Universidad Nacional de Asuncin Facultad de Ingeniera Ctedra de Electrnica Bsica

Semiconductores
Trabajo Prctico 1
Integrantes del grupo:
Gustavo Bez Fronciani Hernn Cabaas Gonzlez Jorge Franco Riveros Guillermo Marusyn Vlcek Rubn Montiel Bracho Vctor Ruiz Ovelar Juan Valenzuela Flix Villar

Marzo de 2012

Contenido
Introduccin............................................................................................................................................................................................ 2 Enlace covalente. ................................................................................................................................................................................... 3 Semiconductores. .................................................................................................................................................................................. 4 Origen de las propiedades fsicas de los semiconductores .............................................................................................. 4 Unin P-N ................................................................................................................................................................................................ 6 Polarizacin directa de una unin PN. .................................................................................................................................... 6 Polarizacin inversa de una unin PN. .................................................................................................................................... 6 Diodos semiconductores. ................................................................................................................................................................... 8 Comportamiento elctrico ........................................................................................................................................................... 8 Diodos Zener. ......................................................................................................................................................................................... 8 Principio de funcionamiento: Efecto Avalancha y Efecto Zener. ................................................................................... 9 Diodos emisores de luz (LED) ......................................................................................................................................................... 9

Introduccin.
Un semiconductor es un material cuya magnitud de conductividad elctrica se encuentra entre las de un aislante y un conductor. Si bien esta escueta definicin es correcta desde el punto de vista tcnico, olvida mencionar los fenmenos emergentes que se originan al analizar las curiosas propiedades de estos materiales: los semiconductores son el cimiento de la civilizacin moderna, incluyendo a la radio, las computadoras, telfonos, y muchos otros dispositivos. El mecanismo por el cual los materiales semiconductores adquieren estas propiedades ser estudiado en este trabajo, desde las particularidades del enlace covalente hasta la estructura cristalina y aplicaciones en dispositivos electrnicos.

Enlace covalente.
Un enlace covalente es un tipo de enlace qumico entre no-metales que se caracteriza por la comparticin de pares de electrones entre dos o varios tomos. El equilibrio estable de las fuerzas de atraccin y repulsin entre tomos cuando estos electrones son compartidos es lo que mantiene juntos a los tomos, formando una molcula. El enlace covalente se produce entre tomos del mismo elemento o entre tomos de elementos con electronegatividad similar, ya que de otra forma, la diferencia de electronegatividades obligara a la produccin de un enlace inico, donde uno de los tomos cede uno o ms electrones al otro y la diferencia de carga elctrica debida a la cesin de electrones produce una fuerza atractiva que mantiene juntos a los tomos. Para ilustrar el concepto de enlace covalente, se muestra la siguiente figura:

En la imagen de la derecha, se puede simplificar y enunciar que ambos electrones orbitan a ambos tomos al mismo tiempo, siendo ste el fenmeno que mantiene juntos a los tomos. Como los electrones tienen rbitas definidas y una banda de energa bien limitada, la nube electrnica1 compartida obliga a los ncleos a permanecer juntos, pero no demasiado, debido a la repulsin originada por las fuerzas de Coulomb entre ellos. En realidad, el enlace covalente es un fenmeno ms bien complicado, que involucra varios conceptos de la fsica moderna, como la teora de orbitales atmicos, la dualidad onda-partcula, el principio de exclusin de Pauli, el principio de incertidumbre de Heisenberg y otras aplicaciones de la mecnica cuntica.

Denominada as ya que las partculas subatmicas, en virtud del principio de incertidumbre, no tienen una ubicacin definida sino una funcin de onda que determina la probabilidad de encontrar un esta partcula en un punto determinado.

Semiconductores.
Un semiconductor es un material2 que puede conducir electricidad bajo ciertas condiciones, hacindolo un buen medio para el control de la corriente elctrica. Su conductancia vara dependiendo la magnitud de tensin aplicada al cristal o de la intensidad de la radiacin electromagntica incidente, dado que la frecuencia de esta radiacin se encuentre en franjas determinadas3. Los elementos semiconductores ms utilizados en la industria son el silicio y el germanio, sin embargo, se conocen otros compuestos que presentan propiedades semiconductoras, tales como carburo de silicio, el arseniuro de galio, el silicio amorfo hidrogenado y la mezcla de arsnico selenio telurio en varias proporciones. Los semiconductores que no tienen ninguna impureza en su estructura cristalina son denominados intrnsecos. Las propiedades elctricas de un semiconductor pueden ser modificadas de manera controlada, agregando al material intrnseco cantidades muy pequeas de otros elementos denominados dopantes, con el objetivo de producir un defecto o un exceso de electrones. Para el silicio cristalino, esto se consigue tpicamente mediante la inyeccin de boro o fsforo al material fundido y luego permitiendo que ste solidifique y cristalice. El semiconductor que pas por este proceso de dopaje es denominado extrnseco. El resultado del proceso de dopaje es que el cristal tratado con impurezas presenta un exceso o un defecto de electrones, segn el tipo de tratamiento. En los semiconductores de tipo P, el mecanismo principal de transporte de carga elctrica es a travs de huecos; y en los de tipo N, a travs de electrones.

Origen de las propiedades fsicas de los semiconductores

El comportamiento de los semiconductores (as como el de los metales y los aislantes) es descrito por la teora de las bandas de energa. Este modelo estipula que un electrn ubicado en el interior de un slido no puede portar una energa cuya magnitud se encuentre fuera de ciertas franjas o intervalos de energa (especficamente bandas permitidas). Estas bandas de energa permitida se encuentran separadas por ciertas bandas de energa cunticamente imposibles4 o llamadas tambin bandas prohibidas. En un tomo determinado pueden notarse con facilidad dos bandas de energa permitida: la banda de valencia, ms cercana al ncleo y completamente poblado de electrones, y; la banda de conduccin, con escasos electrones y con los orbitales no completamente poblados. Entre ellos se extiende una franja de energa prohibida despoblada de electrones. La diferencia entre conductores, semiconductores y aislantes se encuentra bsicamente en el tamao de esta banda prohibida. En los materiales aislantes, esta franja es ancha y el salto de electrones de la banda de valencia a la banda de conduccin requiere de grandes cantidades de energa. En los materiales conductores la banda prohibida es inexistente: la banda de valencia y la de conduccin se superponen, haciendo que los electrones fluyan libremente de una banda a otra y a travs del slido conductor. Por ltimo, en los semiconductores, la banda prohibida tiene un tamao intermedio, pero suficientemente pequeo como para que una moderada perturbacin haga saltar un electrn de la capa de valencia a la capa de conduccin. Esta perturbacin puede provenir de la temperatura, la radiacin incidente, y ms importantemente, del potencial elctrico.

Usualmente slidos cristalinos, pero se conocen ciertos semiconductores amorfos y lquidos La intensidad de la radiacin incidente no es equivalente a la energa ya que la energa est relacionada con la frecuencia del fotn incidente y la intensidad con la cantidad de fotones incidentes por unidad de rea 4 Esta imposibilidad surge como resultado de la cuantizacin de la energa, es decir, el espectro de energa no es continuo, sino que se presenta en saltos discretos.
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En la imagen de arriba se ilustra la teora de las bandas de energa para cada tipo de material.

Unin P-N
Se denomina unin o juntura P-N a una zona de un cristal semiconductor donde el dopaje varia bruscamente, pasando de un dopaje p a un dopaje n. En una unin PN, los electrones cercanos a la frontera tienden a difundirse y combinarse con los huecos en la regin P, dejando iones positivos en la regin n. Asimismo, en la regin P se tiene una carga neta negativa debido al exceso de electrones provenientes de la regin N. De esta forma, la regin que rodea a la frontera PN pierde su neutralidad, formando la llamada zona de agotamiento. El campo elctrico formado por la zona de agotamiento se opone al proceso de difusin de huecos y electrones. Aqu se dan dos fenmenos de efectos contrapuestos: el fenmeno de difusin que tiende a aumentar el tamao de la zona de agotamiento, y el campo elctrico generado por la zona de agotamiento que tiende a contrarrestar la difusin. Finalmente, estos dos fenmenos alcanzan el equilibrio y muestran una distribucin que se esquematiza en la figura de la pgina siguiente.

Polarizacin directa de una unin PN.

En polarizacin directa, el lado P de la unin es conectado a la terminal positiva de una fuente de tensin y el lado N a la terminal negativa. En este caso, los huecos de la zona P y los electrones de la zona N son empujados hacia la unin. La carga positiva aplicada al material P repele a los huecos, mientras que la carga negativa inyectada en el material N hace lo mismo con los electrones, reduciendo el tamao de la zona de agotamiento. Incrementando la tensin aplicada, la zona de agotamiento eventualmente se vuelve lo suficientemente delgada como para que sea posible un movimiento de carga constante a travs de la unin.

Polarizacin inversa de una unin PN.

En esta configuracin, las terminales de la unin son conectadas de manera inversa a la configuracin anterior. Debido a que el material tipo P est ahora conectado a la terminal negativa de la fuente de tensin, los huecos son alejados de la frontera PN, haciendo que el ancho de la zona de agotamiento se incremente. Un fenmeno anlogo produce el mismo efecto en el material N, contribuyendo al ensanchamiento de la zona de agotamiento. Este incremento de la zona de agotamiento aumenta al aumentar la tensin aplicada en las terminales de la unin PN, causando una gran resistencia al flujo de portadores de carga, haciendo que la configuracin se comporte como un aislante.

Diodos semiconductores.
Aprovechando las propiedades de las uniones PN, se pueden crear dispositivos electrnicos de dos terminales llamados diodos que conducen corriente solo en un sentido. Los diodos consisten simplemente en una unin PN encapsulada, y su utilizacin principal es en circuitos rectificadores.

Comportamiento elctrico
El diodo ideal tiene resistencia nula para la polarizacin directa y resistencia infinita para la polarizacin inversa. Esta propiedad es la que convierte al diodo en rectificador elctrico. Sin embargo, el diodo semiconductor no es ideal. Como se muestra en la figura siguiente, el diodo no alcanza su valor nominal de corriente sino hasta que se le aplica un valor de tensin denominado de umbral (V0). Por encima de esta tensin, la pendiente de la curva corriente-voltaje no es infinita ya que se tiene una resistencia distinta de cero.

Si se polariza de manera inversa, el diodo conduce una pequea corriente de fuga, hasta que se alcanza una tensin de ruptura (VZ) y el diodo abruptamente conduce debido al fenmeno de avalancha. Este fenmeno es aprovechado en el llamado diodo de Zener, como regulador de tensin.

Diodos Zener.
Un diodo zener es un tipo especial de diodo que permite que la corriente fluya en la direccin directa de la misma manera que un diodo convencional, pero adems permitir el flujo de corriente en la direccin inversa, si el voltaje supera un determinado valor denominado tensin de ruptura o tensin zener. De hecho, un diodo zener presenta casi las mismas propiedades que un diodo convencional, excepto que

este dispositivo est especficamente diseado para presentar una tensin de ruptura significativamente ms pequea. Por lo tanto, el diodo zener es ideal para aplicaciones como generacin de voltaje de referencia, o como estabilizador de tensin para circuitos de corriente pequea.

Principio de funcionamiento: Efecto Avalancha y Efecto Zener.

El efecto avalancha de electrones es un tipo de multiplicacin de corriente que puede permitir la aparicin de grandes corrientes en lo que de otro modo seran buenos aislantes. Este proceso ocurre cuando los portadores son acelerados por el campo elctrico a energas suficientemente altas como para liberar pares electrn-hueco mediante la colisin con electrones ligados, lo que a su vez produce ms colisiones. Esto causa un efecto domin que permite el establecimiento de corrientes muy altas. Por otra parte, otro fenmeno que contribuye al fenmeno de conduccin en polarizacin inversa es el efecto zener, que se produce por la magnitud del campo elctrico que aparece en semiconductores muy dopados. Esta intensidad de campo es la que arranca a los electrones de las capas de valencia, sin necesidad de colisiones con electrones libres.

Diodos emisores de luz (LED)

EL diodo emisor de luz es un dispositivo semiconductor que emite luz cuando se polarizan las terminales de forma directa. Cuando la corriente fluye a travs de una unin PN, los electrones se recombinan con los huecos, dejando a su paso una cantidad de energa que se libera en forma de fotones. El color de la luz emitida depende del tamao de las franjas de energa que pueden tomar los electrones en el semiconductor. Fsicamente, el LED es un diodo tradicional, pero fabricado con materiales diferentes en los cuales la recombinacin de cada electrn-hueco produce la radiacin de un fotn con una energa que depende del color de la luz que se quiere conseguir.