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TIPOS:
* Segn la Aplicacin y Funcin - Analogicos - Digitales
* Segn el Grado de Integracin - Integracin a Baja Escala (SSI) - Integracion a Mediana Escala (MSI) - Integracin a Alta Escala (LSI) * Segn la Tecnologa Constructiva - Unipolares RTL (Lgica Resistor-Transistor) DTL (Lgica Diodo-Transistor) ECL (Lgica Acoplada al Emisor) TTL (Lgica Transistor-Transistor) - Bipolares MOS (Semiconductor de Oxido de Metal) * Segn el Tipo de Encapsulado - To - Planos - Dip
Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD que van de 3 a 15V, por lo que la regulacin de voltaje no es un aspecto crtico. Las series 74HC y 74HCT funcionan con voltajes de 2 a 6 V.
niveles de voltaje
Cuando las salidas CMOS manejan solo entradas CMOS, los niveles de voltaje de la salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD para el estado alto. VOL (max) VOH (min) VIL (max) VIH (min) 0V VDD 30% VDD 70% VDD
velocidad de operacin
Una compuerta NAND N-MOS comn tiene un tiempo de retardo de 50 ns. Esto se debe principalmente a la resistencia de salida relativamente alta (100k ) y la carga capacitiva representada por las entradas de los circuitos lgicos manejados.
margen de ruido
Normalmente, los mrgenes de ruido N-MOS estn alrededor de 1.5V cuando operan desde VDD = 5 V, y sern proporcionalmente mayores para valores ms grandes de VDD.
factor de carga
Para circuitos operando en DC o de baja frecuencia, las capacidades del factor de carga son virtualmente ilimitadas. Sin embrago, para frecuencias mayores de 100 kHz, se observa un deterioro del factor de carga siendo del orden de 50, lo que es un tanto mejor que en las familias TTL.
consumo de potencia
Los CI MOS consumen pequeas cantidades de potencia debido a las resistencias relativamente grandes que utilizan. A manera de ejemplo, se muestra la disipacin de potencia del INVERSOR N-MOS en sus dos estados de operacin. PD = 5V x 0.05nA = 0.25 nW PD = 5V x 50 A = 0.25mW
La lgica MOS es la familia lgica ms simple de fabricar ya que utiliza un solo elemento bsico, el transistor NMOS (o bien el P-MOS), por lo que no requiere de otros elementos como diodos o resistencias (como el CI TTL).
Las familias lgicas MOS son especialmente susceptibles a daos por carga electrosttica. Esto es consecuencia directa de la alta impedancia de entrada de estos CI. Una pequea carga electrosttica que circule por estas altas impedancias puede dar origen a voltajes peligrosos. La mayora de los nuevos dispositivos CMOS estn protegidos contra dao por carga esttica mediante la inclusin en sus entradas de un diodo zener de proteccin. Estos diodos estn diseados para conducir y limitar la magnitud del voltaje de entrada a niveles muy inferiores a los necesarios para hacer dao.