LAS FUERZAS DE LA NATURALEZA TODOS los cuerpos materiales interactan entre s en el sentido de que unos ejercen fuerzas sobre

los otros. La fuerza de interaccin ms familiar es la gravitacin, el hecho de que los cuerpos caigan al suelo es ya parte ntegra de nuestra experiencia comn. Pero la gravitacin es slo una de las cuatro fuerzas fundamentales de la naturaleza. Esas cuatro fuerzas son el tema del presente captulo. GRAVITACIN Todo cuerpo masivo atrae gravitacionalmente a otro. La Tierra nos atrae y nosotros atraemos a la Tierra (aunque la fuerza que ejerce nuestro cuerpo es prcticamente imperceptible y, en la prctica, slo se nota la fuerza de atraccin de la Tierra). En el siglo XVII el gran fsico ingls Isaac Newton descubri que la gravitacin es un fenmeno universal. Segn una famosa leyenda, Newton estaba un da sentado debajo de un manzano, cavilando con respecto a la fuerza que mantiene unida la Luna a la Tierra, cuando vio caer una manzana. Este suceso le dio la clave para descubrir que la fuerza de gravedad, la misma que hace caer la manzana, es tambin la que retiene a la Luna en rbita. Descubri as el principio de la gravitacin universal. Pero adems Newton descubri que la fuerza de gravedad obedece una ley muy sencilla. La fuerza gravitacional entre dos cuerpos es directamente proporcional a las masas de los cuerpos e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que los separa. En trminos matemticos, la frmula para la fuerza se escribe:

donde F es la fuerza, M1 y M2 son las masas de cada uno de los cuerpos, R es la distancia que los separa y G es una constante de proporcionalidad, la llamada constante gravitacional o de Newton, cuyo valor determina la intensidad de la interaccin gravitacional. Se ha determinado experimentalmente que G vale 6.672 X 10-11 m 3/kgs2. Esto equivale a decir que dos masas de un kilogramo cada una colocadas a una distancia de un metro se atraen con una fuerza de 6.672 X 10-11 newtons.11 ELECTROMAGNETISMO Otras fuerzas, bastante comunes en nuestra experiencia diaria aunque no tanto como la gravedad, son las fuerzas elctricas y magnticas. Los griegos se haban dado cuenta que al frotar un pedazo de mbar (electros en griego) con una tela, el mbar adquira la propiedad de atraer pequeos pedazos de papel (el experimento se puede repetir con plstico en lugar de mbar). Varios siglos despus Charles-Augustin Coulomb estudio de modo ms sistemtico el fenmeno de la electricidad y descubri que dos cargas elctricas se atraen o se repelen con una fuerza inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que los separa, tal como la fuerza gravitacional. Pero, a diferencia de la gravitacin que siempre es atractiva, la fuerza elctrica puede ser tanto repulsiva como atractiva, segn si las cargas son del mismo signo o de signo contrario.

El problema de la accin a distancia que Newton haba planteado por primera vez segua an ms vigente con el estudio de los fenmenos elctricos y magnticos. Para explicar como un imn influye sobre otro, Faraday ide el concepto de lnea de fuerza. De acuerdo con esta interpretacin, de una carga elctrica o un imn surgen lneas de fuerza invisibles pero perfectamente reales, que llenan todo el espacio a su alrededor (Figura 4). Estas lneas guan en cierta manera el movimiento de cargas elctricas o magnticas que se encuentran cerca. El concepto es ms intuitivo que el de la accin a distancia.

Figura 4. Las lneas de fuerza de Faraday alrededor de una carga elctrica y de un imn.

INTERACCIONES FUERTES Cuando se descubri que el ncleo de los tomos contiene protones los fsicos se preguntaron cmo podan esas partculas, cargadas positivamente permanecer unidas si las cargas elctricas del mismo signo se repelen. Y lo mismo se podra decir de los neutrones: qu los mantiene unidos si son elctricamente neutros? Debera existir otro tipo de fuerza en la naturaleza que permitiera tanto a los protones como a los neutrones atraerse entre s. Esa fuerza de la naturaleza, recin descubierta en el siglo XX, es la fuerza nuclear. Es mucho ms intensa que la electromagntica y, a la vez, es de muy corto alcance; acta nicamente en el ncleo, razn por la cual no forma parte de nuestra experiencia diaria. La fuerza nuclear slo se manifiesta en una distancia comparable con el tamao de un ncleo atmico. Un protn es atrado por las partculas en un ncleo atmico slo si se encuentra a una distancia de unos diez billonsimos de centmetro; si est un poco ms lejos, slo resentir la repulsin elctrica del ncleo. En cambio, un protn en el ncleo es atrado por los otros protones y neutrones por la fuerza nuclear, cuya intensidad es unas 1 000 veces mayor que la fuerza de repulsin electromagntica.

Un hecho de enormes consecuencias es que un ncleo atmico pesa menos que todos sus protones y neutrones por separado. Esta diferencia de masa se encuentra en el ncleo transformada en energa de amarre, de acuerdo, una vez ms, con la famosa equivalencia de Einstein entre masa y energa. En la figura 5 se muestra la diferencia de masa de los ncleos atmicos comparados con la masa de sus constituyentes por separado. En el extremo izquierdo de la grfica que la forma se tienen los elementos ligeros; por ejemplo, un ncleo de helio pesa 5 x 10-26 gramos menos que sus dos protones y dos neutrones por separado; si se fusionan esas cuatro partculas para formar un ncleo de helio, la masa perdida se libera en forma de energa; este es el principio de la bomba atmica y de los reactores nucleares. En el extremo derecho de la grfica se tienen los elementos pesados; si se fusiona un ncleo de uranio en dos ncleos ms ligeros, tambin se libera energa; este es el principio de la bomba de uranio. Tanto la fusin (para elementos ligeros) como la fisin (para elementos pesados) son dos mecanismos extremadamente eficientes para liberar energa de la materia. Las estrellas brillan porque se producen fusiones nucleares en sus centros. Ntese tambin en la grfica 5 que el hierro es el elemento con menor energa: el ncleo del hierro ni se fusiona ni se fisiona, y es por lo tanto el ncleo ms estable en la naturaleza.

Figura 5. Masa faltante de los ncleos atmicos en funcin del nmero atmico (nmero de protones en el ncleo).

INTERACCIONES DBILES El repertorio de fuerzas de la naturaleza no termina con la gravitacin, el electromagnetismo y las fuerzas nucleares. En los aos treinta, los fsicos que estudiaban las radiaciones emitidas por los tomos se dieron cuenta de que en algunos casos, los ncleos atmicos eliminan electrones; a este proceso lo llamaron radiacin beta. Pronto se descubri que la radiacin beta se debe a que un neutrn en el ncleo se transforma en un protn y un electrn, y este ltimo se escapa a gran velocidad del ncleo. Pero, al medir las propiedades del electrn que se escapaba, los fsicos descubrieron que le faltaba algo de energa. Al principio hubo cierta alarma, pues pareca que la energa no se conservaba en contra del principio bien establecido de que la cantidad total de energa y masa implicada en cualquier proceso fsico no se crea ni se destruye. Para solucionar este problema propusieron que una nueva clase de partcula se lleva la energa faltante, una partcula sin carga, totalmente invisible e inmune a las fuerzas elctricas y magnticas. Enrico Fermi llam neutrino a tal partcula (que en italiano significa "neutroncito") para distinguirlo del neutrn, y ese es el nombre que se le ha quedado. La interaccin del neutrino con la materia no es enteramente nula, pero es millones de veces menos intensa que la de una partcula "normal ". Es la cuarta fuerza de la naturaleza y se le llama interaccin dbil. Su alcance es extremadamente corto, semejante al de las fuerzas nucleares, razn por la que no forma parte de nuestra experiencia cotidiana. En promedio, se necesitaran billones de kilmetros de plomo para absorber un neutrino (en comparacin, una lmina delgada de metal detiene cualquier fotn de luz). Si tuviramos ojos sensible a los neutrinos podramos "ver" el centro de la Tierra o del Sol... Y es que la luz, siendo un fenmeno electromagntico, interacta electromagnticamente con los tomos. Como sealamos antes, la "dureza" de un tomo se debe casi exclusivamente al campo electromagntico que posee. Para el neutrino que es insensible a ese campo, el tomo es un cuerpo casi inexistente.

Gran colisionador de hadrones

El Gran Colisionador de Hadrones, GCH (en ingls Large Hadron Collider, LHC) es un acelerador y colisionador de partculas ubicado en la Organizacin Europea para la Investigacin Nuclear (CERN, sigla que corresponde a su antiguo nombre en francs: Conseil Europen pour la Recherche Nuclaire), cerca de Ginebra, en la frontera francosuiza. Fue diseado para colisionar haces de hadrones, ms exactamente de protones, de hasta 7 TeV de energa, siendo su propsito principal examinar la validez y lmites del Modelo Estndar, el cual es actualmente el marco terico de la fsica de partculas, del que se conoce su ruptura a niveles de energa altos. Dentro del colisionador dos haces de protones son acelerados en sentidos opuestos hasta alcanzar el 99,99% de la velocidad de la luz, y se los hace chocar entre s produciendo altsimas energas (aunque a escalas subatmicas) que permitiran simular algunos eventos ocurridos inmediatamente despus del big bang.

El LHC es el acelerador de partculas ms grande y energtico del mundo. Usa el tnel de 27 km de circunferencia creado para el Gran Colisionador de Electrones y Positrones (LEP en ingls) y ms de 2000 fsicos de 34 pases y cientos de universidades y laboratorios han participado en su construccin. Una vez enfriado hasta su temperatura de funcionamiento, que es de 1,9 K (menos de 2 grados por encima del cero absoluto o 271,15 C), los primeros haces de partculas fueron inyectados el 1 de agosto de 2008, y el primer intento para hacerlos circular por toda la trayectoria del colisionador se produjo el 10 de septiembre del ao 2008. Aunque las primeras colisiones a alta energa en principio estuvieron previstas para el 21 de octubre de 2008, el experimento fue postergado debido a una avera que produjo la fuga del helio lquido que enfra uno de los imanes superconductores.

El enlace covalente es la unin que como resultado de la comparticin de uno o ms pares de electrones se establece entre dos tomos. De esta forma, distinguimos entre enlace simple o sencillo (los tomos comparten un solo par de electrones), enlace doble (los tomos comparten dos pares de electrones) o enlace triple (los tomos comparten tres pares de electrones).

Segn la T.E.V. (Teora del Enlace de valencia) la comparticin de electrones en un enlace covalente se produce por el solapamiento de dos orbitales de dos tomos que estn semiocupados (en cuyo caso el spin del electrn de cada orbital ha de ser antiparalelo) o de un orbital lleno y otro vaco. El enlace formado en este ltimo caso recibe el nombre de enlace covalente coordinado o dativo. En cualquier caso, el solapamiento puede ser: Frontal: si los dos orbitales atmicos se superponen enfrentados por sus extremos. El enlace que se forma en este caso se denomina s y la densidad electrnica es mxima entre los ncleos.

Lateral: si los dos orbitales atmicos se superponen paralelamente, de forma que la densidad electrnica sea mxima por encima y por debajo de la lnea internuclear. Este enlace se denomina p, y es ms dbil (su energa de enlace es menor) que el s.

Un enlace sencillo es siempre s, mientras que en un enlace mltiple slo uno de los enlaces es s y el resto son enlaces p . Un compuesto donde slo hay enlaces covalentes (y no intermoleculares) est formado nicamente por tomos y se denomina ATMICO o COVALENTE. Las frmulas de estos compuestos son empricas: representan la proporcin de tomos en la red. Por ejemplo la frmula SiO2 representa que hay doble nmero de tomos de oxgeno que de tomos de silicio. No tiene sentido decir que en el dixido de silicio hay dos tomos de oxgeno y uno de silicio, ya que estos 3 tomos no forman ninguna entidad independiente como molcula. En general, se utiliza la nomenclatura estequiomtrica de la IUPAC para nombrarlos. Protn En fsica, el protn (del griego , prton ['primero']) es una partcula subatmica con una carga elctrica elemental positiva 1 (1.6 10-19 C), igual en valor absoluto y de signo contrario a la del electrn, y una masa 1.836 veces superior a la de un electrn. Experimentalmente, se observa el protn como estable, con un lmite inferior en su vida media de unos 1035 aos, aunque algunas teoras predicen que el protn puede desintegrarse en otras partculas. El protn y el neutrn, en conjunto, se conocen como nucleones, ya que conforman el ncleo de los tomos. En un tomo, el nmero de protones en el ncleo determina las propiedades qumicas del tomo y qu elemento qumico es. El ncleo del istopo ms comn del tomo de hidrgeno (tambin el tomo estable ms simple posible) est formado por un nico protn. Al tener igual carga, los protones se repelen entre s. Sin embargo, pueden estar agrupados por la accin de la fuerza nuclear fuerte, que a ciertas distancias es superior a la repulsin de la fuerza electromagntica. No obstante, cuando el tomo es grande (como los tomos de Uranio), la repulsin electromagntica puede desintegrarlo progresivamente.

TIPOS DE ESTRUCTURAS Son comunes tres estructuras de redes cristalinas en los metales: Estructura cbica centrada Formada por un tomo del metal en cada uno de los vrtices de un cubo y un tomo en el centro. Los metales que cristalizan en esta estructura son: hierro alfa, titanio, tungsteno, molibdeno, niobio, vanadio, cromo, circonio, talio, sodio y potasio.

Estructura cbica centrada en el cuerpo Cada tomo de la estructura, est rodeado por ocho tomos adyacentes y los tomos de los vrtices estn en contacto segn las diagonales del cubo Estructura cbica centrada en las caras Est constituida por un tomo en cada vrtice y un tomo en cada cara del cubo. Los metales que cristalizan en esta estructura son: hierro gama, cobre, plata, platino, oro, plomo y nquel.

Estructura cbica centrada en las caras Cada tomo est rodeado por doce tomos adyacentes y los tomos de las caras estn en contacto.

Estructura hexagonal compacta Esta estructura est determinada por un tomo en cada uno de los vrtices de un prisma hexagonal, un tomo en las bases del prisma y tres tomos dentro de la celda unitaria.

Cada tomo est rodeado por doce tomos y estos estn en contacto segn los lados de los hexgonos bases del prisma hexagonal. Los metales que cristalizan en esta forma de estructura son: titanio, magnesio, cinc, berilio, cobalto, circonio y cadmio.

Estructura hexagonal compacta Algunos metales sufren cambio de estructura a diferentes temperaturas como el hierro que se presenta como cbico centrado a temperatura normal pero cambia a centrado en las caras a 912C y vuelve a ser cbico centrado a 1400C; cuando un metal cambia su estructura de esta manera se dice que es alotrpico.

CRISTALIZACION El crecimiento de los cristales que se inicia en los centros o ncleos de cristalizacin en el metal lquido, no puede ser uniforme a causa de los diferentes factores de la composicin del metal, la velocidad de enfriamiento y las interferencias que se producen entre ellos mismos durante el proceso de crecimiento.

Modelo de cristalizacin en la solidificacin de metales La estructura final resultante est constituida por un agrupamiento de granos o cristales de forma irregular pero guardando cada uno una orientacin fija y bien determinada.

Estructura granular del acero al carbono, granos poligonales bien definidos Hueco de electrn Un hueco de electrn , o simplemente hueco,1 es la ausencia de un electrn en la banda de valencia (ver tambin valencia). Tal banda de valencia estara normalmente completa sin el "hueco". Una banda de valencia completa (o casi completa) es caracterstica de los aislantes y de los semiconductores. La nocin de "hueco" en este caso es esencialmente un modo sencillo y til para analizar el movimiento de un gran nmero de electrones, considerando ex profeso a esta ausencia o hueco de electrones como si fuera una partcula elemental o -ms exactamente- una cuasipartcula. Considerado lo anterior, el hueco de electrn es, junto al electrn, entendido como uno de los portadores de carga que contribuyen al paso de corriente elctrica en los semiconductores. El hueco de electrn tiene valores absolutos de la misma carga que el electrn pero, contrariamente al electrn, su carga es positiva. Aunque bien corresponde el recalcar que los huecos no son partculas como s lo es -por ejemplo- el electrn, sino la falta de un electrn en un semiconductor; a cada falta de un electrn -entonces- resulta asociada una complementaria carga de signo positivo (+). Por ejemplo cuando un cristal tetravalente (es decir de 4 valencias) como el muy conocido silicio es dopado con tomos especficos que, como el boro, poseen slo tres electrones en estado de valencia atmica, uno de los cuatro enlaces del silicio queda libre. Es entonces que los electrones adyacentes pueden con cierta facilidad desplazarse y ocupar el lugar que ha quedado libre en el enlace; este fenmeno es llamado entonces hueco. Para un observador externo lo antedicho ser percibido como el "desplazamiento de una carga positiva", sin embargo lo real es que se trata del desplazamiento de electrones en sentido opuesto al ms frecuente. La descripcin figurada de un hueco de electrn como si se tratara de una partcula equiparable al electrn aunque con carga elctrica positiva es en todo caso didcticamente bastante til al permitir describir el comportamiento de estos fenmenos. Otra caracterstica peculiar de los huecos de electrn es que su movilidad resulta ser menor que la de los electrones propiamente dichos; por ejemplo la relacin entre la

movilidad de los electrones y la de los huecos(de electrones) tiene un valor aproximado de 2,5-3. Semiconductor Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta. Tipos de semiconductores Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento. Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (25c): ni(Si) = 1.5 1010cm-3 ni(Ge) = 2.5 1013cm-3 Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en dia se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero. Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces

ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.