Amplicadores.

Conceptos, Modelos y Dispositivos: Transistores

Amplificadores Conceptos, Modelos y Dispositivos Bsicos: Transistores

1. Fuentes controladas 2. Amplificadores 3. Transistores

Un amplicador puede ser denido como un dispositivo o circuito capaz de aumentar una seal dada. Para conseguir una amplicacin trabajamos con los llamados componentes activos, que son dispositivos capaces de provocar cambios en las condiciones de un circuito reaccionando ante las seales aplicadas. Podemos considerar que los elementos activos aportan energa al circuito, en lugar de consumirla (como es el caso con las resistencias, condensadores y bobinas). La mayora de los elementos activos utilizados en los circuitos modernos son dispositivos creados a partir de materiales semiconductores. En este tema trataremos principalmente los transistores, elementos ms simples en el proceso de amplicacin.

1. Fuentes controladas
En relacin con la caracterstica de amplicar seales podemos distinguir diversos tipos diferentes de elementos del circuito que modulan la informacin: son las fuentes controladas, elementos multiterminales con cuatro terminales agrupadas dos a dos en las denominadas, respectivamente, puertas de entrada y de salida. En cada una de estas puertas nos interesa medir la tensin y la intensidad, que denotaremos con los subndices in (para la puerta de entrada) y out (para la de salida). En funcin a las caractersticas de estos datos podemos clasicar las fuentes controladas en cuatro categoras: Fuente de intensidad controlada por intensidad (CCCS): La puerta de entrada es un cortocircuito (por tanto v in = 0 ) y la intensidad de salida es mltiplo de la intensidad de entrada. Fuente de intensidad controlada por tensin (VCCS): La puerta de entrada es un circuito abierto ( i in = 0 ) y la intensidad de salida es un mltiplo del potencial de entrada. Fuente de tensin controlada por intensidad (CCVS): La puerta de entrada es un cortocircuito y la tensin de salida depende de la intensidad de entrada. Fuente de tensin controlada por tensin (VCVS): La puerta de entrada es un circuito abierto y la tensin de salida es un mltiplo de la tensin de entrada.

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ngel Rodrguez Vzquez, Antonio Acosta Jimnez, Roco del Ro Fernndez Este Documento es una copia de trabajo, incompleta, que puede contener errores, y cuya distribucin slo pueden autorizarla los autores. Queda totalmente prohibida su reproduccin por cualquier medio no autorizado. Prximamente estar disponible una versin -1 para distribucin semi-pblica.

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En general las fuentes controladas se representan con un rombo en los esquemas de un circuito, como puede observarse en la Figura 1. Su dependencia con el valor de la tensin o intensidad suele indicarse mediante una frmula junto al (a) de tensin (b) de intensidad smbolo de la fuente. Para estudiar los casos anteriores resulta til introducir el Figura 1 Fuentes controladas. concepto de ganancia, que representa en todos los casos el factor de amplicacin y se obtiene como cociente entre la seal de entrada y de salida. Dependiendo del tipo de fuente controlada que estudiemos hablaremos de ganancia de tensin (cociente entre las tensiones de entradas y de salida, utilizado en las fuentes VCVS) o de intensidad (para las fuentes CCCS). En estos casos observamos que el factor de ganancia es adimensional. Sin embargo, en los dos tipos restantes de fuentes controladas la ganancia tendr unidades; bien de resistencia (VCCS), o bien de conductancia (CCVS). Observemos que cada tipo de fuente controlada que hemos mencionado anteriormente representa un tipo de amplicador ideal, ya que es capaz de reaccionar ante una seal dada y producir una seal de salida mayor.

Ejercicio 1

Crear un circuito cuya caracterstica i v corresponda a la de una resistencia negativa (i.e., recta de pendiente negativa). Para ello utilizar nicamente resistencias positivas y fuentes controladas del tipo VCVS.

2. Amplicadores
En este apartado vamos a tratar con componentes (entidades fsicas) y elementos (entidades matemticas) de ms de dos terminales (3 4 en general). Un amplicador es un dispositivo representado en la Figura 2 mediante una caja, puesto que todava no nos interesa estudiar su estructura interna. Consta de cuatro terminales, agrupadas dos a dos en las puertas de entrada y de salida. Para que dos terminales constituyan una puerta la corriente que circula por ambos ha de ser la misma. La seal de entrada, en tensin o intensidad, es recibida a travs de la puerta de entrada y la seal modicada se emite por la puerta de salida. Puerta de entrada Puerta de salida RL Carga

iS

RS

Fuente
vS RS

Amplicador

Figura 2 Representacin de un amplicador.

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Nos interesa que una fuente de tensin sea capaz de generar un valor de la misma independiente de la intensidad que circule por ella, del mismo modo que al generar intensidad sta no dependa de la tensin aplicada a la fuente. Sin embargo, de forma real hay que considerar cierta resistencia asociada a la fuente, bien en serie (para las fuentes de tensin), bien en paralelo (para las fuentes de intensidad). Las fuentes controladas del apartado anterior son fuentes ideales, pues consideramos las seales de entrada y de salida medidas bien en circuito abierto (para las tensiones) o bien en cortocircuito (para las intensidades). Denominamos carga al dispositivo de salida, que en general representamos con una resistencia, aunque tambin puede tener carcter capacitivo, inductivo, o una mezcla de los anteriores. Del mismo modo denominamos fuente al circuito conectado a la puerta de entrada, representado en la Figura 2 tambin mediante una caja, puesto que su estructura interna no nos es conocida. Como caso particular, vamos a considerar que la carga, al igual que la fuente, es de tipo resistivo. Por tanto siempre nos va a ser posible sustituir la fuente (que puede ser un circuito de gran complicacin) por su equivalente Thvenin o Norton. Entonces, de forma similar a la seguida con las fuentes controladas, podemos clasicar los amplicadores de nuevo en cuatro grupos: Amplicador de tensin: Partiendo de una tensin de entrada proporciona una versin amplificada de la misma. Utilizamos el equivalente Thvenin para la fuente. En general nos interesara que dicha amplicacin fuera lineal: v out = A v v S donde A v fuera un trmino constante. Sin embargo esto slo ocurre en los amplicadores ideales (VCVS). Amplicador de intensidad: Obtenemos una intensidad de salida que es una versin escalada de la de entrada. Por tanto en esta ocasin nos interesa representar la fuente mediante su equivalente Norton. De nuevo de forma ideal: i out = A i i S con A i constante, lo cual solamente se encuentra en los casos ideales (CCCS). Amplicador de transconductancia: Proporciona una intensidad de salida a partir de una tensin de entrada (fuente representada en su equivalente Thvenin). Su comportamiento en modo ideal equivaldra al de la fuente tipo VCCS. Amplicador de transrresistencia: Proporciona una tensin de salida a partir de la intensidad de la seal de entrada (fuente representada en su equivalente Norton). En modo ideal trabajara como una fuente CCVS. En los amplicadores ideales el factor de amplicacin A es una constante que no depende ni de R S ni de R L , resistencias de fuente y de carga, respectivamente. Sin embargo en un amplicador real esto no se cumple. Adems en los modelos reales nos van a aparecer parmetros nuevos: R in resistencia de entrada del amplicador y R out resistencia de salida. Con estos cuatro parmetros vamos a poder describir el efecto de los amplicadores.
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Por ejemplo, el comportamiento real del amplicador de tensin podemos expresarlo: v out 1 1 -------- = A v ---------------- ------------------RS R out vS 1 + ------- 1 + --------R in RL De forma similar, para los amplicadores restantes: Amplicador de intensidad: i out 1 1 ------- = A i ---------------- ------------------RL R in iS 1 + ------- 1 + --------RS R out Amplicador de transconductancia: i out 1 1 ------- = G m ---------------- ------------------RL RS vS 1 + ------- 1 + --------R in R out Amplicador de transrresistencia: v out 1 1 -------- = R m ---------------- ------------------R in R out iS 1 + ------- 1 + --------RS RL

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(4)

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(6)

Estudiemos ahora algunos ejemplos de amplicadores, utilizando las fuentes ideales estudiadas en la seccin anterior. Amplicador de tensin: vS RS Rout Avvin

Rin

RL

El comportamiento de este circuito se aproximar al ideal cuando R in y R out 0 . En esas condiciones la tensin de entrada se medir en circuito abierto y la tensin de salida ser independiente de la intensidad de corriente que circule por la terminal de salida. En denitiva, se tratar de una fuente controlada VCVS. Pero tambin resulta posible imaginar situaciones para que este amplicador, sin dejar de ser real, se comporte idealmente. Bastara con que R S 0 (con lo que la fuente sera ideal) y R L (el circuito de salida estuviera abierto). Amplicador de intensidad: Rout RL

iS

RS

Rin

Aiiin

En esta ocasin el comportamiento ser ideal cuando R in 0 (intensidad de entrada medida en cortocircuito) y R out , con lo que tendramos una fuente CCCS. Similarmente al caso anterior, tambin puede lograrse comportamiento ideal si R S (fuente ideal) y R L 0 .
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3. Transistores
Los resistores, condensadores e inductores, al ser elementos pasivos, son incapaces por s mismos de amplicar o aumentar las pequeas seales asociadas con la mayora de los aparatos electrnicos. Actualmente el componente generalmente empleado para amplicar seales es el transistor. En 1948 los fsicos americanos J. Bardeen y W. H. Brattain anunciaron la invencin del transistor, un nuevo tipo de dispositivo amplicador hecho a partir de cristales semiconductores. En ese momento muy pocos podran haber previsto los desarrollos revolucionarios que seguiran, tan importantes y de tan largo alcance como para cambiar por completo la ciencia y la tecnologa de la electrnica; adems de dar comienzo a la multimillonaria industria de los semiconductores, el transistor ha originado toda clase de invenciones relacionadas, como los circuitos integrados, los dispositivos optoelectrnicos y los microprocesadores. Los principios fsicos en la base del funcionamiento del transistor fueron desarrollados en colaboracin con su colega W. Shockley. En reconocimiento de su trabajo los tres fsicos recibieron el Premio Nobel en 1956, constituyendo el primer caso en la historia que dicho premio era otorgado como consecuencia de un desarrollo de ingeniera.

3.1. Operacin bsica y constitucin interna del transistor BJT

El transistor es un elemento semiconductor que tiene la propiedad de poder gobernar a voluntad la intensidad de corriente que circula entre dos de sus tres terminales (emisor y colector), mediante la circulacin de una pequea corriente aplicada en el tercer terminal (base). Este efecto nos permite aplicar en la base una corriente muy pequea con cualquier forma de variacin en el tiempo, y obtener la misma corriente, con la misma variacin en el tiempo, pero de mayor amplitud. Su funcionamiento interno se puede describir a partir de lo ya explicado para los diodos, con la diferencia de que el transistor posee dos uniones semiconductoras, que pueden ser n (semiconductor con ms electrones disponibles para la conduccin) o p (ms huecos disponibles para la conduccin), y entre ambas una muy delgada del tipo p o n respectivamente, como vemos representado en la Figura 3. Este conjunto formar dos uniones: una n-p, entre el emisor y la base, y la otra p-n entre la base y el colector (si las dos zonas exteriores son del tipo n y la interior tipo p, lo denominaremos transistor NPN. Si las regiones exteriores son del tipo p y la interior del tipo n el transistor ser del tipo PNP). Si le aplicamos una tensin externa a la unin n-p, de forma que quede polarizada en directa, se producir una circulacin de n p n corriente entre ambas regiones. Aplicando una segunda tensin externa en la otra unin, de modo que sta quede en inversa (el terminal positivo de la fuente conectado al colector y el negativo a la base), los electrones de la corriente generada en la Figura 3 Transistor NPN. otra unin sern atrados por la diferencia de potencial positiva aplicada al colector, ocasionando que prcticamente todos los electrones provenientes del emisor lleguen al colector, salvo una pequea cantidad que saldr por la base. Y es justamente esta pequesima corriente de base la que nos permite gobernar la corriente circulante desde el emisor al colector.

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El sentido de circulacin de la corriente Colector (C) adoptado en el prrafo anterior es el de circulacin Base (B) de los electrones, y como la convencin utilizada Transistor NPN: toma el sentido opuesto entonces en un transistor Emisor (E) del tipo NPN la corriente ser entrante por el C colector y la base, y saliente por el emisor. Debido a B que la corriente de emisor ser siempre un mltiplo Transistor PNP: de la de base obtendremos los resultados deseados de amplicacin. E Para comprender mejor el funcionamiento de un Figura 4 Smbolos de los transistores. transistor NPN podemos sustituirlo por un circuito con un par de diodos y una fuente de intensidad controlada por tensin, dispuestos de la forma mostrada en el esquema de la Figura 5. En este esquema ambos diodos no son idnticos. El situado entre la base y el emisor tiene una corriente de saturacin pequea, inferior a I S , mientras que la intensidad de saturacin del diodo que une la base con el colector es aproximadamente I S . Veamos los modos de operacin de este circuito segn la polarizacin directa o inversa de los diodos que lo constituyen (que depender de los valores que tomen las tensiones v BC y v BE en relacin con las tensiones de cut-in de los diodos), lo que origina un total de cuatro posibles zonas de funcionamiento: Corte: Los dos diodos se encuentran en polarizacin inversa ( v BC y v BE son ambas menores que las respectivas tensiones de cut-in).En este caso podemos considerar las corrientes que atraviesan el transistor prcticamente nulas, por lo que ste va a comportarse como un circuito abierto. Saturacin: Ambos diodos conducen ( v BC y v BE son mayores que las tensiones de cut-in). Esto implica que la tensin entre el colector y el emisor ( v CE ) va a ser prcticamente nula, por lo que podemos considerar el transistor como un cortocircuito. Activa inversa: La unin base-emisor se encuentra polarizada inversamente, mientras que la base-colector va a estar polarizada directamente. Esta zona se puede considerar como carente de inters.

Colector (C) vBC + Base (B) + vBE -

I S(e

v BE U t

v BC U t

Emisor (E)
Figura 5 Representacin de un transistor NPN.
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Activa directa: Esta zona de funcionamiento es justamente contraria a la anterior: el diodo base-colector est en OFF, y el diodo base-emisor en ON. El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de intensidad constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente). Veamos la zona activa directa ms detalladamente. El transistor va a comportarse como el circuito representado en la Figura 6, donde hemos eliminado la corriente entre la base y el colector, al ser sta despreciable por estar el diodo en OFF. Sabemos que el trmino v BC no es muy grande por estar el diodo base-colector en inversa, por lo que podemos realizar algunas aproximaciones: iC I S e I S v BE U t i B ----- e F Entonces: IS v BE U t = (F + 1) iB i E I S + ----- e - F Y vemos por tanto el efecto amplicador del transistor sobre la seal aplicada a la base.
v BE U t

, F 1

Colector (C) iC Base (B) vBE + iB I S(e iE Emisor (E)

Figura 6 Transistor NPN en zona activa directa.
v BE U t

v BC U t

3.2. Anlisis de las caractersticas de entrada y de salida

El estudio y anlisis de los transistores se suele realizar mediante el empleo de las llamadas curvas caractersticas, con las cuales se puede caracterizar completamente el comportamiento o funcionamiento elctrico del transistor, siendo stas las expresiones grcas de las relaciones entre las corrientes i B , i C e i E en funcin de las tensiones externas. Estas grcas suelen ser proporcionadas por el fabricante del transistor. Las curvas describen el comportamiento de los transistores, pero como stos no se comportan todos de igual manera, varan segn el tipo de transistor, y, si bien dieren de un tipo a otro, son muy semejantes en la forma. Adems no se reeren a uno en concreto, sino que son un promedio de un gran nmero de unidades. Las curvas caractersticas ms importantes son las iB caracterstica de entrada y la de salida. En las de entrada se expresa la relacin entre la corriente de base i B y la tensin base-emisor v BE para una tensin colector-emisor v CE constante. A partir de ellas podemos calcular la corriente que circula por la base cuando se aplica una tensin externa entre sta y el vBE emisor. Suelen tener una forma parecida a la que puede 0.6V observarse en la Figura 7, que es muy semejante, como Figura 7 Caracterstica de entrada. podamos esperar, a la correspondiente al diodo. En las curvas de salida se representa la corriente que circula por el colector i C en funcin de la tensin colector-emisor v CE cuando mantenemos constante i B . Generalmente se dibuja una familia
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iC (mA) Saturacin
3 2 1

Activa directa

iB4 iB3 iB2 iB1 vCE (V)

Figura 8 Caracterstica de salida.

de curvas para distintos valores de i B . En esta caracterstica (Figura 8) se observa que por encima de un valor de tensin v CE la corriente se mantiene prcticamente constante, independientemente del valor de v CE ; esta regin corresponde a la zona de funcionamiento activa directa. Por debajo de este valor sucede todo lo contrario, i C vara rpidamente con pequeas variaciones de v CE , lo que corresponde a la zona de saturacin. Este valor de v CE es aproximadamente 0.2V. La zona de funcionamiento donde i C es casi constante es la utilizada cuando se desea amplicar una seal. En este caso i C solamente depende de i B .

3.3. Punto de operacin y comportamiento en pequea seal

Es conveniente jar el punto de trabajo del transistor, dependiendo de la tarea que queremos que ste realice en un circuito y utilizando las caractersticas antes vistas. De este modo podemos tratarlo de manera cuasi-lineal, a pesar de ser un dispositivo no lineal. El procedimiento es similar al visto para el diodo de unin. Comenzamos por hallar la recta de carga del transistor y representndola con la familia de curvas de salida ya vista. La recta de carga es til dado que nos muestra, en forma grca, todos los puntos de trabajo posibles del transistor para una polarizacin dada. En la Figura 9 vemos un ejemplo de un circuito RC con un transistor para el que vamos a obtener la recta de carga. RB iB En zona de corte i B 0 , entonces podemos VCC + concluir que v BE V BB . Por tanto el punto i B = 0 , vBE VBB v BE = V BB pertenece a la recta de carga. Por otro lado si v BE se anulara en algn momento, tendramos que concluir que: V BB i B = --------RB
Figura 9 Obtencin de la recta de carga.

Y con ayuda de este segundo punto podemos concluir que la expresin general para la recta de carga de este transistor es: v BE = V BB R B i B

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Si representamos esta recta junto con la iB caracterstica de entrada del transistor (Figura 10), el punto de interseccin de ambas es el punto de VBB/RB operacin del circuito. En caso de que desconociramos el valor de v CE obtendramos un Punto de operacin conjunto de puntos de operacin posibles, en Recta de carga funcin de v CE . A la tensin e intensidad correspondientes al punto de operacin las vBE VBB denominamos v BEQ y i BQ , respectivamente. Figura 10 Recta de carga. Este proceso puede simplicarse si en lugar de la caracterstica de entrada consideramos el modelo correspondiente al diodo ideal con tensin de cut-in E , concretamente a una tensin cut-in: E = 0.6V . Entonces, en el ejemplo anterior podemos obtener la intensidad del punto de operacin directamente como: V BB E i BQ = --------------------RB Si no realizamos esta simplicacin entonces tendramos que obtener el punto de operacin de modo grco, ya que a partir de la ecuacin real de un diodo la intensidad i BQ no podra despejarse de forma analtica. De modo similar al descrito anteriormente podemos dibujar la recta de carga correspondiente junto con la caracterstica de salida1, lo cual nos permitira obtener i CQ y v CEQ en funcin de i B . El procedimiento (o procedimientos) ms conveniente lo dictan los datos de que dispongamos y aquellos que tengamos inters en obtener. En cualquier caso, siempre resulta posible obtener una polarizacin que nos permita observar el comportamiento en pequea seal del transistor, en funcin del fenmeno que queramos estudiar (para ello podemos utilizar un circuito como el utilizado en el ejemplo anterior, sustituyendo los valores de las fuentes de tensin y de las resistencias segn nos convenga, o bien usar otro circuito que resulte adecuado). La tarea de estos circuitos polarizadores no es otra que la de hacer que a las distintas entradas del transistor lleguen diferentes tensiones, pero a partir de una nica fuente de alimentacin, intentando, adems, hacer que el parmetro de amplicacin F (o cociente entre la intensidad del colector i C y la de base i B ) sea lo ms estable posible, es decir, que no vare con los diversos factores externos que pueden llegar a alterar el mismo. Una vez jado el punto de operacin, para estudiar el comportamiento del transistor en pequea seal nos basta hacer variar ligeramente la tensin aplicada al mismo en torno a la del punto de trabajo. Concentrmonos ahora en la aplicacin a la base del transistor de la pequea seal, mediante el empleo de una fuente de tensin dependiente del tiempo v s ( t ) . En principio se nos pueden ocurrir dos formas de conectar la misma: bien en serie (Figura 11a), bien en paralelo (Figura 11b). Sin embargo ninguno de estos mtodos funcionara. En el primer caso (conexin en serie), la seal v s ( t ) perturbara el circuito, y por tanto el punto de operacin del transistor. En la conexin en paralelo podramos eliminar la fuente de tensin V BB y la resistencia R B sin alterar en circuito (pues la tensin aplicada a la base sera independiente de la intensidad que circulara por R B y vendra dada
1

Para la caracterstica de salida nos interesa que la recta de carga relacione la tensin v CE con la corriente del colector i C . Para el circuito del ejemplo estudiado, razonando de forma anloga podemos llegar a la conclusin de que tal recta de carga tomara la forma: v CE = V CC R C i C .

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10

RC VBB vs(t)
(a)

vs(t)

RC

RB

VCC VBB
(b)

RB

VCC

Figura 11 Posibles conexiones de la seal variable con el tiempo, ambas incorrectas.

nica y exclusivamente por v s ( t ) ). Entonces evidentemente podemos apreciar que de nuevo el punto de operacin del transistor habra cambiado. El modo correcto de establecer la conexin viene mostrado en la Figura 12, en donde hemos colocado v s ( t ) en paralelo con V BB y R B , pero utilizado en dicha conexin un condensador. Entonces, si la capacidad C B del condensador es sucientemente grande, la seal sinusoidal pasar sin perturbarse (por tratarse de un ltro paso de alta). vs(t) CB RC

RB VBB + vBE -

VCC

Figura 12 Modo correcto de conectar la seal variable.

Veamos con detalle el modelo en pequea seal as obtenido, considerando para ello que la capacidad C B es sucientemente grande como para que cualquier seal v s ( t ) , por muy baja que sea su frecuencia, pase sin atenuar (lo que equivale a decir que el condensador acta prcticamente como un cortocircuito). Comportamiento en pequea seal en la entrada: La tensin v BE variar ligeramente en torno a la posicin de equilibrio: v BE ( t ) = v BEQ + v eq ( t ) v BEQ + v s ( t ) donde hemos aproximado esta variacin a la propia v s ( t ) , al considerar como acabamos de mencionar que la pequea seal pasa prcticamente sin ser atenuada. Entonces podemos aproximar para la corriente de base: I S v (t) U t I S v (t ) U t I S i B ( t ) = f [ v BE ( t ) ] ----- ( e BE 1 ) ----- e BE = ----- e F F F Y desarrollando en serie esta ltima expresin obtenemos nalmente:
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v BEQ + v ( t ) s ----------------------Ut

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IS v U 1 IS v U i B ( t ) ----- e BEQ t + ----- ----- e BEQ t v s ( t ) + F U t F Podemos observar que el primer trmino de este desarrollo corresponde a la corriente de base del punto de equilibrio i BQ , lo que implica que el segundo sumando es el correspondiente a la pequea seal. Por tanto podemos representar este CB comportamiento con el modelo lineal de la Figura + 13, donde la resistencia r podemos obtenerla a r RB partir del segundo sumando del desarrollo en vs(t) vbe(t) serie de la corriente de base como: 1 I S v U 1 U t r = ----- ----- e BEQ t ------ U t F i BQ
Figura 13 Modelo equivalente para la entrada.

Comportamiento en pequea seal en la salida: Por un proceso similar al seguido anteriormente la corriente del colector ser: i C ( t ) = i CQ + i c ( t ) = I S e
v BE ( t ) U t

= IS e

v BEQ + v ( t ) s ----------------------Ut

1 i CQ + ----- i CQ v be ( t ) Ut

Lo que nos lleva al modelo representado en la Figura 14, con un valor de g m : i CQ g m ------Ut gmvbe(t)

RC

Figura 14 Modelo equivalente para la salida.

Utilizando ambos modelos podemos sustituir el transistor como un amplicador en el circuito original: CB + vs(t) RB r vbe(t) Figura 15 Modelo del transistor completo.

gmvbe(t)

RC

Si consideramos que la capacidad del condensador es prcticamente innita, podemos calcular que la amplicacin de este dispositivo viene dada por la expresin: Av = g m RC Vemos que no se trata ni de un amplicador ideal de tensin ni de uno de transconductancia, ya que r no tiende a innito y R C no tiende a cero. De hecho no se trata de ninguno de los amplicadores ideales vistos al principio del tema, puesto que es un modelo real.

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3.4. Fenmenos de segundo orden

Consideremos ahora que en el circuito r anterior disponemos una transferencia de informacin del circuito de salida al de + entrada, es decir, conectamos ambos mediante una resistencia r .Entonces r RC vbe(t) gmvbe(t) ahora tenemos que aadir al modelo componentes dinmicos, debido al retraso en la transferencia de informacin de unos componentes del Figura 16 Conexin de los circuitos de salida y entrada. circuito a otros. En la Figura 17 est representado el modelo del transistor, con los componentes dinmicos correspondientes. C r + C r vbe(t) Figura 17 Modelo dinmico del transistor BJT.

gmvbe(t)

RC

Para estudiar el efecto de estos componentes dinmicos nos vamos a centrar en el estudio del circuito representado en la Figura 18. i CQ = I CC i CQ i BQ = ------F F i BQ IS v U i BQ ----- e BEQ t v BEQ U t ln ------------------ IS F V BB v BEQ --------------------------- = i BQ RS vs(t) VBB

RS

iB vBE + -

+ vCE -

ICC

Figura 18

Estamos jando i CQ = I CC , pero si consideramos el modelo de salida ideal de un transistor en zona activa directa (recta de pendiente cero en la caracterstica de salida) nos es imposible jar el valor de v CEQ , que puede tomar cualquier valor segn dicha grca. Por tanto resulta necesario tener en cuenta la pequea inclinacin de estas lneas, para as poder jar el punto de operacin. Supongamos a partir de ahora que nos encontramos en un punto de operacin. Substituimos el

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circuito equivalente de salida mediante su equivalente Thvenin. RS + vs(t) vbe r gmvbe + ro vce gmrovbe ro

Figura 19 Cambio del equivalente de salida a Thvenin.

Entonces: v CE v BE v CE 1 A v = -------- = -------- -------- = ( g m r o ) --------------v BE v s RS vs 1 + ----r i CQ VA Como g m = ------- y r o = ------- , sustituyendo: Ut i CQ VA 1 A v = --------------- -----RS U t 1 + ----r donde el trmino V A U t nos da idea de la capacidad de ganancia del transistor. Para nalizar compliquemos ligeramente el modelo en pequea seal, segn el esquema de la Figura 20. RS + vs(t) vbe C r gmvbe

ro

Figura 20

La admitancia equivalente de los elementos marcados es sC + g , segn lo que vimos en temas anteriores. Considerando que la entrada es una seal exponencial, la relacin de la amplitud forzada de salida y la amplitud de entrada vendr dada por: Gs A v ( s ) = g m r o ---------------------------------G s + g + sC Haciendo s = j : Gs ( Gs + g ) 1 1 A v ( j ) = g m r o ------------------------------------------- = g m r o --------------- ----------------------------------RS C Gs + g + s C -------------------------------------- 1 + ----- 1 + j ---------------- r Gs + g Gs + g
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ngel Rodrguez Vzquez, Antonio Acosta Jimnez, Roco del Ro Fernndez Este Documento es una copia de trabajo, incompleta, que puede contener errores, y cuya distribucin slo pueden autorizarla los autores. Queda totalmente prohibida su reproduccin por cualquier medio no autorizado. Prximamente estar disponible una versin -1 para distribucin semi-pblica.

Amplicadores. Conceptos, Modelos y Dispositivos: Transistores

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( j )

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Figura 21

siendo constante de tiempo: C = ----------------Gs + g Imaginemos que tenemos una seal de entrada de la forma v s ( t ) = cos ( t ) . La seal de salida ser de la forma v CE ( t ) = ( j ) cos [ t + ( j ) ] , donde observamos que ha cambiado tanto la amplitud como la fase. La funcin ( j ) tendr la forma mostrada en la Figura 21, mantenindose prcticamente constante en un rango de frecuencia, para posteriormente dejar de amplicar a partir de una frecuencia determinada.

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