diodo Freqncia de Sada Tenso de sada (rms) 1 UP 0,318 UP UP fent 0,45 UP ONDA COMPLETA 2 0,5UP 0,318 UP UP 2 fent 0,45 UP PONTE 4 UP 0,636 UP UP 2 fent 0,9 UP

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20

Figura 1-26

1.6

CAPACITOR
Componente eletrnico, constitudo por duas placas condutoras, separadas material isolante. por um

Ao ligar uma bateria com um capacitor descarregado, haver uma distribuio de cargas e aps um certo tempo as tenses na bateria e no capacitor sero as mesmas. E deixa de circular corrente eltrica.

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Se o capacitor for desconectado da bateria, as cargas eltricas acumuladas permanecem no capacitor, e portanto mantida a diferena de potencial no capacitor.

O capacitor pode armazenar carga eltrica. O capacitor se ope a variao de tenso eltrica. A capacidade que tem um capacitor para armazenar cargas depende da sua capacitncia.

C=
onde: = constante dieltrica (F/m)

.S d

Eq. 1-15

S = rea de uma das placas (so iguais) (m2) d = Espessura do dieltrico em metro (m) C = Capacitncia em Farads (F) em geral se usa submultiplos do Farad: F, nF, pF

DETALHES SOBRE OS CAPACITORES TIPOS DE CAPACITORES


papel mica tntalo cermica eletroltico varivel (distncia / rea) !(Padder; Trimmer)

DISPOSIO DAS PLACAS

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CARGA E DESCARGA DO CAPACITOR


Suponha que o capacitor esteja descarregado e em t=0s a chave do circuito abaixo fechada.

As tenses no capacitor e resistor seguem as seguintes equaes: VC=U*(1-e-t/) VR=U*e-t/ onde =RC e chamada de constante de tempo do circuito. Quando t=, a tenso no capacitor atinge 63% da tenso da fonte Eq. 1-16 Eq. 1-17

CIRCUITOS COM CAPACITOR E RESISTOR


Resistor em srie com o capacitor

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Colgio Tcnico de Campinas Resistor em paralelo com o capacitor

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Resistor em srie com capacitor e com um gerador de onda quadrada

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1.7

FILTRO PARA O RETIFICADOR


A tenso de sada de um retificador sobre um resistor de carga pulsante como mostrador por exemplo na Figura 1-26. Durante um ciclo completo na sada, a tenso no resistor aumenta a partir de zero at um valor de pico e depois diminui de volta a zero. No entanto a tenso de uma bateria deve ser estvel. Para obter esse tipo de tenso retificada na carga, torna-se necessrio o uso de filtro. O tipo mais comum de filtro para circuitos retificadores o filtro com capacitor mostrado na Figura 1-27. O capacitor colocado em paralelo ao resistor de carga. Para o entendimento do funcionamento do filtro supor o diodo como ideal e que, antes de ligar o circuito, o capacitor esteja descarregado. Ao ligar, durante o primeiro quarto de ciclo da tenso no secundrio, o diodo est diretamente polarizado. Idealmente, ele funciona como uma chave fechada. Como o diodo conecta o enrolamento secundrio ao capacitor, ele carrega at o valor da tenso de pico UP.

Figura 1-27

Figura 1-28 Logo aps o pico positivo, o diodo pra de conduzir, o que significa uma chave aberta. Isto devido ao fato de o capacitor ter uma tenso de pico UP. Como a tenso no secundrio ligeiramente menor que UP, o diodo fica reversamente polarizado e no conduz. Com o diodo aberto, o capacitor se descarrega por meio do resistor de carga. A idia do filtro a de que o tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o perodo do sinal de entrada. Com isso, o capacitor perder somente uma pequena parte de sua carga durante o tempo que o diodo estiver em corte. O diodo s voltar a conduzir no momento em que a tenso no secundrio iniciar a subir e seja igual a tenso no capacitor. Ele conduzir deste ponto at a tenso no secundrio atingir o valor de pico UP. O intervalo de conduo do diodo chamado de ngulo de conduo do diodo. Durante o ngulo de conduo do diodo, o capacitor carregado novamente at UP . Nos retificadores sem filtro cada diodo tem um ngulo de conduo de 180.

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Na Figura 1-28 mostrada na tenso sob a carga. A tenso na carga agora uma tenso cc mais estvel. A diferena para uma tenso cc pura uma pequena ondulao (Ripple) causada pela carga e descarga do capacitor. Naturalmente, quanto menor a ondulao, melhor. Uma forma de reduzir a ondulao aumentar a constante de tempo de descarga (R.C). Na prtica aumentar o valor do capacitor. Outra forma de reduzir a ondulao optar pelo uso de um retificador de onda completa, no qual a freqncia de ondulao o dobro do meia onda. Neste caso carregado duas vezes a cada ciclo da tenso de entrada e descarrega-se s durante a metade do tempo de um meia onda. Pode-se relacionar a tenso de ondulao na seguinte frmula:

U OND =
onde:

I fC

Eq. 1-18

UOND = tenso de ondulao pico a pico I = corrente cc na carga f = freqncia de ondulao C = capacitncia A escolha de um capacitor de filtro, depende, ento, do valor da tenso de ondulao. Quanto menor, melhor. Mas no vivel que a tenso de ondulao seja zero. Como regra de projeto, o habitual escolher a tenso de ondulao como sendo 10% da tenso de pico do sinal a ser retificado.

CORRENTE DE SURTO (IMPULSIVA)


Instantes antes de energizar o circuito retificador, o capacitor do filtro est descarregado. No momento em que o circuito ligado, o capacitor se aproxima de um curto. Portanto, a corrente inicial circulando no capacitor ser muito alta. Este fluxo alto de corrente chamado corrente de surto. Neste momento o nico elemento que limita a carga a resistncia dos enrolamentos e a resistncia interna dos diodos. O pior caso, o capacitor estar totalmente descarregado e o retificador ser ligado no instante em que a tenso da linha mxima. Assim a corrente ser:

I SURTO =

UP R ENROLAMENTO + R DIODO

Eq. 1-19

Esta corrente diminui to logo o capacitor v se carregando. Em um circuito retificador tpico, a corrente de surto no uma preocupao. Mas, quando a capacitncia for muito maior do que 1000uF, a constante de tempo se torna muito grande e pode levar vrios ciclos para o capacitor se carregar totalmente. Isto tanto pode danificar os diodos quanto o capacitor. Um modo de diminuir a corrente de surto incluir um resistor entre os diodos e o capacitor. Este resistor limita a corrente de surto porque ele somado ao enrolamento e resistncia interna dos diodos. A desvantagem dele , naturalmente, a diminuio da tenso de carga cc.

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1.8

DIODO ZENER
O diodo zener um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso de ruptura. Abaixo mostrado a curva caracterstica do diodo zener e sua simbologia.

O diodo zener se comporta como um diodo comum quando polarizado diretamente. Mas ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas prximas a tenso de ruptura. A sua principal aplicao a de conseguir uma tenso estvel (tenso de ruptura). Normalmente ele est polarizado reversamente e em srie com um resistor limitador de corrente. Graficamente possvel obter a corrente eltrica sob o zener com o uso de reta de carga.

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DIODO ZENER IDEAL


O zener ideal aquele que se comporta como uma chave fechada para tenses positivas ou tenses negativas menores que VZ . Ele se comportar como uma chave aberta para tenses negativas entre zero e VZ . Veja o grfico abaixo

SEGUNDA APROXIMAO
Uma Segunda aproximao considera-lo como ideal mas que a partir da tenso de ruptura exista uma resistncia interna.

CORRENTE MXIMA NO ZENER PZ = VZ * I Z


Exemplo 1-3: Se um diodo zener de 12V tem uma especificao de potncia mxima de 400mW, qual ser a corrente mxima permitida? SOL.:

I ZMXIMA =

400mW = 33,33mA 12V

Este zener suporta at 33,3mA. Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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REGULADOR DE TENSO COM ZENER


Objetivo: manter a tenso sobre a carga constante e de valor Vz.

Tenso na carga enquanto o diodo cortado

VRL =

RL * VS RS + RL
VRL=VZ

Eq. 1-20

Com o diodo conduzindo reversamente Eq. 1- 21 Corrente sob RS.

IS =
sob RL

VS VZ RS

Eq. 1- 22

IL=VZ/RL sob o zener IS=IZ+IL Tenso de Ripple na carga (VL) Considerando RZ<<RL, RS ! IZ=IS - IL

Eq. 1- 23 Eq. 1- 24

VL =

RZ * VS RS

Eq. 1- 25

VS - variao de entrada RZ - resistncia do zener RS - resistncia da entrada

CLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS. RS <

VSMIN VZ I LMAX + I ZMIN

Eq. 1- 25

garante a corrente mnima para a carga

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Eq. 1- 26

RS >

VSMAX VZ I LMIN + I ZMAX

garante que sob o zener no circule uma corrente maior que IZMAX

Exemplo 1-4: Um regulador zener tem uma tenso de entrada de 15V a 20V e a corrente de carga de 5 a 20mA. Se o zener tem VZ=6,8V e IZMAX=40mA, qual o valor de RS? SOL.: RS <(15-6,8)/(20m+4m)=342 e RS> (20-6,8)/(5m+40m)=293 293<RS <342

1.9

CIRCUITO COM DIODOS


MULTIPLICADORES DE TENSO
Formado por dois ou mais retificadores que produzem uma tenso cc igual a um mltiplo da tenso de pico da entrada (2Vp, 3Vp, 4Vp)

DOBRADOR DE TENSO DE MEIA ONDA


No pico do semiciclo negativo, D1 est polarizado diretamente e D2 reversamente, isto faz C1 carregar at a tenso Vp. No pico do semiciclo positivo, D1 est polarizado reverso e D2 direto. Pelo fato da fonte e C1 estarem em srie, C2 tentar se carregar at 2Vp. Depois de vrios ciclos, a tenso atravs de C2 ser igual a 2Vp.

Redesenhando o circuito e ligando uma resistncia de carga Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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DOBRADOR DE TENSO DE ONDA COMPLETA

TRIPLICADOR E QUADRIPLICADOR DE TENSO

LIMITADORES
Retira tenses do sinal acima ou abaixo de um dado nvel. Serve para mudar o sinal ou para proteo. set-00

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LIMITADOR POSITIVO (OU CEIFADOR)

LIMITADOR POLARIZADO

ASSOCIAO DE LIMITADORES

USO COMO PROTEO DE CIRCUITOS

1N914 conduz quando a tenso de entrada excede a 5,7V. Este circuito chamado grampo de diodo, porque ele mantm o sinal num nvel fixo.

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GRAMPEADOR CC
O grampeador cc soma uma tenso cc ao sinal (no confundir com grampo de diodo). Por exemplo, se o sinal que chega oscila de -10V a +10V, um grampeador cc positivo produziria uma sada que idealmente oscila de 0 a +20V (um grampeador negativo produziria uma sada entre 0 e -20V).

1.10

EXERCCIOS
Ex. 1-1)Num dado circuito, quando um diodo est polarizado diretamente, sua corrente de 50mA. Quando polarizado reversamente, a corrente cai para 20nA. Qual a razo entre a corrente direta e a reversa? Ex. 1-2)Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta se a tenso de diodo for de 0,7V e a corrente de 100mA? Ex. 1-3)Faa o grfico I*V de um resistor de 2k. marque o ponto onde a corrente de 4mA. Ex. 1-4)Suponha VS=5V e que a tenso atravs do diodo seja 5V. O diodo est aberto ou em curto? Ex. 1-5)Alguma faz com que R fique em curto no circuito ao lado. Qual ser a tenso do diodo? O que acontecer ao diodo? Ex. 1-6)Voc mede 0V atravs do diodo do circuito ao lado. A seguir voc testa a tenso da fonte, e ela indica uma leitura de +5V com relao ao terra (-). O que h de errado com o circuito?

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I (mA) 100

50

.5

1.5

2.5

3,5 V

Ex. 1-7)Uma fonte de tenso de 2,5V leva o diodo a Ter um resistor limitador de corrente de 25. Se o diodo tiver a caracterstica I*V abaixo, qual a corrente na extremidade superior da linha de carga: a tenso na extremidade mais baixa da linha de carga? Quais os valores aproximados da tenso e da corrente no ponto Q? Ex. 1-8)Repita o exerccio anterior para uma resistncia de 50. Descreva o que acontece com a linha de carga. Ex. 1-9)Repita o Ex. 1-7 para uma fonte de tenso de 1,5V. o que acontece com a linha de carga? Ex. 1-10)Um diodo de silcio tem uma corrente direta de 50mA em 1V. Utilize a terceira aproximao para calcular sua resistncia de corpo. Ex. 1-11)A tenso da fonte de 9V e da resistncia da fonte de 1k. Calcule a corrente atravs do diodo

Ex. 1-12)No circuito acima, a tenso da fonte de 100V e a resistncia da fonte de 220. Quais os diodos relacionados abaixo podem ser utilizados? Diodo Prof. Roberto A. Bertoli Vruptura IMX set-00

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ELETRNICA 75V 50V 120V 200mA 1A 35A

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Ex. 1-13)E se eu inverter a polaridade da fonte? Ex. 1-14)No circuito acima qual dever ser o valor de R para se obter uma corrente de diodo de 10mA? (suponha VS=5V) Ex. 1-15)Alguns sistemas como alarme contra roubo, computadores, etc. utilizam uma bateria auxiliar no caso da fonte de alimentao principal falhar. Descreva como funciona o circuito abaixo.

15v fonte

carga

12V

Ex. 1-16)Encontre a capacitncia de um capacitor de placas paralelas se a dimenso de cada placa retangular de 1x0,5 cm, a distncia entre as placas 0,1mm e o dieltrico o ar. Depois, encontre a capacitncia tendo a mica como dieltrico. Ar=8,85x10-12 F/m mica=5xar Vidro=7,5xar cermica=7500xar

Ex. 1-17)Encontre a distncia entre as placas de um capacitor de 0,01F de placas paralelas, se a rea de cada placa 0,07 m2 e o dieltrico o vidro. Ex. 1-18)Um capacitor possui como dieltrico um disco feito de cermica com 0,5 cm de dimetro e 0,521 mm de espessura. Esse disco revestido dos dois lados com prata, sendo esse revestimento as placas. Encontre a capacitncia. Ex. 1-19)Um capacitor de placas paralelas de 1 F possui um dieltrico de cermica de 1mm de espessura. Se as placas so quadradas, encontre o comprimento do lado de uma placa. Ex. 1-20)No instante t=0s, uma fonte de 100V conectada a um circuito srie formado por um resistor de 1k e um capacitor de 2F descarregado. Qual : A tenso inicial do capacitor? A corrente inicial? tempo necessrio para o capacitor atingir a tenso de 63% do seu valor mximo? Ex. 1-21)Ao ser fechada, uma chave conecta um circuito srie formado por uma fonte de 200V, um resistor de 2M e um capacitor de 0,1F descarregado. Encontre a tenso no capacitor e a corrente no instante t=0,1s aps o fechamento da chave. Ex. 1-22)Para o circuito usado no problema 6, encontre o tempo necessrio para a tenso no capacitor atingir 50V. Depois encontre o tempo necessrio para a tenso no capacitor aumentar mais 50V (de 50V para 100V). Compare os resultados. Ex. 1-23)Um simples temporizador RC possui uma chave que quando fechada conecta em srie uma fonte de 300V, um resistor de 16M e um capacitor descarregado de 10F. Encontre o tempo entre a abertura e o fechamento. Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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Ex. 1-24)Um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada, tem uma tenso de pico na sada de 25V. Se a resistncia de carga for de 220 e a capacitncia de 500F, qual a ondulao de pico a pico (Ripple)? Ex. 1-25)A figura abaixo mostra uma fonte de alimentao dividida. Devido derivao central aterrada, as tenses de sada so iguais e com polaridade oposta. Quais as tenses de sada para uma tenso do secundrio de 17,7Vac e C=500F? Qual a ondulao de pico a pico? Quais as especificaes mnima de ID e VZ ? qual a polaridade de C1 e C2?

Ex. 1-26)Voc mede 24Vac atravs dos secundrio da figura abaixo. Em seguida voc mede 21,6Vac atravs do resistor de carga. Sugira alguns problemas possveis.

Ex. 1-27)Voc est construindo um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada. As especificaes so uma tenso de carga de 15V e uma ondulao de 1V para uma resistncia de carga de 680. Qual a tenso em rms no enrolamento do secundrio? Qual deve ser o valor do capacitor de filtro? Ex. 1-28)A fonte de alimentao dividida da figura 1 tem uma tenso do secundrio de 25Vac. Escolha os capacitores de filtro, utilizando a regra dos 10 por cento para a ondulao.

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Ex. 1-29)A tenso do secundrio na figura abaixo de 25Vac. Com a chave na posio mostrada, qual a tenso de sada ideal? Com a chave na posio mais alta, qual a tenso de sada ideal?

Ex. 1-30)O ampermetro da figura abaixo tem uma resistncia de medidor de 2k e uma corrente para fundo de escala de 50A. Qual a tenso atravs desse ampermetro quando ele indicar fundo de escala? Os diodos s vezes so ligados em derivao (Shunted) atravs do ampermetro, como mostra a figura 4. Se o ampermetro estiver ligado em srie com um circuito, os diodos podem ser de grande utilidade. Para que voc acha que eles podem servir?

Ex. 1-31)Dois reguladores zener esto ligados em cascata. O primeiro tem um Rs=680 e um Rz=10. O segundo tem um Rs=1,2k e Rz=6. Se o Ripple da fonte for de 9V de pico a pico, qual Ripple na sada? Ex. 1-32)Na figura abaixo, o 1N1594 tem uma tenso de zener de 12V e uma resistncia zener de 1,4. Se voc medir aproximadamente 20V para a tenso de carga, que componente voc sugere que est com defeito? Explique por qu?

Ex. 1-33)Projete um regulador zener que preencha as seguintes especificaes: tenso da carga de 6,8V, tenso da fonte de 20V !20%, e corrente de carga de 30mA !50%. Ex. 1-34) para VRL =4,7V e IZMAX=40mA. Quais valores VS pode assumir?

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Ex. 1-35)No exerccio anterior qual a tenso na carga para cada uma das condies abaixo: diodo zener em curto diodo zener aberto resistor em srie aberto resistor de carga em curto O que ocorre com VL e com o diodo zener se o resistor em srie estiver em curto? Ex. 1-36)Qual o sinal de sada?

Ex. 1-37)Qual o sinal sob VL?

Ex. 1-38)Um regulador zener tem Vz = 15V e Izmax=100mA. VS pode variar de 22 a 40V. RL pode variar de 1k a 50k. Qual o maior valor que a resistncia srie pode assumir? Ex. 1-39)Um diodo zener tem uma resistncia interna de 5. Se a corrente variar de 10 a 20mA, qual a variao de tenso atravs do zener? Ex. 1-40)Uma variao de corrente de 2mA atravs do diodo zener produz uma variao de tenso de 15mV. Qual o valor da resistncia? Ex. 1-41)Qual o valor mnimo de RS para o diodo no queimar (VZ=15V e PZMAX=0,5W)?

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Ex. 1-42)no exerccio anterior, se RS= 2k, qual a corrente sobre o zener, e qual a potncia dissipada no zener? Ex. 1-43)Qual o valor de Iz para RL= 100k, 10k e 1k?

Ex. 1-44)No exerccio anterior suponha que a fonte tenha um Ripple de 4V. Se a resistncia zener for de 10, qual o Ripple de sada? Ex. 1-45)Dois reguladores zener esto ligados em cascata. O primeiro tem uma resistncia em srie de 680 e um Rz=6. O segundo tem uma resistncia srie de 1k2 e Rz=6. Se a ondulao da fonte for 9V de pico a pico, qual a ondulao na sada?

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TRANSISTOR BIPOLAR
Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrnica que so muitos fracos, como por exemplo, as correntes eltricas que circulam no corpo humano, o sinal de sada de uma cabea de gravao, etc., e para transforma-los em sinais teis torna-se necessrio amplifica-los. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento principal nesta tarefa. Em 1951, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de juno, como uma alternativa em relao as vlvulas, para realizar as funes de amplificao, deteco, oscilao, comutao, etc. A partir da o desenvolvimento da eletrnica foi imenso. Dentre todos os transistores, o bipolar muito comum, com semelhanas ao diodo estudado anteriormente, com a diferena de o transistor ser formado por duas junes pn, enquanto o diodo por apenas uma juno.

2.1

FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES


O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutor dopado. Dois cristais tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O primeiro chamado de transistor npn e o segundo de pnp. Na Figura 2-1 so mostrados de maneira esquemtica os dois tipos:

Figura 2-1 Cada um dos trs cristais que compe o transistor bipolar recebe o nome relativo a sua funo. O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos outros dois cristais, levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade recebe o nome de emissor por emitir portadores de carga, fortemente dopado e finalmente o ltimo cristal tem o nome de coletor por receber os portadores de carga, tem uma dopagem mdia. Apesar de na Figura 2-1 no distinguir os cristais coletor e emissor, eles diferem entre si no tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes, uma entre o emissor a base, e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda comumente designado diodo emissor - base (ou s emissor) e o da direita de coletor - base (ou s coletor). Ser analisado o funcionamento do transistor npn. A anlise do transistor pnp similar ao do npn, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so lacunas em vez dos eltrons livres. Na prtica isto significa tenses e correntes invertidas se comparadas com o npn.

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TRANSISTOR NO POLARIZADO

Figura 2-2 A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo. Cada camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V (silcio) em 25C. Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo tem larguras diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra pouco na regio do emissor, bastante na base e mdio na regio do coletor. A

Figura 2-2 mostra as camadas de depleo nas junes do transistor npn.

POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN


As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente.

JUNES COM POLARIZAO DIRETA


Na Figura 2-3 a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e a bateria B2 polariza diretamente o diodo coletor. Os eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente eltrica alto nas duas junes.

Figura 2-3

JUNES COM POLARIZAO REVERSA


Na Figura 2-4 os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizado. A corrente eltrica circulando pequena (corrente de fuga).

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Figura 2-4

JUNES COM POLARIZAO DIRETA - REVERSA


Na Figura 2-5 o diodo coletor est reversamente polarizado e diodo emissor diretamente polarizado. A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece, nos dois diodos as correntes so altas.

Figura 2-5 No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os eltrons do emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emissor (VBE) for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na regio da base. Estes eltrons na base podem retornar ao plo negativo da bateria B1, ou atravessar a juno do coletor passando a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retornam a bateria B1 so chamados de corrente de recombinao. Ela pequena porque a base pouco dopada. Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno basecoletor. Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores majoritrios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres. Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo penetram na regio de coletor. L os eltrons livres so atrados para o plo positivo da bateria B2. Em suma, com a polarizao direta do diodo emissor, injetado uma alta corrente em direo a base. Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao plo negativo da bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o plo positivo da bateria B2. Ver Figura 2-6. Obs. Considerar a tenso coletor - base (VCB) bem maior que a tenso emissor - base (VBE).

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Figura 2-6

TRANSISTOR PNP
No transistor pnp as regies dopadas so contrrias as do transistor npn. Isso significa que as lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres. O funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase igual a do emissor. A corrente de base muito menor que essas duas correntes. Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diodos e capacitores polarizados. E o funcionamento ser idntico ao modelo npn. Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados so sempre os com transistores npn.

AS CORRENTES NO TRANSISTOR

Figura 2-7

A Figura 2-7 Figura 2-7 mostra o smbolo esquemtico para um transistor pnp e npn. A diferenciao a nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A direo da seta mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura mostrado tambm o sentido das correntes convencionais IB , IC e IE . A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num n igual a soma das que saem. Ento: IE = IC + IB Eq. 2- 1 A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base chamada de ganho de corrente CC : Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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Eq. 2- 2

CC =

IC IB

Em geral mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor praticamente igual a corrente de coletor. O parmetro cc de um transistor indica a relao entre a corrente de emissor e coletor:

CC =

IC IE

Eq. 2- 3

Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto o cc. Pode-se relacionar o cc com o CC : !CC = !CC /(1 - !CC ) Eq. 2- 4

TESTE DE DIODOS E TRANSISTORES.


Uma maneira simples mostrada a seguir para se testar diodos e transistores utilizando um ohmmetro. Teste de funcionamento de um diodo com um ohmmetro. 1. Encosta-se a ponta de prova negativa no ctodo 2. Encosta-se a ponta de prova positiva no nodo O ohmmetro deve indicar resistncia baixa. 3. Inverte-se as pontas de provas, a resistncia deve ser alta. Teste de funcionamento de um transistor npn com um ohmmetro 1. Encosta-se a ponta de prova negativa na base do transistor 2. Encosta-se a ponta de prova positiva no coletor do transistor O ohmmetro deve indicar resistncia alta. 3. Muda-se a ponta de prova positiva para o emissor do transistor O ohmmetro deve indicar resistncia alta. 4. Inverte-se as pontas de provas, isto , encosta-se a positiva na base e repete os itens 2 e 3. As resistncias devem ser baixas. Isto vlido para os multmetros digitais. Em geral, nos multmetros analgicos, a ponta de prova positiva est ligada ao plo negativo da bateria.

MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR


Na Figura 2-8, o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao emissor. Neste caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. Alm da montagem em emissor comum, existem a montagem em coletor comum e base comum, analisadas mais a frente. O circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que contm a tenso VBE e malha da direita com a tenso VCE.

VS = R S I B + VBE VCC = I C R C + VCE

Eq. 2- 5 Eq. 2- 6

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Figura 2-8

RELAO IB VERSUS VBE


Existe uma relao entre IB e VBE, ou seja, para cada IB existe uma tenso VBE correspondente (Figura 2-9). Naturalmente, esta curva semelhante a curva do diodo.

Figura 2-9

RELAO IC VERSUS VCE


A partir de VCC e VS possvel obter diversos valores de IC e VCE . a Figura 2-10 mostra esta relao supondo um IB fixo.

Figura 2-10

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A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem e o joelho. A parte plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do VCE no influencia no valor de IC. IC mantm-se constante e igual a IB CC. A parte final a regio de ruptura e deve ser evitada. Na regio de saturao o diodo coletor est polarizado diretamente. Por isso, perde-se o funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena resistncia hmica entre o coletor e emissor. Na saturao no possvel manter a relao IC=IB CC. Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa, necessrio uma polarizao reversa do diodo coletor. Como VBE na regio ativa em torno de 0,7V, isto requer um VCE maior que 1V. A regio de corte um caso especial na curva IC x VCE. quando IB =0 (eqivale ao terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto designada por ICEO (corrente de coletor para emissor com base aberta). Esta corrente muito pequena, quase zero. Em geral se considera: Se IB=0 !IC =0. O grfico da Figura 2-10, mostra a curva IC x VCE para um dado IB. Habitualmente o grfico fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos IBs. Um exemplo est na Figura 2-11. Notar no grfico que para um dado valor de VCE existem diversas possibilidades de valores para IC. Isto ocorre, porque necessrio ter o valor fixo de IB. Ento para cada IB h uma curva relacionando IC e VCE. No grfico de exemplo, a tenso de ruptura est em torno de 80V e na regio ativa para um IB=40A tem-se que o CC=IC/IB = 8mA/40A=200. Mesmo para outros valores de IB, o CC se mantm constante na regio ativa. Na realidade o CC no constante na regio ativa, ele varia com a temperatura ambiente e mesmo com IC. A variao de CC pode ser da ordem de 3:1 ao longo da regio ativa do transistor. Na Figura 2-12 mostrado um exemplo de variao de CC. Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores. Sendo a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada), designa-se os circuitos com transistores na regio ativa de circuitos lineares. As regies de corte e saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente de base, so amplamente usados em circuitos digitais.

Figura 2-11

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Figura 2-12

O MODELO DE EBERS-MOLL
Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se dificuldade em trabalhar com o transistor a nvel de malhas. Uma opo a de se criar um circuito equivalente para o transistor usando componentes mais simples como fonte ou resistor. O modelo de Ebers-Moll um circuito equivalente do transistor levando em considerao que ele esteja trabalhando na regio ativa, ou seja: o diodo emissor deve estar polarizado diretamente; o diodo coletor deve estar polarizado reversamente e a tenso do diodo coletor deve ser menor do que a tenso de ruptura. Veja Figura 2-13. O modelo faz algumas simplificaes: 1. VBE =0,7V 2. IC=IE !IB=IE/ !CC 3. despreza a diferena de potencial produzida pela corrente de base ao atravessar a resistncia de espalhamento da base .

Figura 2-13 Modelo Ebers-Moll

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POLARIZAO DE TRANSISTORES
Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funes e os transistores para cada funo tem um ponto de funcionamento correto. Este captulo estuda como estabelecer o ponto de operao ou quiescente de um transistor. Isto , como polariza-lo.

3.1

RETA DE CARGA
A Figura 3-1 mostra um circuito com polarizao de base. O problema consiste em saber os valores de correntes e tenses nos diversos componentes. Uma opo o uso da reta de carga.

Figura 3-1 a conceito de reta de carga estudado no captulo sobre diodos, tambm se aplica a transistores. usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e VCE considerando a existncia de um RC. A anlise da malha esquerda fornece a corrente IC: IC = (VCC - VCE )/ RC Eq. 3- 1 Nesta equao existem duas incgnitas, IC e VCE. A soluo deste impasse utilizar o grfico IC x VCE. Com o grfico em mos, basta Calcular os extremos da reta de carga: VCE = 0 !IC = VCC / RC ponto superior IC = 0 !VCE = VCC ponto inferior Eq. 3- 2 Eq. 3- 3

A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE. Exemplo 3-1 No circuito da Figura 3-1 suponha RB= 500 Construa a linha de carga no grfico da Figura 3-2 e mea IC e VCE de operao. SOL.: Os dois pontos da reta de carga so: VCE = 0 !IC = VCC / RC (15 )/1k5 = 10mA ponto superior IC = 0 !VCE = VCC = 15V ponto inferior O corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB:

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IB =

15 0,7 = 29A 500K

Figura 3-2 Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q- ponto quiescente). O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte. Ver Figura 3-3 O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 conhecido como corte. Nesse ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena (ICEO ). A interseo da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) chamada saturao. Nesse ponto a corrente de coletor mxima.

Figura 3-3 Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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3.2

O TRANSISTOR COMO CHAVE


A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave, significando uma operao na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de carga. Quando o transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do coletor para o emissor. Quando o transistor est cortado, como uma chave aberta.

CORRENTE DE BASE
A corrente de base controla a posio da chave. Se IB for zero, a corrente de coletor prxima de zero e o transistor est em corte. Se IB for IB(SAT) ou maior, a corrente de coletor mxima e o transistor satura. Saturao fraca significa que o transistor est levemente saturado, isto , a corrente de base apenas suficiente para operar o transistor na extremidade superior da reta de carga. No aconselhvel a produo em massa de saturao fraca devido variao de CC e em IB(SAT). Saturao forte significa dispor de corrente da base suficiente para saturar o transistor para todas as variaes de valores de CC. No pior caso de temperatura e corrente, a maioria dos transistores de silcio de pequeno sinal tem um CC maior do que 10. Portanto, uma boa orientao de projeto para a saturao forte de considerar um CC(SAT)=10, ou seja, dispor de uma corrente de base que seja de aproximadamente um dcimo do valor saturado da corrente de coletor. Exemplo 3-2 A Figura 3-4 mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado por uma tenso em degrau. Qual a tenso de sada? SOL.: Quando a tenso de entrada for zero, o transistor est em corte. Neste caso, ele se comporta como uma chave aberta. Sem corrente pelo resistor de coletor, a tenso de sada iguala-se a +5V.

Figura 3-4 Quando a tenso de entrada for de +5V, a corrente de base ser:

IB =

5 0,7 = 1,43mA 3K

Supondo o transistor com um curto entre coletor e o emissor (totalmente saturado). A tenso de sada vai a zero e a corrente de saturao ser:

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I C (SAT ) =

5 = 15,2mA 330

Isto aproximadamente 10 vezes o valor da corrente de base, ou seja, certamente h uma saturao forte no circuito. No circuito analisado, uma tenso de entrada de 0V produz uma sada de 5V e uma tenso de entrada de 5V, uma sada de 0V. Em circuitos digitais este circuito chamado de porta inversora e tem a representao abaixo:

Exemplo 3-3 Recalcule os resistores RB e RC no circuito da Figura 3-4 para um IC=10mA. SOL.: Clculo de IB Se IC =10mA ! IB (sat) = IC / CC(SAT) = 10m /10 = 1,0mA Clculo de RC ao considerar o transistor saturado, o VCE de saturao prximo de zero. RC = VCC / IC = 5 /10mA = 500 Clculo de RB RB = VE - VBE / IB = 5 - 0.7 / 1mA = 4k3

3.3

O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE


A Figura 3-5 mostra um transistor como fonte de corrente. Ele tem um resistor de emissor RE entre o emissor e o ponto comum. A corrente de emissor circula por esse resistor produzindo uma queda de tenso de IE RE.

Figura 3-5 A soma das tenses da malha de entrada da : VBE + IE RE - VS = 0 logo, IE

IE =

VS VBE RE

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Como VBE, VS, e RE so aproximadamente constantes, a corrente no emissor constante. Independe de CC, RC ou da corrente de base.

3.4

O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR


CIRCUITOS DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM
Fontes de alimentao e resistores polarizam um transistor, isto , eles estabelecem valores especficos de tenses e correntes nos seus terminais, determinando, portanto, um ponto de operao no modo ativo (o ponto de operao). A Figura 3-6 mostra o circuito de polarizao por base j estudado anteriormente, a principal desvantagem dele a sua susceptibilidade variao do CC. Em circuitos digitais, com o uso de CC(SAT), isto no problema. Mas em circuitos que trabalham na regio ativa, o ponto de operao varia sensivelmente com o CC. Pois: IC = CC IB .

Figura 3-6

POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO


O circuito mais usado em amplificadores chamado de polarizao por divisor de tenso. A Figura 3-7 mostra o circuito. A principal evoluo do circuito em relao ao polarizao por base de fixar uma tenso na base, via os resistores R1 e R2. O valor de I deve ser bem maior que IB para a corrente IB no influenciar na tenso sob R2. Como regra prtica, considerar a corrente I 20 vezes maior que IB. Para a anlise da tenso em VR2, observar que R1 e R2 formam um divisor de tenso. Supondo I>> IB:

VR 2 =

R2 VCC R1 + R 2

Eq. 3- 4 Figura 3-7

* a tenso VR2 no depende de CC Com o valor de VR2 simples o clculo de IE. Deve-se olhar a malha de entrada:

VR 2 = VBE + VE
como VE = IE RE

Eq. 3- 5

IE =
Anlise da malha de sada:

VR 2 VBE RE

Eq. 3- 6

VCC = R C I C + VCE + R E I E
considerando IE = IC Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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Eq. 3- 7 Eq. 3- 8

VCC = I C (R C + R E ) + VCE IC = VCC VCE R C + RE

Notar que CC no aparece na frmula para a corrente de coletor. Isto quer dizer que o circuito imune a variaes em CC, o que implica um ponto de operao estvel. Por isso a polarizao por divisor de tenso amplamente utilizada. Exemplo 3-4 Encontre o VB, VE, VCE e IE para o circuito da Figura 3-8. SOL.: Clculo de VR2 a partir da Eq. 3-4

VB = VR 2 =
Clculo de IE a partir da Eq. 3-6

1K 30 = 3,85V 6K8 + 1K

IE =
clculo de VE

3,85 0,7 = 4,2mA 750

VE = IE RE = 4,2m*750= 3,15V clculo de VCE a partir da Eq. 3-7 VCE = 30- 4,2m*(3k+750)=14,3V

REGRAS DE PROJETO
Sempre ao polarizar um transistor, deseja-se manter o ponto Q de operao fixo independente de outros parmetros externos. ou seja, espera-se um divisor de tenso estabilizado. Para minimizar o efeito do CC, considerar:

R 2 0,01 CC R E

Eq. 3- 9

onde o valor de CC o do pior caso, ou seja, o menor CC que o transistor pode ter. O defeito desta regra, o fato de um baixo R2 influenciar negativamente na impedncia de entrada. Ento como opo podese considerar

R 2 0,1 CC R E

Eq. 3- 10

assim R2 ser maior, mas com possibilidade de degradao na Figura 3-8 estabilidade do ponto Q. Quando se segue a regra da Eq. 3-10 designa-se o circuito de polarizao por divisor tenso firme e quando se segue a regra da Eq. 3-9 polarizao por divisor de tenso estabilizado. Na escolha do ponto de operao da curva IC x VCE, deve-se dar preferncia a um ponto central, isto , VCE =0,5 VCC ou IC =0,5 IC(SAT). De forma que o sinal possa excursionar ao mximo tanto com o aumento de IB quanto com a diminuio. Por ltimo, aplicar a regra de VE ser um decimo de VCC. VE = 0,1 VCC Exemplo 3-5 Polarizar um transistor por diviso de tenso firme. Dados: Prof. Roberto A. Bertoli set-00 Eq. 3- 11

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ELETRNICA VCC= 10V, IC= 10mA e CC= 100

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SOL.: Clculo de RE aplicando a regra da Eq. 3-11 VE= 0,1*10=1V I E= IC RE= VE/ IE = 100 clculo de RC a partir da Eq. 3-8 e VCE= 0,5 VCC

RC =
clculo de R2 a partir da Eq. 3-10

10 5 100 = 400 10m

R 2 0,1 * 100 * 100 = 1000


R2 = 1000 clculo de R1 Eq. 3-4

VR 2 =

R2 1000 VCC = 1,0 + 0,7 = * 10 R1 + R 2 1000 + R 1


R1 = 4888=4k7

3.5

EXERCCIOS
Ex. 3-1) No circuito da figura abaixo, encontre as tenses VE e VCE de cada estgio.

Ex. 3-2) Projete um circuito de polarizao por divisor de tenso com as seguintes especificaes: VCC = 20V, IC = 5mA, 80< CC < 400. Considere VE = 0,1 VCC e VCE = VCC /2 Ex. 3-3) O transistor da figura abaixo tem um CC =80. Qual a tenso entre o coletor e o terra? Desenhe a linha de carga. Para CC = 125, calcule a tenso na base, a tenso no emissor e a tenso de coletor.

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Ex. 3-4) Qual a tenso do emissor e do coletor (os dois em relao ao terra) para cada estgio do circuito abaixo, sendo VCC = 10V.

Ex. 3-5) No exerccio anterior, suponha VCC = 20V e calcule de cada estgio: VB, VE, VC e IC . Ex. 3-6) Ainda em relao ao exerccio 4. Considere VCC =20V. Indique o que ocorre com a tenso do coletor Q1 (aumenta, diminui, no altera) se: 1k8 aberto coletor emissor do Q1 em curto 240 aberto 240 em curto 300 em curto 1k aberto 910 aberto Indique o que ocorre com a tenso do coletor Q1 (aumenta, diminui, no altera) se: 1k aberto 180 aberto 620 aberto coletor emissor de Q3 em curto 150 aberto 1k em curto 180 em curto 620 em curto coletor emissor de Q3 aberto 150 em curto

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4
4.1

AMPLIFICADORES DE SINAL
AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM
No captulo anterior foi estudado a polarizao dos transistores. Neste captulo considerase os transistores devidamente polarizados com seus pontos de operao prximos a meio da reta de carga para uma mxima excurso do sinal de entrada sem distoro. Ao injetar um pequeno sinal ca base do transistor, ele se somara a tenses cc de polarizao e induzir flutuaes na corrente de coletor de mesma forma e freqncia. Ele ser chamado de amplificador linear (ou de alta-fidelidade - Hi-Fi) se no mudar a forma do sinal na sada. Desde que a amplitude do sinal de entrada seja pequena, o transistor usar somente uma pequena parte da reta de carga e a operao ser linear. Por outro lado se o sinal de entrada for muito grande, as flutuaes ao longo da reta de carga levaro o transistor saturao e ao corte Um circuito amplificador mostrado na Figura 4-2. A polarizao por divisor de Figura 4-1 tenso. A entrada do sinal acoplada base do transistor via o capacitor C1 e a sada do sinal acoplada carga RL atravs do capacitor C2. O capacitor funciona como uma chave aberta para corrente cc e como chave fechada para a corrente alternada. Esta ao permite obter um sinal ca de uma estgio para outro sem perturbar a polarizao cc de cada estgio.

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CAPACITOR DE ACOPLAMENTO
O capacitor de acoplamento faz a passagem de um sinal ca de um ponto a outro, sem perda significativa do sinal. Por exemplo na Figura 4-3 a tenso ca no ponto A transmitida ao ponto B. Para no haver atenuao aprecivel do sinal, a capacitncia reativa XC, comparada com a resistncia em srie (RTH e RL ), precisa ser bem menor. Quanto menor a reatncia capacitiva, melhor ser o acoplamento, naturalmente no possvel uma reatncia nula. Se a reatncia for no mximo 10% da resistncia total tem-se um acoplamento estabilizado. A frmula da reatncia capacitiva :

Figura 4-3

XC =

1 2fC

Eq. 4- 1

Na Eq. 4-1, h duas incgnitas, a freqncia e a capacitncia. Num amplificador existe um faixa de freqncias de operao, a escolha deve recair para o pior caso, ou seja, a menor freqncia do sinal. A resistncia total (R) a soma de RL e RTH. Para um acoplamento estabilizado X C 0,1R . ento a capacitncia ser:

1 0,2f MENOR R

Eq. 4- 2

Exemplo 4-1 Suponha o projeto de um estgio com transistor na faixa de udio, 20 Hz a 20kHz. O sinal de entrada entra no estgio via capacitor de acoplamento. Qual o valor mnimo para o capacitor se ele perceber uma resistncia total de 10 k? SOL.: Clculo do XC ! X C 0,1R =0,1*1000=100 A escolha da freqncia recai sobre a de menor valor f=20Hz.

1 = 79,9F ! A capacitncia deve ser igual ou maior que 79,9F 0,2 * * 20 * 1000

CAPACITOR DE DESVIO
Um capacitor de desvio semelhante a um capacitor de acoplamento, exceto que ele acopla um ponto qualquer a um ponto aterrado, como mostra a Figura 44. O capacitor funciona idealmente como um curto para um sinal ca. O ponto A est em curto com o terra no que se refere ao sinal ca. O ponto A designado de terra ca. Um capacitor de desvio no perturba a tenso cc no ponto A porque ele fica aberto para corrente cc. O capacitor C3 da Figura 4-2 um exemplo de capacitor de desvio. A sua funo no circuito a de aterrar o emissor para sinais ca e no interferir na polarizao cc. Figura 4-4

A menos que se diga o contrrio, todos os capacitores de acoplamento e desvio so considerados estabilizados e segue a regra XC <= 0,1R. Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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TEOREMA DA SUPERPOSIO PARA AMPLIFICADORES


Num amplificador transistorizado, a fonte cc estabelece correntes e tenses quiescentes. A fonte ca produz ento, flutuaes nessas correntes e tenses. O jeito mais simples de anlise do circuito dividindo a anlise em duas partes: uma anlise cc e uma anlise ca. Em outras palavras, aplica-se o teorema da superposio. O teorema da superposio diz que se pode calcular os efeitos produzidos no diversos pontos de um circuito para cada fonte de alimentao funcionando sozinha. O efeito total ser a soma de cada efeito individual.

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC.


O circuito da Figura 4-2 tem duas fontes de alimentao (VCC e VS). Cria-se o circuito devido a fonte cc denominado equivalente cc. E depois o circuito devido a fonte ca denominado equivalente ca.

EQUIVALENTE CC
Anlise do circuito considerando a fonte VCC e desprezando a fonte VS. Somente correntes cc atuam neste caso e, portanto, os capacitores so desprezados. Seqncia: Reduzir a fonte ca a zero (considerar a fonte VS em curto). Abrir todos os capacitores. A Figura 4-5 mostra o circuito equivalente cc.

Figura 4-5

EQUIVALENTE CA
Anlise do circuito considerando a fonte VS e desprezando a fonte VCC. Somente correntes ca atuam neste caso e, portanto, os capacitores so considerados em curto. Seqncia: Reduzir a fonte cc a zero (considerar a fonte VCC em curto). Todos os capacitores em curto. A Figura 4-6 mostra o circuito equivalente ca. Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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Figura 4-6 A corrente total em qualquer ramo a soma das correntes cc e ca. Igualmente a tenso total em qualquer ponto soma das tenses cc e ca.

NOTAO
A partir daqui, conveniente distinguir os sinais contnuos dos alternados. Para isto as variveis com suas letras e ndices passam a ter a seguinte conveno: letra e ndices maisculos para as quantidades cc.! IC, VE, VCC. Letras e ndices minsculos para as quantidades ca.! ic, ve, vs. Sinal negativo para indicar tenses ou correntes senoidais 180 fora de fase. Figura 4-7

Figura 4-7

RESISTNCIA CA DO DIODO EMISSOR


Ao polarizar corretamente o transistor, o modelo Ebers-Moll uma alternativa boa e simples de representao do transistor. At agora, o VBE foi aproximado para 0,7V. O modelo continua vlido para pequenos sinais alternados, com uma alterao no diodo emissor. A Figura 4-8 mostra a curva do diodo relacionando IE e VBE. Na ausncia de um sinal ca o transistor funciona no ponto Q, geralmente localizado no meio da linha de carga cc. Quando um sinal ca aciona o transistor, entretanto, a corrente e a tenso do emissor variam. Se o sinal for pequeno, o ponto de funcionamento oscilar senoidalmente de Q a pico positivo de corrente em A e, a seguir, para um pico negativo em B, e de volta para Q, onde o ciclo se repete.

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Figura 4-8 Um sinal considerado pequeno quando a oscilao de pico a pico na corrente do emissor (ie) for menor do que 10% do valor da corrente quiescente do emissor (IE ). Se o sinal for pequeno, os picos A e B sero prximos de Q, e o funcionamento aproximadamente linear. O arco A e B quase uma linha reta. Logo, o diodo emissor para pequenos sinais ca se apresenta como uma resistncia, chamada de resistncia ca do emissor e pela lei de Ohm:

re' =
onde: re = resistncia ca do emissor

VBE I E

Eq. 4- 3

VBE pequena variao na tenso de base-emissor IE variao correspondente na corrente do emissor. VBE e IE, na verdade so, respectivamente, uma tenso e uma corrente alternada. Rescrevendo:

re' =

v be ie

Eq. 4- 4

vbe = tenso ca atravs dos terminais da base-emissor ie = corrente ca atravs do emissor. A Figura 4-9 mostra o modelo ca Ebers-Moll. Neste modelo, o diodo base-emissor substitudo pela resistncia ca do emissor.

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Figura 4-9 Uma outra maneira de se conseguir o valore de re atravs da seguinte frmula:

re =

25mV IE

Eq. 4- 5

Obs.: re depende s de IE de polarizao.

CA - GANHO DE CORRENTE ALTERNADA


A Figura 4-10 mostra a curva IC x IB. CC a razo entre a corrente de coletor e a corrente de base. Como o grfico no linear, CC depende do valor do ponto Q. O ganho de corrente ca (chamado de ca ou simplesmente ) a relao entre a variao da corrente de coletor e a variao da corrente de base para pequenos sinais em torno do ponto Q.

I C i c = I B i b

Eq. 4- 6

Graficamente a inclinao da curva no ponto Q. Ele pode assumir diversos valores dependendo da posio Q.

4.2

AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO


A Figura 4-11mostra um circuito com um capacitor de desvio ligado ao emissor. O capacitor aterra o emissor em termos de ca. A fonte vs injeta uma pequena onda senoidal base do transistor atravs do capacitor de acoplamento. Esta onda faz variar a tenso de vbe e pela curva da Figura 4-8 induz uma variao no ie. Como a corrente de coletor praticamente igual a corrente de emissor, h uma queda de tenso proporcional no RC. Sendo mais preciso, um pequeno aumento na tenso vs, aumenta a tenso de baseemissor, que por sua vez aumenta a corrente ie, como ic igual a ic, h uma queda de tenso nos terminais do RC o que culmina com uma queda de tenso de vce. Em suma uma variao positiva de vs produz uma variao negativa em vce, isto significa que os sinais de entrada e sada esto defasados de 180. Veja a Figura 4-12.

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Figura 4-10

Figura 4-11

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Figura 4-12 GANHO D E TENSO O ganho de tenso :

AV =

v sada v entrada

Eq. 4- 7

Figura 4-13 A Figura 4-13 mostra o circuito equivalente ca para amplificador da Figura 4-11, o resistor do coletor RC e R1 tem um dos lados aterrado, porque a fonte de tenso VCC aparece como um curto em ca. Por causa do circuito paralelo na entrada, a tenso vs aparece diretamente sobre diodo emissor. Na Figura 4-14 o mesmo circuito ao considerar o modelo Ebers-Moll. A tenso de entrada aparece com uma polaridade mais - menos para indicar o semiciclo positivo. A lei de Ohm aplicada em re:

ie =

vs re'

Eq. 4- 8

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Figura 4-14 na Figura 4-14, a malha do lado direito tem dois resistores em paralelo RC e RL. O resistor equivalente : rC = RL // RC na malha do lado direito a tenso de sada a tenso sobre o resistor equivalente rC.

v sada = i c rC
ento o ganho

Eq. 4- 9

AV =

v sada i r = c 'C v entrada i e re rC re'

Eq. 4- 10

como a corrente do coletor aproximadamente igual a corrente do emissor

AV =

Eq. 4- 11

4.3

REALIMENTAO
Quando uma parte do sinal de sada de um circuito aplicado de volta entrada do mesmo, dizemos que houve uma realimentao no circuito. Quando o sinal aplicado novamente entrada do circuito possui a mesma fase que o sinal existente na entrada, este processo designado como realimentao positiva. Por outro lado, se o sinal reaplicado na entrada tiver fase oposta ao sinal j existente na entrada, o nome dado realimentao negativa. A realimentao negativa mais aplicada nos amplificadores e, a realimentao positiva, na maioria dos circuitos osciladores. A realimentao negativa em amplificadores tem como desvantagem a diminuio do ganho, dado que ela subtrai parcialmente a tenso de entrada. A sua grande vantagem estabilizao do circuito. O prximo item analisa um circuito com realimentao negativa, observando a questo do ganho e da estabilidade.

4.4

AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL


No amplificador de emissor comum a tenso de sada inversamente proporcional a re. E o valor de re depende do ponto de operao. Isto um problema para a tenso de sada, pois, ela se torna susceptvel as variaes de temperatura e troca de transistor.

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Naturalmente nos amplificadores com controle de volume (tenso de entrada), o problema contornvel. Mas nem todos o amplificadores tem este controle. Uma opo para estabilizar o ganho de tenso deixar uma certa resistncia de emissor sem ser desviada. Esse resistor no desviado recebe o nome de resistor de realimentao porque ele produz uma realimentao negativa. Veja Figura 4-15.

Figura 4-15 A corrente ca do emissor deve circular atravs do resistor RE1 antes de passar pelo capacitor de desvio e pelo ponto de aterramento. Sem o resistor de realimentao o diodo emissor recebe toda a tenso ca de entrada (como mostrado na Eq. 4-8). No entanto com a incluso do RE1, a tenso ca aparece no diodo e no RE1. Ou seja:

v s = v be + v R E1
ou

v be = v s v R E1
Quando a tenso de entrada aumenta, a tenso no emissor aumenta. Isso implica que a tenso de realimentao est em fase com a tenso ca de entrada. Como resultado, a tenso ca no diodo emissor menor que antes. A realimentao negativa porque a tenso de realimentao diminui a tenso ca no diodo emissor e portanto a corrente ie. a equao da corrente de emissor : Prof. Roberto A. Bertoli set-00

Figura 4-16

Na Figura 4-16 est o equivalente ca do amplificador com realimentao parcial.

r e

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ie =

vs r + R E1
' e

a tenso de sada o mesmo que da Eq. 4-9:

v sada = i c rC
considerando ic=ie

AV =

v sada i r r = c 'C = ' C v entrada i e re re + R E1

Eq. 4- 12

Em geral o valor de RE1 bem maior que o de re e o ganho de tenso passa a no ser influenciado pelas variaes de re. Em contrapartida, quanto maior o RE1 menor ser o ganho de tenso. Em suma, existe um compromisso entre a estabilidade do ganho de tenso e o valor do ganho.

IMPEDNCIA DE ENTRADA
No circuito da Figura 4-15 a tenso de entrada aplicada diretamente na base do transistor. No entanto, na maioria das aplicaes a fonte vs tem uma resistncia em srie como mostrado na Figura 4-17.

Figura 4-17 Para uma anlise mais detalhada do comportamento ca, deve-se primeiro criar o equivalente ca como mostrado na Figura 4-18. No circuito equivalente, pode-se ver um divisor de tenso do lado da entrada do transistor. Isso significa que a tenso ca na base ser menor que a tenso vs. O divisor de tenso formado pelo resistor RS e os resistores R1 //R2. Mas como na base do transistor entra uma corrente ib, ela deve ser considerada. A resistncia ca vista da base conhecida como impedncia de entrada da base. Abaixo de 100kHz basta considerar os Prof. Roberto A. Bertoli

Figura 4-18

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Colgio Tcnico de Campinas elementos puramente resistivos.

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A impedncia de entrada da base a razo entre a tenso aplicada na base (vb) e a corrente ib.

z base =

vb ib

Eq. 4- 13

Para descobrir a impedncia da base melhor aplicar o modelo de Ebers-Moll no circuito da Figura 4-18.

Figura 4-19 atravs do circuito possvel saber o valor vb em funo de re. vb=iere e a partir da Eq. 4-13:

z base =

v b i e re' i b re' = = = re' ib ib ib

Eq. 4- 14

a impedncia de entrada do estgio (zent) a resultante do paralelo de R1, R2 e zbase.

z ent = R 1 // R 2 // z base = R 1 // R 2 // re' z ent vs R S + z ent

Eq. 4- 15

A tenso ca na base o divisor de tenso RS com a impedncia de entrada do estgio

vb =

Eq. 4- 16

No amplificador com realimentao parcial, aplica-se a mesma regra, a nica diferena a impedncia de entrada da base. Ela ser:

z base = (re' + R E1 ) ESTGIOS EM CASCATA

Eq. 4- 17

Para obter um maior ganho de tenso na sada de um amplificador, usual conectar dois ou mais estgios em srie, como mostra a Figura 4-20. Este circuito chamado de estgios em cascata, porque conecta a sada do primeiro transistor base do seguinte. Abaixo uma seqncia de valores a serem calculados para anlise de um amplificador de dois estgios: 1. a impedncia de entrada do 2 estgio. 2. A resistncia ca do coletor do 1 estgio. Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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3. O ganho de tenso do 1 estgio. 4. A tenso de entrada do 1 estgio 5. O ganho de tenso de 2 estgio. 6. O ganho de tenso total.

Figura 4-20 A polarizao cc analisada individualmente, os capacitores de acoplamento isolam os dois estgios entre si e tambm da entrada vs e sada RL (o resistor de carga pode, por exemplo, estar representando um terceiro estgio). Os dois estgios so idnticos para polarizao cc.
VB= 1,8V VE= 1,1V IE= 1,1mA VC= 6,04V com o valor de IE, tem-se r e : r e = 25mV/ IE= 22,7

ANLISE DO PRIMEIRO ESTGIO


O equivalente ca mostrado na Figura 4-21: O segundo estgio age como uma resistncia de carga sobre o primeiro. O valor desta carga a impedncia de entrada do segundo estgio zentb. Supondo = 100: Figura 4-21

z entb = R 1A // R 2 A // re' = 10k // 2k 2 // 100 * 22,7 = 1k


na Figura 4-21, RC est em paralelo com zentb: rc=RC//zentb=3,6k//1k=783 o ganho de sada do primeiro estgio Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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ELETRNICA AV=-783/22,7=-34,5

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O primeiro e segundo estgios tem a mesma impedncia de entrada

vb =

1k * 1m = 0,625mVpp 1k + 600

logo a tenso ca de sada do primeiro estgio vc=-34,5*o,625=-21,6mVpp

ANLISE DO SEGUNDO ESTGIO


O equivalente ca para o segundo estgio mostrado na Figura 4-22:

Figura 4-22 Por causa do capacitor de acoplamento entre os dois estgios, a tenso ca na base do segundo igual a -21,6mVpp. O segundo estgio tem um ganho de tenso de AV=-2,65k/22,7=-117 por fim, a tenso de sada vsada=-117*-21,6=2,53Vpp.

GANHO DE TENSO TOTAL


O ganho de tenso total a razo entre a tenso de sada do segundo estgio pela tenso de entrada: AVT = vsada 2 est./ventrada 1 est.=2,53/0,625m=4048 ou seja, o ganho de tenso total AVT= AV1AV2 Eq. 4- 18

4.5

AMPLIFICADOR BASE COMUM


A Figura 4-23 mostra um amplificador em base comum (BC), a base ligada ao referencial comum (terra). O ponto Q dado pela polarizao do emissor. Portanto a corrente cc do emissor dada por

IE =

VEE VBE RE

Eq. 4- 19

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O sinal de entrada aciona o emissor e a tenso de sada tomada do coletor. A impedncia de entrada de um amplificador BC aproximadamente igual a

z ent re'
a tenso de sada

Eq. 4- 20

v sada = i c R C
Ela est em fase com a entrada. Como a tenso de entrada igual a

Eq. 4- 21

v ent = i e re'
O ganho de tenso

AV =

icR C i e re'

Eq. 4- 22

O ganho de tenso o mesmo que do amplificador emissor comum sem realimentao parcial, apenas a fase diferente. Idealmente a fonte de corrente tem uma impedncia infinita, e ento, a impedncia de sada de um amplificador BC

z sada = R C

Eq. 4- 23

Uma das razes para o no uso do amplificador BC quanto o EC sua baixa impedncia de entrada. A fonte ca que aciona o amplificador BC v como impedncia de entrada

z entrada = re'
que pode ter um valor bem baixo, em funo de IE.

Eq. 4- 24

Figura 4-23 A impedncia de entrada de um amplificador BC to baixa que ela sobrecarrega quase todas as fontes de sinais. Por isso, um amplificador BC discreto no muito utilizado em baixas freqncias. Seu uso vivel principalmente para freqncias acima de 10MHz, onde as fontes de baixa impedncia so comuns. Exemplo 4-2 Qual a tenso de sada ca da Figura 4-24. RE=20k e RC=10k.

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Figura 4-24 SOL.: A corrente cc no emissor

IE =
e a resistncia ca do emissor de

10 0,7 = 0,465mA 20k

re = 25m/0,465m=53,8 a impedncia de entrada ZENT=53,8 o ganho de tenso levando a carga em considerao

AV =
A tenso de entrada no emissor

10K // 5,1K = 62,8 53,8

v ent =
portanto a tenso na sada

53,8 1m = 0,518mV 50 + 53,8

v sada = A V v ent = 62,8 * 0,518m = 32,5mV

4.6

AMPLIFICADOR COLETOR COMUM


Ao se conectar uma resistncia de carga em um amplificador EC, o ganho de tenso diminu. Quanto menor a resistncia de carga, maior a queda do ganho. Esse problema chamado de sobrecarga. Uma forma de evitar a sobrecarga usar um amplificador cc (coletor comum), tambm conhecido como seguidor de emissor. O seguidor de emissor colocado entre a sada do amplificador EC e a resistncia de carga. A Figura 4-25 mostra um seguidor de emissor. Como o coletor est no terra para ca, ele um amplificador coletor comum (CC). O gerador de sinal est acoplado base do transistor por meio de um capacitor de acoplamento. primeiramente a anlise cc para descobrir o valor da corrente de coletor a malha externa

VCC = VCE + I E R E

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Figura 4-25 isolando a corrente de emissor

IE =

VCC VCE RE

Eq. 4- 25

a Figura 4-26 mostra o circuito ca para o seguidor de emissor

Figura 4-26 o ganho de tenso dado por

AV =
geralmente rE>> re. Ento

v sada i e rE r = = E ' ' v ent i e (rE + re ) rE + re AV 1

Eq. 4- 26

Eq. 4- 27

o uso da Eq. 4-26 ou da Eq. 4-27 depende da preciso desejada no circuito.

IMPEDNCIA DE ENTRADA
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como visto antes, a base se comporta como uma resistncia equivalente de

z ent ( base ) =
do equivalente ca a corrente de emissor ca

vb ib

Eq. 4- 28

ie =

vb re + re'

a resistncia rE o equivalente do paralelo RE com RL. Isolando vb

v b = i e re + re'
inserindo a Eq. 4-29 na Eq. 4-28

Eq. 4- 29

z ent ( base ) =

i e (re + re' ) ib

a razo entre a corrente de coletor e a de base aproximadamente igual

z ent ( base ) = (rE + re' )

Eq. 4- 30

a impedncia de entrada do amplificador o paralelo de R1, R2 e impedncia de entrada da base

z ent = R 1 // R 2 // (rE + re' )


como (re +rE)>>R1, R2 ento::

z ent = R 1 // R 2

Eq. 4- 31

com base na Eq. 4-27 a tenso de emissor segue a tenso na base, sem amplificar. Ou seja a tenso de sada igual a de entrada. A vantagem de montagem o fato de ter uma alta impedncia de entrada se comparada com emissor comum.

TRANSISTOR DARLINGTON

Figura 4-27 Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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Um caso especial de amplificador coletor comum a conexo Darlington. Ela consiste na ligao em cascata de dois seguidores de emissor, como mostra a Figura 4-27. A corrente da base do segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor. Portanto, o ganho de corrente entre a primeira base e o segundo emissor =1 2 Eq. 4- 32

A principal vantagem da conexo Darlington a alta impedncia de entrada olhando para a base do primeiro transistor. E zent(base)= RE Eq. 4- 33

Os fabricantes podem colocar dois transistores montados em coletor comum em um mesmo encapsulamento. Esse dispositivo de trs terminais como mostrado no lado direito da Figura 4-27 conhecido como transistor Darlington, opera com como um nico transistor com um CC entre 1.000 e 20.000. ele pode ser tratado como um transistor comum exceto pelo valor de e tambm pelo valor de VBE que passa a ser a soma dos dois VBEs. Ou seja, aproximadamente igual a 1,4V.

4.7

EXERCCIOS
Ex. 4-1) A fonte ca da figura abaixo pode ter uma freqncia entre 100Hz e 200Hz. Para ter um acoplamento estabilizado ao longo desta faixa, que valor deve ter o capacitor de acoplamento?

Ex. 4-2) Na figura 2, desejamos um capacitor de acoplamento estabilizado para todas as freqncias entre 500Hz e 1MHz. Que valor ele deve ter?

Ex. 4-3) Desenhe o circuito cc equivalente para o amplificador da figura abaixo. Rotule as trs correntes com a notao cc padronizada. A seguir, desenhe o circuito ca equivalente.

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Ex. 4-4) Desenhe os circuitos cc e ca equivalente para a figura 4.

Ex. 4-5) Calcule o valor de re para cada uma destas correntes cc do emissor: 0,01mA, 0,05mA, 0,1mA, 0,5mA, 1mA e 10mA. Ex. 4-6) Qual o valor de re no amplificador do exerccio 4-4? Ex. 4-7) E no circuito abaixo?

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Ex. 4-8) Se vent = 1mV na figura 6, qual o valor de vsada ?

Ex. 4-9) Os resistores do exerccio anterior, tem uma tolerncia de 5%. Qual o ganho mnimo de tenso? Qual o ganho mximo de tenso?

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AMPLIFICADORES DE POTNCIA
So usados quando se deseja amplificar sinais de grande amplitude, tanto de tenso como de corrente. Assim os amplificadores de potncia so amplificadores que trabalham com grandes sinais e o regime de operao destes severo em relao aos amplificadores de pequenos sinais. Os amplificadores de potncia de um modo geral, podem ser divididos em quatro classes: Classe A Classe B Classe AB Classe C As classes dos amplificadores de potncia esto relacionadas diretamente com o ponto quiescente ou ponto de operao dos transistores de sada dos amplificadores. Portanto, as classes esto relacionadas tambm com o ngulo de conduo () dos transistores de sada, quando estes estiverem funcionando em regime dinmico. A Figura 5-1 tem um grfico que relaciona a corrente de coletor, com sua tenso baseemissor. Ele mostra as formas de onda dos quatro tipos bsicos de amplificadores de potncia, classes A, B, AB e C, e seus pontos quiescentes. No amplificador de potncia classe C o transistor de sada polarizado num ponto de operao abaixo da regio de corte do transistor, isto , com VBEQ <0. Isto significa que o sinal VBE aplicado a base do transistor, tem que vencer a tenso VBEQ para iniciar a sua conduo. Portanto, a corrente de coletor circula somente durante um intervalo menor que 180. Em geral, os amplificadores classe C so utilizados em circuitos de RF.

5.1

CLASSE A
No amplificador de potncia classe A, a polarizao do transistor de sada feita de tal forma que a corrente de coletor circula durante todo o ciclo do sinal de entrada VBE. Isto resulta num ngulo de conduo de =360 para transistor de sada. O ponto de operao do transistor de sada est localizado no centro da regio ativa e neste caso a polarizao do transistor de sada semelhante polarizao de transistores de baixo sinal.

POTNCIA DE SADA
A Figura 5-2 mostra um exemplo de amplificador de potncia classe A. um emissor comum j comentado antes.

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Figura 5-1

Figura 5-2 A resistncia de carga RL, pode ser um alto-falante, um motor, etc. O resistor RC do coletor, por outro lado, um resistor comum que faz parte da polarizao por diviso de tenso. O interesse na potncia transferida resistncia de carga, porque ela realiza Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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um trabalho til. Gera ondas acsticas, gira o motor, etc. Em contra partida, qualquer potncia no resistor RC, uma potncia perdida e transformada em calor. Ento quando se fala em potncia de sada, uma referncia a potncia til da carga. Ela dada por PL=VLIL ou PL = onde
VL = tenso rms na carga IL = corrente rms na carga A potncia mxima na carga ocorre quando o amplificador est produzindo a tenso mxima de pico a pico na sada sem ceifamento do sinal. Nesse caso, a potncia na carga
2 VL RL

PL =

(MPP )2
8R L

MPP o valor (mximo de pico a pico) da tenso ca sem ceifamento. No denominador tem o nmero 8 resultante da converso de rms para pico a pico.

POTNCIA CC DISSIPADA NO AMPLIFICADOR


Quando o amplificador est sem sinal na entrada, a dissipao de potncia no transistor igual a: PD=VCEQICQ H tambm a potncia dissipada no resistores R1 e R2

P1 = I1VCC

VCC (VCC )2 = R + R VCC = R + R 2 1 2 1


PS=P1+PD ou
PS=ISVCC

Ento a potncia cc total no amplificador

onde Is (corrente de dreno), a soma da corrente no divisor de tenso e corrente no coletor

EFICINCIA
a razo entre potncia ca na carga e a potncia da alimentao cc multiplicada por 100%

PL 100% PS

Quanto maior a eficincia do amplificador, melhor. Os amplificadores classe A tem uma baixa eficincia, tipicamente em torno de 25% (teoricamente). Isso ocorre por causa de perdas de potncia nos resistores de polarizao, de coletor, de emissor e transistor.

5.2

CLASSE B
Geralmente os amplificadores de potncia classe B e classe AB utilizam dois transistores de potncia num montagem denominada push-pull. A configurao push-pull significa que quando um dos transistores est conduzindo, o outro est em corte e vice-versa. No amplificador classe B, cada um dos transistores de sada polarizado num ponto de operao situado na regio de corte do transistor, isto , VBEQ =0. Desta maneira, a

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corrente de coletor de cada transistor, circula durante um ngulo de conduo de =180, ou seja, a cada semiciclo do sinal de entrada VBE. A Figura 5-3 mostra uma forma de conectar um seguidor de emissor push-pull classe B. Foi conectado um seguidor de emissor npn e um seguidor de emissor pnp. O projetista escolhe os resistores de polarizao para situar o ponto de operao no corte. Isso polariza o diodo emissor de cada transistor entre 0,6V e 0,7V. Idealmente, ICQ=0 como os resistores de polarizao so iguais, cada diodo emissor polarizado com a mesma tenso. Como resultado, metade da tenso de alimentao sofre uma queda entre os terminais coletor e emissor de cada transistor. Isto ,

VCEQ =

VCC 2

Figura 5-3

RETA DE CARGA CC
como no h resistncia cc no circuito do coletor ou do emissor da Figura 5-3, a corrente de saturao infinita, ou seja, a reta vertical, (Figura 5-4). muito difcil encontrar um ponto de operao estvel na regio de corte num amplificador push-pull. Qualquer diminuio significativa de VBE com a temperatura pode deslocar o ponto de operao para cima da reta de carga cc a valores muito altos de correntes.

RETA DE CARGA CA
A Figura 5-4 mostra a reta de carga ca. Quando um dos transistores est conduzindo, seu ponto de operao move-se para cima ao longo da reta de carga ca. O ponto do outro transistor permanece no corte. A oscilao de tenso do transistor em conduo pode seguir todo o percurso desde o corte saturao. No semiciclo oposto, o outro transistor faz a mesma coisa. Isso significa que a tenso de pico a pico mxima (MPP) no ceifada do sinal de sada igual a VCC. Isto o dobro de tenso que de um amplificador classe A sob mesma tenso de alimentao. Em termos de eficincia mxima terica ser de 78,5%.

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Figura 5-4 A Figura 5-5 mostra o equivalente ca do transistor em conduo. Isso praticamente idntico ao seguidor de emissor classe A. O ganho de tenso com carga

AV =

RL R L + re'

A impedncia de entrada da base com carga

z ent ( base ) = (R L + re' )

Figura 5-5

5.3

CLASSE AB
Os amplificadores de potncia AB tambm utilizam dois transistores de potncia numa configurao push-pull. A diferena para a classe B, que cada um dos transistores de sada polarizado num ponto de operao situado um pouco acima da regio de corte do transistor, (VBEQ>0). Isto significa que cada um dos transistores est conduzindo um pequena corrente de base e, consequentemente, uma corrente de coletor proporcional a ela. A corrente de coletor de cada transistor, circula durante um ngulo de conduo de >180, porm, menor que 360. A eficincia terica fica entre 50% e 78,5%. A grande vantagem a eliminao da distoro por crossover.

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OSCILADOR DE BAIXA FREQNCIA


A Figura 6-1 mostra o diagrama de blocos bsico de um circuito oscilador.

Figura 6-1 A sada do amplificador de ganho A, realimenta a entrada do prprio amplificador, por meio do circuito de realimentao que possui um ganho B, tambm chamado de rede de realimentao. Esta forma, o sinal realimentado VR somado, ou seja, aplicado em fase com o sinal de entrada VE. Este sinal VE no um sinal externo, mas um sinal qualquer de referncia, que existe na entrada do amplificador. Portanto, com a aplicao do sinal realimentador VR na entrada do amplificador, este torna-se instvel e comea a oscilar. O circuito de realimentao deve, portanto, defasar ou no o sinal de amostragem VA, de tal modo que o sinal VR fornecido entrada esteja sempre em fase com o sinal de referncia VE. A defasagem a ser feita no sinal VA depende da defasagem imposta pelo amplificador e, portanto, do sinal de sada VS. Por exemplo, se um amplificador possuir uma montagem emissor comum, ento o sinal de sada VS estar defasado de 180 em relao ao sinal de entrada VE e o circuito de realimentao dever, neste caso, provocar uma defasagem de 180, para que o sinal VR fique novamente em fase com o sinal VE. Se a montagem do amplificador for em base comum VS estar em fase com VE e, nesse caso, o circuito ou rede de realimentao no dever provocar defasagem e assim, o sinal VR j estar em fase com o sinal VE. Um outro critrio muito importante para que haja oscilao que o ganho total do oscilador, dado por A+B (A- ganho do amplificador, B- ganho da rede de realimentao), deve ser maior que um.

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82

6.1

OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE


a Figura 6-2 mostra o circuito de um oscilador por deslocamento de fase. Ele utilizado para gerar sinais na faixa de freqncias de udio.

Figura 6-2 O amplificador est na montagem emissor comum e portanto, sua tenso de sada VS est defasada de 180 em relao a tenso de entrada VE. O sinal de sada aplicado no circuito de realimentao, formado com resistores R e R3 e os capacitores C, que provoca uma defasagem adicional de 180, de modo que uma parcela do sinal de sada novamente aplicada na entrada, mas em fase com o sinal de entrada VE. Ao ligar o circuito ser provocado uma instabilidade na base do transistor Q1. Isto o suficiente para o circuito iniciar a sua oscilao, pois o transistor Q1 amplifica e posteriormente reamplifica o sinal presente em sua base.

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TRANSISTORES ESPECIAIS
At agora foi estudado os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem aplicaes nos quais os transistores unipolares com a sua alta impedncia de entrada so uma alternativa melhor. Este tipo de transistor depende de um s tipo de carga, da o nome unipolar. H dois tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de juno (JFET - Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de xido metlico (MOSFET).

7.1

JFET
Na Figura 7-1, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de efeito de campo de juno ou simplesmente JFET.

Figura 7-1 a conduo se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o dreno (D), atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O transistor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por eltrons) ou com canal p (conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tenso e corrente.

POLARIZAO DE UM JFET
A Figura 7-2 mostra a polarizao convencional de um JFET com canal n. Uma alimentao positiva VDD ligada entre o dreno e a fonte, estabelecendo um fluxo de corrente atravs do canal. Esta corrente tambm depende da largura do canal. Uma ligao negativa VGG ligada entre a porta e a fonte. Com isto a porta fica com uma polarizao reversa, circulando apenas uma corrente de fuga e, portanto, uma alta impedncia entre a porta e a fonte. A polarizao reversa cria camadas de depleo em volta da regies p e Prof. Roberto A. Bertoli

Figura 7-2

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isto estreita o canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito torna-se o canal. Para um dado VGG , as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor (D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG que produz o corte simbolizada por VGS(Off) .

CURVA CARACTERSTICA DE DRENO


Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. Os ndices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (VGS=0V). IDSS a corrente de dreno mxima que um JFET pode produzir. Na Figura 7-3, mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o JFET est saturado (na regio hmica), VDS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. A tenso de saturao mais alta (4V) igual intensidade da tenso de corte da portafonte (VGS(Off) = -4V). Esta uma propriedade inerente a todos os JFETs. Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tenso. Como amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva, na Figura 7-3, aps a condio de pinamento e esquerda da regio de tenso VDS de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio de trabalho entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de pinamento.

Figura 7-3

CURVA DE TRANSCONDUTNCIA
A curva de transcondutncia de um JFET um grfico da corrente de sada versus a tenso de entrada, ID em funo de VGS. A sua equao : Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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2

VGS I D = I DSS 1 VGS( off )

Eq. 7- 1

Figura 7-4

AUTOPOLARIZAO
a polarizao de um transistor JFET se faz de maneira semelhante polarizao de transistor bipolar comum. Em outras palavras, usa-se o transistor JFET como se fosse um transistor bipolar. Para um JFET funcionar corretamente devemos lembrar que, primeiramente, o mesmo deve estar reversamente polarizado entre porta e fonte. Na Figura 7-5 vemos um JFET polarizado, ou seja, com resistores ligados ao terminais para limitar tenses e correntes convenientemente, como visto na polarizao de transistores bipolares.

Figura 7-5 Esse o tipo de polarizao mais comum e se chama autopolarizao por derivao de corrente, pois o VGS aparece devido corrente de dreno sobre RS, o que resulta em VRS.

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Essa tenso, distribui-se entre RG e a juno reversa, que, como tal, possui uma alta resistncia. Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS. VRG = VRS + VGS Eq. 7- 2 o diodo porta-fonte est reversamente polarizado e a corrente IG uma pequena corrente de fuga aproximadamente igual a zero.

VRG = I G R G 0
unindo as Eq. 7-2 e Eq. 7-3

Eq. 7- 3

VRS = VGS = R S I S

Eq. 7- 4

A corrente de fonte a soma da corrente de dreno e de porta. Naturalmente a corrente de dreno muito maior que a de porta. Ento:

I D IS
Anlise da malha do lado direito do circuito:

Eq. 7- 5

VDD = I D (R D + R S ) + VDS RETA DE AUTOPOLARIZAO

Eq. 7- 6

Para a polarizao do JFET, uma alternativa o uso da curva de transcondutncia para encontrar o ponto Q de operao. Seja a curva da Figura 7-4 a base para encontrar o ponto Q. A corrente de dreno mxima de 13,5mA, e a tenso de corte da porta-fonte de -4V. Isso significa que a tenso da porta tem de estar entre 0 e -4V. Para descobrir este valor, pode-se fazer o grfico da Figura 7-4 e ver onde ela intercepta a curva de transcondutncia. Exemplo 7-1 Se o resistor da fonte de um circuito de autopolarizao for de 300. Qual o ponto Q. Usar o grfico da Figura 7-4.

SOL.: A equao de VGS VGS = -ID *300 para traar a reta basta considerar ID = 0 e ID = IDSS. Para ID nulo, VGS=0 e para o outro valor de ID, VGS= 13,5m*300=-4V. Aplicando na curva, o ponto Q : VGS= -1,5V e ID =5mA

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SELEO DO RS
O ponto Q varia conforme o valor de RS. O ideal escolher um RS em que o ponto Q fique no na regio central, como o do Exemplo 7-1 . O mtodo mais simples para escolher um valor para RS

RS =

VGS( off ) I DSS

Eq. 7- 7

Este valor de RS no produz um ponto Q exatamente no centro da curva, mas aceitvel para a maioria dos circuitos.

TRANSCONDUTNCIA
Grandeza designada por gm e dada por:

gm =

i I D = d VGS v gs i d = g m v gs

Eq. 7- 8 Eq. 7- 9

gm a inclinao da curva de transcondutncia (Figura 7-4) para cada pequena variao de VGS. Ou em outras palavras, uma medida de como a tenso de entrada controla efetivamente a corrente de sada. A unidade o mho, (razo entre a corrente e a tenso 1/Ohm). O equivalente formal o Siemens. A Figura 7-6 mostra o circuito equivalente ca simples para um JFET vlida para baixas freqncias. H uma resistncia RGS muito alta entre a porta e a fonte. Esse valor est na faixa de centenas de M. O dreno do JFET funciona como uma fonte de corrente com um valor de gm VGS.

Figura 7-6 A Eq. 7-10 mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente mxima de dreno e da transcondutncia para VGS= 0V (gmo ).

v gs ( off ) =
abaixo o valor de gm para um dado VGS.

2I DSS g mo

Eq. 7- 10

v gs g m = g mo 1 v gs ( off ) TRANSCONDUTNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR


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Eq. 7- 11

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O conceito de transcondutncia pode ser usado em transistores bipolares. Ela definida como para os JFETs. Com base na Eq. 7-8:

gm =
como re = vbe/ie

I C i = c VBE v be 1 re'

gm =

Eq. 7- 12

esta relao ajuda no momento de comparar circuitos bipolares com JFETs.

AMPLIFICADOR FONTE COMUM


A Figura 7-7 mostra um amplificador fonte comum. Ele similar a um amplificador emissor comum. As regras aplicadas para a anlise so as mesmas

Figura 7-7 Na Figura 7-8 o equivalente ca para a anlise do ganho.

Figura 7-8 o resistor de carga est em paralelo com a resistncia de dreno. Simplificando:

rd = R D // R L
Quando a corrente de sada gm vent flui atravs de rd ela produz uma tenso de sada

vsada = rd g m v ent
dividindo ambos os lados por vent Prof. Roberto A. Bertoli

Eq. 7- 13

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v sada v = rd g m ent v ent v ent


finalmente o ganho de tenso ca para fonte comum

A V = g m rd
notar a semelhana com a do amplificador em emissor comum

Eq. 7- 14

AV =

rc 1 g m = ' A V = g m rc ' re re

AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL


Na Figura 7-9 tem um amplificador com realimentao parcial

Figura 7-9 o ganho por analogia com o transistor bipolar, considerando re = 1/ gm, :

Av =

rd g r = m d rs1 + 1 / g m 1 + g m rs1

Eq. 7- 15

AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE


A Figura 7-10 mostra um seguidor de fonte

Figura 7-10 Prof. Roberto A. Bertoli set-00

Colgio Tcnico de Campinas Novamente por analogia:

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Av =

rs g r = ms rs + 1 / g m 1 + g m rs

Eq. 7- 16

7.2

MOSFET
O FET de xido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A diferena bsica para o JFET porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta extremamente pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa.

MOSFET DE MODO DEPLEO


A Figura 7-11 mostra um MOSFET de modo depleo canal n e o seu smbolo. O substrato em geral conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicaes usa-se o substrato para controlar tambm a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais. Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material n. A regio p chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos eltrons livres da fonte ao dreno.

Figura 7-11 A fina camada de dixido de silcio (SiO2), que um isolante, impede a passagem de corrente da porta para o material n.

Figura 7-12

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A Figura 7-12 mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa. A tenso VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n. Como no JFET a tenso de porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso, menor a corrente de dreno. At um momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos eltrons livres. Com VGS negativo o funcionamento similar ao JFET. Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso positiva na porta (inverso de polaridade bateria VGG do circuito da Figura 7-12). A tenso positiva na porta aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso, maior a corrente de dreno. Isto que a diferencia de um JFET.

MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO


O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do MOSFET de modo depleo e de uso generalizado na industria eletrnica em especial nos circuitos digitais.

Figura 7-13 A Figura 7-13 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu smbolo. O substrato estende-se por todo caminho at o dixido de silcio. No existe mais um canal n ligando a fonte e o dreno. Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleo. Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno. O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero. Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo do MOSFET. A Figura 7-14 mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificao e reta de carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa para VGS(th). Quando VGS maior que VGS(th), a corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste estgio o Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma fonte de corrente. A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica. O incio da parbola est em VGS(th). Ela

I D = k (VGS VGS( th ) ) 2
onde k uma constante que depende do MOSFET em particular.

Eq. 7- 17

O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). Ento rescrevendo a frmula:

I D = KI D ( on )
onde

Eq. 7- 18

VGS VGS( th ) K = VGS( ON ) VGS( th )

Eq. 7- 19

Figura 7-14

TENSO PORTA-FONTE MXIMA


Os MOSFET tm uma fina camada de dixido de silcio, um isolante que impede a circulao de corrente de porta tanto para tenses positivas como negativas. Essa camada isolante mantida to fina quanto possvel para dar a porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. Como a camada muito fina, fcil destru-la com uma tenso porta fonte excessiva. Alm da aplicao direta de tenso excessiva entre a porta fonte, pode-se destruir a camada isolante devido a transientes de tenso causados por retirada/colocao do componente com o sistema ligado. O simples ato de tocar um MOSFET pode depositar cargas estticas suficiente que exceda a especificao de VGS mximo. Alguns MOSFET so protegidos por diodos zener internos em paralelo com a porta e a fonte. Mas eles tem como inconveniente, diminuir a impedncia de entrada.

7.3

FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR PTICO


FOTOTRANSISTOR
Os fototransistores so constitudos basicamente de duas junes, havendo uma janela que permite a incidncia de a luz sobre a juno base-emissor, aumentando a condutividade deste diodo emissor, com o conseqente aumento da corrente de coletor. Na Figura 7-15, um exemplo de curva IC x VCE.

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Figura 7-15 Sempre que houver luz incidindo sobre a base, haver uma corrente de base e, portanto, o transistor deixa ser aberto. Abaixo, a representao de um fototransistor: Um fotodiodo uma alternativa ao fototransistor. A diferena que a luz incidindo no fotodiodo gera a corrente que atravessa o diodo, enquanto no fototransistor, esta mesma luz produz uma corrente de base e por sua vez uma corrente de coletor que vezes maior que no fotodiodo. A maior sensibilidade do fototransistor traz como desvantagem uma reduo na velocidade de chaveamento.

ACOPLADOR PTICO
A Figura 7-16 mostra um acoplador ptico. Consiste de um LED prximo a um fototransistor, ambos encapsulados em um mesmo invlucro. Ele muito mais sensvel que um LED e fotodiodo devido ao ganho . O funcionamento simples, qualquer variao em VS produz uma variao na corrente do LED, que faz variar a emisso de luz e, portanto, a corrente no fototransistor. Isso por sua vez, produz uma variao na tenso dos terminais coletor-emissor. Em suma, um sinal de tenso acoplado do circuito de entrada para o circuito de sada.

Figura 7-16 A grande vantagem de um acoplador ptico o isolamento eltrico entre os circuitos de entrada e de sada. No existe nenhuma relao entre os terras de entrada e sada.

7.4

EXERCCIOS
Ex. 7-1) No circuito da Figura abaixo, calcule ID , RS e RD . VDD=20V, VDS=8V e VGS=-1,2V. Dados: RD+RS=12k,

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Ex. 7-2) Dados: VDD = +12V, VGSQ=-0,5V (tenso de operao de VGS) e ID = 8mA (para VDS= 0V). Calcule RD , RS e RG (suponha IG=5A), para o circuito de autopolarizao. Utilize o mtodo da reta de carga e a curva a seguir.
ID(mA) 8m
VGS =0V

4m 2m

-0,5V -1V -1,5V -2,0V

2 4 6 8 10 12 14 16

VDS (V)

Ex. 7-3) No circuito da figura abaixo calcule AV e ZENT . Dados: gm=3000mho, RG=2M2, RS=1k, RD=4k7 e VDD=18V.

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Ex. 7-4) No circuito seguidor de fonte, com RG = 1M e RS= 3k, calcule o ganho de tenso, sabendo que: VDD=+9V, VGSQ = -4V, IDQ =1,6mA, IDSS = 16mA e VGS(OFF)= -5V. Ex. 7-5) Um 2N5457 tem IDSS=5mA e gmo=5.000mho. Qual ID para VGS=-1v? Qual o valor de gm para essa corrente de dreno? Ex. 7-6) Se gm=3.000!mho na figura 3. Qual a tenso c.a. de sada? Dados: vent=2mV, Rent=100k, RG=10M, RS=270, RD=1k, RL=10k e VDD =+15V Ex. 7-7) O amplificador JFET da figura abaixo, tem VGS(OFF)= -4V e IDSS =12mA. Nesse caso qual a tenso c.a. de sada? Dados: vent=2mV, Rent = 100k, RG = 10M, RS= 270, RD = 1k, RL=10k e VDD = +15V.

Ex. 7-8) Se o seguidor de fonte da figura abaixo tem gm = 2.000mho, qual a tenso c.a. de sada? Dados: vent=5mV, Rent =100k, RG=10M, RS=3900, RL=1k e VDD=+15V.

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REFERNCIA BIBLIOGRFICA
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