Dopaje (semiconductores)

Para otros usos de este trmino, vase Dopaje (desambiguacin). En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado que acta ms como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado. El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
Contenido
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1 Elementos dopantes

1.1 Semiconductores de Grupo IV

2 Tipos de materiales dopantes

o o

2.1 Tipo N 2.2 Tipo P

3 Dopaje en conductores orgnicos 4 Historia 5 Referencias 6 Vase tambin

[editar]Elementos

dopantes
de Grupo IV

[editar]Semiconductores

Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmenteGalio, son utilizados para dopar al Silicio. [editar]Tipos [editar]Tipo

de materiales dopantes

Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original). Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se dona un electrn.

Dopaje de tipo N [editar]Tipo

Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

Dopaje de tipo P [editar]Dopaje

en conductores orgnicos

Artculo principal: Polmero conductor

Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que oxiden (o algunas veces reduzcan) el sistema, para ceder electrones a las rbitas conductoras dentro de un sistema potencialmente conductor. Existen dos formas principales de dopar un polmero conductor, ambas mediante un proceso de reduccin-oxidacin. En el primer mtodo, dopado qumico, se expone un polmero, como la melanina(tpicamente una pelcula delgada), a un oxidante (tpicamente yodo o bromo) o a un agente reductor (tpicamente se utilizan metales alcalinos, aunque esta exposicin es bastante menos comn). El segundo mtodo es el dopaje electroqumico, en la cual un electrodo de trabajo, revestido con un polmero, es suspendido en una solucin electroltica, en la cual el polmero es insoluble, junto al electrodo opuesto, separados ambos. Se crea una diferencia de potencial elctrico entre los electrodos, la cual hace que una carga (y su correspondiente ion del electrolito) entren en el polmero en la forma de electrones agregados (dopaje tipo N) o salgan del polmero (dopaje tipo P), segn la polarizacin utilizada. La razn por la cual el dopaje tipo N es mucho menos comn es que la atmsfera de la tierra, la cual es rica en oxgeno, crea un ambiente oxidante. Un polmero tipo N rico en electrones reaccionara inmediatamente con el oxgeno ambiental y se desdopara (o reoxidara) nuevamente el polmero, volviendo a su estado natural. [editar]Historia

El dopaje fue desarrollado originalmente por John Robert Woodyard mientras trabajaba para la Sperry Gyroscope Company durante la Segunda Guerra Mundial.1 La demanda de su trabajo sobre elradar durante la guerra no le permiti desarrollar ms profundamente la investigacin sobre el dopaje, pero durante la posguerra se gener una gran demanda iniciad por la compana Sperry Rand, al conocerse su importante aplicacin en la fabricacin de transistores.2