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APPROCHE THEORIQUE

INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE

A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

SOMMAIRE
A4.1 Thorie des atomes A4.2 Semi-conducteur pur A4.3 Dopage d'un semi-conducteur A4.4 Effet diode, la jonction P - N A4.5 Mcanisme de conduction d'une diode A4.5.1 Le plus la zone P A4.5.2 Le plus la zone N A4.6 Effet Zener, une jonction fortement dope A4.7 Effet transistor, du microscope l'ohmmtre A4.8 Effet transistor, du microscope l'ampremtre A4.9 Effet transistor, du microscope l'effet transistor A4.10 Effet de champ A4.11 Bibliographie
(Les renvois entre crochets [*] y font rfrence)

A4.1 Thorie des atomes


Pour comprendre quelque peu le fonctionnement des composants lectroniques raliss l'aide des matriaux ou alliages semi-conducteurs, il nous faut avoir en tte la thorie des atomes. L'explication actuelle que nous donne les physiciens sur la matire met en jeux la composition de celle-ci. La matire serait compose d'atomes d'un diamtre d'environ 1 10-10 1 10-12 mtre de diamtre, distincts entre eux par leur nombre de particules dont ils sont eux-mmes composs. Ces atomes sont classs prcisment par l'volution du nombre de ces particules, le premier atome n'en contenant que deux jusqu'aux derniers qui en contiennent plus de cent. C'est le tableau priodique des lments cr par Dmitri Mendeleev (1834 - 1907). Il est admis que les particules qui composent l'atome sont organises avec un noyau, dont le diamtre est d'environ 1 10-14 mtre, qui contient des protons et des neutrons accompagn autour d'un nuage de petits lectrons qui gravitent au loin, des distances bien dfinies appeles couches lectroniques. Chaque proton ou neutron, appels tous deux nuclons, est d'un diamtre et d'une masse environ 2000x suprieure un lectron. Les forces qui interagissent entre toutes ces particules ainsi que celles qui interviennent entre les diffrents atomes d'un objet vont fortement influencer le comportement d'un matriau en fonction des contraintes qu'il subit. En ce qui concerne l'lectricit et ces effets, ce sont essentiellement les lectrons qui gravitent sur la dernire couche lectronique qui sont impliqus. La nature fabriqu des atomes ne possdant jamais plus de 8 lectrons priphriques (pour un tat stable). Le tableau priodique des lments nous le confirme. La reprsentation la plus usuelle d'un atome est celle propose par le physicien Niels Bohr (1885-1962) qui est une reprsentation trs pratique pour un lectronicien qui va encore le simplifier.

IMAGE A4.1, J.KANE, PHYSIQUE, 1994, INTEREDITIONS, PARIS

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A4.2 Semi-conducteur pur


Il est facile de simplifier au maximum la reprsentation de Niels Bohr en ne laissant apparatre que le noyau avec les couches lectronique interne et la dernire couche lectronique, appele couche priphrique ou couche de valence.

Un matriaux semi-conducteur la particularit de possder 4 lectrons priphriques, soit exactement la moiti d'une couche compltement sature.

Sii S

Cette particularit va lui donner un comportement particulier en ce qui concerne les phnomnes lectriques, entre autres.

noyau + couches internes


IMAGE A4.2

couche priphrique

Le matriaux semi-conducteur actuellement le plus utilis est le SILICIUM.

Toutefois, pour utiliser du silicium en lectronique, il faut obtenir des plaquettes d'une puret extraordinaire. La puret est de l'ordre de un atome impur pour un million d'atomes de silicium. Le tout reste totalement stable si la temprature est trs basse.

Pour illustrer non seulement un seul atome de silicium mais une plaquette entire, nous simplifions la reprsentation en ne faisant apparatre que les noyaux avec les couches atomiques intrieures par les cercles comme ci-dessus et avec des traits doubles pour illustrer les lectrons priphriques entre chaque atomes.

Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

liaisons Si

Si Si Si

plaquette de Si pur
IMAGE A4.3

De plus, les atomes du silicium purifi s'organisent entre eux de manire trs rgulire, suite aux traitements subis, ce qui nous amne parler d'un cristal semi-conducteur, ou d'une structure cristalline du silicium. Cette organisation atomique donne des proprits lectriques particulires au silicium lectronique.

Grce l'organisation cristalline, chaque atome est entour de quatre atomes voisins qui vont combiner ensemble leurs lectrons de valence de fait que chaque atome se trouve entourer de huit lectrons priphriques. Ce qui donne la proprit d'un isolant parfait:

A TRES BASSE TEMPERATURE, AU VOISINAGE DU ZERO ABSOLU (0 KELVIN) LE SILICIUM PUR EST UN ISOLANT PARFAIT.

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Ds que la temprature augmente, l'agitation des atomes entre eux va va bousculer cet ordre tabli et des lectrons priphriques peuvent se retrouver arrachs la liaison cristalline des atomes. Ces lectrons se retrouvent une distance des noyaux qui leur permet de se dplaer dans la plaquette de silicium. Les lectrons ainsi librs ont chacun rompu une liaison cristalline du silicium. Ils ont donc laiss derrire eux un emplacement vide, nous parlons d'un "trou". Ces lectrons vont se dplacer librement dans la plaquette jusqu'au moment o ils rencontre un "trou" et se fixer nouveau dans le rseau. liaisons Si Ce dplacement alatoire d'lectrons (dans n'importe quel sens) correspond un courant lectrique alatoire qui reprsente ce que nous appelons du souffle lectronique.
IMAGE A4.4

lectrons librs par agitation thermique "trou" laiss par un lectron


Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si

plaquette de Si pur

Toutefois, ce courant est trs, trs faible et nous parlons de conduction intrinsque. Cette conduction intrinsque est pratiquement non mesurable pour un technicien de maintenance. Ces courants, souvent indsirables, sont de l'ordre du nanoampre et appels courants de fuites. Mme non mesurable, ces courants de fuites existent nanmoins et deviennent trop important si la temprature n'est pas contrle. UN SEMI-CONDUCTEUR EST DONC TRES SENSIBLE A LA TEMPERATURE ET NECESSITERA DES MOYENS EXTERNES DE STABILISATION. SANS QUOI UN EMBALLEMENT THERMIQUE ENTRANE TRES VITE LA DESTRUCTION DU SEMI-CONDUCTEUR.

A4.3 Dopage d'un semi-conducteur


Afin d'amliorer la conduction d'un semi-conducteur, les fabricants injectent dans une plaquette semiconductrice des matriaux trangers, ou impurets, qui possdent un nombre d'lectrons priphriques juste infrieur ou juste suprieur aux 4 lectrons du semi-conducteur.

IMAGE A4.5

Le dopage N consiste ajouter au semi-conducteur des atomes possdants 5 lectrons priphriques. Quatre de ces lectrons vont participer la structure cristalline, et un lectron supplmentaire va se retrouver libre et pouvoir se dplacer dans le cristal. Nous parlons de porteurs de charges mobiles. Les ions + sont fixes car ils font partie de la structure atomique cristalline de la plaquette de silicium. Rappelons que les ions comprennent le noyau des atomes et qu'ils sont gros, lourds et solides par rapports aux porteurs de charges mobiles. Un lectron est environ 2000x plus petit qu'un seul proton.
IMAGE A4.6

+ + + + + + + + + -

+ + +

+ +

+ + +

ions + immobiles lectrons mobiles

plaquette de Si dop N
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Le dopage P consiste ajouter au semi-conducteur des atomes possdants 3 lectrons priphriques. Ces trois lectrons participent la structure cristalline, mais un "trou" est cr par chaque atome tranger puisqu'il lui manque un lectron priphrique.
ions immobiles
+ + + + +

+ + + + + + -

+ + + + -

+ + -

+ -

Les "porteurs de charges lectriques" mobiles sont responsables de la conduction d'une plaquette de silicium dope.

"trous" + mobiles

plaquette de Si dop P
IMAGE A4.7

Si la proportion de dopage est de l'ordre de dix atomes de dopant P pour 100 atomes de silicium, la conductibilit du semi-conducteur est amliore dans la mme proportion, soit de 10%.

Il est donc possible de "rgler" la conduction d'un semi-conducteur en choisissant la quantit de dopage. A l'intrieur d'un circuit intgr, il est ais d'imaginer des zones plus ou moins dopes de manire obtenir des rsistances lectriques.

A4.4 Effet diode, la jonction P - N


Il est ais de s'imaginer ce qui se passe lorsque deux zones de dopage P et N sont ralises sur une mme plaquette. A la jonction (runion) des deux zones, les porteurs de charges mobiles se combinent et il apparat une zone d'espace vide de porteurs de charges mobiles, donc une zone isolante.

Zone N
+ + + + + - + + + + + + + -

+ + -

Zone P
IMAGE A4.8

En observant attentivement la polarit rsultante des charges lectriques de la zone isolante, on s'apperoit qu'elle est inverse la polarit de la rgion de dopage: charge positive dans la zone N et charge ngative dans la zone P. Cela signifie qu'une jonction PN non alimente est l'image d'un condensateur, savoir deux zones conductrices spares par une zone isolante. Le symbole de la diode reprsente directement ces deux zones:

L'anode reprsente la zone P


IMAGE A4.9

La cathode reprsente la zone N

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A4.5 Mcanisme de conduction d'une diode


Lorsque l'on alimente une diode, donc une jonction PN, l'effet change selon la polarit de la tension applique. Une diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens. Essayons de comprendre ce phnomne particulier :

A4.5.1 Le PLUS la zone P Si l'alimentation (Ug) est suprieure 0,6 - 0,7 volts, les porteurs de charges mobiles ont suffisamment d'nergie pour "traverser" la zone isolante.
+ + + + + + + + - + + + - + + + +

R ig Ug + _
Uj = 0,6 - 0,7V
IMAGE A4.10

+ Uj _

+ I

IMAGE A4.11

Nous constatons la circulation du courant lectrique. La jonction est conductrice en prsentant une diffrence de potentiel de 0,6 - 0,7 volts ses bornes. La diode conduit et nous pouvons idaliser ce fonctionnement en remplaant la diode par un gnrateur DC et un interrupteur ferm. Nous parlons de: polarisation dans le sens passant, ou sens direct; courant direct; en anglais "forward".

A4.5.2 Le PLUS la zone N


Les porteurs de charges mobiles sont attirs vers les connexions extrieures par la prsence des charges lectriques de l'alimentation.
+ + + + + + + + + + + + ++ + -

_ R ig _ Ug +
Uj Ug
IMAGE A4.12 IMAGE A4.13

Uj +

Nous constatons l'largissement de la zone vide de porteurs de charges. La jonction reste isolante. La diode est bloque et nous pouvons reprsenter cet tat par un interrupteur ouvert. Nous parlons ici de: polarisation dans le sens bloquant, ou dans le sens inverse; en anglais "reverse"

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A4.6 Effet Zener, une jonction fortement dope


Nous savons qu'une jonction P-N ne laisse passer le courant que dans un seul sens, en polarisation directe. Par contre, en polarisation inverse, il ne circule pratiquement aucun courant tant que la tension inverse ne dpasse pas une valeur limite, limite appele tension de claquage UINV MAX. La tension inverse donne naissance un champ lectrique lintrieur de la plaquette de silicium, et plus prcisment dans la zone isolante de la jonction. La quantit faible des lments de dopage fait que la jonction PN dune diode conventionnelle supporte des champs lectriques intenses correspondants des tensions inverses allant de plusieurs centaines de volts plusieurs milliers de volts.
IMAGE A4.14

+ + + + + +

+ + +

+ -+ + + -+ + -

champ lectrique

V m

Si cette tension UINV MAX est dpasse, lemballement thermique dtruit la diode dans la plupart des cas. C'est ce qui est appel la zone de claquage. Par contre, les diodes Zener ont t spcialement conues et fabriques de manire pouvoir tre utilise en polarisation inverse, dans la zone de claquage, notamment en modifiant les dimensions de la jonction et surtout la quantit de dopage des zones P et N.
IMAGE A4.15 IMAGE A4.16

+ - - - - + + + - - - - + + + - - - - + +

+ + + + + - - + + + + + - + + + + + -

Plus fortement dope que les diodes conventionnelles, un champ lectrique relativement faible devient dj suffisamment intense pour que les liaisons de covalence s'affaiblissent et se rompent. Les porteurs de charges (des lments de dopage) ainsi librs sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et pour que la tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement plus. Cest ce qui est appel leffet Zener.

champ lectrique

V m

Pour dautres diodes Zener, il est possible que sous l'action du champ lectrique interne, les porteurs de charges minoritaires (du silicium) de la zone isolante acquirent une nergie telle qu'il puisse y avoir ionisation par choc, et, par effet d'avalanche, le courant crot extrmement vite et la tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement plus. Cest ce qui est appel effet davalanche.
avalanche + zener I
D

IMAGE A4.17

En pratique, pour les diodes dont la tension zener dpasse 10V, seul l'effet d'avalanche est possible. Ce qui pour consquence que la caractristique de la diode est moins franche (la pente est plus grande), et le coefficient de temprature est positif. Les diodes dont la tension Zener est infrieure 5V ont une jonction trs mince et seul l'effet Zener peut avoir lieu, ce qui entrane que la caractristique de la diode est trs raide et, de plus, ces diodes ont un coefficient de temprature ngatif. Entre 5V et 10V, les deux effets peuvent se combiner, et la caractristique est la plus raide ainsi que le coefficient de temprature qui peut tre proche de zro. Ce qui signifie que les diodes Zener prvues pour un fonctionnement inverse compris entre 5V et 10V seront utilises pour un fonctionnement trs stable.
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A4.7 Effet transistor, du microscope l'ohmmtre


Avant 1950, tout quipement lectronique comportait des tubes vide. Ces "lampes" luminescentes, dont le filament lui seul consommait dj quelques watts, ncessitaient une alimentation volumineuse et un dispositif de circulation d'air afin de dissiper la chaleur mise. Effectuant des recherches depuis 1948 aux Bells Telephone Laboratories, trois chercheurs mirent au point, vers 1951, un dispositif semi-conducteur deux jonctions appel transistor (de l'expression anglaise TRANSfer resISTOR). Ces trois physiciens et techniciens amricains, JOHN BARDEEN, WALTER BRATTAIN et WILLIAM SCHOCKLEY obtinrent d'ailleurs le prix Nobel de physique en 1956 pour leur invention. L'impact de cette dcouverte sur l'lectronique fut considrable et donna naissance toute une industrie ainsi qu'au dveloppement de composants lectroniques allant jusqu'au microprocesseur actuel prsent dans tout micro-ordinateur. Un transistor est ralis partir d'une plaquette semi-conductrice, germanium ou silicium, dans laquelle trois zones de dopage P ou N, telles que nous l'avons dj dcrit pour les diodes, sont cres, ce qui reprsente la ralisation de deux jonctions P-N. Il est donc possible d'obtenir des transistors PNP ou NPN qui sont complmentaires. Les courants et les tensions d'un transistor PNP sont opposs aux courants et tensions d'un transistor NPN, mais le principe de fonctionnement est exactement le mme pour les deux types. Vu l'aide d'un microscope, l'intrieur d'un transistor peut se visualiser (en simplifi, bien sr) selon le dessin ci-dessous.

IMAGE A4.18 [2]

Il est utile de savoir que la zone d'metteur est fortement dope, la zone de base est trs troite (de l'ordre du m) et faiblement dope, alors que la zone collecteur, dope moyennement, est par contre la plus large des trois zones et dissipe le plus de chaleur. Le transistor ressemble donc deux diodes, l'une pouvant tre appele diode collecteur pour la jonction basecollecteur, et l'autre diode metteur pour la jonction base-metteur. Le transistor peut se comparer au schma de deux diodes dont soit les anodes (cas du NPN) ou les cathodes (cas du PNP) sont relies et symbolisent la base.

IMAGE A4.19

IMAGE A4.20

Ce schma quivalent des deux diodes reprsente bien ce que nous pouvons mesurer l'aide d'un ohmmtre, mais la comparaison s'arrte l car pour que l'effet transistor existe, il faut bien que la base soit trs mince et faiblement dope, le tout sur la mme plaquette semi-conductrice.

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A4.8 Effet transistor, du microscope l'ampremtre


Si nous alimentons le transistor de telle manire polariser les diodes collecteur et metteur dans le sens direct, nous constatons un grand courant du aux porteurs de charges majoritaires amens par les atomes du dopage.

IMAGE A4.21 [2]

Si au contraire nous alimentons le transistor de manire polariser les diodes collecteur et metteur dans le sens inverse, nous constaterons un trs faible courant, d aux porteurs de charges minoritaires amens par l'agitation thermique. Ce courant est souvent ngligeable, mais il existe nanmoins.

IMAGE A4.22 [2]

Chacun des courants ci-dessus est dpendant de la temprature et augmente avec celle-ci. En effet, la rsistivit des semi-conducteurs diminue avec l'augmentation de la temprature (le coefficient est ngatif). Cette dpendance physique sera lourde de consquence lorsqu'il faudra obtenir des montages lectroniques stables quelque soit la temprature de fonctionnement.

A4.9 Effet transistor, du microscope l'effet transistor


Rien d'inhabituel ne s'est produit lors de la polarisation directe ou inverse des deux jonctions. Ce que nous pouvons appeler l'effet transistor se produit losque le transistor est aliment de manire polariser la diode metteur dans le sens direct et la diode collecteur dans le sens inverse:

IMAGE A4.23 [2]

Nous pouvons nous attendre un courant d'metteur provenant de la base, puisque la jonction base-metteur est polarise dans le sens direct, et aucun courant de collecteur, car la jonction base-collecteur est polarise en inverse. Mais ce serait oublier que la base est trs mince et faiblement dope.

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L'effet transistor peut se rsumer (et se simplifier) de la manire suivante: Les lectrons venant de l'metteur (cas du NPN) arrivent dans la rgion de la base. Deux trajets sont offerts, l'un vers la zone de la base, et l'autre travers la jonction collecteur et ensuite dans la rgion du collecteur.

IMAGE A4.24 [2]

La base tant trs mince et remplie d'lectrons provenant de l'alimentation de l'metteur, ceux-ci provoquent un champ lectrique sur la jonction collecteur, renfor par la polarisation inverse de l'alimentation de collecteur, qui entrane une conduction par effet d'avalanche, l'image d'une diode Zener. En fait, dans la plupart des transistors, plus du 95% des lectrons vont dans la rgion du collecteur, et moins de 5% des lectrons vont dans la rgion de la base et passent au conducteur externe de la base. L'effet transistor n'existe donc que si la diode metteur est polarise dans le sens direct et la diode collecteur dans le sens inverse. Si ces conditions sont remplies, nous constatons deux vnements essentiels pour l'utilisation du transistor, savoir :

1 - Le courant de collecteur est peu prs gal au courant d'metteur. (IE = IC 5% prs) 2 - Le courant de collecteur n'est existant que si la jonction base-metteur est polarise dans le sens direct (UBE = 0,6V) ce qui implique un courant de base IB.
IMAGE A4.25 [2]

En rsum, pour que l'effet transistor existe, il faut :

- que la diode collecteur soit polarise en inverse - que la diode metteur soit polarise dans le sens direct

et dans ce cas le transistor devient une source de courant commande : Le faible courant de base commande un fort courant d'metteur ( et donc de collecteur ) Le transistor peut se reprsenter l'aide d'un schma quivalent compos d'une source de courant (commande) et d'une diode.

IMAGE A4.26 [2]

IMAGE A4.27 [2]

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A4.10 Effet de champ


Au paragraphe 4.6 sur l'effet Zener, nous avons remarqu que les porteurs de charges mobiles de l'lment de dopage pouvaient se dplacer sous l'influence d'un champ lectrique. Par exemple, une jonction PN se vide lors d'une polarisation inverse, ce qui amne l'existence d'un champ l'intrieur mme de la jonction. Ce phnomne est utilis par les transistors effet de champ que nous pouvons rsumer de la manire suivante, un canal conducteur (P ou N) est rendu plus ou moins conducteur grce une tension de commande qui le vide tout ou en partie de ses porteurs de charges mobiles. La tension UGS commande le courant de drain ID

ID

D B S
IMAGE A4.28

G
UGS

Sur un barreau de silicium P, deux zones N sont diffuses pour former le drain et la source. Le barreau P forme galement un condensateur avec la grille dont le dilectrique est la couche d'oxyde.

connexions mtalliques (Al)


S G D

Couche d'oxyde (SiO 2)

N Barreau P
B

N Couche inverse canal N

IMAGE A4.29

Lorsque la grille est rendue positive par rapport le source, les lectrons du barreau sont attirs dans la zone situe entre le drain et la source. Par cet artifice, un canal de type N est cr entre la source et le drain. Si une tension est applique entre le drain et la source, un courant de drain ID circulera. En variant la tension de commande UGS, la densit des lectrons dans le canal change. Ce qui signifie que le courant de drain varie ou que la rsistance de passage du drain est modifie, ce qui revient au mme. L'avantage de cette commande, dite en tension, est qu'il n'y a aucun courant de grille, donc aucun courant de commande, ce qui diminue d'autant la puissance de commande ncessaire. De plus, comme il n'y a pas d'lectrons dplacer dans la grille, la rapidit de commande est accrue ce qui permet ces transistors de "travailler" plus haut en frquence. En technique audio, ils sont parfois prfr aux transistors bipolaires (PNP ou NPN) car le rsultat de cette commande en tension est d'obtenir un son plus "chaud", l'image des tubes lectroniques sous vide.

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LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES

B5 LES DIODES

SOMMAIRE

B5.1 B5.2 B5.3 B5.4 B5.5 B5.6 B5.7

Premire approche De la jonction PN la diode Caractristique d'une diode Mcanisme de conduction d'une diode Approximation d'une diode Principales utilisations Bibliographie

B5.1 Premire approche

Selon la Mthode d'analyse, M. J.Neuenschwander

SYMBOLE*

Anode

Cathode

IMAGE B5.1

FONCTION*

La fonction "gnrique" d'une diode est d'une part, elle laisse passer le courant dans un sens, nous disons qu'elle est conductrice (dans le sens passant ou sens direct) et d'autre part, elle bloque le courant dans l'autre sens. Nous disons alors qu'elle est bloque (dans le sens bloquant ou inverse). Puissance nominale PNOM. [W], Tension inverse UINV. [V] et Courant direct IDIR. [A]. Actuellement pratiquement toutes les diodes sont ralises l'aide de silicium. Leur aspect diffre essentiellement en fonction des limites qu'elles peuvent supporter, savoir le courant direct maximal et la tension inverse maximale. Petits signaux : Commutations de commandes, petites protections, limitation, dmodulation.

SPECIFICATIONS* TYPES*

TECHNOLOGIE

UTILISATIONS

Grands signaux : Redressements, protections d'lectroaimants. Ohmiquement, il n'y a gnralement aucune disposition particulire.

METHODE DE CONTRLE*

Pour mesurer les valeurs principales de sa caractristique tension - courant, il faut veiller limiter les courants maximum admissibles

Il n'est peut-tre pas inutile de prciser ici qu'un bon praticien a besoin de connatre "par coeur" les indications suivies de l'astrisque * pour une pratique efficace du dpannage des circuits lectroniques..

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LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES

B5 LES DIODES

B5.2 De la jonction PN la diode


Une diode est un lment en silicium form de deux rgions de dopage diffrent, savoir dopage P et dopage N. La runion des deux zones de dopage, sur une mme plaquette de silicium, s'appelle une jonction PN.

IMAGE B5.2

Zone N
+ + + + + + - + + + + + + -

A la jonction (runion) des deux zones P et N, les porteurs de charges mobiles se combinent et il apparat une zone d'espace vide de porteurs de charges mobiles, donc isolante. Les proprits physiques qui rsultent de cet espace donnent naissance aux phnomnes de conduction lectrique particulire, comme la conduction dans un seul sens du courant lectrique. Une forte majorit d'lments lectroniques, du transistor aux circuits intgrs, sont composs de jonctions PN.

+ +

Zone P
IMAGE B5.3

Pour cette raison qu'il est utile de comprendre le mcanisme physique qui se droule dans une jonction PN. Une brve introduction aux semi-conducteurs est prsente sur les pages Introduction l'lectronique / thorie des semiconducteurs de ce site et donne une explication succincte sur le fonctionnement d'une jonction P-N.

B5.3 Caractristique d'une diode


Le comportement d'une diode peut se dduire de sa caractristique courant - tension :
ID = f (UD).

polarisation

directe

+
ID

zone de conduction zone de U INV.MAX. U emballement thermique zone de claquage UD


SEUIL

La courbe obtenue n'tant pas une droite, nous parlons d'un lment non-linaire. Ce qui signifie que le courant qui circule dans l'lment n'est pas proportionnel la tension applique, donc ne dpend pas uniquement de la loi d'ohm. Dans le sens direct, la tension de seuil est la tension ncessaire appliquer la diode pour qu'elle devienne conductrice. USEUIL 0,6V pour le Si ( 0,3V pour le Ge).

blocage

exemple: 1N4007

U U

SEUIL INV.MAX.

= 0,6 V = 1000V

polarisation

+
inverse
IMAGE B5.4

Au del de la tension de seuil, le courant ne dpend pratiquement plus que de la rsistance totale du circuit. La tension aux bornes de la diode est comprise entre 0,6V et 0,8V. Le courant inverse est trs faible (de l'ordre du nanoampre). Il augmente trs fortement au del d'une certaine tension inverse, appele tension de claquage. La tension inverse de claquage varie entre 10 et 1000 Volts suivant le type de diode. Dans la plupart des cas, l'emballement thermique entran par la tension de claquage dtruit la diode. Les caractristiques varient considrablement avec la temprature et les concepteurs de circuits doivent en tenir compte. Nous n'entrerons pas ici dans plus de prcisions concernant ces caractristiques, car pour le dpanneur, de plus amples dtails sont fournis dans les livres de correspondances (data-book) auxquels nous pouvons ici quencourager la lecture. Par contre, et avant d'analyser les divers circuits d'utilisations des diodes, voici quelques grandeurs que nous pouvons considrer comme importantes et qu'il faut garder en mmoire :
Courant direct maximum : IF Courant direct maximum de crte : IFM Tension inverse maximum : UR Tension inverse maximum de crte : URM
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LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES

B5 LES DIODES

B5.4 Mcanisme de conduction d'une diode


Lorsque l'on alimente une diode, donc une jonction PN, l'effet change selon la polarit de la tension applique. Une diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens. Essayons de comprendre ce phnomne particulier : Le PLUS la zone P Le PLUS la zone N

+ + + + +

+ - + + - + + +

+ + +

+ + + + + +

+ + +

+ + + -

++ +-

+ I
IMAGE B5.5

IMAGE B5.6

Si l'alimentation (V ) est suprieure 0,6 - 0,8 volts, les porteurs de charges mobiles ont suffisamment d'nergie pour "traverser" la zone isolante.

Les porteurs de charges mobiles sont attirs vers les connexions extrieures par la prsence des charges lectriques de l'alimentation. Le PLUS la zone N

Le PLUS la zone P

R ig Ug + _
Uj = 0,6 - 0,8V

+ Uj _

_ R ig _ Ug +
Uj = Ug

Uj +

IMAGE B5.7

IMAGE B5.8

Nous constatons qu'un courant lectrique circule. La jonction est conductrice en prsentant une diffrence de potentiel de 0,6 - 0,8 volts ses bornes. La diode conduit et nous pouvons idaliser ce fonctionnement en la remplaant par un gnrateur DC (0,6 - 0,8V) et un interrupteur ferm. Nous parlons de: polarisation dans le sens passant, ou sens direct; courant direct; en anglais "forward".

Nous constatons que la zone vide de porteurs de charges s'largit. La jonction est isolante. La diode est bloque et nous pouvons reprsenter cet tat par un interrupteur ouvert. Nous parlons ici de: polarisation dans le sens bloquant, ou dans le sens inverse; en anglais "reverse" .

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B5 LES DIODES

B5.5 Approximation d'une diode


En technique de maintenance ou de dpannage, si nous dsirons comprendre le fonctionnement d'un montage comprenant des diodes, il est souvent plus simple de considrer la diode de manire approximative. Pour illustrer ces approximations, nous utilisons une technique dite de schmas quivalents. Selon le besoin, nous pouvons avoir en tte, l'un ou l'autre des schmas quivalents ci-dessous. Le choix de l'approximation dpend de la valeur des tensions prsentes dans le circuit, de l'utilit du circuit diode (dvelopp dans les pages suivantes) ou encore des courants circulant dans le montage.
ID ID UD

UD

0,6 V

UD

Diode idale:
IMAGE B5.9

1re approximation :
IMAGE B5.10

ID
UD RID ID

UD

R ID =

U D I D

0,6 V

UD

Deuxime approximation:
IMAGE B5.11

B5.6 Principales utilisations


Les diodes sont utilises principalement dans les circuits selon trois groupes de fonction diffrents:

Les circuits de redressement

qui permettent la conversion d'une tension alternative en une tension continue. qui permettent d'empcher un signal dpasser une valeur (amplitude) choisie. qui permettent la commande ou le changement de normes, ou encore pour circuits logiques.

Les circuits d'crtage, ou circuits de limitation Les circuits de commutation

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B6 LES DIODES ZENER

SOMMAIRE

B6.1 B6.2 B6.3 B6.4 B6.5 B6.6 B6.7

Premire approche De la diode conventionnelle la diode Zener Caractristique tension - courant d'une diode Zener Valeurs pratiques des tensions Zener Principales caractristiques des diodes Zener Principales utilisations Bibliographie

B6.1 Premire approche


Selon la Mthode d'analyse, M. J.Neuenschwander SYMBOLE* Anode Cathode

IMAGE B6.1

FONCTION*

La fonction principale d'une diode Zener est de maintenir une tension constante ses bornes. Ce sont des diodes stabilisatrices de tension. Puissance nominale PZ NOM. [W], Tension inverse (ou Zener) nominale UZ [V] et Courant Zener maximal IZ MAX. [A]. Toutes les diodes Zener sont ralises l'aide de silicium. Les Zener les plus courantes ont une PZ NOM. = 450mW La grosse majorit des diodes Zener sont utilises dans des circuits de commande faible consommation. Egalement comme circuit de limitation ou crtage. Ohmiquement, on mesure uniquement l'tat de la jonction PN (ouvert ou court-circuit). Pour mesurer les valeurs de sa caractristique tension - courant, il faut veiller limiter le courant maximal admissible.

SPECIFICATIONS* TYPES* TECHNOLOGIE

UTILISATIONS

METHODE DE CONTRLE*

Il n'est peut-tre pas inutile de prciser ici qu'un bon praticien a besoin de connatre "par coeur" les indications suivies de l'astrisque * pour une pratique efficace du dpannage des circuits lectroniques.

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B6 LES DIODES ZENER

B6.2 De la diode conventionnelle la diode Zener


Plus fortement dope que les diodes conventionnelles, un champ lectrique relativement faible devient dj suffisamment intense pour que les liaisons de covalence s'affaiblissent et se rompent. Les porteurs de charges (des lments de dopage) ainsi librs sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et que la tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement plus. Cest ce qui est appel leffet Zener.

+ + + + + +

+ + +

+ - + + + - + + -

+ - - + + + - - ++ + - - + +

+ + + + - + + + + - + + + + -

+ + + -

champ lectrique

champ lectrique

V m

V m

IMAGE B6.2

IMAGE B6.3

Pour dautres diodes Zener, il est possible que sous l'action du champ lectrique interne, les porteurs de charges minoritaires (du silicium) de la zone isolante acquirent une nergie suffisante pour qu'il puisse y avoir ionisation par choc, et, par effet d'avalanche, le courant crot extrmement vite. La tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement plus. Cest ce qui est appel effet davalanche.
IMAGE B6.4

B6.3 Caractristique tension - courant d'une diode Zener


La caractristique tension - courant dune diode Zener montre ces phnomnes.
IZ = f (UZ)

ID

+
UZ-NOM. I Z-NOM. UD

Dans le sens direct : La diode Zener se comporte comme une diode conventionnelle. UZ 0,6V et le courant maximum direct dpend du circuit externe la diode. Dans le sens inverse : La diode prsente une rsistance trs petite ds que la tension de claquage, ou tension Zener, est atteinte.

+ I Z-MAX.

La diode est dans ce cas en conduction inverse, et il est impratif de limiter le courant dans celle-ci, avec une rsistance en srie, par exemple. Dans ce cas, UZ UZ NOM
(si IZMIN < IZ < IZMAX)

Nous pouvons galement tablir la valeur de la rsistance interne que la diode prsente au circuit. Nous parlons de rsistance interne dynamique, qui se calcule selon la formule :

R IZ DYN =

U Z I Z

Si la tension inverse redescend en dessous de la valeur Zener, la diode se bloque nouveau.


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B6.4 Valeurs pratiques des tensions Zener


En pratique seul l'effet d'avalanche est possible pour les diodes dont la tension Zener dpasse 10V. Ce qui deux consquences, la caractristique de la diode est moins franche (la pente est plus grande) d'une part et le coefficient de temprature est positif d'autre part. Les diodes dont la tension Zener est infrieure 5V ont une jonction trs mince et seul l'effet Zener peut avoir lieu, ce qui entrane que la caractristique de la diode est plus raide et, de plus, ces diodes ont un coefficient de temprature ngatif.
avalanche + zener I
D

o
IMAGE B6.5

Entre 5V et 10V, les deux effets se combinent. La caractristique est la plus raide ainsi que le coefficient de temprature qui peut tre proche de zro. Les diodes Zener sont particulirement indiques pour les circuits dont la tension doit tre trs stable en temprature (Vrf. , par exemple).

B6.5 Principales caractristiques des diodes Zener


Nous pouvons reprer le fonctionnement de la diode Zener, avec ses limites, sur la courbe caractristique IZ = f (UZ) de la diode Zener.
IMAGE B6.6

ID

+
U

Nous avons vu que la valeur Zener nominale donne pour un courant Zener nominal IZNOM. .

UZNOM est

I Z-MIN.

UD

La diode Zener prsente une valeur de rsistance interne dynamique trs faible dans la zone de fonctionnement. En d'autres termes, pour une petite variation de la tension UZ (=UZ,) la diode modifie fortement le courant IZ (= IZ.)
UZ

I Z-MAX.

RIZ =------------- 0,1 1 IZ

Enfin, en connaissant la puissance maximale que peut dissiper la diode, nous pouvons calculer le courant Zener maximal qui peut traverser la diode. De la puissance maximale PZMAX. nous tirons le courant Zener maximum IZMAX. . PZMAX. IZMAX. = --------------UZNOM.

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B6 LES DIODES ZENER

De plus, il est possible de dterminer, comme pour les diodes conventionnelles, une valeur de rsistance interne de la diode, soit de manire statique RIZ_STAT. , soit de manire dynamique RIZ_DYN. , en fonction des besoins. Ce dernier point nous amne considrer la diode Zener selon la mme technique d'approximation utilise pour les diodes conventionnelles:
Deuxime approximation: Diode Zener idale:
ID
U

ID UZ UD
I

UD

R IZ =

U I

+
UZ

+
IMAGE B6.7

+ +

IMAGE B6.8

Lors du dpannage, il peut tre suffisant de considrer la diode Zener dans un circuit comme une diode Zener idale. Par contre, dans la conception et le calcul de circuits lectroniques, il est souvent ncessaire de prendre en compte la valeur de la rsistance interne RIZ .

B6.6 Principales utilisations


Les diodes Zener sont utilises pour leur proprit de maintenir une tension constante leurs bornes : Les circuits de stabilisation de tension ou "rgulateur Zener" ou les circuits gnrateurs de tension de rfrence. Le schma est toujours semblable et consiste relier une rsistance en srie avec la Zener et de se connecter aux bornes de celle-ci pour obtenir une tension fixe.
RS U Rch fixe

UE +

R ch

IMAGE B6.9

ID

Pour le fonctionnement du montage, il est impratif que la diode zener fonctionne dans la zone de claquage, appele galement zone d'utilisation Zener. Il faudra pour cela contrler si la tension d'entre est suffisante et surveiller que le courant dans la zener ne descende pas en dessous d'un minimum, ce qui entranerait le blocage de la diode.
IMAGE B6.10

IZ-MIN.

UD
U petit I grand

+
zone d'utilisation

IZ-MAX.

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