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sique aise de Phy Socit Fran Dossier de la

Dossier

Spintronique

Rdacteur en chef invit : Olivier Fruchart

Dossier de la Socit Franaise de Physique mars 2012 10

www.sfpnet.fr

Le mot de la rdaction

Reets de la physique publie un dossier spintronique


Cela faisait un certain temps que nous voulions publier dans Reets de la physique un dossier sur llectronique de spin, ce nouveau champ de recherche appel maintenant spintronique . Ce dossier rpondait une demande du Bureau de la Socit Franaise de Physique, suite au prix Nobel attribu en 2007 Albert Fert (et Peter Grnberg), mais aussi celle de nombreux lecteurs de notre revue. Cest grce au soutien actif de la division de la matire condense, et en particulier Olivier Fruchart, rdacteur en chef invit, que ce dossier a pris forme en 2009. Le sujet de la spintronique est exemplaire, en ce quil montre comment des progrs considrables en laboration des matriaux, en instrumentation avance et en simulation ab initio, ont abouti tout la fois un renouveau de la physique du magntisme et des applications nombreuses (ttes de lecture denregistrement magntique, capteurs, stockage de linformation), ouvrant un march important. Les articles de ce dossier ont t publis en 2009 et 2010 dans les numros 15 18 de Reets de la physique. Nous avons souhait les runir ici en un document unique. Aprs une introduction dOlivier Fruchart, le dossier comprend deux parties. La premire partie, Les avances fondamentales , dcrit les dbuts de la spintronique (Albert Fert), les dcouvertes rcentes (Bernard Dieny) et les nouveaux matriaux (Agns Barthlmy, Jol Cibert et Martin Bowen). La seconde partie, sur Les applications , introduite par Bernard Dieny, traite des capteurs (Claude Fermon et Myriam Pannetier-Lecur) et de lenregistrement magntique (Jean-Pierre Nozires). Nous remercions Bernard Dieny (SPINTEC, CEA/Grenoble) et la photothque du CNRS pour les images qui illustrent ce dossier.

Olivier Fruchart
Rdacteur en chef invit du dossier spintronique . Olivier Fruchart est n en 1971. Aprs des tudes de physique lENS Paris, une thse en magntisme soutenue en 1998 au Laboratoire Louis Nel de Grenoble et un stage postdoctoral au Max-Planck Institut de Halle (Allemagne), il est recrut au CNRS en 1999. Actuellement directeur de recherche lInstitut Nel Grenoble, dans lquipe Micro et nanomagntisme , il sintresse au magntisme de systmes modles, principalement des nanostructures pitaxiales autoorganises, labores par dpt par laser puls sous ultra-vide. Ces nanostructures peuvent tre distribues alatoirement, ou organises sur une surface en rseaux une ou deux dimensions. Les problmatiques abordes sont la mise en ordre et lanisotropie magntique en basse dimensionnalit pour les structures de dimensions nanomtriques, et les domaines et parois magntiques confins pour les structures micromtriques, avec rcemment un accent particulier sur les degrs de libert internes dans les parois magntiques, et les processus de renversement daimantation associs.

Albert Fert, prix Nobel de physique 2007


En octobre 2007, le prix Nobel de physique a t attribu conjointement Albert Fert (Universit Paris-Sud 11 et Unit mixte de physique CNRS/Thals) et Peter Grnberg (Forschungzcentrum Jlich, Allemagne), pour leur dcouverte de la magntorsistance gante . Cest en 1988 que ces deux chercheurs mirent en vidence la magntorsistance gante (GMR) dans des multicouches mtalliques composes de couches ferromagntiques spares par des couches non magntiques, dont les paisseurs taient proches de quelques dizaines de plans atomiques. Les rsultats obtenus ont conduit, non seulement lmergence dun nouveau domaine de recherche, la spintronique, qui fait lobjet de ce dossier, mais aussi des applications trs varies et encore en pleine volution : informatique, lecture de disques durs, nouvelles mmoires, capteurs, appareils photo numriques, tlcommunications Albert Fert est n le 7 mars 1938. Ancien lve de lcole normale suprieure, il a obtenu son diplme de docteur es-sciences en 1970 et a t nomm professeur luniversit de Paris-Sud 11 (Orsay) en 1976. Il est laurat de nombreuses distinctions, dont le Grand prix de physique Jean Ricard de la SFP en 1994 et la mdaille dor du CNRS en 2003. lu membre de lAcadmie des sciences en 2004, il est actuellement directeur scientifique lUnit mixte de physique CNRS/ Thals et professeur mrite luniversit dOrsay.

Reflets de la Physique - Dossier spintronique

Visu) Bruno Fert (In

CNRS Photothque / RAGUET Hubert

Sommaire
4p. 9

Le mot de la rdaction
2 2

Reets de la physique publie un dossier spintronique Albert Fert, prix Nobel de physique 2007
120 Avant-propos 5K Llectronique 100 K : un renouveau de la science et de la technologie du magntisme de spin 80 Olivier Fruchart 400 K 40 0 Avances fondamentales -40 dbuts de la spintronique Travaux prcurseurs et magntorsistance gante Les -80
Albert Fert

4p. 18

Aimantation (kA/m)

Faits 14 -120 marquants en spintronique depuis la dcouverte de la magntorsistance gante Bernard Dieny -2 0 2
20

De nouveaux matriaux pour llectronique de spin


Agns Barthlmy, Martin Bowen et Jol Cibert
40

Champ magntique (T)

4p. 22
Tension mesure (mV)

Applications
28
-40 -20

GMR1

GMR3

Dveloppements applicatifs de llectronique de spin


Bernard Dieny 0
0 20 40

20

GMR2

GMR4

30

lectronique de spin et capteurs magntiques -20


Claude Fermon et Myriam Pannetier-Lecur
-40

4p. 32

34 Ttes de lecture et mmoires magntiques Courant appliqu (mA) Jean-Pierre Nozires

39

Glossaire

Tte de lecturecriture du banc testeur quasistatique du CEA/Grenoble.

Artechnique/CEA.

Comit de rdaction Prsident : Jean-Pierre HULIN Membres : Patricia BASSEREAU Michel BELAKHOVSKY - Fabienne CASOLI Anne DAVAILLE - Olivier DULIEU tienne GUYON - Stphane LABROSSE Michle LEDUC - Roland LEHOUCQ Jrme MARGUERON - Stphane MAZOUFFRE Vincent MOSSER - Charles de NOVION Marios PETROPOULOS -Sophie REMY Thierry SARRAZIN - Claude SBENNE Jos TEIXEIRA - Jean VANNIMENUS

Directeur de la publication : Mohamed DAOUD Rdacteur en chef : Charles de NOVION Conception : Ltitia MORIN - Keith VILLEMEUR Ralisation graphique : Laetitiamorin@free.fr Suivi de rdaction : Agathe CYMER Service publicit : Jessica EKON - Tl. : 01 69 18 92 40 e-mail : publicite@edpsciences.org Dpt lgal : 1er trimestre 2012 ISSN : 1953-793X e-ISSN : 2102-6777 SFP

Imprimerie Jouve, 11, bd de Sbastopol, 75036 Paris Cdex 01 Tl. : 01 44 76 54 40. Socit Franaise de Physique, 33, rue Croulebarbe, 75013 Paris Tl. : 01 44 08 67 10 - Fax : 01 44 08 67 19 e-mail : sfp@sfpnet.org Serveur : www.sfpnet.fr SFP Bulletin, Institut Henri-Poincar, 11, rue Pierre-et-Marie Curie, 75005 Paris e-mail : sfp-bulletin@ihp.fr Serveur : www.refletsdelaphysique.fr

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4Dossier spintronique
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ArtechniqueD. Michon/CEA.

Plaque de silicium portant des puces de mmoire magntique accs alatoire MRAM (Magnetic Random Access Memory).

Un renouveau de la science et de la technologie du magntisme


Olivier Fruchart (olivier.fruchart@grenoble.cnrs.fr) Institut Nel (CNRS & UJF), 25 rue des Martyrs, BP 166, 38042 Grenoble Cedex 9

Llectronique de spin
Le magntisme est parfois considr comme une science un peu poussireuse, fonde sur llectromagntisme au XIXe sicle pour les aspects macroscopiques, et dfinitivement cerne au milieu du XXe sicle par la mcanique quantique et la physique de la matire condense, pour la partie microscopique. Pour qui croyait en ces clichs, le renouveau du magntisme durant les dernires dcennies a pu surprendre. Parmi les avances majeures figurent les aimants permanents de haute performance et llectronique de spin. Les aimants permanents de haute performance drivent de la dcouverte de composs dlments 3d (apportant le magntisme temprature ambiante) et de terres rares (source de la forte anisotropie magntique) : Nd2Fe14B, SmCo5, etc. Ils ont permis une (r)volution industrielle majeure pour la miniaturisation et le gain de puissance des dispositifs lectromcaniques (moteurs et gnrateurs). La seconde avance, llectronique de spin (ou spintronique ), couple les aspects de transport lectronique

concernant la charge de llectron et les champs lectriques, et le magntisme concernant le spin de llectron et les champs magntiques. Son mergence a suscit un engouement majeur car, outre la nouvelle physique fondamentale dfricher, elle laissait entrevoir des applications combinant directement le stockage de linformation (le caractre rmanent des mmoires magntiques) et son traitement (llectronique, base sur les charges lectriques). La date de naissance symbolique de llectronique de spin est souvent fixe en 1988, anne de publication de la dcouverte de la magntorsistance gante par les quipes dAlbert Fert en France et de Peter Grnberg en Allemagne, et pour laquelle le prix Nobel de Physique 2007 leur a t coattribu. cette occasion, la Socit Franaise de Physique a souhait consacrer un dossier llectronique de spin, et a demand aux magnticiens du bureau de la matire condense de le coordonner : Bernard Doudin (IPCMS Strasbourg), Henri Mariette (Institut Nel

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Avant-propos
4Dossier spintronique
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Grenoble) et moi-mme. Pour des raisons pratiques, les articles de ce dossier ont t rpartis dans quatre numros successifs de Reets de la physique (n15 n18). La magntorsistance gante (acronyme anglais : GMR) est la variation significative (jusqu plusieurs dizaines de pourcents) de la rsistance lectrique entre deux lectrodes ferromagntiques, en fonction de leurs directions daimantation respectives. Dans son article (p. 8), Albert Fert replace cette dcouverte dans son contexte historique, et dcrit la physique sous-jacente. On notera que cette dcouverte fracassante faisait en ralit suite des concepts anciens et des recherches longues et fondamentales, par exemple ltude de la rsistivit lectrique dans des alliages massifs binaires et ternaires. La GMR na t quun point de dpart. La mise en vidence de nouveaux effets en nanomagntisme et lectronique de spin sest depuis acclre un rythme impressionnant : couplage RKKY, magntorsistance tunnel, renversement prcessionnel de laimantation, couple et transfert de spin, renversement optique de laimantation. Cette srie de dcouvertes a t favorise par la conjonction de progrs extraordinaires dans les techniques de dpt de couches minces, de nanofabrication (lithographie), de microscopies notamment magntiques, de sondes physiques rsolues en temps (< 10-12 s), du rayonnement synchrotron, de la monte en puissance des outils de simulation ab initio. Compltant larticle dAlbert Fert, Bernard Dieny (p. 14) expose lessentiel de ces effets. Il dcrit galement plus en dtail une brique de base des dispositifs dlectronique de spin : la vanne de spin. Durant cette priode, la France a tenu une place trs honorable parmi les grandes nations qui ont t sur lavant-scne des progrs de llectronique de spin, dont les tats-Unis dAmrique, le Japon, lAllemagne, etc. La qualit des recherches en France a bnfici du travail en rseau de la communaut franaise par le biais de GdR du CNRS ( Nanostructures Magntiques puis POMMES ), et du colloque Louis Nel qui se tient tous les dix-huit mois (et rassemble maintenant prs de 250 personnes !)

et o les jeunes scientifiques sont mis en avant et prparent ainsi la relve. Ceci a t complt au niveau europen par de nombreux projets et rseaux, et lmergence dune grande confrence rcurrente sur le magntisme (JEMS : Joint European Magnetic Symposia, dont la premire dition a eu lieu en 2001 Grenoble) et dune cole (ESM : European School on Magnetism, organise par la communaut grenobloise) ; llectronique de spin y est largement reprsente. Lge dor de llectronique de spin est-il atteint, voire dpass ? Que reste-t-il dcouvrir ? Constatons en tout cas que la communaut acadmique concerne na jamais t si importante, et que les ides fourmillent. Une tendance forte est la recherche deffets fondamentaux nouveaux par des couplages multiphysiques : magntisme et champ lectrique (changement de niveau de Fermi dans les semi-conducteurs magntiques, couplage de dformations ou couplage dordres dans les multiferroques), magntisme et optique (renversement daimantation opr par le transfert de moment orbital du photon vers les spins), magntisme et chaleur (renversement daimantation assist thermiquement, effet Seebeck magntique), architectures mtal-organique, etc. Ces perspectives sont dveloppes dans larticle dAgns Barthlmy et al. (p. 20). Au-del de cette communaut essentiellement acadmique, le transfert de llectronique de spin vers les applications a t trs rapide, sappuyant sur deux proprits particulirement intressantes du magntisme : laction distance par le biais du champ magntique (pour les capteurs et les actionneurs), et lhystrsis (phnomne de bistabilit, base du stockage de linformation). Dans un prambule (p. 28), Bernard Dieny dresse un panorama gnral des applications existantes et prospectives. Le transfert est pleinement effectif en ce qui concerne les capteurs de champ ultrasensibles, dcrits plus en dtail dans larticle de Claude Fermon et Myriam Pannetier-Lecur (p. 30). Dans le domaine des mmoires, les capteurs base de vannes de spin ont permis des gains considrables de densit denregistrement des disques durs. En parallle, est apparue au milieu des annes 1990 la perspective de raliser des mmoires magntiques

accs alatoire (MRAM : Magnetic Random Access Memory) de hautes performances, alliant rapidit, non volatilit (donc faible consommation), cyclabilit infinie ; bref, une mmoire idale et universelle. Ces mmoires arrivent actuellement en R&D chez tous les grands groupes lectroniques mondiaux. Jean-Pierre Nozires retrace cette pope et ltat actuel des MRAMs dans son article (p. 34). En conclusion, llectronique de spin a contribu un renouvellement majeur et continu du magntisme durant les vingt dernires annes. Elle illustre parfaitement de nombreuses caractristiques de la recherche en gnral : largement non dterministe et souvent issue de dcouvertes trs fondamentales ; stimule par les perspectives dapplications, mme si les dispositifs finaux nont pas toujours t ceux qui avaient t escompts ; rendue possible par des progrs dans linstrumentation. Ces observations doivent nous faire rflchir sur la manire la plus efficace de favoriser les progrs scientifiques et technologiques long terme. Les recherches fondamentales initiales sur la conduction dans les mtaux plusieurs impurets pourraient-elles encore tre facilement finances aujourdhui en France, o les appels projet court terme et sur des thmatiques prioritaires drainent lessentiel du financement ? Puissent les dcideurs aviss admettre que la science, en principe un modle de rigueur, doit paradoxalement saccommoder de cette indtermination majeure, et quen consquence un soutien large la recherche fondamentale est un bon garant des dcouvertes et applications futures. Ce dossier montre galement que llectronique de spin touche des disciplines varies, avec des problmatiques dlaboration, de caractrisation avance, et combinant de multiples effets physiques. Elle prsente donc un aspect exigeant de linterdisciplinarit, qui est de savoir combiner une culture gnrale et une grande ouverture desprit, avec une expertise plus que jamais pointue dans chacun des domaines concerns. Tout ceci doit en faire un terrain intellectuellement stimulant pour les jeunes scientifiques, en particulier physiciens. z

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4vances A fondamentales
La premire partie de ce dossier comprend trois articles prsentant les bases physiques de llectronique de spin. Albert Fert replace la dcouverte de la magntorsistance gante dans son contexte historique, et dcrit la physique sous jacente. Puis, Bernard Dieny expose lessentiel des nouveaux dispositifs et effets trouvs depuis lors : vannes de spin, magntorsistance tunnel, couple et trans fert de spin Enfin, Agns Barthlmy, Martin Bowen et Jol Cibert prsentent les principaux rsultats obtenus et les perspectives offertes par certains matriaux non mtalliques (semiconducteurs, oxydes, matriaux organiques), qui ont rvl des proprits spintroniques nouvelles, mettant en jeu des couplages multiphysiques.

Jonction tunnel magntique micronique (dispositif dlectronique de spin), fabrique par microlithographie optique. Sur le clich, on ne voit que les quatre plots de contacts (gros carrs dor) permettant la mesure de transport, et le substrat de silicium (zone bleue). La jonction, non visible cette chelle, se trouve lintersection des lignes de contacts.

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CNRS Photothque/THALES.

Les dbuts de la spintronique


Travaux prcurseurs et magntorsistance gante
Albert Fert (albert.fert@thalesgroup.com) Unit Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, et Universit Paris-Sud, 91405 Orsay Prix Nobel de Physique 2007

Dans cet article, Albert Fert prsente les dbuts et les concepts fondamentaux de la spintronique : les premiers travaux effectus Orsay sur la conduction lectrique des alliages ferromagntiques, les progrs dans llaboration des couches minces, la dcouverte de la magntorsistance gante en 1988, et les rsultats importants obtenus au dbut des annes 90, qui ont permis de dboucher sur de nombreuses applications. Dans une seconde partie, il traite plus en dtail de la physique de laccumulation de spins, qui gouverne la propagation dun courant polaris de spin dans une succession de conducteurs magntiques et non magntiques.
Impuret

La spintronique peut se dcrire comme une lectronique qui exploite non seulement la charge, mais aussi le spin des lectrons. Son dveloppement a suivi la dcouverte de la magntorsistance gante (GMR) en 1988 [1, 2]. Le concept gnral de la spintronique est de placer des matriaux ferromagntiques sur le trajet des lectrons et dutiliser linfluence du spin sur la mobilit des lectrons dans ces matriaux. Cette influence, dabord suggre par Mott [3] en 1936, a t ensuite dmontre exprimentalement et dcrite thoriquement la fin des annes 60 [4, 5]. La dcouverte de la GMR a conduit aux premires utilisations pratiques de cette influence. De nombreux autres phnomnes exploitant aussi le spin des lectrons se sont ensuite rvls et, aujourdhui, la spintronique se dveloppe dans de trs nombreuses directions, qui sont traites dans les autres articles de ce dossier : magntorsistance tunnel, phnomnes de transfert de spin, spintronique avec semiconducteurs, spintronique molculaire, spintronique avec multiferroques, etc.

La conduction lectrique dans les mtaux et alliages ferromagntiques


Un mtal ferromagntique, comme le fer ou le nickel, se caractrise par un dcalage des bandes dnergie des lectrons de spin parallle et antiparallle laimantation (fig. 1a). Ces bandes sont peuples jusquau niveau de Fermi (EF sur la figure 1a), et du dcalage rsultent des populations diffrentes pour les deux directions de spin, que nous appellerons dans la suite de larticle spin pour les spins majoritaires et spin pour les minoritaires. Cest lorigine de laimantation spontane des ferromagntiques. La conduction lectrique, quant elle, est lie la mobilit des lectrons EF, et du dcalage des bandes rsulte de faon gnrale

1. (a) Reprsentation schmatique des densits dtats n(E) des bandes dnergie dcales pour les lectrons de spin majoritaire (spin en bleu) et minoritaire (spin en vert) dans un mtal ferromagntique. (b) Illustration de la conduction par deux canaux indpendants de rsistivits et pour les lectrons de spin et spin respectivement. Selon le mtal, lon peut avoir > ou < pour les rsistivits des deux canaux. (c) Rsistivits des canaux de spin et spin pour du nickel dop avec 1% de diffrentes impurets (mesures 4,2 K) [4]. Dans un mtal, la prsence dimpurets freine le courant et, basse temprature, est lorigine principale de la rsistivit lectrique. Dans le cas dun mtal ferromagntique, une impuret peut freiner trs diffremment les lectrons de spin et spin.

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CNRS Photothque / RAGUET Hubert

Chambre dpitaxie par jets molculaires utilise pour la croissance de multicouches magntiques (UMR 137, Unit mixte de physique CNRS/THALES, Orsay). Ce dispositif permet le dpt sur un substrat de couches mtalliques ultraminces, de quelques plans atomiques dpaisseur. Lempilement altern de films minces magntiques et non magntiques permet dobtenir des multicouches magntiques dans lesquelles est produit leffet de magntorsistance gante.

une mobilit diffrente pour spin et spin, ce qui, en fin de compte, se traduit par une conduction en parallle par deux canaux de rsistivits diffrentes (fig. 1b). Linfluence du spin sur la conduction lectrique dans les mtaux ferromagntiques fut propose par Mott [3] en 1936, pour expliquer certaines anomalies de la rsistivit de ces mtaux au voisinage de la temprature de Curie. Cependant, lpoque (en 1966) o jarrivai au Laboratoire de Physique des Solides dOrsay, le sujet tait rest compltement inexplor et Ian Campbell me le proposa comme sujet de thse. Cette thse dmarra donc par des mesures de la rsistivit de fer et de nickel dops de divers types dimpurets. Lanalyse compare de la dpendance en temprature de la rsistivit de ces alliages, ainsi que ltude dalliages ternaires que je dcrirai plus loin, nous permirent de confirmer la proposition de Mott et de montrer que, pour certains dopages, la mobilit pouvait tre trs diffrente pour les lectrons de spin et de spin. La figure 1c montre les valeurs des rsistivits 0 et 0 des canaux de spin et de spin (mesures 4,2 K) pour du nickel contenant 1% de diverses impurets [4]. On peut voir que le rapport = 0/0 peut tre aussi grand que 20 pour des impurets de cobalt, mais aussi

tre plus petit que 1 pour des impurets de chrome ou de vanadium. Ces rsultats pouvaient tre expliqus par les modles de structure lectronique dvelopps par Friedel pour les alliages de mtaux ferromagntiques. Aprs les premires mesures de la fin des annes 60, le modle de conduction deux courants dans les mtaux et alliages ferromagntiques fut rapidement confirm dans dautres groupes, par exemple par Loegel et Gautier [5] dans les cas dalliages de cobalt. la fin de ce premier chapitre, je voudrais faire remarquer que la spintronique na retenu jusqu prsent quune version simplifie du modle deux courants de ma thse, en oubliant en route les effets de spin mixing [4], cest--dire les changes de quantit de mouvement par renversement de spin, essentiellement par collision entre lectrons et ondes de spin dans un mtal ferromagntique. La rsistivit de spin mixing , , augmente progressivement avec la temprature. la temprature ambiante, elle atteint une dizaine de -cm dans des mtaux comme le fer ou le nickel, et galise partiellement les deux courants. De nombreux rsultats de spintronique, pour une analyse plus rigoureuse, devraient sans doute tre revisits en tenant compte du spin mixing.

Le concept de la magntorsistance gante dans des expriences sur des alliages magntiques ternaires
Dans mon travail avec Ian Campbell, certaines expriences sur des alliages ternaires [4] anticipaient dj la GMR, comme illustr par la figure 2. Supposons, par exemple, que lon dope du nickel la fois avec des impurets de Co, qui freinent fortement les lectrons dans le canal de spin en laissant le canal de spin relativement ouvert , et des impurets de Rh pour lesquelles cest linverse. Dans lalliage Ni(Co+Rh), que nous appellerons de type #1, les lectrons des deux canaux sont alors fortement freins, soit par les impurets de Co dans un canal, soit par celles de Rh dans lautre. Il ny a plus de canal ouvert , et la rsistivit est fortement augmente par rapport celle dalliages contenant seulement soit Co, soit Rh (fig. 2a). Au contraire, il ny a pas cette augmentation de rsistivit pour des alliages ternaires de type #2 dops par des impurets (Co et Au, par exemple) qui, toutes deux, freinent les lectrons dun mme canal et laissent le deuxime canal relativement libre (fig. 2b).

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4 Avances fondamentales
9

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Lide de la GMR est de remplacer les impurets A et B de lalliage ternaire par deux couches magntiques F1 et F2 dun mme mtal ferromagntique, spares par une couche non magntique M (fig. 3b). Si les deux couches ont leurs aimantations dans des directions opposes (configuration dite antiparallle, AP), la couche F1 freinera les lectrons dun canal, la couche F2 ceux de lautre canal, et lon retrouve donc la situation de rsistivit leve dun alliage ternaire de type #1 dans lequel les lectrons des deux canaux sont freins, par les impurets A dans lun, les impurets B dans lautre. Par contre, la configuration daimantations parallles (P) correspond lalliage de faible rsistivit de type #2 dans lequel les impurets A et B laissent un des canaux relativement libre. Llment nouveau vient de la possibilit de passer de grande petite rsistivit, en appliquant un champ magntique pour aligner les aimantations dune configuration initialement antiparallle. Cependant, les quations de transport nous disent que les lectrons ne pourront sentir lorientation relative des aimantations des couches F1 et F2 que si la distance entre les couches est infrieure au libre parcours moyen des lectrons, cest--dire, en pratique dans des films mtalliques, si cette distance nest que de quelques nanomtres. Malheureusement, en 1970, il ntait pas techniquement possible de fabriquer des multicouches constitues de couches paisses de seulement quelques nanomtres. Il fallut attendre le milieu des annes 80.

b 2. Expriences sur des alliages ternaires, bases sur le mme concept que la GMR [4]. Sur les schmas illustrant la conduction par deux canaux, on a reprsent lefficacit plus ou moins grande dune impuret A (bleu) ou B (vert) au freinage des lectrons par des X (reprsentatifs dobstacles) plus ou moins grands. (a) Schma pour la conduction dans des alliages dops avec des impurets diffusant les lectrons avec des asymtries en spin opposes (A = A/A > 1, B = B/B < 1, AB >> A + B) et rsultats exprimentaux pour des alliages Ni(Co1-xRhx) [4]. (b) Mme schma quen (a) pour des alliages dops avec des impurets diffusant les lectrons avec des asymtries en spin semblables (A > 1, B > 1, AB A + B) et rsultats exprimentaux pour des alliages Ni(Au1-xCox). Pour la GMR, les impurets A et B sont remplaces par des couches magntiques F1 et F2 dun mme mtal ferromagntique, la situation de a (b) correspondant la configuration antiparallle (parallle) des aimantations des couches F1 et F2.

La dcouverte de la GMR
Au milieu des annes 80, avec le dveloppement de techniques de dpt sous ultravide comme lpitaxie par jets molculaires (EJM), il devint possible de fabriquer des multicouches empilant des couches ultrafines et denvisager lextension des expriences de ma thse sur des alliages ternaires des multicouches magntiques. De plus, en 1986, les expriences de diffusion Brillouin de Peter Grnberg [6] rvlrent lexistence dun couplage dchange antiferromagntique entre couches de fer ferromagntiques, spares par de trs fines couches de chrome non magntiques. Une multicouche Fe/Cr pouvait donc donner la possibilit de commuter dune configuration aimantations opposes une autre aimantations parallles, par application dun champ magntique. cette

3. (a) Premires observations de magntorsistance gante Orsay sur des multicouches Fe/Cr(001) [1]. La rsistance, mesure pour un courant parallle aux couches, chute dune valeur RAP une valeur RP quand un champ magntique aligne les aimantations. Avec la dfinition adopte aujourdhui pour le rapport de magntorsistance, MR= 100(RAP-RP)/Rp, MR vaut 80% pour la multicouche (Fe 3nm/Cr 0,9nm). (b) Schma du mcanisme de la GMR. Dans la configuration magntique parallle P (bas), les lectrons dune direction de spin peuvent traverser facilement toutes les couches magntiques et le court-circuit par ce canal conduit une faible valeur de la rsistance. Dans la configuration antiparallle AP (haut), les lectrons de chaque canal sont ralentis une fois sur deux en traversant les couches magntiques, et la rsistance est leve. Les trajectoires des lectrons sont reprsentes obliques car, mme pour un courant parallle aux couches, cest seulement la direction moyenne des vitesses qui est parallle aux couches. On passe de la configuration antiparallle AP la configuration parallle P par application dun champ magntique.

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poque, javais justement discut de lintrt des multicouches magntiques avec Alain Friederich du LCR Thomson-CSF, et une collaboration stait tablie entre mon quipe dOrsay et la sienne pour llaboration de telles couches. Patrick tienne, lexpert EJM au LCR, adapta aux mtaux les techniques mises au point pour les semi-conducteurs et guida les premires fabrications de multicouches Fe/Cr de la thse de Frdric Nguyen Van Dau. Cela conduisit rapidement nos premires observations (fig. 3a) de la GMR sur des super-rseaux Fe/Cr(001) au dbut de 1988 [1]. Les postdocs Mario Baibich et Jean-Marc Broto, ainsi que les doctorants Agns Barthlmy et Frdric Petroff, participrent aussi laventure. Des rsultats semblables sur des tricouches Fe/Cr/Fe furent obtenus peu prs simultanment dans lquipe de Peter Grnberg Jlich [2]. Les quipes franaise et allemande dposrent des brevets sur les applications possibles de la GMR ; les Allemands furent les plus rapides. Linterprtation de la GMR est en gros semblable celle des expriences sur des alliages ternaires que nous avons dcrites plus haut, et est schmatise dans la figure 3b. Un modle classique de la GMR fut publi ds 1989 par Camley et Barnas [7]. Vint ensuite un modle quantique que je publiai avec Levy et Zhang en 1991 [8].

Lge dor de la GMR


La dcouverte de la GMR attira rapidement lattention, aussi bien pour ses possibilits dapplications que pour lintrt fondamental dexpriences de transport lectronique exploitant le spin. Les tudes de la GMR se multiplirent dans de nombreux laboratoires et notre petite quipe se lana aussi avec enthousiasme dans lexploration de ce nouveau champ de recherche, qui allait sappeler bientt spintronique . Sur le plan exprimental, deux rsultats importants furent publis en 1990. Stuart Parkin et al [9] dmontrrent lexistence de GMR dans des multicouches Fe/Cr, Co/Ru et Co/Cr labores par la mthode plus simple et plus rapide de pulvrisation cathodique. Ils dcouvrirent aussi une oscillation de la GMR en fonction de lpaisseur des couches despacement (Cr ou Ru). Cette oscillation traduit la succession priodique dpaisseurs dans lesquelles linteraction entre couches magntiques

est antiferromagntique (ce qui donne de la GMR) et dpaisseurs interaction ferromagntique (sans GMR). galement en 1990, lquipe de Jean-Pierre Renard Orsay et celle de Terua Shinjo Kyoto dmontrrent que les effets GMR pouvaient aussi tre obtenus dans des multicouches sans couplage dchange antiferromagntique, mais composes de couches magntiques de coercivits diffrentes [10, 11]. Un autre rsultat important, en 1991, fut lobservation deffets GMR grands et oscillants dans Co/Cu, qui deviendra un archtype de systme GMR. Les premires observations [12] furent ralises par un doctorant brsilien de notre quipe, Dante Mosca, sur des multicouches prpares par pulvrisation cathodique Michigan State University, et, peu prs la mme poque, dans lquipe de Stuart Parkin. En 1991 galement, Bernard Dieny et lquipe dIBM Almaden [13] montrrent la possibilit de dtecter de trs petits champs magntiques par GMR dans des tricouches dites vannes de spin , aujourdhui la base de nombreux dispositifs [14, 15]. Les vannes de spin et leurs applications sont dcrites dans les autres articles de ce dossier. Paralllement lexploration de la GMR dans de nombreux types de structures, un gros effort de recherche fut fait pour le dveloppement de modles thoriques, et notamment de modles sappuyant sur des dterminations ab initio de la structure lectronique des multicouches. Une description de ces modles serait trop longue, et le lecteur pourra consulter des articles de revue rcents [16]. Je veux cependant faire remarquer que linfluence du spin sur la conduction lectrique, et la GMR en particulier, est trs dpendante de dfauts difficiles connatre prcisment (impurets, rugosit dinterface, etc.). Les modles thoriques ne peuvent gure prendre en compte ces dfauts de faon raliste et ne sont pas rellement prdictifs. La situation est diffrente pour la GMR en courant perpendiculaire aux couches, dcrite plus loin. Les applications de la GMR sont prsentes par C. Fermon et M. PannetierLecur, et par J.P. Nozires, dans ce mme dossier. Lapplication la plus connue est la lecture des disques durs [14, 15], o les capteurs GMR structure vanne de spin ont remplac la magntorsistance

classique. La GMR, grce sa sensibilit et aux possibilits amenes pour la miniaturisation des capteurs, a rendu possible une forte rduction de la taille des inscriptions magntiques et a ainsi conduit une augmentation de la capacit dinformation stocke dans les disques, de plus de deux ordres de grandeur (de 1 600 Gbit/in2 en 2009). Cette augmentation a conduit non seulement la ralisation de disques de trs grande capacit (jusquau teraoctet), mais aussi celle de disques de la taille de pices de monnaie pour llectronique nomade, baladeurs, appareils photographiques, etc. Les capteurs GMR ont aussi des applications dans lindustrie automobile et les technologies biomdicales.

La GMR en courant perpendiculaire aux couches


Pendant les premires annes de recherche sur la GMR, les expriences sur les multicouches taient effectues avec un courant lectrique orient dans le plan des couches, dans la gomtrie que lon appelle maintenant CIP (Current In Plane). Les premires expriences en gomtrie CPP (Current Perpendicular to the layer Planes) furent ralises par lquipe de Jack Bass et al. [17] Michigan State University, en plaant une multicouche en sandwich entre deux couches supraconductrices de niobium, qui tablissent des plans quipotentiels sur les deux faces de la multicouche et permettent dobtenir un courant perpendiculaire aux couches. En CPP, la GMR est non seulement nettement plus grande quen CIP (la CPP-GMR sera dailleurs utilise dans la prochaine gnration de ttes de lecture de disques durs), mais aussi subsiste pour des couches relativement paisses, jusquau voisinage du micron, comme on peut le voir sur la figure 4 pour des multicouches labores par lectrodposition dans des pores de membranes de polycarbonates [18]. Le modle Valet-Fert [19] permet dexpliquer cette diffrence par les effets daccumulation de spin spcifiques de la situation CPP. La longueur dchelle des phnomnes de transport devient la longueur de diffusion de spin, nettement plus grande que le libre parcours moyen impliqu dans la gomtrie usuelle.

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Reflets de la Physique - Dossier spintronique

4 Avances fondamentales
11

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Physique de laccumulation de spin

En fait, la CPP-GMR a permis de comprendre la physique de laccumulation de spin qui gouverne de faon trs gnrale la propagation dun courant polaris de spin dans une succession de conducteurs magntiques et non magntiques, et joue un rle important dans tous les dveloppements actuels de la spintronique. Le courant de diffusion gnr par laccumulation de spin est le mcanisme permettant un courant polaris en spin de se propager loin de linterface entre un matriau magntique et un matriau non magntique, au-del de la longueur balistique, jusqu une distance de lordre de grandeur de la longueur de diffusion de spin. On verra dans lencadr (p. 13) que ce transport de spin grande distance a permis dtendre les tudes de GMR des structures latrales . Dans des nanotubes de carbone, par exemple, la longueur de diffusion de spin excde 20 m, et des courants polariss peuvent tre transports dun bout lautre de nanotubes de carbone relativement longs [20]. Comme expliqu sur la figure 5, une accumulation de spin se produit quand un flux dlectrons passe dun matriau ferromagntique un conducteur non magntique. Le flux incident est plus grand dans un des canaux (spin sur la figure), alors que le flux sortant est galement rparti (fig. 5a). Au voisinage de linterface, il y a donc accumulation dlectrons dune certaine direction de spin (spin sur la figure) et, neutralit de charge oblige, dpltion de lautre direction de spin, ou, en dautres termes, dcalage entre les niveaux de Fermi (potentiels chimiques) des deux directions de spin (fig. 5b). Laccumulation de spin diffuse des deux cots de linterface et dcrot exponentiellement, pour stendre jusqu une distance de lordre de grandeur de la longueur de diffusion de spin. Cette distribution hors dquilibre gnre les renversements de spin, qui ajustent les flux entrant et sortant. Pour rsumer, il y a au voisinage de linterface une large zone daccumulation de spin, dans laquelle le courant polaris de spin venant du conducteur magntique est progressivement dpolaris par les renversements de spin gnrs par laccumulation de spin (fig. 5c). La figure 5 reprsente le cas de linjection de spin, cest--dire dlectrons allant du magntique au non magntique. Pour des lectrons allant en direction oppose

4. (a) Variation de la GMR en courant perpendiculaire aux couches (CPP-GMR) de nanofils multicouches Co/Cu (8 nm), en fonction de lpaisseur des couches de cobalt [19]. La GMR subsiste jusqu des paisseurs de lordre de grandeur du micron. (b) Structure des nanofils multicouches utiliss pour les mesures de (a).
Interface

5. Reprsentation schmatique de laccumulation des spins, associe au passage dun courant dun conducteur ferromagntique un conducteur non magntique. (a) : Flux respectifs dlectrons de spin (flches bleues) et de spin (flches vertes) loin de linterface. F N Lsf et Lsf sont les longueurs de diffusion de spin dans les matriaux ferromagntique et non magntique, respectivement. (b) : Variation des niveaux de Fermi EF et EF au voisinage de linterface ; les flches vertes symbolisent les renversements de spin gnrs par laccumulation. (c) : Variation de la polarisation en spin du courant en fonction de la distance Z linterface.

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Reflets de la Physique - Dossier spintronique

(extraction de spin), on a une situation semblable, mais avec accumulation de la direction de spin oppose et une polarisation progressive du courant par les renversements de spin qui en rsultent. Dans les deux cas, injection ou extraction, la polarisation du courant subsiste ou commence loin de linterface dans le matriau non magntique. Cette physique peut se dcrire par des quations de transport [19], dans lesquelles le potentiel lectrique est remplac par un potentiel lectrochimique dpendant du spin. La physique de laccumulation de spin joue un rle important dans la plupart des dveloppements rcents de la spintronique. Ses quations peuvent tre appliques non seulement au cas simple dune interface isole, mais aussi la situation multi-interfaces avec interaction entre les accumulations de spin des interfaces voisines. Elles peuvent aussi tre gnralises la situation des structures avec semi-conducteurs ou molcules, prendre en compte la courbure de bande linterface de semi-conducteurs, ou encore les configurations magntiques non colinaires des expriences de transfert de spin (cf. article de B. Diny, p. 14).

Conclusion
La dcouverte de la GMR rsulte de la rencontre entre des progrs technologiques et une base de physique fondamentale, dcrivant linfluence du spin sur le transport lectronique dans les matriaux ferromagntiques. On ralisa rapidement quelles applications importantes pouvaient tre tires de lexploitation simultane de la charge et du spin des lectrons, et cela dclencha une recherche active, qui rvla dautres phnomnes exploitant galement linfluence du spin en lectronique. La spintronique se dveloppe maintenant sur de nombreux nouveaux axes et sera trs certainement la base dapplications technologiques dans de multiples domaines. z

Le cas dune structure latrale de type source/ canal latral/drain, compose dun conducteur non magntique N dont les extrmits sont contactes des conducteurs ferromagntiques source F1 et drain F2, dont les aimantations peuvent tre parallles ou antiparallles (voir exemple de structure sur les figures a et b), est semblable celui de la CPP-GMR. Le courant passe latralement de F1 N, puis F2, de la mme faon quil traverserait verticalement en CPP-GMR une tricouche, avec une couche non magntique dont lpaisseur serait gale la longueur du canal et encadre par deux couches magntiques semi-infinies. La structure latrale a lavantage de rendre possible linstallation dune grille sur le canal. Les rsultats sur ces structures latrales sinterprtent avec le mme type dquations de transport que celles de la CPP-GMR. Dans une situation de CPP-GMR, avec une paisseur de couche non magntique gale la longueur du canal latral, donc en gnral suprieure 100 nm, et avec les mtaux habituels de la GMR, les performances en termes de variation de rsistance R entre configurations parallle et antiparallle ou de signal de sortie V restent cependant trs modestes : soit R/R ou V/Vbias de lordre de quelques pourcents ou diximes de pourcents, avec des contacts tunnel. Quand le canal latral est un semi-conducteur, qui peut certes avoir un temps de relaxation de spin plus long quun mtal, mais par contre une vitesse lectronique beaucoup plus petite, les performances sont encore plus modestes [21]. Obtenir des performances leves avec des structures latrales exige donc des matriaux combinant des temps de relaxation de spin longs, mais aussi des vitesses lectroniques grandes, nanotubes de carbone ou graphne, par exemple. Un exemple est donn sur les figures c et d, avec des rsultats de magntorsistance suprieurs 70% et des signaux de sortie V allant jusqu 50 mV, dans des expriences o le canal latral est un nanotube de carbone [20].

F1 F2

(a) Image par microscopie lectronique dun nanotube de carbone (CNT) entre contacts (source et drain) de La2/3Sr1/3MnO3 (LSMO). Laimantation M de la source F1 est fixe ; celle du drain F2 peut tre parallle (P) ou antiparallle (AP) M. (b) Schma correspondant (vue latrale). (c) et (d) : Magntorsistances de 72% et 60%, avec des structures du type (a) [20]. Sur la figure (c), les directions des aimantations des matriaux F1 et F2 sont indiques par des flches. On remarquera lhystrsis en cyclage de champ, du au faible champ coercitif de la couche F2.

Rfrences
1 M.N. Baibich et al., Phys. Rev. Lett. 61 (1988) 2472. 2 G. Binash et al., Phys. Rev. B 39 (1989) 4828. 3 N.F. Mott, Proc. Roy. Soc. A 153 (1936) 699. 4 A. Fert et I. A. Campbell, Phys. Rev. Lett. 21 (1968) 1190, J. Physique 32 (1971) C1-46, J. Phys. F 6 (1976) 849. 5 B. Loegel et F. Gautier, J. Phys. Chem. Sol. 32 (1971) 2723. 6 P. Grnberg et al., Phys. Rev. Lett. 57 (1986) 2442. 7 R. E. Camley et J. Barnas, Phys. Rev. Lett. 63 (1989) 664. 8 P.M. Levy et al., Phys. Rev. Lett. 65 (1990) 1643. 9 S.S.P. Parkin et al., Phys. Rev. Lett. 64 (1990) 2304. 10 T. Shinjo et al., J. Phys. Soc. Jpn. 59 (1990) 3061. 11 C. Dupas et al., J. Appl. Phys. 67 (1990) 5680. 12 D. H. Mosca et al., J. Magn. Magn. Mater. 94 (1991) L1 ; S. S. P. Parkin et al., Phys. Rev. Lett. 66 (1991) 2152. 13 B. Dieny et al., Phys. Rev. B 43 (1991) 1297. 14 S.S.P. Parkin, dans Spin Dependent Transport in Magnetic nanostructures (dit par S. Maekawa et T. Shinjo, Taylor and Francis 2002), p. 237. 15 C. Chappert et al., Nature Materials, 6 (2007) 813. 16 T. Shinjo, ibidem ref. [14], p. 1 ; P. M. Levy et I. Mertig, ibidem, p. 47 ; A. Fert, A. Barthlmy et A. Fert dans Nanomagnetism (dit par D.L. Mills et J.A.C. Bland, Elsevier, 2006), p. 153. 17 W. P. Pratt et al., Phys. Rev. Lett. 66 (1991) 3060 ; J. Bass et W. P. Pratt, J. Magn. Magn. Mater. 200 (1999) 274. 18 L. Piraux et al., Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 2484 ; A. Fert et L. Piraux, J. Magn. Magn. Mater. 200 (1999) 338. 19 T. Valet et A. Fert, Phys. Rev. B 48 (1993) 7099. 20 L.H. Hueso et al., Nature 445 (2007) 410. 21 B. T. Jonker et M. E. Flatt, dans Nanomagnetism (dit par D.L. Mills et J.A.C. Bland, Elsevier, 2006), p. 227.

Reflets de la Physique - Dossier spintronique

4 Avances fondamentales
13

4La magntorsistance gante dans des structures latrales

Faits marquants en spintronique


Bernard Dieny (bernard.dieny@cea.fr) SPINTEC, UMR 8191 CEA/CNRS/UJF, Institut Nanosciences et Cryognie, CEA/Grenoble, 38054 Grenoble Cedex 9

depuis la dcouverte de la magntorsistance gante

La dcouverte de la magnto rsistance gante (GMR) par Albert Fert et Peter Grnberg est considre comme fondatrice de llectronique de spin. Celleci ralise un mariage entre llectronique et le magntisme. Cette discipline a maintenant une vingtaine dannes. Depuis 1988, son essor a t stimul par une srie de dcouvertes marquantes relates dans cet article : magntorsistance tunnel (TMR), transfert de spin, dispositifs hybrides magntiques/ semiconducteurs. Ces dcouvertes ont permis divers dveloppements applicatifs dans les domaines des mmoires non volatiles (MRAM), des composants pour la logique, des composants radiofrquences pour les tlcommunications, et des capteurs de champs magntiques hypersensibles.

Larticle dAlbert Fert (p. 8) a parfaitement introduit la thmatique de llectronique de spin et le mcanisme de la magntorsistance gante. De manire simple, on peut dire que les matriaux magntiques peuvent servir de polariseurs ou danalyseurs dlectrons polariss en spin. La spintronique associe ainsi des matriaux magntiques et non magntiques, ces matriaux pouvant tre mtalliques, isolants ou semi-conducteurs. Les composants spintroniques ont souvent une structure de la forme couche ferromagntique (F1)/couche non magntique (NM)/ couche ferromagntique (F2), dans laquelle on peut changer lorientation relative des aimantations des couches F1 et F2. Cette structure sapparente un couple polariseur/analyseur en optique ; il est en effet connu quen jouant sur langle entre les directions de polarisation du polariseur et de lanalyseur, on peut changer la transmission de la lumire travers ce couple. En lectronique de spin, lorsquun courant lectrique traverse la structure F1/NM/F2 perpendiculairement aux interfaces (GMR en gomtrie CPP, voir larticle dA. Fert, p. 11), la premire couche ferromagntique (F1)

polarise en spin les lectrons paralllement laimantation de cette couche. Cette polarisation est transmise travers la couche non magntique suppose suffisamment fine (typiquement quelques nanomtres). La capacit des lectrons pntrer dans la couche F2 dpend alors de langle entre les aimantations de F1 et F2. Ceci se manifeste par un changement de la rsistance lectrique de la structure en fonction de cet angle. Ce phnomne a t mis en vidence pour la premire fois Orsay en 1988 dans des multicouches constitues dalternance de couches de fer de 2 nm et de chrome de 1 nm [1]. Il lui a t donn le nom de magntorsistance gante, car le changement relatif de rsistance observ sous champ magntique, de lordre de 50% temprature ambiante, tait beaucoup plus grand que tous les phnomnes de magntorsistance connus jusque-l dans les mtaux. Cette dcouverte est considre comme fondatrice de llectronique de spin. Elle a stimul une foison dtudes sur ces phnomnes dinteraction entre magntisme et transport de charge. En 1990, des matriaux prsentant une magntorsistance gante champ

4Les vannes de spin


Trs rapidement aprs la dcouverte de la magntorsistance gante, les industriels de lenregistrement magntique ont peru que ce nouveau phnomne pouvait tre trs utile pour la ralisation de capteurs de champ magntique ultrasensibles, en particulier pour les ttes de lecture de disques durs dordinateurs. Toutefois, dans les multicouches (Fe/Cr) tudies par les quipes dA. Fert et P. Grnberg, les champs ncessaires pour observer la magntorsistance gante taient trs levs, typiquement 2 teslas, du fait de lexistence dun fort couplage antiferromagntique entre les aimantations des couches de fer travers les couches de chrome. Or, le champ magntique que lon cherche relire la surface des disques durs pour connaitre linformation crite dans le disque est de lordre de 2 4 millitesla, soit 3 ordres de grandeur plus faible. Il fallait donc mettre au point des matriaux prsentant les effets de magntorsistance gante champs beaucoup plus faibles. Ceci a t ralis IBM Almaden par lquipe de V. Speriosu [2], par le dveloppement des vannes de spin . Les vannes de spin sont essentiellement constitues de deux couches magntiques quasiment totalement dcouples, spares par une couche non magntique, par exemple en cuivre, dpaisseur suprieure 2 nm (fig. A). Afin de pouvoir varier lorientation relative des aimantations des deux couches ferromagntiques, laimantation dune de ces couches (dite pige) est couple par interaction dchange avec une

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Reflets de la Physique - Dossier spintronique

faible, les vannes de spin (voir encadr, ci dessous), ont t mis au point pour raliser des capteurs ultrasensibles de champs magntiques [2]. Ces capteurs ont t introduits dans les ttes de lecture des disques durs dordinateurs en 1998. Ce fut la premire application industrielle de composants spintroniques. Depuis, llectronique de spin a connu plusieurs dcouvertes marquantes, qui vont tre dcrites dans cet article : observation en 1995 de magntorsistance tunnel dans des jonctions tunnel magntiques temprature ambiante, dabord sur des jonctions amorphes (donnant des amplitudes de magntorsistance de lordre de 50%), puis sur des jonctions cristallises (barrire tunnel de MgO donnant des amplitudes de magntorsistance jusqu 600%) ; prdiction (1996) puis observation exprimentale (1998, 2000) deffets de transfert de spin, permettant de manipuler laimantation de nanostructures magntiques par des courants polariss en spin ; possibilit de modifier les proprits magntiques par tensions lectriques (2000). Dans ce domaine, les semi-conducteurs

Banc de mesures lectriques spectrales large bande (0-26 GHz) ddi ltude de nanostructures magntiques courant polaris en spin au centre CEA de Grenoble.

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couche antiferromagntique (dite de pigeage). Linteraction travers linterface entre ces deux couches a pour effet de bloquer laimantation de la couche pige dans une direction fixe
Couche antiferromagntique de pigeage Couche ferromagntique pige Espaceur non magntique Couche ferromagntique libre ou Couche tampon Substrat

sur une trs large gamme de champ appliqu. Par contre, lautre couche magntique, dite libre , est constitue dun matriau magntiquement doux, cest--dire dont laimantation
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Artechnique/CEA.

soriente trs facilement dans le champ appliqu, comme une aiguille de boussole. Un faible champ magntique suffit alors provoquer une variation dorientation relative daimantation et donc leffet de GMR (fig. B). Loptimisation de ces vannes de spin entre 1990 et 1998, jusqu leur introduction dans les disques durs, a conduit lessor de toute une ingnierie de multicouches magntiques pour la spintronique. Les structures optimises comprennent aujourdhui une vingtaine de couches, dont les paisseurs sont contrles langstrm prs. La rponse, trs linaire et rversible, observe sur la figure B, montre que ces matriaux sont tout fait adapts pour la ralisation de capteurs de champs magntiques trs sensibles.

FeMn 9nm NiFe 4nm Cu 2nm NiFe 5nm Ta 5nm

A. Structure de base dune vanne de spin. Les flches indiquent les directions de laimantation de la couche pige (aimantation fixe) et de la couche libre (aimantation pouvant tourner suivant le champ appliqu).

R/R (%)

-4

-2

H (mT)

B. Rponse magntorsistive dune vanne de spin. Les flches indiquent les directions daimantation des couches libre (flches rouges) et pige (flches bleues).

Reflets de la Physique - Dossier spintronique

4 Avances fondamentales
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700 600 500 400

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magntiques jouent un rle trs important. Cette partie sera traite plus en dtail dans larticle dAgns Barthlmy et al. (p. 20).

Magntorsistance tunnel
Les jonctions tunnel magntiques se prsentent aussi sous la forme de sandwiches F1/NM/F2 mais, la diffrence des vannes de spin dans lesquelles la couche sparatrice NM est mtallique (typiquement en cuivre), la couche sparatrice est ici une fine couche de matriau isolant (par exemple en alumine dpaisseur 1,5 nm). Cette couche constitue une barrire dnergie pour les lectrons de conduction. Ceux-ci peuvent nanmoins traverser la barrire par effet tunnel. Lorsque les lectrodes de part et dautre de la barrire tunnel sont magntiques, la probabilit de passage des lectrons travers cette barrire dpend de langle entre le spin des lectrons et laimantation de llectrode qui reoit les lectrons aprs passage de la barrire. De ce fait, lorsquune tension lectrique est applique entre les deux lectrodes de la jonction, le courant dlectrons travers celle-ci dpend de langle entre les aimantations des deux lectrodes. Cet effet avait t observ pour la premire fois en 1975 par un Franais, Michel Jullire, basse temprature dans des jonctions magntiques semi-conductrices base de germanium [3]. Mais lintrt pour les jonctions tunnel na vraiment explos quaprs lobservation en 1995 de

300 200 100 0 -100

-50

50

100

H (Oe)
1. Magntorsistance temprature ambiante de jonctions tunnel base de MgO, daprs Yuasa et al., Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 042505. La rsistance de lchantillon varie de 4 k 17 k lorsque les aimantations des deux lectrodes magntiques passent dun alignement parallle un alignement antiparallle. Les flches bleues indiquent le sens de parcours du cycle de magntorsistance. Lamplitude de TMR est dfinie comme la variation relative de la rsistance de la jonction tunnel entre les configurations magntiques parallle (RP) et antiparallle (RAP) : TMR = (RAP - RP)/RP. Lhystrsis observe sur la magntorsistance rsulte de lhystrsis dans le retournement de laimantation des deux lectrodes magntiques de la jonction.

magntorsistance tunnel temprature ambiante dans des jonctions amorphes base dalumine [4]. Ces jonctions prsentaient des amplitudes de magntorsistance de 30 70%. Depuis, dnormes progrs ont t raliss dans la nature et la qualit des matriaux constituant les barrires tunnel. En particulier, des jonctions magntiques cristallises ont t mises au point, base doxyde de magnsium (MgO), prsentant des amplitudes de magntorsistance suprieures 600% temprature ambiante (fig. 1), donc trs suprieures celles observes avec la magntorsistance gante classique. Cette augmentation considrable de lamplitude de la magntorsistance des jonctions base de MgO par rapport aux jonctions amorphes base dalumine provient de la nature cristallise des barrires de MgO. Dans les jonctions barrires amorphes, la magntorsistance provient uniquement de la diffrence de population en spin et dans llectrode magntique au voisinage immdiat de la barrire tunnel. Dans les jonctions tunnel cristallises, un phnomne supplmentaire se produit : il sagit dun filtrage des lectrons qui passent travers la barrire tunnel, suivant la symtrie de leur fonction donde lectronique. Seuls les lectrons dont la fonction donde a une symtrie compatible avec celle du rseau cristallographique de MgO, arrivent passer travers la barrire tunnel. Or, si les lectrodes sont en alliages riches en cobalt de structures cubiques comme le MgO, seuls les lectrons de spin ont la symtrie adquate pour passer travers la

TMR (%)

I+ I+
CoFeCu2 CoFeCu2 Cu Cu CoFeCu1 CoFeCu1

I = -0,4 mA mA9,1 9,1 I = -0,4


9 9

H = -4 Oe Oe 9,1 9,1 H = -4
9 9

R (ohms)

R (ohms)

R (ohms)

R (ohms)

8,9 8,9 8,8 8,8 8,7 8,7

8,9 8,9 8,8 8,8 8,7 8,7

I-40 -40

-20 -20

20

20

40

40

-8

-8

-4

-4

H (mT)(mT) H

I (mA)(mA) I

2. Exemples de commutation magntique dune structure vanne de spin de composition IrMn 7nm/CoFeCu 5nm/Cu 5nm/CoFeCu 2,5nm, grave sous la forme dun pilier de section 130 nm x 130 nm et traverse par un courant perpendiculairement au plan des couches (a). Dans la figure du centre (b), la commutation est provoque par lapplication dun champ magntique parallle au plan des couches, qui fait commuter laimantation de la couche libre (CoFeCu 2,5nm, flches rouges) de la vanne de spin de faon hystrtique. Les flches mauve et indigo indiquent le sens de parcours des cycles dhystrsis. Le changement de rsistance observ est d la magntorsistance gante de la structure. Dans la figure de droite (c), la commutation est provoque par le courant polaris en spin, circulant travers la structure (daprs [8]). La courbure asymtrique observe sur les courbes R(I) est lie une combinaison deffets Joule et thermolectrique se produisant dans la nanostructure.

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Reflets de la Physique - Dossier spintronique

barrire tunnel. Il en rsulte un filtrage quasi-parfait des lectrons , donc une polarisation des lectrons tunnel proche de 100%, do de trs fortes amplitudes de magntorsistance. Outre lintrt de ces phnomnes du point de vue fondamental, les jonctions tunnel suscitent un intrt considrable pour diffrents types dapplications mmoires, composants logiques ou capteurs, qui sont dcrits dans ce dossier.

Transfert de spin
Les phnomnes dlectronique de spin dont nous avons parl jusquici sont des phnomnes de magntorsistance (gante GMR ou tunnel TMR), cest--dire des variations de rsistance lectrique sous champ magntique. Ces effets permettent dagir sur un courant lectrique polaris en spin partir de laimantation dune nanostructure magntique. Mais leffet rciproque existe aussi. Il a t prdit en 1996 par deux thoriciens : J. Slonczewski et L. Berger [5], et a t observ exprimentalement peu de temps aprs [6,7]. Cet effet, appel transfert de spin , est une action quexerce un courant polaris en spin sur laimantation dune nanostructure. Lide est la suivante : lorsque des lectrons polariss en spin sont injects dans une nanostructure magntique dont laimantation fait un angle avec la direction de polarisation en spin des lectrons, cette dernire se roriente trs rapidement paralllement laimantation locale dans le premier nano-

mtre suivant la pntration des lectrons dans la nanostructure. En raction, cette rorientation se traduit par un couple magntique agissant sur laimantation de la nanostructure. Ce couple peut produire diffrents effets. a) Il peut faire commuter laimantation de la nanostructure dans une direction ou la direction oppose, suivant le sens du courant. Ceci est illustr titre dexemple sur la figure 2. Les expriences ont dabord t ralises sur des structures de type vannes de spin mtalliques, comme celles utilises dans la figure 2. Les densits de courant critique ncessaires pour provoquer la commutation daimantation dans ces structures mtalliques sont de quelques 107 A/cm2. Ces fortes densits de courant interdisaient au dpart dobserver ce type deffet dans les jonctions tunnel magntiques, car celles-ci sont sujettes au claquage lectrique lorsque la tension qui leur est applique est trop importante (typiquement suprieure ~ 1 V). Toutefois, grce aux progrs raliss dans la croissance des jonctions tunnel, il est devenu possible dabaisser suffisamment lpaisseur des barrires tunnel et donc leur transparence (mesure par leur produit RA = rsistance surface, la surface tant laire de la jonction), pour observer ces effets de commutation dans les jonctions tunnel [9]. b) Dans certaines gomtries, le champ appliqu et le transfert de spin peuvent exercer des influences antagonistes sur laimantation dune nanostructure. Dans

ce cas, le transfert de spin peut gnrer des excitations entretenues de laimantation. Le systme pompe constamment de lnergie au courant polaris en spin pour compenser les mcanismes de dissipation spinrseau. Par exemple, il a t montr que linjection dlectrons polariss en spin hors du plan dans une couche magntique aimantation planaire permet de gnrer un mouvement de prcession entretenue de laimantation de cette couche sur un cne daxe perpendiculaire au plan (fig. 3a). La frquence de prcession dpend de la densit du courant continu traversant la structure. Si on complte la structure par une couche de rfrence daimantation fixe, la variation oscillante dangle entre laimantation excite et laimantation fixe (analyseur) provoque une variation sinusodale de rsistance, se traduisant elle-mme par une oscillation de tension aux bornes du dispositif. La frquence de ces oscillations se situe dans la gamme 2-30 GHz et peut tre ajuste par le courant traversant la structure (fig. 3b). c) Le transfert de spin peut galement se manifester comme une action, provoque par la circulation dun courant lectrique, sur les parois magntiques existant dans un matriau magntique homogne. Ce phnomne a t prdit initialement par Berger en 1984 [11] et observ une vingtaine dannes plus tard dans des nanofils magntiques de diffrents types de matriaux, semi-conducteurs, mtalliques ou oxydes. Lide gnrale est la suivante. Si on considre par exemple une nano-

>>>

IDC

IDC

lectrode lectrode suprieure suprieure IrMn Couche pigage de IrMn de pigage Co Analyseur Cu Co Cu Cu Cu
Couche

I-

I-Co
Co

Analyseur Espaceur Espaceur Couche libre U~ Couche libre U~ Espaceur Espaceur Polariseur Polariseur

lectrode infrieure lectrode infrieure

3. (a) Schma dun oscillateur spintronique polariseur perpendiculaire au plan des couches. Loscillateur est un pilier lgrement elliptique de dimension 60 nm x 70 nm et de composition Polariseur/Cu/Co/Cu/Co/IrMn, o le polariseur IDC(mA) IDC(mA) perpendiculaire est lui-mme une multicouche anisotropie hors 1,5 du plan. Le courant continu traversant la structure entretient un 1,5 1,4 mouvement de prcession de laimantation de la couche dite 1,4 1,3 1,3 1,2 libre (Co) sur un cne daxe perpendiculaire au plan de la 1,2 1,1 couche et parallle la direction de polarisation des spins du 1,1 1,0 1,0 0,9 courant. Lanalyseur est une couche de Co dont laimantation est 0,9 0,8 pige par interaction dchange avec la couche antiferromagntique 0,8 0,7 IrMn (voir lencadr sur les vannes de spin, pp. 14-15). Via leffet 0,7 0,6 de magntorsistance li la variation dangle entre les aimanta0,6 0,5 0,5 0,4 tions des couches libre et pige (analyseur), une tension alterna0,4 0,3 tive U~ apparait entre les deux lectrodes du dispositif. 0,3 (b) Spectres exprimentaux de la densit spectrale de la 2 3 4 2 3 4 tension de sortie U~ pour diffrents courants variant entre 0,3 frquence (GHz) et 1,5 mA. La frquence des oscillations (abscisse des pics sur les frquence (GHz) b courbes rouges) augmente avec le courant. (Daprs [10]). I>0 I>0

Reflets de la Physique - Dossier spintronique

4 Avances fondamentales
17

bande de NiFe dont laimantation est planaire, cette aimantation a tendance saligner avec la longueur de la nanobande (fig. 4), pour des raisons dnergie magntostatique. Il se forme alors, le long de la bande, des domaines magntiques, cest-dire des rgions daimantation quasiuniforme, spares les unes des autres par des parois. Les parois sont des zones de rotation daimantation, dont la forme rsulte dun compromis entre nergies dchange, danisotropie et magntostatique. Les parois peuvent avoir diffrentes configurations. Si la nanobande est troite, la paroi sera plutt de type transverse, comme reprsent sur la figure 4. Lorsquun courant circule le long de la nanobande, les lectrons acquirent une polarisation en spin en se propageant lintrieur dun domaine. Lorsquun lectron traverse la paroi, son spin peut se rorienter continment au sein de la paroi et accompagner la rotation du champ dans la paroi (on parle de transmission adiabatique du spin) ou, lautre extrme, peut tre transmis dun domaine lautre travers la paroi sans subir de rorientation (transmission non adiabatique). Il a t montr thoriquement et exprimentalement quune transmission purement adiabatique du spin conduit essentiellement une dformation de la paroi, alors quune transmission non adiabatique exerce une pression sur la paroi qui peut la dpiger dun dfaut et la mettre en mouvement. Les densits de courant

>>>

4. Reprsentation micromagntique dune paroi transverse dans une nanobande de NiFe. Le schma agrandi du bas est une vue de dessus.

auxquelles ces effets sont observs sont de lordre de 108A/cm2 dans les systmes magntiques mtalliques, mais seulement de lordre de 105 106A/cm2 dans les semi-conducteurs ou oxydes magntiques. Ces diffrents phnomnes de transfert de spin suscitent un intrt considrable, car ils ouvrent tout un nouveau champ dtude de la dynamique daimantation induite par un courant polaris en spin. Ils ouvrent par ailleurs de nouvelles voies de manipulation de laimantation de nanostructures magntiques, et en particulier dcriture dinformation dans des cellules mmoires ou de gnration dexcitations entretenues daimantation pour des oscillateurs radiofrquence, ou encore de mouvements contrls de parois magntiques pour la ralisation de mmoires de masse.

Bibliographie
1 M. Baibich et al., Phys. Rev. Lett. 61 (1988) 2472. 2 B. Dieny, V.S. Speriosu et al., Phys. Rev. B 43 (1991) 12971300. 3 M. Jullire, Physics Letters A 54 (1975) 225. 4 J.S. Moodera et al., Phys. Rev. Lett. 74 (1995) 32733276 ; T. Miyazaki et N. Tezuka, J. Magn. Magn. Mater. 139 (1995) L231. 5 J. Slonczewski, J. Magn. Magn. Mater. 159 (1996) L1 ; L. Berger, Phys. Rev. B 54 (1996) 9353. 6 M. Tsoi et al., Phys. Rev. Lett. 80 (1998) 4281. 7 J.A. Katine et al., Phys. Rev. Lett. 84 (2000) 3149. 8 A. Deac et al., Phys. Rev. B 73 (2006) 064414. 9 Y. Huai et al., Applied Physics Letters 84 (2004) 3118. 10 D. Houssameddine et al., Nature Materials 6 (2007) 447. 11 L. Berger, Journ. Appl. Phys. 55 (1984) 1954. 12 S. Datta et B. Das, Applied Phys. Lett. 56 (1990) 665. 13 X. Jiang et al., Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 056601. 14 D. Chiba et al., Science 301 (2003) 943.

Dispositifs hybrides magntiques/semi-conducteurs


Lutilisation de semi-conducteurs en lectronique de spin offre une trs grande richesse de phnomnes, chacun faisant lobjet de nombreuses tudes. Les semi-conducteurs sont des matriaux de choix pour llectronique de spin pour plusieurs raisons. Dans les semi-conducteurs de type IV (silicium, germanium), le couplage spinorbite est faible (particulirement pour le silicium), ce qui permet, si on polarise en spin les porteurs de charge un certain endroit du semi-conducteur, de conserver cette polarisation en spin sur une longue distance (pouvant atteindre plusieurs microns dans le silicium). Ceci permet de concevoir des dispositifs dans lesquels on injecte dans le semi-conduc-

teur des lectrons polariss en spin au niveau dune premire lectrode, on les manipule lors de leur propagation dans le semi-conducteur (par des champs magntiques ou des champs lectriques), et on les collecte de faon slective en spin au niveau dune deuxime lectrode. Un transistor de spin fonctionnant sur ce principe a t propos de faon conceptuelle par Datta et Das en 1990 [12]. Par ailleurs, les semi-conducteurs (particulirement les III-V et les II-VI) permettent de convertir des effets optiques en effets lectroniques ou rciproquement. En irradiant un semi-conducteur par une lumire polarise circulairement en spin, on peut gnrer (par le jeu des rgles de slection) des paires lectrons-trous dans lesquelles les lectrons sont polariss en spin. Inversement, lors de la recombinaison radiative dun lectron polaris en spin et dun trou, on peut mettre un photon de polarisation circulaire. Cest dailleurs ainsi que lefficacit de linjection dlectrons polariss en spin dans un semi-conducteur est souvent mesure. Par exemple dans la rfrence [13], linjecteur CoFe/MgO tait dpos sur une diode photoluminescente (LED) base de puits quantiques GaAs/AlGaAs/GaAs. La mesure de la polarisation circulaire de la lumire mise par la spin-LED renseigne directement sur la polarisation en spin des lectrons injects dans le semi-conducteur. Enfin, une des grandes caractristiques des semi-conducteurs est de permettre de moduler la densit de porteurs de charge par lapplication de tension lectrique. Ceci offre des possibilits indites de contrle des proprits magntiques de

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composants spintroniques par des tensions lectriques (et non par le courant), ce qui a t montr par exemple dans In1-x MnxAs par le groupe de H. Ohno luniversit de Tohoku (Japon) [14] (fig. 5). Dans ce type de semi-conducteur dop avec des ions magntiques de manganse, le caractre ferromagntique provient des interactions dchange entre ions Mn. Ces interactions sont en fait transmises par les porteurs de charge qui se polarisent au voisinage dun ion Mn, puis transportent cette polarisation aux ions Mn voisins. Mais on comprend aisment que dans ce mcanisme dchange, lintensit de linteraction dpend directement de la densit de porteurs de charge. Ainsi, en contrlant cette densit par une tension lectrique, on modifie lintensit des interactions dchange et donc la temprature dordre ferromagntique (la temprature de Curie Tc) du matriau. Dans les matriaux magntiques, le rapport T/Tc joue un rle trs important, car il caractrise lactivation thermique de laimantation. En modifiant la tension applique, on change cette activation thermique comme si on variait la temprature du systme. Ceci peut conduire des transitions ferromagntique/paramagntique ou des changements de coercitivit induits par tension (voir larticle dAgns Barthlmy et al., p. 20).

0,2

40 K

R Hall (k)

0,1 0,0 -0,1 -0,2 -0,3 -2,0 -1,0 0,0 1,0

E (MV/cm)
+1,50 +0,75 0 -0,75 -1,50

0H(mT)

2,0

5. Modification du champ coercitif du semi-conducteur magntique In 1-x Mn x As par lapplication de tension lectrique laide dune lectrode de grille place au-dessus dune croix de Hall (daprs [14]). La largeur du cycle dhystrsis diminue quand on augmente le champ lectrique E.

Conclusion
Llectronique de spin est une discipline en pleine croissance. Elle a t stimule initialement par les dveloppements dans le domaine de lenregistrement magntique trs haute densit (disques durs). Mais dans son essor, plusieurs dcouvertes marquantes ont ouvert de nouveaux champs dinvestigation et dapplications. Parmi celles-ci, les effets de magntorsistance tunnel temprature ambiante et de transfert de spin ont t des tapes particulirement significatives. Les perspectives dapplications se sont diversifies : mmoires non volatiles (MRAM) (voir

larticle de Jean-Pierre Nozires, p. 34), logique non volatile, logique reprogrammable, composants radiofrquences La France est bien place du point de vue recherche amont dans le domaine (Prix Nobel dAlbert Fert en 2007 !), des start-up franaises apparaissent sur ces thmatiques. Il est fort possible quaprs avoir disparu du domaine de lenregistrement magntique, une industrie du magntisme arrive se reconstruire en France et en Europe autour de llectronique de spin. z

ue Pour en savoir plus sur la spintroniq


Consulter les articles runis par Albert Fert et Jean-Pierre Nozires dans le tome 6, fascicule 9 (novembre 2005, pp. 917-1026) des Comptes Rendus Physique de lAcadmie des sciences, Paris. (Publication Elsevier France).

Magnetism in reduced dimensions Quantum nanomagnet Spin dependent transport : GMR & TMR Spin Transfer Torque: a new method to excite or reverse a magnetization Spintronics with semiconductors Development of new materials for spintronics Magnetic recording read head sensor technology Non-volatile magnetic random access memories (MRAM) Spin injection in semiconductors: towards a semiconductor-based spintronic device.

Achat en ligne

www.sciencedirect.com/science/journal/16310705/6/9

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0,3

De nouveaux matriaux pour llectronique de spin


Agns Barthlmy1, Martin Bowen2, Jol Cibert3 (joel.cibert@grenoble.cnrs.fr) 1 - Unit Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau 2 - Institut de Physique et Chimie des Matriaux de Strasbourg, 23 rue du Loess, BP 43, 67034 Strasbourg Cedex 2 3 - Institut Nel, CNRS / Universit Joseph Fourier, BP 166, 38042 Grenoble

La magntorsistance gante a t mise en vidence sur des multicouches mtalliques. Mais depuis quelques annes, certains matriaux non mtalliques ont rvl des potentialits spintroniques remarquables. Cet article prsente les principaux rsultats obtenus et les perspectives offertes par trois classes de matriaux : les semiconducteurs magntiques dilus, les oxydes fonctionnels et les semiconducteurs organiques. Parmi les possibilits offertes par ces matriaux, citons lobtention de trs longs temps de vie de spin, la conversion deffets optiques en effets lectroniques et rcipro quement, et la modification de proprits magntiques de composants spintroniques par des champs lectriques.

Les articles dAlbert Fert et de Bernard Dieny ont dcrit lessor de la spintronique partir des proprits physiques exceptionnelles observes sur des chantillons incorporant une alternance de couches magntiques et non magntiques. La proprit qui est exploite dans des composants maintenant trs rpandus aprs avoir t dcouverte et tudie dans un contexte de recherche fondamentale est la forte sensibilit du transport de courant lectrique la prsence dun champ magntique : on parle de magntorsistance gante (GMR) lorsque le courant circule dans lensemble form par une couche mtallique prise entre deux couches magntiques dont on renverse laimantation relative ; on parle de magntorsistance tunnel (TMR) lorsque le courant circule perpendiculairement entre deux couches magntiques spares par une barrire isolante. Dans les deux cas, les proprits de linterface sont videmment essentielles. La spintronique a ainsi particip pleinement la miniaturisation accrue de llectronique. Celle-ci utilise dsormais des composants de dimensions nanomtriques la fois pour traiter (dans des composants base de silicium) et stocker (dans des structures magntiques avec une lecture utilisant la GMR ou la TMR) plus rapidement une quantit accrue dinformation, avec un cot en nergie moindre. Cette contribution une meilleure efficacit nergtique est sans doute moins visible, mais tout aussi importante. On sait cependant que des limites physiques ont t identifies dans la course aux dimensions nanomtriques, et quon doit donc trouver de nouvelles pistes. Un exemple est donn par B. Dieny (p. 28) : intriquer troitement le stockage et le traitement

CN

RS

Fabrication par lithographie optique de jonctions tunnel magntiques sur substrat de silicium.

de linformation dans une spintronique logique . Mais aussi piloter les proprits magntiques en utilisant non pas un champ magntique (cr par un courant, donc gros consommateur dnergie), mais un champ lectrique (vecteur de base de la microlectronique). Ou encore intgrer dautres fonctions, par exemple celles de lopto-lectronique. Dans tous les cas, et les thoriciens de linformatique comme P. Jorrand le savent : pas dinformation sans tat de la matire, pas de calcul sans processus physique . De faon concrte, cela impose de dvelopper des matriaux aux proprits physiques bien matrises, et dassocier ces matriaux dans des composants (avec des interfaces) qui permettront de manipuler ces proprits pour assurer des fonctions nouvelles. Cet article dcrit lapport de trois classes de matriaux cet effort : les semi-conducteurs magntiques dilus [1, 2] qui visent confrer des proprits magntiques aux semi-conducteurs traditionnels, les oxydes fonctionnels [3] et notamment parmi eux les multiferroques [4], et les semi-conducteurs organiques [5], dont les proprits spintroniques mergentes ne cessent de surprendre.

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Hubert

I. Les semi-conducteurs magntiques dilus


Pourquoi ?
Rendre ferromagntiques certains semiconducteurs permettrait de construire une lectronique de spin tout semi-conducteur , et dintgrer dans un mme composant les fonctions de stockage de linformation, de traitement de celle-ci, voire diffrents capteurs et des metteurs de lumire [6]. Le point de dpart est donc un matriau semi-conducteur qui offre lensemble des possibilits qui ont permis le dveloppement de la microlectronique : il est isolant lorsquil est pur, on sait le doper lectriquement, et on sait manipuler les porteurs de charges en appliquant une configuration complexe de champ lectrique (dfinie par des contacts lectriques et des interfaces). En pratique, les contraintes industrielles requirent en outre que ce semi-conducteur soit compatible avec les procds technologiques et les matriaux actuellement utiliss en microlectronique ou opto-lectronique : le silicium et le germanium, larsniure de gallium GaAs, le nitrure de gallium GaN. Ce semi-conducteur devient un semiconducteur magntique dilu lorsquon y introduit une impuret magntique comme le manganse (Mn), qui porte un spin et donc un moment magntique. Ce sont les porteurs de charges du semiconducteur qui assurent le couplage ferromagntique entre les moments magntiques localiss sur les impurets [1] : cest un mcanisme qui existe dans les mtaux magntiques ; mais les densits de charges et les densits de moments magntiques dans les semi-conducteurs magntiques dilus sont beaucoup plus faibles et les tempratures critiques obtenues jusqu maintenant sont bien infrieures la temprature ambiante. Les recherches actuelles portent sur deux axes : dune part, augmenter la temprature de Curie en amliorant la qualit dun matriau donn, ou en cherchant des matriaux plus favorables ; dautre part, apprendre fabriquer des composants lmentaires de llectronique de spin partir des semi-conducteurs magntiques dilus actuels.

Augmenter la temprature de Curie


Le matriau le plus tudi est (Ga,Mn)As, ou plus exactement Ga1-xMnxAs, dans lequel une proportion x des atomes Ga est remplace alatoirement par des atomes Mn. Ces atomes Mn jouent le double rle de dopant lectrique et de dopant magntique. Les introduire en substitution de Ga est un dfi redoutable, aussi bien pour llaboration que pour la comprhension des proprits, car il sagit de contrler des proportions de lordre de 10%, une valeur bien suprieure aux dopages habituels de la microlectronique. De gros progrs ont t faits dans llaboration de (Ga,Mn)As en pitaxie par jets molculaires [7]. Les premiers matriaux, la fin des annes 1980, taient labors dans des conditions trop proches des conditions optimises pour GaAs pur, ils restaient isolants et paramagntiques. Un meilleur contrle de la temprature de croissance et du flux darsenic a permis dans les annes 1990 dobserver un comportement ferromagntique avec des tempratures de Curie suprieures 60 K, et un record 110 K longtemps singulier. Des tudes plus rcentes ont montr que les atomes de Mn avaient tendance sincorporer sous forme dinterstitiels : des recuits bien choisis ont permis dliminer ces interstitiels et de monter la temprature de Curie 170 K. On tend actuellement vers 190 K, avec un bon espoir que cette limite nest pas intrinsque et pourra donc tre repousse par un contrle encore meilleur du matriau. En effet, la temprature critique augmente rgulirement avec la proportion de Mn correctement incorpore en substitution du Ga (fig. 1).

Une grande partie de la communaut explore dautres matriaux. La temprature de Curie est proportionnelle au carr du couplage entre les porteurs et les impurets magntiques (puisque le couplage entre deux spins traduit laction exerce sur le second spin par les porteurs qui ont t orients par le premier spin) : on a donc tudi des semi-conducteurs o ce couplage est particulirement fort, comme les semi-conducteurs large bande interdite tels que le nitrure de gallium GaN ou loxyde de zinc ZnO. Malheureusement, aussi bien les calculs ab initio que les mesures sur des matriaux contenant peu datomes magntiques ont montr que ce renforcement du couplage spin-porteur saccompagne dune localisation des porteurs, qui ne peuvent plus assurer linteraction ferromagntique entre les impurets magntiques. Une autre piste concerne des matriaux inhomognes, dans lesquels des zones de forte concentration en atomes magntiques assurent une temprature de Curie leve, tout en tant fortement couples aux porteurs de charges de la matrice qui les contient. Un exemple est donn sur la figure 2 : la matrice est du germanium, les nanocolonnes visibles sur limage de microscopie lectronique ont une composition proche de Ge2Mn et sont ferromagntiques bien au-dessus de la temprature ambiante, comme le montrent les courbes daimantation ; surtout, les proprits de transport dmontrent un fort couplage avec les proprits magntiques. Il reste matriser parfaitement croissance et morphologie, et optimiser les proprits magntiques et de magntotransport.
200 150 100 50 0

>>>

1. La matrise des matriaux (Ga,Mn)As crot anne aprs anne : temprature critique mesure sur des couches optimises, en fonction de la quantit dimpurets manganse correctement insres sur le sous-rseau de gallium de la matrice GaAs. (Adapt des exposs de T. Jungwirth, tlchargeables sur [7]).

Tc (K)

croissance optimise (1998) recuit (2005) recuit optimis (2008) 0 5 Mn total (%) 10

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>>>
120 120

Aimantation (kA/m)

80

Mme si dans les matriaux bien contrls la temprature de Curie reste plus basse que la temprature ambiante, et interdit toute 0 -40 application grand public court terme, on peut tirer parti de la matrise des interfaces -40 -80 dans les semi-conducteurs usuels pour fabriquer -80 -120 des nanostructures ralisant des fonctions originales germanium -2 0 2 -120 intressantes pour llectronique de spin. Champ magntique (T) germanium -2 0 2 De nombreux dispositifs ont t raliss. Champ magntique (T) Nous dcrirons titre dexemple le retour2. Un systme trs htrogne : nanocolonnes de Ge2Mn dans une couche de Ge. gauche, microscopie nement de laimantation par application lectronique en transmission (vue en section et vue de dessus) ; droite, aimantation en fonction du champ dun champ lectrique. magntique appliqu diffrentes tempratures, montrant un comportement ferromagntique au-dessus de la La structure effet de champ est un temprature ambiante. (Adapt de S. Tardif et al., SPIE Optics & Photonics Symposium, preprint hal-00315739.) classique de la microlectronique ; elle permet dappliquer un champ lectrique E (Ga,Mn)As Semiconducteur qui module la densit de porteurs dans la ferromagntique couche (Ga,Mn)As. Cest un processus peu gourmand en nergie, car la structure 3. Modification de la direction de prsente une rsistance leve au passage laimantation M par lapplication du courant. Comme rappel dans larticle dun champ lectrique E, en labsence de B. Dieny (p. 19), cette structure avait de tout champ magntique appliqu. dj t utilise pour moduler la tempra(Tir de D. Chiba et al., Nature 455 ture critique dune couche (In,Mn)As. G (2008) 515.) Dans cette nouvelle structure (fig. 3), on Tension de grille utilise le fait que lanisotropie magntique Cr/Au dpend fortement de la densit de porteurs Contact mtallique pour changer la direction daimantation en Champ lectrique ZrO2 Barrire isolante appliquant une tension, en labsence de tout champ magntique appliqu.
80 nm
40

80 nm

Aimantation (kA/m)

80

5K 40 K 100 400 K 0

5K 100 K 400 K

Raliser des composants lmentaires

II. Oxydes pour llectronique de spin


Les avances dans la matrise de la croissance des couches minces doxydes ont rendu possible lobtention de films minces de trs grande qualit cristalline et leur insertion dans des htrostructures pour llectronique de spin (fig. 4). matriaux ont trouv leur place dans des htrostructures pour llectronique de spin, pour y apporter des fonctionnalits optimises ou nouvelles [3]. Nous ne mentionnerons que brivement deux domaines, pourtant trs actifs. (i) La recherche doxydes magntiques semi-conducteurs dilus rejoint en llargissant le domaine des semi-conducteurs large bande interdite, comme GaN ou ZnO. Des comportements ferromagntiques temprature ambiante ont t observs aprs incorporation dimpurets magntiques dans diffrents oxydes comme ZnO, TiO2, SnO2, In2O3 ou HfO2 Les rsultats sont ambigus, et les mcanismes (intrinsques, ou extrinsques : dfauts, inhomognits) lorigine du magntisme de ces matriaux restent lucider.
La0,7Sr0,3MnO3

Intrt des oxydes


Le rle des oxydes dans llectronique na cess de crotre ces dernires annes. Ceci est d la grande diversit de proprits physiques quils prsentent (ferro-lectricit, magntisme, caractre multiferroque, comportement isolant / semi-conducteur / mtallique, supraconductivit) et la possibilit de les moduler aisment par des facteurs extrieurs (contrainte, champs). Cest donc tout naturellement que ces

SrTiO3

La0,7Sr0,3MnO3

2,5nm

4. Image en microscopie lectronique haute rsolution dune htrostructure doxydes, ralise par ablation laser pulse, compose dune couche mince de 2,4 nm dpaisseur de SrTiO3 prise en sandwich entre deux couches de LSMO. (Avec laimable autorisation de J.L. Maurice.)

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Reflets de la Physique - Dossier spintronique

(ii) La famille des oxydes comporte galement des matriaux ferro- ou ferrimagntiques isolants pouvant tre utiliss comme barrire tunnel magntique pour filtrer selon leur spin les lectrons venant dune lectrode non magntique [8]. De tels filtres en spin ont t obtenus en utilisant EuO, NiFe2O4, CoFe2O4, BiMnO3 et La0,1Bi0,9MnO3 (LBMO) comme barrire. Le devenir de cette thmatique dpend de notre facult conserver dans des couches nanomtriques le caractre ferromagntique de ces matriaux complexes.

Oxydes demi-mtalliques comme lectrodes pour les jonctions tunnel magntiques


Cest en 1994, avec la croissance de films minces de manganites ferromagntiques, qua dbut lincorporation des oxydes dans des htrostructures pour llectronique de spin. Ces matriaux prdits demimtalliques, cest--dire ne prsentant une densit dtats non nulle au niveau de Fermi que pour une seule direction de spin et donc une polarisation en spin thoriquement gale 100%, trouvrent naturellement leur place en tant qulectrodes dans des jonctions tunnel magntiques. Leur utilisation a permis dobtenir des records de magntorsistance tunnel encore ingals (1800%) ; malheureusement, ces records ne sont obtenus qu trs basse temprature du fait des tempratures de Curie relativement faibles de ces matriaux : la temprature de Curie la plus leve, observe pour le compos La0,7Sr0,3MnO3 (LSMO), nest que de 350 K. Lutilisation de ces demi-mtaux a cependant permis daboutir une meilleure comprhension de leffet tunnel dpendant du spin, grce la simplicit de leur structure de bande. Utiliss comme lectrode, ils constituent un analyseur de spin pour les lectrons qui traversent la barrire par effet tunnel. Ltude de jonctions LSMO/SrTiO3/Co a ainsi rvl le rle prpondrant jou par le couplage des fonctions donde progressives dans llectrode ferromagntique avec les fonctions donde vanescentes dans la barrire tunnel. Une optimisation de ce couplage des fonctions donde linterface est aujourdhui mise profit pour obtenir de trs forts effets de magntorsistance tunnel temprature ambiante avec des barrires de MgO pour la ralisation de mmoires magntiques non volatiles (c.f. B. Dieny, p. 16).

Depuis 2000, de nombreuses quipes se sont galement intresses aux matriaux multiferroques, dont la plupart sont des oxydes. Ces composs prsentent au moins deux des trois types dordres ferroques ferrolastique, ferrolectrique, ferromagntique. Cette dfinition est gnralement tendue pour inclure galement les matriaux antiferroques. La multifonctionnalit de ces matriaux, en elle-mme, en fait une classe de composs attrayants pour les applications. Par exemple, lexploitation du caractre multifonctionnel dun des seuls multiferroques ferrolectrique et ferromagntique, La0,1Bi0,9MnO3 (LBMO), a permis de raliser des jonctions tunnel quatre tats de rsistance (fig. 5). Ces jonctions prsentent une magntorsistance tunnel via leffet de filtrage de spin li au caractre ferromagntique de la barrire LBMO. De plus, le retournement de la polarisation lectrique de LBMO modifie la hauteur de la barrire tunnel et la rsistance du dispositif (effet dlectrorsistance tunnel, ou TER). Dans certains matriaux, de nouvelles fonctionnalits proviennent des couplages pouvant exister entre ces diffrents ordres. Le couplage magnto-lectrique entre les ordres ferrolectrique et magntique est
1

particulirement intressant pour la spintronique, car il rend thoriquement possible la manipulation dune aimantation par un champ lectrique. Des rsultats en ce sens ont t obtenus avec des composs ferrolectriques/antiferromagntiques prsentant un couplage magnto-lectrique entre ces ordres, en les couplant par couplage dchange des couches minces ferro- ou ferrimagntiques [3, 9]. Ces premiers rsultats ouvrent la voie au contrle de ltat de rsistance dune vanne de spin par un champ lectrique. Ceci devrait permettre, notamment, la ralisation de mmoires non volatiles prsentant les avantages des Fe-RAM (RAM ferrolectrique) et des MRAM, les MERAM, en combinant la non-volatilit du stockage magntique une criture lectrique de linformation, peu consommatrice de lnergie et locale, et une lecture magntique non destructive via la GMR. Afin de pallier la raret de composs la fois ferro- ou ferrimagntiques et ferrolectriques, des recherches sont actuellement menes sur des matriaux multiferroques artificiels obtenus en combinant matriaux ferromagntiques et matriaux ferrolectriques sous forme dhtrostructures [4]. Les rsultats prometteurs obtenus avec des barrires tunnel ferrolectriques [10] prsagent des rsultats intressants pour la spintronique, en combinant ces barrires des lectrodes ferromagntiques [11].

>>>

190 180 170 160 150

Vmax=2V 10 mV, 3K

TMR

LBMO LSMO

Au

1 2 2 3 4

3
TER

R (k )

140 130 120 110 100 90 -5 -4 -3 -2 -1 0 1

H (kOe)

1 configuration ap, polarisation positive 3 configuration ap, polarisation ngative

2 configuration p, polarisation positive 4 configuration p, polarisation ngative

5. Variation de la rsistance en champ magntique dune tricouche Au/LBMO 2 nm/LSMO aprs avoir appliqu un champ lectrique positif ou ngatif renversant la polarisation lectrique du multiferroque LBMO (La0,1Bi0,9MnO3). Quatre tats de rsistance sont ainsi obtenus. Les transitions entre les tats 1 et 2 et entre les tats 3 et 4, rsultent du retournement de laimantation (flches blanches) du compos LBMO ; celles entre les tats 1 et 3 et entre les tats 2 et 4, sont lies au renversement de sa polarisation lectrique (flches rouges et noires). (Tir de M. Gajek et al., Nature Materials 6 (2007) 296).

Reflets de la Physique - Dossier spintronique

4 Avances fondamentales
23

Matriaux multiferroques

>>>

III. La spintronique organique


Une convergence a lieu entre les domaines de llectronique de spin [6] et de llectronique organique [5], par la combinaison de matriaux magntiques avec un espaceur organique qui va de la molcule unique au film mince. Certains avantages de ce mariage sont dj identifis, tandis que dautres se rvlent progressivement et surprennent les deux communauts scientifiques explorant cette nouvelle frontire de la spintronique. organique linterface. Cette modification brutale de la structure de bandes des matriaux linterface peut faire apparatre des proprits intrinsques, que lon pourra faonner volont. titre dexemple, il est possible de modifier la conduction lectronique et le magntisme de molcules de phthalocyanine (MPc = MC32H16N8, o M = H2, Co, Mn ; voir lencart de la figure 6a) en jouant sur la nature chimique ou lorientation cristallographique de la surface sur laquelle elles sont dposes. La figure 6(a) reprsente la densit dtats, mesure grce un microscope effet tunnel, dune telle molcule. Sur une surface de cuivre dorientation (111), la faible interaction lectronique laisse la molcule dans un tat semi-conducteur (le niveau de Fermi EF est entre deux orbitales molculaires). En revanche, sur une surface de cobalt, un transfert de charge denviron 0,6 eV de la molcule vers la surface du mtal conduit au positionnement dune orbitale molculaire au niveau de Fermi la molcule acquiert donc un caractre mtallique. Cette liaison forte entre une molcule organomtallique et une surface ferromagntique peut conduire un couplage ferromagntique entre la molcule et le substrat, dont le mcanisme peut tre tudi par des expriences dabsorption de rayons X (XAS) ralises auprs dun synchrotron. La figure 6(b) montre des spectres acquis au seuil K de lazote sur une couche de MnPc dpose sur une surface mtallique dorientation (100) : pour un substrat de cuivre, lnergie de seuil ne dpend pas de lpaisseur de molcules dpose. Par contre, pour un substrat de cobalt, un dcalage denviron 0,5 eV apparat pour une monocouche molculaire et disparat dj presque totalement ds la seconde monocouche. On dmontre ainsi que ces proprits de spintronique trs intressantes relvent exclusivement de sites azote linterface.

Pourquoi marier spintronique et matriaux organiques ?


Les semi-conducteurs organiques sont constitus de molcules assembles partir dlments atomiques trs lgers. Le faible couplage spin-orbite qui en rsulte ouvrirait ainsi la possibilit dun transport diffusif dlectrons au sein dun tel matriau sur des distances de plusieurs microns, sans perdre linformation sur la polarisation en spin de ces porteurs [5]. Le mariage entre spintronique et semi-conducteurs organiques pourrait ainsi accomplir lobjectif dune lectronique o le spin est pris en compte dans la conception entire du circuit. De plus, un mariage russi permettrait denvisager des dispositifs spintroniques sur supports flexibles. Enfin, on peut esprer mettre profit les proprits intrinsques des molcules, et leur sensibilit des stimuli externes (lumire, champ magntique), afin de raliser des dispositifs aux fonctionnalits multiples.
LDOS (units arb.)

Transport polaris en spin au travers des matriaux organiques


lucider la nature lectronique de linterface entre un matriau ferromagntique et un semi-conducteur organique permettra de mieux comprendre le transport polaris en spin travers des couches ultraminces et minces de cette classe de semi-conducteurs. Pour ce faire, on place de part et dautre de la couche semi-conductrice des couches ferromagntiques agissant comme injecteur et dtecteur lectrique de spin.

LDOS (units arb.)

XAS (units arb.)

1 MC 2 Cu

XAS (units arb.)

Linterface ferromagntique/ organique

Surface Surface Cu Co Cu Co

Surface Surface Cu Co Cu Co

MnPc

Notre comprhension actuelle du transfert de la polarisation de spin travers une interface ferromagntique/semi-conducMPc MPc teur met en jeu lhybridation des fonctions M = Co M = Co donde de part et dautre de linterface [12] -2 -1 0 et la marche de potentiel cette interface. 1 E E F (eV) Dans le cas dun semi-conducteur inorganique, il se forme une barrire Schottky, avec une couche de dsertion dont lpaisseur est dtermine par lcrantage de la charge des impurets ionises : elle peut atteindre le micron. En revanche, les tats dun semi-conducteur organique sont trs localiss, permettant le transfert dune forte densit de charge sur le premier plan

5 MC 2 1 MC

Cu

MPc MPc M = Co M = Co -2 2 -1

Co 1 395

Seuil K de l'azote 400

E E F (eV)

Co 2 MC 1 405 395

nergie (eV)

6. Modification de la structure lectronique de la molcule de phthalocyanine lorsque celle-ci est dpose sur un substrat ferromagntique. (a) Mesure par microscopie tunnel : la densit dtats dune molcule de CoPc sur une surface de Co(111) (ligne rouge) est dcale de 0,6 eV par rapport celle sur Cu(111) (ligne noire pointille). (b) La slectivit chimique de labsorption de rayons X permet dattribuer ce dcalage aux sites dazote de la molcule de phthalocyanine. Ce dcalage naffecte que la premire monocouche (MC) de MnPc sur Co(100). La molcule de phthalocyanine est schmatise dans lencart du panneau (a). (Tir de (a) A.F. Takcs et al., Phys. Rev. B, 78 (2008) 233404, et (b) S. Javaid et al., Phys. Rev. Lett. 105 (2010) 077201.)

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Reflets de la Physique - Dossier spintronique

8 300 K 77 K 4,2 K

10 mV 60 40

5K 25 mV

250 225 200 175 150


R (M )

6 4 2 0

20

-100

-50

50 H(Oe)

100

150

0 -150 -75 0 B (mT) 75

7. Transport polaris en spin. Mesure de la magntorsistance MR (a) en rgime tunnel dans le systme Co/Al2O3(0,6nm)/ tris(8hydroxyquinolinato)aluminium [Alq3] (1,6nm)/FeNi et (b) en rgime diffusif dans le systme LSMO/ nanotube de carbone (2000 nm) /LSMO. Encart du panneau (a) : molcule dAlq3. (Tir de (a) T. S. Santos et al., Phys. Rev. Lett. 98, (2007) 016601 et (b) L.E. Hueso et al., Nature 445 (2007) 410.)

150

Dans une premire configuration, le transport se fait par effet tunnel dans des couches isolantes ultraminces (< 3 nm) : les tudes les plus abouties utilisent une interface ferromagntique/inorganique bien connue (par exemple Co/Al2O3) pour former un ct de la jonction [fig. 7(a)], mais le transport par effet tunnel travers une jonction entirement organique connat quelques premiers succs. La conservation de spin sur des distances plus grandes ouvrirait la voie de nombreuses applications. Une dmonstration de spintronique organique dans ce rgime diffusif a t dcrite en 2007 sur un dispositif comprenant un nanotube de carbone long de 2 m et intgrant des lectrodes de La0,7Sr0,3MnO3 (LSMO) fortement pola-

rises en spin, fig. 7(b) [12]. Ce rsultat, dj signal dans larticle dAlbert Fert (encadr, p. 13), tmoigne de lintrt grandissant pour ce type de matriau organique, ainsi que pour le graphne en raison de ses proprits originales et modulables. De nombreux aspects du transport diffusif polaris en spin travers des couches minces organiques restent comprendre, avec pour enjeu notable lamlioration du rendement luminescent de diodes organiques. On le ressent bien : notre comprhension de la spintronique organique nen est aujourdhui qu ses dbuts. Par ailleurs, la versatilit du gnie chimique permet de faonner des molcules prsentant des proprits intrinsques nova-

trices pour la spintronique, que lon peut adresser par des stimuli externes lectriques, magntiques ou encore optiques [13]. titre dexemples, citons la classe des aimants molculaires tels que Mn12, qui prsentent une aimantation spontane sans besoin dordre longue distance ; ou encore celle des molcules photocommutables, telle que Fe-phnanthroline, qui prsentent une transition dun tat paramagntique haut-spin un tat paramagntique bas-spin, que lon peut activer optiquement ou thermiquement. Lintgration de telles molcules au sein de dispositifs spintroniques permettra de marier ces multifonctionnalits avec la spintronique en vue de dbouchs industriels stratgiques.

Conclusion
Les recherches sur ces nouveaux matriaux pour llectronique de spin, dcrits au sein de cet article, nen sont qu leur dbut. Elles ont dores et dj abouti lobtention de matriaux prsentant de trs fortes polarisations en spin, des proprits magntiques pouvant tre modules par un champ lectrique, de trs grands temps de vie de spin Elles ouvrent de nouvelles voies fascinantes et prometteuses dapplications, fournissant les briques lmentaires qui pourront tre assembles pour dfinir demain une lectronique de spin encore plus performante ou prsentant de nouvelles fonctionnalits. z

En savoir plus
1 J. Cibert et D. Ferrand, Ferromagntisme contrl par les porteurs dans les semi-conducteurs magntiques dilus , Images de la Physique (2003-2004) 99. 2 L. Besombes et al., Semi-conducteurs magntiques dilus , Bulletin de la SFP, n153 (2006) 5. 3 M. Bibes et A. Barthlmy, Oxide spintronics, IEEE Trans. Electron. Devices 54 (2007) 1003. 4 W. Prellier et al., Les matriaux multiferroques , Reets de la Physique n8 (2008) 14. 5 V. A. Dediu et al., Spin routes in organic semiconductors, Nature Mater. 8 (2009) 707. 6 I. Zutic et al., Spintronics: Fundamentals and applications, Rev. Mod. Phys. 76 (2004) 323. 7 Beaucoup dinformation (exposs et articles) disponible sur le site que Tomas Jungwirth a consacr aux semi-conducteurs ferromagntiques : http://unix12.fzu.cz/ms/navigate.php?cont=public_in 8 J. S. Moodera et al., The phenomena of spin-filter tunnelling, J. Phys.: Condens. Matter 19 (2007) 165202. 9 Y.H. Chu et al., Electric-field control of local ferromagnetism using a magnetoelectric multiferroic, Nature Mater. 7 (2008) 478. 10 V. Garcia et al., Giant tunnel electroresistance for non-destructive readout of ferroelectric states, Nature 460 (2009) 81. 11 C. G. Duan et al., Predicted magnetoelectric effect in Fe/BaTiO3 multilayers: ferroelectric control of magnetism, Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 07201. 12 M. Bowen et al., Using half-metallic manganite interfaces to reveal insights into spintronics, J. Phys: Condens. Matter 19 (2007) 315208. 13 O. Sato et al., Control of Magnetic Properties through External Stimuli, Angew. Chem. Int. Ed. 46 (2007) 2152.

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4 Avances fondamentales
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Tunnel

Diffusif

4pplications A
Le transfert de llectronique de spin vers les applications a t trs rapide. Cette seconde partie en donne un aperu. Dans un prambule, Bernard Dieny dresse un panorama gnral des applications existantes et prospectives de la spintronique. Puis, Claude Fermon et Myriam PannetierLecur dcrivent plus en dtail les capteurs ultra sensibles de champ ou de flux magntique, utilisant le phnomne de magntorsis tance gante. Enfin, dans le dernier article, JeanPierre Nozires prsente les progrs spectaculaires effectus par les ttes de lecture pour disques durs, et les nouvelles perspectives offertes par les mmoires magntiques accs alatoire (MRAM).

Circuit lectronique ralis en technologie hybride CMOS/magntique (Look up table), conu et ralis dans le cadre de lANR CILOMAG, en collaboration entre SPINTEC, IEF, LIRMM, CMP, LETI et Crocus Technology.

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LIRMM

Dveloppements applicatifs de llectronique de spin


Bernard Dieny (bernard.dieny@cea.fr), SPINTEC, UMR 8191 CEA/CNRS/UJF, INAC, CEA/Grenoble, 38054 Grenoble Cedex 9

Llectronique de spin connat depuis une ving taine dannes un essor considrable, car une grande synergie est trs vite apparue entre recherche fondamentale et dveloppements applicatifs dans plusieurs domaines. Nous prsentons ici une vue densemble de ces applications actuelles et envisages, dont certaines sont dcrites plus en dtail dans les articles de C. Fermon et M. Pannetier Lecur sur les capteurs magntiques, et de J.P. Nozires sur les ttes de lecture et les mmoires magntiques.

Ds la dcouverte de la magntorsistance gante (GMR) en 1988, les industriels de lenregistrement magntique ont lanc des programmes de recherche trs actifs pour voir sil tait possible dutiliser ce nouveau phnomne dans les ttes de lecture des disques durs dordinateur. Cest ainsi que les vannes de spin ont t mises au point chez IBM en 1990 [1]. Les vannes de spin sont des multicouches GMR prsentant une relativement forte variation de rsistance (typiquement une dizaine de %) dans des champs magntiques faibles (quelques mT, correspondant aux champs relire la surface des disques durs dordinateurs). Huit ans plus tard, les vannes de spin entraient dans les disques durs commerciaux. Avant les vannes de spin, les premires ttes de lecture magntorsistives reposaient sur le phnomne danisotropie de la magntorsistance, qui consiste en une variation de la rsistivit lectrique dun matriau magntique travers par un courant en fonction de langle entre le courant et laimantation. Mais cet effet est seulement de lordre de 1 2%. Grce la sensibilit accrue des vannes de spin et, plus tard, des jonctions tunnel magntiques, la capacit de stockage sur les disques durs dordinateurs a pu augmenter un rythme soutenu de 60% par an depuis 1991 (voir larticle de J.P. Nozires, p. 34). Ces vannes de spin et jonctions tunnel magntiques constituent des capteurs de champ magntique extrmement sensibles, qui ont trouv dautres applications comme codeurs de position ou codeurs angulaires pour la robotique, les automatismes et lautomobile, comme capteurs de contraintes, comme rseaux de capteurs en biotechnologie pour la reconnaissance despces biologiques, en magntoencphalographie Ces applications capteurs sont dcrites plus en dtail dans larticle de C. Fermon et M. PannetierLecur (p. 30).

Des dispositifs mmoires non volatils (cest--dire conservant linformation, mme lorsquon coupe leur alimentation lectrique) ont galement t conus en utilisant les vannes de spin. Mais la faible rsistance lectrique de ces systmes entirement mtalliques (typiquement dans la gamme de quelques centimes dohms quelques dizaines dohms suivant la gomtrie) les rendait difficiles utiliser en srie avec des lments de contrle semiconducteurs (typiquement des transistors de slection dont la rsistance en mode passant est dau moins plusieurs k). De ce point de vue, la mise au point des jonctions tunnel magntiques, prsentant des effets importants de magntorsistance temprature ambiante, a ouvert de nouvelles perspectives dapplications trs importantes dans divers composants intgrant technologies CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor technology) et magntique : en premier lieu, dans le domaine des mmoires magntiques non volatiles (MRAM pour Magnetic Random Access Memories). Ds 1996, soit quelques mois aprs les premires observations de magntorsistance tunnel (TMR) importante temprature ambiante, diffrentes industries (principalement Freescale et IBM au dpart) et laboratoires acadmiques ont dmarr des dveloppements de puces mmoires, dans lesquelles chaque point mmoire est constitu dune jonction tunnel magntique. Un bit dinformation est stock en mettant la jonction tunnel soit dans la configuration magntique parallle (tat de basse rsistance reprsentant un 0 logique), soit dans la configuration magntique antiparallle (tat de forte rsistance reprsentant un 1 logique). Au dpart, lcriture tait ralise par des impulsions de champ magntique gnres par des impulsions de courant envoyes dans des lignes conductrices situes au-dessus et en dessous des points mmoire. Mais cette approche dcriture sest rvle consommatrice en

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Reflets de la Physique - Dossier spintronique

nergie et nvoluant pas de faon favorable aux tailles dcroissantes de dispositifs (erreurs dadressage lies la faible localisation spatiale du champ magntique et densits de courant devenant excessives dans les lignes de gnration de champ magntique). Heureusement, la dcouverte des effets de transfert de spin et de la possibilit de faire commuter laimantation dune des couches magntiques de la jonction tunnel directement par le courant traversant la jonction a ouvert de nouveaux horizons, en offrant des perspectives dvolution aux petites dimensions beaucoup plus favorables pour ces MRAMs. Comme la commutation par transfert de spin est dtermine par une densit de courant traversant la jonction, le courant ncessaire lcriture varie comme la section du point mmoire. Cest ce qui rend cette approche intressante aux tailles dcroissantes. la relecture, linformation crite sur le bit est relue en mesurant le niveau de rsistance de la jonction tunnel. Les applications MRAM sont dcrites plus en dtail dans larticle de J.P. Nozires. ct de lapplication mmoire, les jonctions tunnel magntiques peuvent galement tre utilises dans des circuits logiques pour traiter les informations, effectuer des calculs Dans ces circuits, les jonctions tunnel sont interconnectes avec des transistors raliss en technologie microlectronique (CMOS technology) et sont utilises comme des rsistances variables dont on peut modifier la valeur en changeant la configuration magntique. Le changement de rsisLogique Mmoires CMOS

Si
AVEC TECHNO CMOS SEULE

Mmoires magntiques Logique

Si
AVEC TECHNO HYBRIDE CMOS/MAGNTIQUE

1. Schma qualitatif dimbrication de la logique et de la mmoire dans des circuits tout semi-conducteurs (en haut) et hybrides semi-conducteurs/magntiques (en bas).

tance des jonctions tunnel permet de changer les seuils de commutation des transistors. On peut ainsi raliser des portes logiques reprogrammables, cest--dire dont la fonction change (par exemple une porte NOR devient une porte NAND) par simple modification de la configuration magntique dune jonction tunnel. De nouvelles architectures, beaucoup plus performantes, de circuits lectroniques complexes associant mmoire et logique peuvent galement tre envisages en combinant composants semi-conducteurs et magntiques. Ces nouvelles architectures tirent parti du fait que les composants magntiques peuvent tre dposs sur quasiment nimporte quel support, pourvu que ce support ne soit pas trop rugueux pour tre compatible avec la croissance dune barrire tunnel trs fi ne. Dans les circuits semi-conducteurs classiques , tous les composants semi-conducteurs utilisent les proprits du silicium et sont donc raliss au contact du substrat. En consquence, les composants logiques et mmoires se trouvent cte cte sur le silicium, relis par des interconnections peu nombreuses et souvent longues. Ceci pnalise la vitesse de communication entre logique et mmoire. Cest actuellement une limitation de la vitesse de fonctionnement dans les ordinateurs, que lon essaye de rsoudre partiellement par la multiplication des microprocesseurs. En combinant matriaux semi-conducteurs et magntiques, on peut plus efficacement rpartir de la mmoire magntique au-dessus de circuits logiques semi-conducteurs, en faisant communiquer logique et mmoire par des conducteurs verticaux, nombreux Mmoires et courts (fig. 1).magntiques La communication entre logique et mmoire est alors beaucoup plus Logique rapide. Ceci est particulirement intressant pour les applicationsSi multimdia, dans lesquelles des oprations logiques relativement AVEC TECHNO HYBRIDE CMOS/MAGNTIQUE simples doivent tre effectues sur de grandes quantits de mmoires. Par ailleurs, lintroduction de mmoires non volatiles dans les circuits logiques pourrait galement permettre de rduire de faon notable la consommation lectrique des circuits microlectroniques en diminuant significativement tous les courants de fuite, de plus en plus importants en technologie purement CMOS au fur et mesure que la taille des composants dcrot. Ces ides sont encore en cours de dveloppement, mais pourraient avoir un impact trs important en microlectronique dans les annes venir.

Un autre champ applicatif important de llectronique de spin pourrait devenir celui des composants radiofrquence utilisant les excitations magntiques entretenues gnres par transfert de spin [2]. Ce type de dispositif, accordable en frquence, est trs intressant pour les applications dans le domaine des tlcommunications. Les oscillateurs existants de type VCO (Voltage Controlled Oscillators), bass sur des circuits LC, offrent typiquement des couvertures en frquence de lordre de 200 MHz et occupent une grande surface sur le silicium, de lordre de 100 m 2 par oscillateur. Par comparaison, les oscillateurs spintroniques dcrits prcdemment ont une agilit en frquence bien suprieure (plusieurs GHz) et une taille bien moindre (sub-micronique). Actuellement, les efforts portent sur laugmentation de la puissance mise par ces oscillateurs et la caractrisation de leur bruit de phase. Des dveloppements plus prospectifs concernent lutilisation de purs courants de spin sans courants de charge. Par exemple, si dans un matriau semi-conducteur on cre un certain point un excs dlectrons de spin up et un autre point un excs dlectrons de spin down , on va provoquer deux courants de diffusion dlectrons opposs qui vont se compenser du point de vue de la charge mais sajouter du point de vue des spins. Ces courants de spin devraient avoir une consommation lectrique rduite. Les composants spintroniques contrls en tension, en particulier ceux bass sur des semi-conducteurs magntiques, suscitent beaucoup dintrt. Mais ici, la recherche porte surtout sur lobtention de matriaux dont les tempratures dordre magntique seraient bien suprieures la temprature ambiante [3]. Les matriaux multiferroques reoivent galement beaucoup dattention. Ceux-ci permettent de coupler proprits magntiques, lectriques et structurales. Ces couplages permettent de jouer sur diffrents paramtres (tension, contrainte, champ magntique) pour agir sur les proprits du matriau [3]. z

Rfrences
1 B. Dieny et al., Phys. Rev. B 43 (1991) 12971300. 2 Voir la figure 3, p. 17. 3 Voir larticle de A. Barthlmy, M. Bowen et J. Cibert dans ce dossier, pp. 20-25.

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4 Applications
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lectronique de spin et capteurs magntiques


Claude Fermon (claude.fermon@cea.fr) et Myriam Pannetier-Lecur DSM/IRAMIS/SPEC, CEA Saclay, 91191 Gif-sur-Yvette Cedex

Les capteurs de champ magntique ont de nombreuses applications : lecture de disques durs, contrle de positionnement dans lespace, codage de position et dangle, mesure de courant lectrique sans contact, imagerie magntique, contrle non destructif, imagerie mdicale Parmi les diffrents types de capteurs magntiques, ceux issus de llectronique de spin offrent la possibilit dune grande sensibilit sur une petite chelle spatiale. Utiliss systmatiquement dans le domaine des ttes de lecture des disques durs (voir larticle de J.P. Nozires, p. 34), leur production en grande srie pour dautres applications vient de commencer.

Les capteurs magntiques sont implants dans un trs grand nombre dobjets technologiques qui nous entourent. Par exemple, une voiture rcente contiendra plus de trente capteurs magntiques et vous en trouverez galement dans un rfrigrateur, une machine laver et mme certaines chaussures de sport. Les capteurs magntiques permettent en effet de dtecter et mesurer un champ magntique cr par un objet magntique (aimant ou bobine) ou par un courant lectrique ( travers son champ magntique rayonn). Ils offrent donc de trs nombreuses possibilits lies la transmission dinformation sans contact, la dtection distance ou la mesure dun courant. Nous allons dabord donner un aperu des divers types de capteurs magntiques, et voir comment ceux qui sont issus de llectronique de spin se placent dans ce paysage ; puis nous allons illustrer leur intrt travers quelques exemples.

flux qui sont beaucoup plus sensibles que les capteurs de champ. Si, au contraire, lextension spatiale devient petite, il faut utiliser des capteurs de champ. Cest pour cette raison que les capteurs magntorsistance gante (GMR), issus de llectronique de spin, se sont implants dans les ttes de lecture la place des bobines inductives : ils peuvent tre miniaturiss des tailles de quelques dizaines de microns et intgrs des systmes CMOS contenant une lectronique de traitement de signal. Enfin, la frquence du champ dtecter est aussi importante : trs haute frquence, les capteurs inductifs (bobines) deviennent vraiment plus performants, car ils ont une sensibilit proportionnelle la drive du flux en fonction du temps, et qui crot donc comme la frquence.

Boussoles et mesure du champ terrestre


La boussole mcanique, invente en Chine il y a 4500 ans, est le premier capteur magntique utilis par lhomme. Base sur lorientation dune aiguille dans le champ magntique terrestre, elle est de moins en moins utilise de nos jours, surtout depuis la gnralisation des systmes GPS bass sur le positionnement par des rfrences spatiales satellitaires. La boussole donne une mesure de la direction du champ magntique et non de son intensit. Les boussoles actuelles (lectroniques) se trouvent associes un GPS, ce qui permet dorienter les cartes du GPS dans la bonne position dans le cas dun systme embarqu dans un vhicule, par exemple. Le contrle du positionnement dans lespace, en se servant du champ magntique terrestre comme axe de rfrence, se dveloppe aussi pour les applications de robotique, de jeux et denregistrement de mouvement (tel le stylo numrique). Une boussole lectronique contient maintenant deux ou trois capteurs magntiques axiaux (sensibles une direction du champ) coupls des mesures dinclinaison et parfois des

Les diffrents capteurs magntiques


Il y a environ une quinzaine de types de capteurs magntiques. Certains sont des capteurs de champ (cest--dire des capteurs mesurant directement la valeur du champ magntique selon un ou plusieurs axes), dautres, des capteurs de flux (cest--dire mesurant lintgrale du champ passant travers une surface). Le tableau p. 31 donne une liste des principaux types de capteurs utiliss. Il est toujours difficile de comparer des capteurs magntiques, dans la mesure o chacun possde des avantages particuliers. Par exemple, les capteurs effet Hall ne sont pas trs sensibles, mais prsentent lintrt dtre absolus et linaires sur une trs grande plage de champ : ils sont donc incontournables dans les applications qui mesurent de fortes valeurs de champs. Un deuxime aspect dterminant est lextension spatiale du champ magntique mesurer. Si elle est grande, comme pour limagerie terrestre, il faut utiliser des capteurs de

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acclromtres. Les principales technologies utilises sont leffet Hall, les microfluxgates et leffet dimpdance magntique gante (GMI) qui nest pas un effet dlectronique de spin, mais qui utilise la trs grande variation de labsorption radiofrquence de certains matriaux magntiques en fonction de leur configuration magntique statique.

Capteurs de position et dangle


Le principe du codage de position ou dangle est davoir un cylindre ou une roue prsentant des ples magntiques alterns dont le passage va tre dtect par un capteur magntique. Cela peut tre ralis avec des aimants inverss ou avec des roues magntiques dentes (fig. 1).

>>>

1. Principe de codage angulaire. Une roue dente (a) passe devant une barrette de capteurs (b). La position exacte de langle est obtenue par interpolation partir du signal dtect sur les diffrents capteurs. La mesure est sans contact, et donc sans usure.

Type

Frquence (Hz) DC 105 DC 107 DC 108 DC 108 DC 104 DC 108 DC 102 10-3 109 DC 103 DC 10
9

Amplitude du champ (Tesla) 10-5 1 10-9 10-3 10-9 10-3 10-9 10-3 10-9 10-3 10-5 102 10-10 10 10-10 102 10-10 10-3 10
-15

Sensibilit

Type de matriau Film mince Film mince Film mince Film mince Massif Discret Massif Massif Massif Film mince Film mince Film mince Massif

Dtectivit(a)

Applications Contrle de moteur, mesure de courant, capteurs de position, champs forts Capteurs de courant, boussoles Ttes de lecture, boussoles, capteurs de courant Ttes de lecture Boussoles Imagerie Rfrence de champ, IRM Antennes, IRM haut champ, courants AC Magntomtrie terrestre MEG, IRM trs bas champ Imagerie MCG, MEG, IRM trs bas champ MCG, MEG, IRM trs bas champ

Capteurs effet Hall Magntorsistance anisotrope (AMR) Magntorsistance gante (GMR) Magntorsistance tunnel (TMR) Magnto-impdance gante (GMI) Magnto-optique (MO) Rsonance Magntique Nuclaire (RMN) Bobines air

B axial H axial H axial H axial H axial M tri-axe |H| scalaire d/dt axial H axial axial axial axial ~

100 nT/Hz 1 nT/ Hz 0,1 nT/Hz(c) 0,1 nT/Hz(c) 1 nT/ Hz 1 pT/Hz 1 nT/Hz 1 pT/Hz(b) 10 pT/Hz 2 fT/Hz 30 fT/Hz < 3 fT/ Hz(c) 3 fT/Hz

Capteurs de champ

Capteurs de flux

Fluxgates SQUID (Bas Tc) SQUID (Haut Tc) Capteurs mixtes Magntomtres atomiques

10

-2

DC 104 DC 109 DC 102

10-15 10-2 10-15 10-6 10-15 10-9

Vue densemble des diffrents types de capteurs magntiques, leur dtectivit et quelques applications clefs. (a) La dtectivit est dfinie comme le niveau de champ magntique pour lequel le rapport signal sur bruit est gal 1, pour une bande de frquence de mesure de 1 Hz. Le bruit est donn 1 KHz et, dans le cas de capteurs de flux, pour une surface de 1 cm2. Les valeurs donnes correspondent ce quil est possible de raliser de faon reproductible. 1 nT = 10-9 T ; 1 pT = 10-12 T ; 1 fT = 10-15 T. Le facteur 1/Hz dans la dtectivit vient de ce que la puissance de bruit thermique (bruit blanc) est proportionnelle la bande de frquence de mesure ; le bruit lui-mme et le champ de dtection quivalent au bruit augmentent donc comme la racine carre de cette largeur de bande. (b) La dtectivit dune bobine air crot avec la frquence : 1 MHz sa dtectivit devient meilleure que 1 fT/Hz. (c) Les GMRs, les TMRs et les capteurs mixtes prsentent un bruit en 1/f basse frquence, qui limite leurs performances. Fluxgate : magntomtre constitu dun cur magntique doux entour dune bobine excitatrice, qui permet de dcrire un cycle dhystrsis. La prsence dun champ magntique extrieur dplace le cycle et est ainsi dtecte. - IRM : Imagerie par rsonance magntique - MCG : Magntocardiographie - MEG : Magnto-encphalographie SQUID : Superconducting Quantum Interference Device - Tc : temprature critique - TMR : Magntorsistance effet tunnel.

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4 Applications
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Rfrences
1 www.NVE.com ; www.asm-sensor.com ; www.infineon.com ; www.sensitec.com . 2 F. Hankard et al., Magnetic field microscopy of rock samples using a giant magnetoresistance-based scanning magnetometer, Geochem. Geophys. Geosyst., 10 (2009) Q10YO6. 3 M. Pannetier, C. Fermon, G. Le Goff, J. Simola, E. Kerr, Femtotesla magnetic field measurement with magnetoresistive sensors, Science, 304 (2004) 1648-1650. M. Pannetier, C. Fermon, Device for sensing RF fields, PCT/EP 0301517 (01/2003). M. Pannetier, C. Fermon, J. Simola, Device for sensing a magnetic field, PCT/EP 0301518 (01/2003).

>>>

GMR1

GMR3

GMR2

GMR4

Tension mesure (mV)

Lors du mouvement, le passage zro (renversement de la composante du champ magntique suivant une direction donne) permet de localiser la position physique du cran. Une roue, contenant par exemple 180 crans, permet dobtenir avec un seul capteur magntique une rsolution de 2. En utilisant plusieurs capteurs, il est possible daugmenter fortement la rsolution par interpolation. La magntorsistance gante permet davoir une sensibilit en champ faible meilleure dau moins un ordre de grandeur que celle des capteurs effet Hall. Pour cette raison, la dtection dun passage en champ nul peut tre particulirement prcise avec des capteurs de type GMR. Il existe un certain nombre de produits commerciaux [1] prsentant des rsolutions angulaires pouvant atteindre 0,001 avec une barrette de 5 capteurs. Les codeurs linaires fonctionnent sur le mme principe : une barrette magntique est alternativement aimante et un rseau de capteurs fix llment mobile compte le passage des alternances. Un positionnement de 1 m est possible avec cette technologie. Les applications principales sont dans lautomobile et dans lquipement pour la mesure de vitesse, la mesure de langle de -40 rotation de moteurs ou dlments -20 tournants, et le positionnement.

Capteurs de courant
Une autre application essentielle des capteurs magntiques est la mesure de courants sans contact. Un courant circulant dans un conducteur produit un champ magntique orthoradial, le champ dOersted, qui peut tre dtect sans contact, assurant ainsi

Tension mesure (mV)

40 20 -40 -20 0 -20 -40 0 20 40

Courant appliqu (mA)

une isolation galvanique entre la mesure et le circuit. Ce principe est utilis dans des compteurs lectriques ou dans des systmes industriels ncessitant une isolation galvanique. Pour donner un ordre de grandeur, un courant de 1 ampre 1 mm de distance cre un champ de 6.10 -4 Tesla, cest--dire 20 fois le champ terrestre. Par exemple, la mesure de la consommation lectrique des domiciles est ralise par des capteurs de courant sans contacts. Dans ce cas, les courants mesurer sont forts et la linarit est trs importante. Pour cette raison, on utilise des capteurs effet Hall relativement optimiss. La technologie de couches minces utilise pour la fabrication dlments GMR permet dintgrer un grand nombre de capteurs sur une petite surface de composants. Il est ainsi40 possible de dvelopper des capteurs intgrs base de magntorsistance gante permettant de mesurer un courant faible sans contact, avec une isolation galvanique importante. 20 dexemple, nous dveloppons titre dans notre laboratoire un capteur de courant huit voies contenant chacune quatre 0 GMRs montes en pont. On est ainsi insensible aux drives de tempra0 20 ture ou de champ extrieur. La figure 2 montre le schma dun pont et un exemple de rponse. Lorsquun courant circule -20 dans la ligne place au-dessus des GMRs, un champ magntique planaire est cr au niveau de ces dernires, proportionnellement au courant. La forme en U de la ligne permet davoir deux GMRs montes -40 en raction inverse et donc de raliser un pont complet avec un maximum de sensibilit. La difficult de ces montages est davoir une
By (T) By (T)
30 30 20 10
0 0 -10 -10 -20 -20 -30 -30

40

Courant appliqu (mA)

2. Schma dun capteur de courant en pont pour la mesure de faibles courants (en haut) et rponse dun tel lment (en bas). Sur la figure du haut, la ligne o passe le courant (en bleu fonc) est superpose un pont de capteurs GMR (GMR 1, 2, 3, 4, reprsentes en orange). Lorsque le courant (flches bleu clair) traverse la ligne, le champ magntique local (flches rouges) modifie la rponse en tension des quatre GMRs, avec un effet inverse sur les GMRs de gauche et celles de droite.

10 mm 10 mm

3. Cartographie du champ magntique gnr par une roche (norite) de Norvge (daprs [2]). (a) Photographie, montrant des zones sombres (pyroxne et magntite) et claires (feldspath). (b) Cartographie magntique de la surface photographie, prsentant la composante horizontale By de laimantation rmanente naturelle. Le code couleur donne laimantation locale en valeurs positives et ngatives de By. On notera le bon accord entre les deux images : la zone non magntique en bas droite de (b) correspond une zone claire de (a).

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isolation galvanique suffisante entre lignes de courant et capteurs ; ainsi, 1500 V sont requis pour les applications automobiles.

Imagerie magntique et contrle non destructif


Limagerie magntique se fait actuellement toutes les tailles. Grce des fluxgates ou des SQUIDs, des imageries terrestres ou spatiales sont ralises. lautre extrme, le microscope force magntique permet dimager le magntisme aux chelles nanomtriques. Grce leur sensibilit et leur taille, les capteurs base de GMR peuvent tre exploits pour la cartographie de champ magntique sur des surfaces avec des rsolutions spatiales de quelques microns. Pour des champs magntiques statiques, un dplacement du capteur proximit de la surface tudier donnera des informations sur des variations de champ, avec une rsolution sur celui-ci de lordre de 10 nT et une rsolution spatiale de quelques microns. Ce type de dispositif est dvelopp pour ltude du magntisme de petits objets texturs, comme des micromtorites. La figure 3 montre une image dune surface de roche contenant de petites inclusions magntiques. Limagerie de dfauts par courants de Foucault est aussi largement dveloppe pour le contrle non destructif (CND). Une boucle dexcitation radiofrquence cre des courants de Foucault dans lobjet mtallique tudier, et une image du champ magntique rayonn cette frquence permet de remonter aux lignes de courant circulant dans lobjet. La prsence dun dfaut (fissure, trou) se traduit par une dformation des lignes de courant. De petites bobines ont longtemps

t utilises pour cette cartographie, et les capteurs GMRs ont permis daugmenter nettement la rsolution spatiale et la sensibilit de petits dfauts.

Capteurs de champ ultrasensibles


Une application originale de la magntorsistance est la mise au point de capteurs, appels capteurs mixtes [3], permettant datteindre un niveau de sensibilit de lordre du f T/Hz (10 -15T/Hz), comparable aux meilleurs capteurs magntiques existants, les SQUIDs. Ces capteurs mixtes sont bass sur lassociation dune boucle supraconductrice, agissant comme un transformateur flux-champ, et de capteurs GMRs qui permettent de mesurer un champ local amplifi. La figure 4 montre une vue de ce type de capteur, avec deux GMRs montes en demi-pont. Dans la boucle supraconductrice (en rouge), un champ faible sur une large surface est transform en un champ intense sur une toute petite surface. Les capteurs magntorsistifs tant des capteurs de champ, leur sensibilit est indpendante de leur taille. Dans le cas dune boucle supraconductrice haute temprature critique, des gains de lordre de 1000 sont obtenus. En associant cette boucle avec des capteurs GMRs qui sont aussi basse temprature, nous arrivons des dtectivits de 1 f T/Hz 4 K et 5 fT/Hz 77 K au-del de 10 kHz. basse frquence, un bruit de rsistance en 1/f apparat dans les capteurs GMR en raison de leur petite taille, qui limite la sensibilit environ 100 fT/Hz 1 Hz. Lapplication principale de ces capteurs mixtes est la magnto-encphalographie
25 20

(MEG), qui permet de remonter limagerie des courants neuronaux circulant dans le cerveau travers le champ rayonn par ces courants. La figure 5 montre un signal de magntocardiographie (signal magntique cardiaque) enregistr laide dun capteur mixte 77 K. Les futurs dveloppements de ces systmes seront dune part lutilisation des capteurs de type TMR qui permettront un gain de sensibilit, et dautre part lemploi de techniques de modulation du courant supraconducteur pour liminer la contribution du bruit basse frquence des GMRs.

Conclusion
Les capteurs magntiques sont donc un domaine o llectronique de spin a permis dapporter une nouvelle richesse, en amenant la possibilit dune grande sensibilit sur une petite chelle spatiale. Si on exclut le domaine des ttes de lectures o maintenant seules des magntorsistances gantes ou tunnel sont utilises (voir larticle de J.P. Nozires, p. 34), la production en grande srie de capteurs GMR vient seulement de commencer. Le paramtre clef est lintgration totale des lments sensibles dans le procd de fabrication CMOS. Maintenant, la plupart des entreprises dominant le march se sont lances dans ce dveloppement, et il est probable que dans 4 5 ans les capteurs magntiques bass sur llectronique de spin auront une place prpondrante dans cet ensemble, qui reprsente plus de 4 milliards dunits par an. z

QRS T P

Amplitude (pT)

15 10 5 0 -5

a b

-10

0,2

0,4

Temps (s)

0,6

0,8

4. Capteur mixte. (a) Photographie dun capteur mixte. (b) Schma dun capteur mixte contenant une boucle supraconductrice dYBCO (en rouge) et un demi-pont de deux magntorsistances gantes (en bleu). Les contacts ne sont pas reprsents.

5. Signal de magntocardiographie mesur laide dun capteur mixte 77 K. On distingue les ondes P et T, ainsi que le complexe QRS, qui correspondent respectivement la contraction des oreillettes, la relaxation des ventricules et la contraction des ventricules. Ces pics sont aussi dtects sur des lectrocardiogrammes. Dans le cas de la magntocardiographie, la technique est sans contact et ne ncessite pas la pose dlectrodes. Elle permet aussi de faire de limagerie du signal cardiaque, en utilisant un rseau de capteurs.

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4 Applications
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Ttes de lecture et mmoires magntiques


Jean-Pierre Nozires (jpnozieres@crocus-technology.com) Crocus Technology, 5 place Robert Schuman, 38025 Grenoble Cedex Adresse actuelle : SPINTEC, CEA/Grenoble, 38054 Grenoble Cedex 9

Cet article prsente deux applications de llectronique de spin qui ont ou vont rvolutionner notre quotidien. Les ttes de lecture pour disques durs, qui quipent maintenant tous les ordinateurs. Cest le composant clef qui a permis laccroissement spectaculaire au cours des dix dernires annes de la capacit de stockage informatique, lorigine de la rvolution numrique. Les mmoires magntiques accs alatoire (MRAM), qui pourraient permettre dintgrer sur une mme puce les fonctions logiques et une mmoire combinant vitesse, endurance et nonvolatilit. Des efforts importants doivent cependant encore tre mens pour rsoudre les problmes techniques auxquels se heurte toute nouvelle technologie avant de pouvoir tre industrialise en volume.

Lutilisation de phnomnes physiques nouveaux dans des dispositifs commerciaux est souvent longue mettre en uvre, en raison de linadquation entre les performances thoriques revendiques par les chercheurs, estimes dans des conditions idales de fonctionnement, et les besoins rels des entreprises qui impliquent souvent des compromis lis aux conditions de fonctionnement et aux contraintes conomiques. Llectronique de spin, cest-dire la convergence du nanomagntisme et de llectronique silicium, a dmontr au cours des vingt dernires annes quavec un peu de chance et beaucoup defforts, le transfert pouvait tre trs rapide.

Les dbuts : les ttes de lecture pour disques durs


Historique
Depuis lmergence des premiers disques durs au milieu des annes 50, la technologie de lecture/criture des donnes tait reste immuable, base sur le principe de

llectro-aimant : un courant dans une bobine gnre un champ magntique (pour crire), le champ magntique rayonn par les domaines magntiques crits dans le support magntique gnre, dans une bobine, un courant induit (pour lire). Seule la technologie de fabrication de ces ttes de lecture dites inductives a volu au cours du temps, passant dlectro-aimants patiemment bobins la main sur des noyaux macroscopiques de ferrite, aux ttes intgres ralises de manire massivement parallle en technologie microlectronique. Avec lexplosion du numrique et les besoins croissants en capacit de stockage, les ttes inductives ont rapidement atteint leurs limites : en effet, lorsque les dimensions des bits individuels deviennent trop petites, la quantit de flux magntique issu du support denregistrement est trop faible pour pouvoir tre capte efficacement par la bobine. La dcouverte de la magntorsistance gante en 1988, rapidement suivie de la mise au point des vannes de spin (voir p. 14), version utilisable tempra-

10000

Densit surfacique (Gbit/in2)

1000 100 10 1

1 Tbit/in2 100 Gbit/in2

1 Gbit/in2

0.01

1 Mbit/in2
1E-4

10

40

Ttes magntorsistives 1990

Ttes GMR 1996

Ttes TMR 2004

Record 2006
%

1E-6 1950

2 kbit/in2
1960 1970 1980 1990 2000 2010

Date (anne)

1. volution de la densit de stockage des disques durs avec le temps, mettant en vidence les ruptures technologiques. , : dmonstrations de laboratoire , : produits commerciaux. En bleu : technologie traditionnelle longitudinale , o laimantation des domaines magntiques denregistrement des donnes est parallle au plan du disque (fig. 2b). En rouge : technologie PMR, commercialise en 2006, o laimantation des domaines est perpendiculaire au plan du disque, ce qui permet daugmenter la densit de stockage.

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Hitachi GST

Banc de mesure, au centre CEA de Grenoble, pour la caractrisation de la variation de rsistance lectrique de composants spintroniques soumis des pulses de courant de dure entre 70 ps et 100 ns sous champ magntique.

Artechnique / CEA

ture ambiante et prsentant une rponse linaire en champ faible, a compltement redistribu les cartes. La GMR promettait en effet simultanment un gain immdiat en performances (sensibilit la lecture et frquence dopration trs suprieures aux meilleures ttes inductives), une miniaturisation possible jusquaux dimensions nanomtriques (leffet de magntorsistance gante tant a priori indpendant de la taille du capteur) et une intgration facilite par laccord dimpdance avec les pramplificateurs des circuits de lecture existants. Moins de dix ans aprs la dcouverte de leffet physique dans un laboratoire de recherche fondamentale, les premiers produits commerciaux taient vendus au grand public et, en quelques annes seulement, 100% des disques durs taient quips de ttes de lecture GMR, soit un march annuel de ~ 5 milliards de $. Aujourdhui, la technologie GMR est progressivement remplace par la technologie TMR base de jonctions tunnel (voir p. 16), qui prsente une magntorsistance plus leve et donc in fi ne une sensibilit suprieure (fig. 1). Ce virage technologique a eu une consquence conomique indirecte. Bien que la technologie de fabrication et le mode opratoire au niveau systme soient sensiblement identiques, la physique sous-jacente et donc les problmes rsoudre sont fondamentalement diffrents de ceux rencontrs dans les ttes inductives. En consquence, seules les premires entreprises ayant russi le virage technologique de la GMR ont russi capturer le march ; do une consolidation spectaculaire du secteur avec, ce jour, seulement quatre fabricants de ttes de lecture de par le monde aucun en Europe dont trois sont verticalement intgrs, fabricant le disque dur complet (Seagate, Hitachi, WD) et un seul encore indpendant (TDK/Headway).

Fonctionnement dune tte de lecture/criture magntorsistive


Une tte GMR est forme dune tte dcriture et dune tte de lecture indpendantes dans leur fonctionnement, mais accoles lune lautre et fabriques simultanment sur le mme substrat qui forme le patin de vol. Lensemble est mont sur un bras connect au systme de positionnement (fig. 2a). En fonctionnement, le disque tourne environ 10 000 tours/min, ce qui fait voler la tte par effet arodynamique ~ 10 nm de la surface du disque (dont la rugosit est de lordre du nm) pendant que les bits de donnes, dont les dimensions actuelles sont de lordre de 25100 nm 2, sont crits et lus des frquences proches du GHz. Lanalogie frappante de cet ensemble est quen redimensionnant le tout des dimensions macroscopiques, le systme dimensionvitesse est quivalent un Boeing 747 volant 1 mtre du sol !! La tte dcriture est toujours une tte inductive, cest--dire un lectro-aimant, mme si sa gomtrie est trs diffrente de son anctre bobine. La tte de lecture, pour sa part, intgre soit un lment GMR, soit un lment TMR, plac perpendiculairement la surface du disque de faon capter le flux magntique mis par les bits de donnes (fig. 2b). Llment magntorsistif est plac entre deux crans magntiques (blindages) permettant dcranter le flux issu des bits adjacents dans la direction longitudinale (le long des pistes de donnes). La rsolution transverse (de piste piste) est simplement dfinie par la largeur de llment magntorsistif, do la ncessit de sparer les pistes par une bande sans donnes (guardband). Llment magntorsistif est un petit cube, dont la structure en domaines doit tre stabilise ses extrmits pour viter le bruit de Barkhausen (mouvements brutaux de laimantation autour de

Bloc de 4 secteurs

Secteur

a
Tte de lecture (GMR)

Tte dcriture

cran
Source : Hitachi GST

Domaines aimants

Mdia denregistrement

2. Schmas de principe dun disque dur (a) et dune tte de lecture/criture magntorsistive (b).

piges que sont les dfauts de surface). La stabilisation est effectue par couplage magntostatique avec des nano-aimants (hard bias) adjacents, mais isols lectriquement de llment actif. Dans sa version GMR, le courant de lecture passe dans le plan du capteur (fig. 3a). Des contacts sont pris sur les cts de llment qui doit tre isol lectriquement des blindages, do des difficults de fabrication lorsque la densit longitudinale de bits de donnes est importante, puisque lespacement entre le blindage et llment GMR devient trs faible et que des risques de claquage lectrique de loxyde disolation apparaissent. La GMR maximale thorique est de lordre de R/R = 20 % , sachant que la partie relle utilisable, dans laquelle la rponse est linaire en champ, est denviron un tiers de cette valeur. Dans sa version TMR, le courant de lecture circule perpendiculairement au plan du capteur, ce qui permet dutiliser les blindages comme amenes de courant

>>>

Seagate

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4 Applications
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cran suprieur cran suprieur Mtal Mtal Nano-aimant Nano-aimant Mtal

cran suprieur

I Mtal Nano-aimant
GMR Nano-aimant Isolant GMR Isolant cran infrieur cran infrieur

I
Nano-aimant Nano-aimant Isolant

cran suprieur

I I

Barrire Barrire Nano-aimant Nano-aimant Mtal Mtal

Isolant cran infrieur cran infrieur

a
cran suprieur cran suprieur Al2O3 Al2O3 GMR Couche Couche Al2O3 GMR Al2O3 infrieur cran cran suprieur cran suprieur Nano-aimant Nano-aimant
Al2O3 Al2O3

Nano-aimant Couche TMR Couche TMR cran infrieur Nano-aimant

3b). Bien que la TMR maximale reporte ce jour en laboratoire soit de ~ 1000%, la valeur pratique est limite R/R = 100-200%, ce qui est dj un ordre de grandeur suprieur la GMR. Ainsi, il est possible aujourdhui datteindre des densits surfaciques de donnes > 200 Gbit/in 2, soit un accroissement de trois ordres de grandeur depuis lintroduction de la GMR il y a 10 ans (fig. 1). On estime la limite thorique de la technologie actuelle des disques durs aux environs du Tbit/in 2, la suite de quoi un changement de paradigme sera ncessaire. Mais le mme argument ayant t avanc dans le pass pour des densits de 1, 10 et 100 Gbit/in 2, il est possible que la technologie volue par petites touches, comme cest le cas, par exemple, pour les mmoires semi-conductrices, dont on annonce rgulirement la mort aux nuds technologiques plus avancs !

>>> (fig.

cran infrieur 3.cran infrieur Schma et photo dune tte GMR (a) et dune tte TMR (b). Le courant de lecture (I) est indiqu par des flches rouges.

Les mmoires magntiques accs alatoire (MRAM)


Les mmoires RAM actuelles
Aujourdhui, la mmoire est partout, avec des capacits allant de quelques kbits dans les appareils lectromnagers ou les cartes puces, aux multi-Gbits dans les baladeurs, les tlphones et les appareils photos. Contrairement aux disques durs qui servent stocker (archiver) les donnes et dans lesquels laccs celles-ci est squentiel le long de pistes crites la surface du mdia, les mmoires RAM (Random Access Memories) offrent un accs alatoire

des bits de donnes individuels disposs au sein dun rseau bidimensionnel ltat solide, cest--dire sans pices mobiles. Trois technologies de mmoires RAM semi-conductrices se partagent actuellement le march, en fonction des principaux paramtres fonctionnels que sont : la vitesse dcriture/lecture ; lendurance, cest--dire le nombre de cycles de lecture/criture possibles ; le caractre volatil ou non volatil, cest-dire la capacit conserver linformation en labsence dalimentation lectrique ; la capacit, exprime en valeur absolue (kbits, Mbits, Gbits, ), pour lutilisateur, ou la densit, exprime en taille de la cellule mmoire lmentaire, pour le concepteur. Cette dernire est souvent normalise par le carr de la dimension F du nud technologique de microfabrication utilis pour sa ralisation (la dimension la plus petite quil est possible de fabriquer) ; ceci permet de pouvoir comparer les diffrentes technologies entre elles indpendamment des contraintes de fabrication. Ainsi, au lieu dindiquer une dimension de cellule de 9090 nm2, on dira quelle fait 1F2 en technologie 90 nm, 4F2 en technologie 45 nm, etc ; la puissance consomme par cycle de lecture/criture et en mode standby ; le cot de fabrication. Ainsi, chaque type de mmoire sest spcialis, en fonction de ses performances et de ses attributs, certaines applications spcifiques : les SRAM, formes dans leur configuration la plus simple de 4 6 transistors CMOS monts en bascule, cest--dire

prsentant deux tats stables, sont trs rapides (~ 1 ns) et infiniment endurantes (> 1016 cycles), mais volatiles, peu denses (~ 100F2 ) et chres. Ce sont donc les mmoires de choix pour les premiers niveaux de cache (de faible capacit) sinterfaant directement avec les microprocesseurs ; les DRAM, dans lesquelles linformation est stocke sous la forme dune charge lectrique dans une capacit, sont relativement rapides (~ 10 ns), denses (~ 6F2), endurantes (> 1016 cycles) et de cot raisonnable, mais volatiles. Elles sont donc parfaitement adaptes pour le stockage de donnes temporaires, dans un ordinateur en aval dune SRAM et en amont du disque dur. Ce sont aujourdhui les mmoires les plus rpandues, qui reprsentent ~ 50% du march total en volume ; les mmoires Flash, dans lesquelles des charges sont stockes dans une grille flottante localise au dessus du canal dun transistor CMOS, sont intrinsquement non volatiles et de capacit trs leve (< 3F2 ), mais trs lentes (~ 100 s) et dendurance limite (~ 105 cycles en raison du vieillissement de loxyde de grille). Elles sont principalement utilises pour le stockage de code ou de donnes. Le march des mmoires est un march norme (~ 50 milliards $ / an), domin par des grosses entreprises comme Samsung et Hynix (Core), Micron (USA), Toshiba ( Japon), parmi lesquelles figurent les europens Infineon (Allemagne) et Numonyx, la joint venture rcemment cre entre STMicroelectronics et Intel. Mais, contrairement au march fortement consolid des disques durs, une multitude dentreprises coexistent, de la start-up au grand groupe industriel, chacune avec ses spcificits en termes de technologie, dapplications ou de march (fig. 4).

Les potentialits des mmoires magntiques


Lutilisation de cellules magntiques pour la ralisation de mmoires RAM est une ide ancienne, chaque dcennie ayant vu surgir un nouveau concept : les mmoires base de ferrite ds les annes 60, puis les mmoires bulles dans les annes 80, enfin les mmoires AMR et GMR encore commercialises par Honeywell, historiquement dailleurs les premires MRAM telles quon les entend aujourdhui. Cependant, jusqu prsent, aucune de ces technologies na russi percer, en raison de limites physiques de la technologie, de

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Reflets de la Physique - Dossier spintronique

la lenteur du dveloppement et surtout de lessor parallle spectaculaire des mmoires semi-conductrices. Le renouveau dintrt pour les MRAM provient de la convergence de deux facteurs, lun technique, lautre conomique : intrinsquement non volatile et infi niment endurante par la nature mme du magntisme, potentiellement rapide (~ 10 ns, le temps caractristique pour faire basculer une aimantation) et miniaturisable jusqu des dimensions fortement sub-microniques, la technologie MRAM utilisant des jonctions tunnel magntiques associe les caractristiques principales de la SRAM et de la DRAM (vitesse, endurance) avec la non-volatilit de la Flash. cela se rajoutent des proprits, telles que linsensibilit aux rayonnements ionisants, cruciale pour les applications spatiales et militaires, le pilotage par des tensions faibles (contrairement la Flash) et la miniaturisation thoriquement possible jusquaux nuds technologiques avancs, difficile avec les technologies actuelles ; lexplosion des besoins, dans des applications de plus en plus spcifiques ncessitant des caractristiques faon , est actuellement satisfaite par lassociation de plusieurs types de circuits logiques et de mmoires, assembls en composants discrets dans un botier unique ou sur une Flash NOR 15% puce unique. Dans ces systmes complexes et coteux, une MRAM pourrait ainsi SRAM 5% remplacer plusieurs mmoires (gnralement SRAM et Flash pour combiner vitesse et non-volatilit), diminuant par l mme le cot des puces, voire crant des fonctionnalits nouvelles tirant bnfice de ses caractristiques uniques.

Dans sa version actuelle, la cellule lmentaire dune MRAM est une jonction TMR, couple un transistor de slection permettant ladressage alatoire dune cellule unique. Les cellules sont assembles en blocs comprenant un grand nombre de cellules (par exemple 256 K), entours dune lectronique priphrique. La mmoire est complte par les blocs dalimentation et les plots de connexion avec le monde extrieur. 1 - Dans la premire gnration de MRAM, lcriture utilise le champ magntique gnr par des matrices de lignes de courant places proximit des cellules magntiques TMR. Afi n de slectionner une seule cellule, on utilise deux conducteurs croiss, lun au-dessus, lautre au-dessous de la cellule (fig. 5a). En tirant parti de la dpendance angulaire du champ de renversement de laimantation dans une nanostructure magntique, seule la cellule se trouvant lintersection des deux lignes peut commuter. Cette technique souffre malheureusement de problmes intrinsques : courant dcriture lev, empirant avec la miniaturisation ; Flash NAND 20% Autres mmoires 3% commu erreurs dcriture, cest--dire tation de cellules non slectionnes et/ ou absence de commutation de cellules 57% DRAM slectionnes ; perte alatoire et/ou irrversible de donnes, associe une stabilit thermique (rtention dans le temps) insuffisante de laimantation. Seul Everspin (ex-Freescale) continue dans cette voie, en proposant une technologie amliore.

Hy
Transistor Off

MRAM de premire gnration

Transistor On

MRAM - TAS

Polariseurs

Transistor On

>>>

MRAM - STT

Flash NAND 20% Autres mmoires 3%

Flash NOR 15% SRAM 5%

DRAM 57%

NXP 2% Freescale 2% AMD 3% Renesas 3% Hynix Semiconductor 3% Toshiba 4% STMicroelectronics 4% Infineon 4% Texas instruments 5% Samsung Electronics 8% Intel 12%

NEC Electronics 2% Qualcomm 2% Micron 2% Sony 2% IBM Microelectronics 1% Elpida Memory 1% Matsushita 1% Sharp 1% Broadcom 1% Autres 37%

4. March, en 2007, des mmoires par type (en haut) et par entreprise NXP 2% (en bas). (Source : Lehman Brothers).
Renesas 3% Hynix Semiconductor 3% Toshiba 4% STMicroelectronics 4% Infineon 4% Texas instruments 5% Samsung Electronics 8% Intel 12%

Freescale 2% AMD 3%

NEC Electronics 2% Qualcomm 2% Micron 2% Sony 2% IBM Microelectronics 1% Elpida Memory 1% Matsushita 1% Sharp 1% Broadcom 1% Autres 37%

5. Principe de fonctionnement des trois gnrations de cellules MRAM. (a) Les MRAM de premire gnration. Lcriture est assure par lenvoi simultan de deux impulsions de courant (flches blanches) dans deux lignes conductrices perpendiculaires, qui se croisent au niveau du point adresser ; les champs magntiques crs (Hx et Hy, flches oranges) vont renverser laimantation dune couche magntique. (b) Les MRAM-TAS. Un courant de chauffage (ligne blanche fine) permet dobtenir le renversement de laimantation par un champ magntique gnr par un conducteur unique. (c) Les MRAM-STT. Un courant polaris en spin (ligne blanche fine) fait commuter laimantation dune des couches magntiques par un effet de transfert de spin, en labsence de tout champ magntique appliqu.

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4 Applications
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Les trois gnrations de MRAM

Hx

2 - Dans une variante amliore, lcriture est assiste par la temprature (TAS Thermally Assisted Switching) : simultanment limpulsion de champ magntique, un courant est envoy au travers du point mmoire via le transistor de slection utilis la lecture (fig. 5b). Le chauffage induit au passage de la barrire tunnel (llment de plus forte rsistance) permet dabaisser le champ magntique de renversement, facilitant ainsi lcriture. Cette technique permet damliorer la slectivit lcriture, tout en consommant une puissance rduite. Dans la technologie dveloppe par Crocus Technology (fig. 6), la couche de stockage est une bicouche ferromagntique/ antiferromagntique couple par change, avec une temprature critique T b laquelle le couplage dchange disparait. Dans ce cas, la cellule est chauffe audessus de T b, temprature laquelle il est possible de renverser laimantation, puis refroidie sous un champ magntique dcriture qui stabilise ( gle ) laimantation dans la direction choisie. Contrairement la technologie Freescale, on dcouple dans cette approche la stabilit thermique (rtention) des donnes, pilote par le couplage dchange en dessous de Tb, de la puissance consomme lcriture audessus de Tb. Il est ainsi possible doptimiser indpendamment les deux paramtres tout en obtenant une slectivit parfaite, puisque seuls les bits slectionns sont chauffs et peuvent se renverser, quelle que soit lamplitude du champ magntique appliqu. 3 - Leffort de recherche dans le domaine des MRAM porte actuellement sur la technologie de transfert de spin (STTSpin Transfer Torque voir p. 17). Dans cette approche, lcriture se fait uniquement par un courant polaris en spin traversant le point mmoire via le transistor de slection, sans champ magntique appliqu (fig. 5c).

>>>

6. Technologie MRAM-TAS : mmoire 1 Mb.

(STT). Que ce soit en gomtrie planaire ou perpendiculaire, cette approche est la seule permettant datteindre les nuds technologiques sub-32 nm puisque, comme en TAS classique (avec champ magntique), la stabilit thermique est obtenue par le couplage dchange et dcouple du courant dcriture. Le calcul donne avec les matriaux actuels utiliss dans la mmoire TAS classique une limite de stabilit thorique autour de 20 nm. Les premiers rsultats obtenus par Crocus Technology sont trs prometteurs. Lintrt est vident : le paramtre pertinent pour le renversement de laimantation tant une densit de courant, le courant dcriture dcrot avec la taille de la cellule mmoire, facilitant la miniaturisation. De plus, labsence de ligne de gnration de champ permet de superposer le point mmoire sur le transistor de slection : la densit surfacique est alors potentiellement limite seulement par la surface du transistor de slection. Cette technologie est donc particulirement attractive pour les applications envisages aux nuds technologiques avancs (F = 45 nm, 32 nm). Malheureusement, pour tre industrialise cette technologie se heurte encore deux problmes fondamentaux : tout dabord, le courant dcriture est encore trop lev, et sa valeur augmente fortement pour des impulsions de courant courtes (< 10-8 s). Il en rsulte une dimension du transistor de slection importante (pour pouvoir gnrer le courant requis) et donc, in fine, une densit de la mmoire limite ; la seconde difficult est dassurer la stabilit thermique, donc la rtention de linformation, aux nuds technologiques avancs. Une approche consiste utiliser des jonctions tunnel magntiques, dont laimantation est perpendiculaire au plan des couches. Cette configuration est plus favorable, puisquil est possible courant dcriture constant dutiliser un matriau plus dur magntiquement, donc plus stable. Malheureusement, les jonctions tunnel perpendiculaires ne sont pas encore au point, et il est difficile de combiner courant dcriture faible et TMR leve. Des progrs significatifs ont nanmoins t raliss ces dernires annes, et cette approche reste prometteuse. La solution pourrait venir dune combinaison de lapproche TAS (assistance thermique) avec lcriture par transfert de spin

Crocus Technology

Conclusion
Le march des ttes de lecture pour disque dur est toujours en croissance, avec lexplosion du numrique et les besoins de stockage associs. Cependant, une tte de lecture, fondamentalement un capteur de champ (voir article de C. Fermon, p. 30), reste in fine un composant lmentaire. Cest dailleurs ce qui a permis lessor industriel rapide, puisquil est possible de trier sur un mme substrat les bons et les mauvais lments, permettant ainsi dobtenir immdiatement des produits (et donc des revenus !) malgr des rendements de fabrication mdiocres. Il est encore trop tt pour savoir si la MRAM sera un succs commercial ou simplement une technologie prometteuse confine des marchs de niche. Au regard des annonces de produits et dapplications qui paraissent de plus en plus rgulirement dans la presse, de la maturit de la technologi et de lintrt suscit par les concepteurs de circuits et systmes, il semble cependant que la MRAM soit en train de trouver son public. En composant discret dans des applications de type SRAM non volatile , en mmoire embarque dans des circuits logiques en remplacement des Flash ou des SRAM, voire purement et simplement en substitution possible aux DRAM, la MRAM devrait dans les annes venir gagner des parts de march significatives. Pour llectronique de spin, ltape suivante consistera alors intgrer des points mmoires magntiques au cur mme des circuits logiques, pour aboutir au concept de circuit logique magntique reprogrammable. Les chercheurs travaillent sur ces objectifs et des premiers circuits simples intgrant des cellules magntiques ont dj vu le jour. z

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Glossaire
Accumulation de spin
Effet qui apparat lorsquun courant est inject dune couche magntique vers une couche non magntique (ou vice-versa), en gomtrie perpendiculaire aux couches. Il se forme au voisinage de linterface une zone de transition, dans laquelle la polarisation en spin du courant dcrot progressivement sur une distance de lordre de grandeur de la longueur de diffusion de spin.

Multiferroques
Matriaux prsentant au moins deux des trois types dordre ferromagntique, ferrolectrique et/ou ferrolastique. Le couplage magntolectrique entre les ordres ferrolectrique et magntique rend thoriquement possible la manipulation dune aimantation par un champ lectrique.

Spin
Moment magntique intrinsque des particules quantiques. Le spin de llectron (un fermion) est demi-entier et vaut 1/2. Il est responsable du moment magntique de spin, qui peut prendre deux orientations en prsence dun champ magntique, et est largement responsable des proprits magntiques des matriaux solides.

Capteur
Dispositif transformant ltat dune grandeur physique en une grandeur utilisable. Par exemple, un capteur magntique dtecte ou mesure un champ ou un flux magntique, et peut tre utilis pour dterminer une position, un angle, un courant lectrique, ou faire de limagerie ou du contrle non destructif.

Spintronique (ou lectronique de spin)


Technique qui place des matriaux ferromagntiques sur le trajet des lectrons. Elle exploite linfluence du spin sur la conduction lectrique, comme un degr de libert supplmentaire par rapport llectronique classique, dans le but de stocker ou de traiter des informations. Deux spcificits de la spintronique sont laction distance et lhystrsis.

Disque dur
Mmoire de masse (qui sert conserver les donnes de manire permanente) magntique, utilise dans les ordinateurs. Un disque dur est constitu de plateaux rigides en rotation, recouverts dune couche mince magntique, sur laquelle sont stockes les donnes. Celles-ci sont crites en code binaire (0 ou 1) grce une tte dcriture, et lues par une tte de lecture.

Ttes de lecture/criture
Montes sur un bras connect au systme de positionnement, elles permettent de lire ou crire des informations stockes sur un disque dur dordinateur. Actuellement, elles sont indpendantes dans leur fonctionnement, mais accoles lune lautre : la tte dcriture est une tte inductive, cest--dire un lectro-aimant ; la tte de lecture intgre soit un lment GMR soit un lment TMR, plac perpendiculairement la surface du disque.

Magntorsistance gante (GMR)


Baisse importante de la rsistance lectrique, observe dans des multicouches composes dune alternance de couches minces ferromagntiques et non magntiques, lorsquon leur applique un champ magntique extrieur.

Magntorsistance tunnel (TMR)


Phnomne de magntorsistance gante observ quand la couche sparatrice non magntique est isolante. Les lectrons peuvent traverser cette couche par effet tunnel. Le courant dlectrons dpend de langle entre les aimantations des deux lectrodes. Des jonctions tunnel prsentant des amplitudes de magntorsistance suprieures 600% ont t mises au point.

Transfert de spin
Phnomne qui survient lorsquun courant polaris en spin traverse une nanostructure magntique dont laimantation fait un angle avec la direction de polarisation en spin des lectrons. Il apparat alors un couple sexerant sur laimantation de la nanostructure. De cette manire, il est possible dagir sur laimantation sans utiliser de champ magntique.

MRAM (mmoire magntique accs alatoire)


Mmoire informatique dans laquelle les donnes sont stockes sous forme de laimantation des nuds dun rseau plan bidimensionnel ltat solide. Ces mmoires, en cours de dveloppement, combinent de nombreux avantages potentiels : vitesse, endurance et nonvolatilit.

Vanne de spin
Empilement de deux couches magntiques quasiment totalement dcouples, spares par une couche non magntique. Lorientation dune des deux couches ferromagntiques, dite pige, est bloque dans une direction fixe sur une large gamme de champ appliqu. Par contre, lautre couche magntique, dite libre, est constitue dun matriau magntiquement doux : un faible champ magntique suffit provoquer une variation dorientation relative daimantation et donc leffet de GMR.

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Jonction tunnel magntorsistive, vue en coupe par microscopie lectronique haute rsolution. On distingue les couches datomes de loxyde de manganse (La,Sr)MnO3 dans les deux lectrodes (en bleu), et la couche isolante de titanate de strontium (SrTiO3) qui les spare (en violet). La distance entre les deux colonnes atomiques bleu est de 0,39 nanomtres.
CNRS Photothque/THALES /Jean-Luc MAURICE, couleurs modifies.