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1 ndice Tema 2 1
2.El transistorMOSFET(MOS FieldEffect Transistors) ( )
2.1Estructura 2.2Funcionamiento 2 2 Funcionamiento 2.3Modelosequivalentes 2.4Polarizacin 2 4 P l i i 2.5Modeloenpequeaseal 2.6Configuraciones 2.7Aplicaciones 2.8Hojasdecaractersticas
Tema2.2
2.1EltransistorMOSFET. Estructura
NMOSdeEnriquecimiento
SurtidorPuertaDrenador Surtidor Puerta Drenador
aislante
Fuertementedopadas MOS:MetalxidoSemiconductor
Tema2.2 2
2.1EltransistorMOSFET. Estructura
VGS
Al aplicar la tensin VGS los huecos del substrato son Al repelidos, por lo que se forma la regin de deplexin. Los electrones libres que se encuentran en el surtidor y en el drenador son atrados por la tensin VGS p GS. Se crea un canal inducido entre el drenador y el surtidor. p El valor de VGS necesario para crear este canal se denomina tensin umbral Vt (0.5 V <Vt < 1V)
VDS
VGS
Al aplicar la tensin VDS pequea los electrones fluyen p p q y del drenador al surtidor a travs del canal inducido. Entre la puerta y el canal inducido se origina una capacidad cuyo dielctrico ser la capa de SiO2
A travs de la tensin aplicada sobre la puerta controlamos el flujo de corriente entre surtidor y drenador. Zona triodo y hmica
Tema2.2 3
2.1EltransistorMOSFET. Estructura
Al aumentar la tensin VDS la tensin en el canal no ser constante por lo que al anchura del canal vara entre el drenador y el surtidor. Llega un momento en el que se satura la corriente, por lo que aunque aumente VDS, la corriente ser la misma Zona Saturacin VDS SAT = VGS Vt
Tema2.2
Tema2.2
2.2Funcionamiento
Curvaentrada
IDS(mA)
IDS(mA)
Curvasalida
VDS<VGSVt VDSVGSVt
VGS=Vt+2.0 V 20 VDS=VGS Vt VGS=Vt+1.5
VGS=Vt+1.0
Corte
Vt
VGS(V) Saturacinotriodo d
VGS=Vt+0.5
VDS(V)
VGS<Vt Corte
Tema2.2
2.2Funcionamiento 2 2 Funcionamiento
Zonasdefuncionamiento:
IDS(mA) VDS <VGS Vt DS VGS V VDSVGSVt V
VGS=Vt+2.0 VDS=VGS Vt VGS=Vt+1 5 V +1.5
VlidosiVDS<2(VGSVt)
ReginSaturacin
I DS =
k 2 (VGS Vt ) 2
ReginCorte
I DS = 0
1 W k = n Cox 2 L
8
L,Wlong yanchuradelcanal
RDS =
k (VSG Vt )
VlidosiVDS<2(VGSVt)
I SD =
k 2 (VSG Vt ) 2
ReginCorte
I SD = 0
Tema2.2 9
2.4Polarizacin 2 4 Polarizacin
Corte <Vt
PuntodefuncionamientoQ(IDS,VDS)
Tema2.2
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2.4.1Polarizacin:Circuitopolarizacinfija
IG=0
I DS = VGS
2.4.1Polarizacin:Circuitopolarizacinfija
ClculodeIDS
I DS =
I DS =
k 2 (VGS Vt ) 2
VGS = Vss Rs I DS
2.4.2Polarizacin:CircuitoPolarizacinautomtica
Paso1. Sustituimoseltransistorporvoltmetrosenlasunionesymedimos VGS
RG 2 RG 2 VSS VGS = VG = VSS RG1 + RG 2 RG1 + RG 2 VS = 0 Si VGS > Vt suponemos Saturacin VGS = VG Vs
IG=0
Q={VGS,VDS,IDS}
Tema2.2
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Paso2. Sustituimoseltransistorporsumodeloequivalente
I DS = VGS k 2 (VGS Vt ) 2 = VG VS = VD 0 = (VSS RD I DS )
IG=0
Q={VGS,VDS,IDS}
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gm transconsductancia
gm =
2 I DS V GS V t
ro resistenciadrenadorsurtidor
ro =
VA = rDS I DS
Tema2.2
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gm =
2 I DS VGS Vt ro = VA = rDS I DS
ro resistenciadrenadorsurtidor
IDS
VGSVt =2.0V
VGSVt =1.5V
VDS
TensindeEarly
Tema2.2
VGSVt 0V
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gm =
2 I SD VGS Vt ro = VA = rDS I SD
ro resistenciadrenadorsurtidor
ISD
VSGVt =2.0V
VSGVt =1.5V
VSD
TensindeEarly
Tema2.2
VSGVt 0V
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Drenador Comn
PuertaComn
Tema2.2
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2.6Configuraciones
Alta Baja
>1 ~1
>1 >1
180 0
Alta
>1
~1
Etapasencascada vin
Amplificador1 A lifi d 1 v1
Amplificador2 A lifi d 2 v2
Tema2.1
Amplificador3 A lifi d 3 v3
vout
v = v1 v 2 v 3
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2.7Aplicaciones p
MOSFETcomointerruptor
Funcionaenelmododecorteysaturacin/hmico: F i l d d t t i /h i
Corte IDS 0A,circuitoabierto. Otromododeoperacin RDS,interesaqueseadebajamagnitudparaqueVDS pequeo, seaproximaauncortocircuito. i t i it
Ejemplo: VDD=5V,k=2mA/V2,Vt=4V,R=4.7k AplicamosVin=5V Caso1:Sustituimoseltrt pordosvoltmetrosy Caso 1: Sustituimos el trt por dos voltmetros y medimosVGS,VDS
VGS = VG Vs VG = 5V VGS = 5V VS = 0 Como VGS > Vt
Tema2.2
suponemos Saturacin
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2.7Aplicaciones
VGS = 5V I DS = Vout k 2 10 3 2 2 A (VGS Vt ) = (5 4 ) = 1mA 2 2 = VDS = VDD RD I DS = 5V 4.7 k 1mA = 0.3V < VGS Vt
Estaremosenlazonahmica
Tema2.2
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2.7Aplicaciones
2.7Aplicaciones
Paso2.bSustituimoseltrans.porsumodeloequivalenteenCORTE
I DS = 0mA Vout = VDS = VDD = 5V V GS= 0V < Vt
2.7Aplicaciones p
CMOS
Paraconseguirelevadavelocidad,menorconsumodepotenciaymayorcapacidadde integracinsecombinandostransistores(unodecanalPyotrodecanalN)enunamisma pastilla MOSFETComplementariooCMOS Actualmenteloscircuitosdigitalessebasanenestatecnologa. EjemploinversorCMOS(Vss=5V)
VSS + VSG1 _
Vi=5V T1cortado(VSG1<VT) IDS10A. T2nocortado(V T2 no cortado (VGS2>VT) Calculamos VDS2 ) CalculamosV VO =VDS2 Vi=0V T2cortado(VGS2<VT) IDS20A. T1nocortado(VSG1>VT) CalculamosVSD1 VO =VSS VSD1 EnamboscasosIDS pequea BajaPdisipada
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T1: Canal P Vo
Vi
+ VGS2
T2: Canal N
Tema2.2
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Tema2.2
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Vt ro
gm
Paracualquierpuntodetrabajo
ro =
Tema2.2
VA = rDS I DS
gm =
2 I DS VGS Vt
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Tema2.2
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Tema2.2
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Variacindelascaractersticascuandovaralatemperatura: p
Tema2.2
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2.8Hojasdecaractersticas j
Aproximacindekapartirdelashojasdecaractersticas
IDS2 IDS1
VGS1 VGS2
V GS1 I DS 2 V GS 2 I DS1 I DS 2 I DS1 8 1. 2 6. 7 1. 6 1.6 1.2
Vt =
= 1.7V
Quedadentrodelmargendadoenlas hojas
I DS1 =
k 2 (VGS1 Vt ) k = 80.6mV / A2 2
Tema2.2
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