INFORME PREVIO

EXPERIENCIA N 5

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BIPOLAR EN BASE COMN

CURSO: Laboratorio de Circuitos Electrnicos I EE441 LABORATORIO N: 5 ALUMNO: Salvador Rosas, Bernick Lincoln CDIGO: 20100011I SECCIN: N

FECHA: 24/05/2012

LIMA - PER

DESARROLLO DEL INFORME PREVIO:

OBJETIVOS: Determinar las caractersticas del amplificador en base comn as como su funcionamiento en el circuito desarrollado en el laboratorio y los dems circuitos similares. Conocer las caractersticas elctricas del transistor 2N2222 as como del transistor 2N3904, encontrando las ventajas de este ltimo con respecto al primero dentro de un circuito amplificador. Diferenciar el comportamiento del transistor NPN de base comn con las de emisor comn. Conocer las caractersticas de la grfica de ganancia de tensin vs la frecuencia. Aprender a calcular la ganancia de voltaje y la ganancia de corriente. Adquirir destreza en el uso de los manuales, data sheet y los equipos de medicin. Desarrollar los conocimientos sobre simulacin en diferentes programas, as como las diferentes grficas que se utilizan en stos. Adquirir rapidez en la toma de datos de un experimento.

FUNDAMENTO TERICO:

AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT

Se puede explicar la accin bsica de amplificacin del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la figura 2. La polaridad de corriente directa no aparece en la figura debido a que nuestro inters se limita a la respuesta en corriente alterna. Para la configuracin de base comn, la resistencia de corriente alterna de entrada determinada por las caractersticas de la figura 1 es muy pequea y casi siempre vara entre 10 y 100 . La resistencia de salida, segn se determin en las curvas, es muy alta (mientras ms horizontales sean las

curvas, mayor ser la resistencia) y suele variar entre 50 k

y 1 M . La

diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unin con polarizacin directa en la entrada (base-emisor) y a la unin con polarizacin inversa en la salida (basecolector). Utilizando un valor comn de 20 para la resistencia de entrada, se encuentra que

Figura 1. Caractersticas del punto de entrada o manejo para un amplificador a transistor de silicio de base comn.

Ii = Vi / Ri = 200mV / 20 = 10 mA IL = Ii +10 mA VL = ILR = (10 mA)(5 k ) = 50 V

Figura 2. Accin bsica de amplificador de voltaje de la configuracin base comn.

AV = VL / Vi = 50 V / 200 mV = 250

Los valores tpicos de la amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan entre 50 y 300. La amplificacin de corriente (IC / IE) es siempre menor que 1 para la configuracin de la base comn. La accin bsica de amplificacin se produjo mediante la transferencia de una corriente i desde un circuito de aja resistencia a uno de alta. Transferencia + Resistor ==> Transitor

DATA SHEET:

Datasheet del transistor 2N2222

Datasheet de una resistencia

Datasheet de un condensador electroltico

EQUIPOS Y MATERIALES: 01 transistor 2N2222 2N3904

02 Resistores de 1K, 0.5W 01 Resistor de 5.6K, 0.5W 01 Resistor de 10K, 0.5W 01 Resistor de 91K, 0.5W 01 Resistor de 15K, 0.5W

01 protoboard

01 fuente DC

01 Osciloscopio

01 Multmetro

03 puntas de prueba

01 Generador de funciones

02 Condensadores electrolticos de 10F, 16V 01 Condensadores electrolticos de 100F, 16V

PROCEDIMIENTO: 1. Arme el amplificador en base comn de la figura 1. 2. Verifique las conexiones, ajuste la fuente a 12 VDC y conctala al circuito. 3. Con el multmetro mida la tensin DC en colector (VC), emisor (VE) y base (VB), respecto a la referencia. Desconecte la seal. 4. Usando el osciloscopio, ajuste la tensin del generador para que la seal de entrada (Vin) mida 120mVpico, con frecuencia 1KHz. 5. Mida el voltaje de seal de salida (VL). Desconecte la resistencia de carga (RL) y mida nuevamente el voltaje de seal de salida. 6. Mida la relacin de fase entre Vin y VL usando los dos canales del osciloscopio.

Figura 1

Forma de la onda en la salida (carga) y de entrada

7. Vare la frecuencia del generador y llene la siguiente tabla, con Vin=10mVpico f(Hz) Vin(Vpico) VL(Vpico) 100 500 1K 2K 5K 10K 15K 20K 25K 30K 35K 50K

8. Con las mediciones realizadas Cmo determinara la impedancia de entrada del circuito (Zi)? 9. Con las mediciones realizadas Cmo determinara la impedancia de salida del circuito (Zo)?

RESPUESTAS A PREGUNTAS:

1. Del data sheet del transistor 2N2222 podemos extraer los siguientes datos: caractersticas de corte y saturacin, as como del punto de operacin Datasheet Transistor 2N2222

2. Del data sheet del transistor 2N3904 podemos extraer los siguientes datos: caractersticas de corte y saturacin, as como del punto de operacin

SIMULACIN: Primero armemos el circuito que tenemos que simular, lo realizamos en el programa de simulacin Multisim:

Medimos la tensin DC de la base, del emisor y del colector:

Cuyos resultados son: VE = 948.8mV VB = 1.611V VC = 6.724V Medimos VL:

Donde obtenemos: VL = 23.842mV Que es un valor eficaz. El valor mximo de la onda sera: 23.842x( ) = 33.718V

Desconectando la carga tendramos:

Donde el voltaje es 36.945mV

Comparemos las fases entre Vin y VL:

Como podemos observar la diferencia entre las dos ondas existe un pequeo desfase que es aproximadamente un cuarto del periodo.

BIBLIOGRAFA: http://iniciativapopular.udg.mx/muralmta/mrojas/cursos/elect/apuntesdefinitivos/UNIDAD1/1
.2.4.pdf

http://proton.ucting.udg.mx/materias/mtzsilva/practica4/index.htm http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor#Base_com.C3.BAn http://ocw.ehu.es/ensenanzas-tecnicas/electronica-general/teoria/tema-5-teoria http://saesap.ingenieriausac.edu.gt/campus/courses/C3000/document/Folletos_de_Estudio_Tarjetas/MANUALES_ELE CTRONICA_1/CircuitosdeamplificadorcontransistoresE1TARJETA2.pdf?cidReq=C3000

http://html.rincondelvago.com/amplificadores-de-emisor-comun.html file:///F:/previo5EE441/Tut_emisor_com.asp.htm file:///F:/previo5EE441/Tut_emisor_com.asp.htm