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TRANSISTORS BIPOLAIRES

Le transistor bipolaire est le composant actif de base de l'lectronique. Bien que de moins en moins employ en tant qu'lment discret, si ce n'est en haute frquence il reste l'lment essentiel de base de la plupart des circuits intgrs analogiques ou numriques.

1. Principe: Effet transistor

1.1.

DEFINITION

Un transistor est un lment semi-conducteur constitu de deux jonctions P.N. montes en tte bche. Il peut y avoir 2 types de transistors suivant que la rgion centrale est de type N en P. Les deux types de transistors sont reprsents la figure 3.1. Leur tude est conduite strictement de la mme faon et les proprits de l'un valent pour l'autre.

P
Emetteur

N
Base

P
Collecteur

N
Collecteur

Emetteur Base

Ie Veb Ib

Ic Vbc

Figure.1: Constitution des deux types de transistors bipolaires

1.2.

EFFET TRANSISTOR

A la figure 3.2 on a reprsent un transistor a) en circuit ouvert, b) en polarisation normale.

Emetteur

Base

Collecteur

VBE

Emetteur

Base

Collecteur

V CB qNE
(x)

qNE

(x)

x BE x BC -x E -qN B

qN C

x BE x BC -x E -qN B

qN C

xC

xC

E x

E x

V(x)

V(x)

V CB

VBE

a)

b)

Fig-2 Diagrammes de rpartition des densits de charge, de champ et de potentiel d'un transistor l'tat d'quilibre a) et polaris dans la zone active b)

En circuit ouvert, nous avons affaire 2 jonctions P.N. l'quilibre thermodynamique. Il se cre 2 zones de charges d'espace au niveau des jonctions d'metteur JE et de collecteur Jc. Le diagramme de rpartition des charges et potentiels au niveau des deux jonctions est donn la fig-2. Lorsque le transistor est polaris dans sa zone active (Vbe>0.6 V et Vbc <0)la hauteur de la barrire de potentiel la jonction d'metteur est rduite tandis qu'elle est augmente au niveau de la jonction Jc. Supposons que l'metteur soit trs fortement dop par rapport la base. Si le nombre de recombinaisons dans la base est faible la plupart des lectrons injects dans la base atteignent la jonction collecteur o ils sont acclrs vers le collecteur par le champ lectrique rgnant au niveau de cette jonction polarise en inverse. Ce phnomne

constitue l'effet transistor dcouvert en 1958 par Shockley et est illustr la figure.3. Dans ces conditions le nombre d'lectrons injects de l'metteur vers la base est contrl par la tension Vbe. Cependant un certain nombre d'lectrons se recombinent dans la base avec des trous en crant donc un courant de trous "recombinants". Afin de rduire le nombre de recombinaisons on a intrt raliser une base troite. De plus la jonction Base -Emetteur tant polarise en direct il y aura un courant de trous injects de la base vers l'metteur. L'ensemble de ces deux courants constituent la partie principale du courant de base.

E lev N+ lectrons injects Ie P lectrons diffusant lectrons se recombinant dans la base lectrons collects Ic N

Trous injects

Trous

zone de commande (Vbe)

Ib

zone d'acclration (Vbc)

. Fig-3 Principe de l'effet transistor On peut comparer le fonctionnement d'un transistor bipolaire celui d'une chute d'eau mme de produire de l'nergie. La hauteur de la chute est analogue au potentiel appliqu entre base et collecteur. La quantit d'eau injecte dans la conduite est contrle par une vanne commande par une puissance faible de faon analogue la commande de la jonction Base Emetteur. On est donc capable de commander la production d'une nergie (puissance) importante l'aide d'une nergie minime (Fig-3-4).

Vanne

TURBINE

Fig-4 Analogie hydraulique de l'effet transistor

D'autre part, la concentration en porteurs minoritaires (injects) est donne la figure-5 pour un transistor base troite. On constate que la concentration en porteurs injects dans la base est prpondrante du fait du dopage trs fort de l'metteur. De plus si l'paisseur de base est faible devant la longueur de diffusion des lectrons injects dans la base la concentration d'lectrons minoritaires dans la base dope P a une dpendance quasi linaire suivant l'axe x. Au niveau de la jonction Base-Collecteur la concentartion en lectrons est nulle car cette jonction est polarise en inverse et tous les lectrons arrivant au niveau de la jonction sont acclrs vers le collecteur. De la mme faon la rpartition des trous injects dans l'metteur est quasi linaire si l'paisseur de l'metteur est suffisamment faible.
Concentration Contact Ohmique N+ Emetteur P np(0) N Collecteur Contact Ohmique

pn(0) npo pno x

Fig-5 Concentration en porteurs minoritaires dans un transistor Bipolaire NPN en polarisation normale.

2. Composantes des courants

Afin de dterminer plus prcisment le fonctionnement du transistor bipolaire nous allons effectuer un bilan des courants circulant dans le transistor. Pour cela considrons un transistor NPN. Le bilan des courants est donn la fig-6.

Ie Ine

Ine Ic

Ipe

Ire

Icbo

Ib

Fig-6 Bilan des courants mis en jeu dans un transistor NPN

Le bilan des courants peut tre effectu comme suit dans les trois zones du transistor. Emetteur: Le courant d'metteur est constitu de deux types de porteurs: ! Les lectrons diffusant de l'metteur vers la base qui produisent le courant I nE . La densit de courant produit par les lectrons diffusant dans la base est donne par :

JnE = q Dn

n p (0) n p (lB ) lB

La jonction Base Collecteur tant polarise en inverse on a : n p (lB ) 0 et la densit de porteurs injecte la jonction Base Emetteur suit la loi de Boltzmann soit : qVBE 2 kT avec n = ni o N est le dopage de la base. La densit de n p (0) = n p0 e B p0 NB courant dlectrons injects de lmetteur vers la base est donc :

q Dn ni2 kT JnE e N B lB

qVBE ( 1)

! Les trous diffusant de la base vers l'metteur et qui produisent le courant I pE . De la mme facon la densit de courant de trous diffusant de la base vers lmetteur est donne par :

J pE

q D p ni2 N E lE

qVBE e kT

( 2)

Le courant total d'metteur est

I E = AE JnE + J pE

) o AE est laire de lmetteur.

Base: Le courant de base est constitu de 3 composantes: ! Le courant des minoritaires de la base et du collecteur travers la jonction BaseCollecteur polarise en inverse soit ICBo . ! Le courant de trous diffusant de la base vers l'metteur I pE ! Le courant d aux trous se recombinant dans la base avec une partie des lectrons injects depuis l'metteur: I rE Finalement le courant de base est donn par:

I B = I rE + I pE I CBo
Collecteur: Au collecteur le courant est constitu:

( 3)

! Des lectrons injects de l'metteur vers la base et qui atteignent la jonction BaseCollecteur o ils sont acclrs (effet transistor). Ce courant est gal une fraction du courant I nE : T I nE o T est le facteur de transport dans la base ! des porteurs minoritaires de la base et du collecteur traversant la jonction BaseCollecteur. ICBo Le courant total au collecteur est donc:

I C = T I nE + I CBo I E + I CBo

( 4)

Si l'on nglige les courants ds aux trous injects de la base et aux minoritaires tavers la jonction BC on peut crire au premier ordre:

IC I E
et

I B (1 )I E

( 5)

Ces relations constituent les relations fondamentales qui traduisent l'effet transistor. Elles expriment la proportionnalit entre les courants Ic et Ie ainsi que la possibilit de contrler le courant Ic l'aide de la quantit d'lectrons injects dans la base.

I E = I B + IC IC = I E IC = I B = (1- ) I E
(6)

IB = IB 1-

2.1.1. Gain en courant du transistor. Si lon considre les deux composantes principales du courant dmetteur et en ngligeant le courant de recombinaison dans la base et le courant inverse de la jonction base collecteur on a, en terme de densits de courant :

J C JnE

et

J B J pE

J Compte tenu des quations (1) et (2) le gain en courant C est donn par : JB D l N n E E D p lB N B
On constate lexamen de cette expression que le gain en courant est inversement proportionnel lpaisseur et au dopage de la base. On aura donc intrt diminuer ces deux quantits. Cependant on ne peut pas diminuer de faon trop importante le dopage de la base car cette diminution s traduit par une augmentation de la rsistance intrinsque de la base qui dgrade les performances du transistor en Haute Frquence. Dautre part une augmentation du dopage de lmetteur NE conduirait une augmentation de la capacit de jonction Base Emetteur et par l une dgradation des performances en Haute Frquence. Enfin le rapport

Dn est caractristique du matriau et compte tenu de la relation dEinstein on a : Dp Dn n = . Dp p

Exemple : Gain dun transistor bipolaire Silicium

N E = 1019 cm 3 ; N B = 1018 cm 3 ; lE = 0,037 m ; lB = 0,1m Dn n = = 3.7 Dp p

= 13.7
3. Caractristiques statiques

3.1.

EQUATIONS DU TRANSISTOR

Les composantes des courants numres au paragraphe prcdent sont celles rsultant de l'effet transistor normal. Dans le cas o l'effet de la polarisation Vcb doit tre pris en compte on rcrira le courant collecteur sous la forme :

VBC IC = N I E - ICBo e V 1 T
o

(7)

N I E reprsente le courant de l'effet transistor normal et V BC ICBo e V 1 reprsente le courant de la jonction PN Base-Collecteur mesur T
avec l'metteur ouvert (Ie =0) Si maintenant nous intervertissons les rles du collecteur et de l'metteur nous obtenons le mme type de relation que la relation (7) soit:

Vbe I E = I IC - I BEo e V 1 T VBE o I est le gain en courant inverse et I BEo e V 1 T


diode base metteur Ic = 0.

(8)

le courant de la

On peut traduire ces deux quations l'aide du schma de la figure 3.7 appel modle d'Ebers et Moll Ibc
I

Ibe

Ie E Ibe

Ic

C Ibc Ib Vbe Vbc

Fig 7 Modle simplifi d'Ebers et Moll du transistor Bipolaire D'autre part, on peut montrer que les paramtres N , I , I BEo et I CBo ne sont pas indpendants mais relis par la relation:

N I BEo = I ICBo = I o

(9)

Cependant les relations (7) et (8) ne sont pas parfaitement symtriques du fait des diffrences de dopage entre l'metteur et le collecteur qui entrainent une diffrence sensible entre les valeurs de N et de I:

N 0,99 N 100 et I 0,5 I 1


Un transistor bipolaire ne prsente pas d'amplification en courant en inverse. D'autre part les courants I BEo et ICBo sont de l'ordre de 10nA

3.2.

CARACTERISTIQUES STATIQUES

Les caractristiques statiques des transistors bipolaires sont constitues par les relations entre les courants et tensions l'entre et la sortie du transistor. Suivant le type de montage utilis les caractristiques seront diffrentes pour un mme composant. Les montages les plus utiliss pour les transistors bipolaires sont le montage base commune reprsent la fig-8-a et le montage metteur commun reprsent la fig-8-b.

-Ie

Ic

C B Ib

Ic

-Vbe

Ib B (a)

Vcb Vbe E

Vcb

Base commune

Emetteur Commun (b)

Fig-8 Les deux principaux types de montage d'un transistor bipolaire

3.2.1. Montage base commune Dans le montage base commune de la figure 3-8-a les caractristiques d'entre et de sortie seront respectivement :

V BE = f1 (VCB , I E ) IC = f2 (VCB , I E )

(10)

Le systme d'quations non linaires 2 inconnues (10) permet de tracer les caractristiques d'entre et de sortie du transistor. Les caractristiques d'entre sont obtenues en traant VBE = f1 ( I E ) VCB = cte . Ces caractristiques varient peu en fonction de

VCB et reprsentent la caractristique d'une diode (fig-3-9-a). Les caractristiques de sortie


sont obtenues en traant IC = f2 (VCB ) pour diffrentes valeurs de IE. Nous obtenons alors le rseau de craractristiques reprsent la fig-3-9-b. Cette caractristique prsente deux zones distinctes correspondant la mise en conduction ou non de la diode Base collecteur. En fonctionnement normal (VCB > 0 ) les caractristiques de sortie sont pratiquement des droites horizontales.

0.8 Vbe (Volts) 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 Caractristique Vbe(Ie) Ie (A) 0.0001

Fig-9 Caractristique d'entre et rseau de caractristique de sortie du montage base commune

3.2.2. Emetteur commun Pour le montage metteur commun de la figure 3-8-b les caractristiques de d'entre et de sortie sont diffrentes. Elles sont donnes par le systme d'quations:

V BE = f1 (I B , VCE ) IC = f2 (I B , VCE )

(11)

On reprsente frquemment le fonctionnement du transistor par un rseau de courbes dans les 4 quadrants Fig(3-10):

Ic(A) Saturation (Vcb=0) Pd=Pdmax

Icq Pente

Ib Ibq Vceq Vce (V) VBRceo

Vbeq

Vbe

Fig-10 Caractristiques du transistor bipolaire mont en Emetteur Commun

3.3.

LIMITATIONS PHYSIQUES

Comme tout composant lectronique le transistor bipolaire ne peut fonctionner que dans une zone bien dtermine. Un certain nombre de limitations physiques doivent tre prises en compte pour assurer un fonctionnement sr du composant

3.3.1. Claquage En metteur commun pour une tension VBE donne, lorsque l'on augmente la tension VCE le champ au niveau de la jonction IC augmente entrainant pour une certaine valeur VCE un effet d'avalanche. Le fonctionnement en metteur commun est de loin le plus limitatif car on trouve alors une tension de claquage Vbrceo qui reprsente la tension pour laquelle le courant tend vers l'infini. Elle est dfinie pour Ib=0. Cette tension est reprsente sur la fig-10 (cf. Annexe 1).

3.3.2. Limitation en puissance Afin d'viter un chauffement trop important au collecteur, la puissance dissipe au collecteur doit rester infrieure une valeur maximum Pmax on a alors:

Pd = Vce I c Pmax

(12)

Le lieu limite est donc une hyperbole dans le plan de sortie Ic, Vce. En particulier le point de repos Q du transistor doit se trouver l'intrieur de la zone de fonctionnement sr.

3.3.3. Dpendance du gain en courant Dans tout ce qui prcde, nous considr que le gain en courant en Emetteur commun tait constant quelque soit Ic. En fait celui-ci varie en fonction du courant et on constate une rduction notable du gain en courant pour de fortes densits de courant collecteur. (Annexe-1)

4. Modles linaires petits signaux du transistor

4.1.

MODELES BASSES FREQUENCES 4.1.1. Polarisation du transistor

La polarisation du transistor consiste fixer le point de repos Q du transistor l'aide d'un circuit extrieur. Ce circuit extrieur sera constitu de sources de tension et de rsistances comme indiqu la fig-11 pour des transistors NPN et PNP. Dans le cas de transistors utiliss dans le domaine des hautes frquences on place une self de choc en srie avec le circuit de polarisation de faon l'isoler de la HF. Dans le cas de circuits intgrs la ralisation de selfs de chocs est problmatique, aussi on utilise frquemment des polarisations actives. Un exemple de polarisation en classe A est donn la fig-10 o on a reprsent le point Q de repos ainsi que les droites de charges prsentes au transistor en continu.

Ico Rc Ic(t) Vcc Rb Vbb a) ib(t) Ib(t) Ibo vb(t) Lb,Rb Vbb b)

Vcc Lc,Rc ic(t)

vc(t)

Fig-11 Circuits de polarisation BF a) et HF b) d'un transistor bipolaire

Le point de polarisation tant fix appliquons des petits signaux variation lente (par rapport aux constantes de temps mises en jeu dans le transistor) l'entre et la sortie du montage. Ces signaux peuvent tre appliqus comme indiqu la fig-11-b travers un condensateur de dcouplage. Les courants et tensions sont encore lies par les quations non linaires (10) et (11) suivant le type de montage. On peut alors donner le dveloppement en srie de Taylor de ces quations.

4.1.2. Paramtres hybrides en Base commune Pour le montage base commune on linarise les quations (10) o Ie et Vcb sont les grandeurs de commande. Posons:

I E (t ) = I Eo + I E (t ) VCB (t ) = VCBo + VCB (t )

et

En dveloppant (9) en srie de Taylor au premier ordre on obtient:

Vbeo + Vbe = f1(I eo ,Vcbo ) +


et

f1 f1 I e + Vcb Ie Vcb

(13-a)

I co + I c = f2(I eo ,Vcbo ) +

f2 f2 I e + Vcb Ie Vcb

(13-b)

Si on tient compte des relations imposes par le circuit de polarisation soit:

V BEo = f1(I Eo ,VCBo ) ICo = f2(I Eo ,VCBo )

(14)

on obtient:

Vbe =

f1 f1 I e + Vcb Ie Vcb

f f2 I c = 2 I e + Vcb Ie Vcb

(15)

afin d'allger cette notation on posera:

IC (t ) = iC (t ) ; V BE (t ) = vBE (t ) ; I E (t ) = iE (t ) ; VCB (t ) = vCB (t )


on a alors :

vbe=h11b ie + h12b vcb ic =h21b ie + h22b vcb

(16)

Les paramtres hij dfinis ci-dessus sont les paramtres hybrides du transistor mont en base commune. Ils ont la signification physique suivante:

V BE h11b = IE I E = I Eo

est la rsistance dynamique d'entre en base

commune. C'est la pente de la caractristique VBE(IE). Comme pour une diode cette rsistance est fonction du courant d'metteur. Elle est donne par:

h11b =

26 I Eo(mA) I Eo

(17)

VBE h12b = VCB VCB = VCBo

est le coefficient de raction de la sortie sur

l'entre. Dans le cas du montage base commune ce coefficient est trs faible; de l'ordre de 104

IC est le gain en courant en base commune. On a h21b = IE I E = I Eo h21b 0.99 IC est l'admittance de sortie en base commune. Cette VCB V CB = VCBo

h22b =

admittance est trs faible; de l'ordre de 10-6 Siemens

4.1.3.

Paramtres hybrides en Emetteur commun

Pour ce cas on s'intresse aux caractristiques donnes l'quation (11)

V BE = f1 (I B , VCE ) IC = f2 (I B , VCE )
et les paramtres petits signaux en metteur commun sont donns par :

vBE =h11e iB + h12e vCE iC =h21e iB + h22e vCE

(18)

Les paramtres hybrides en Emetteur commun sont dfinis de la mme faon qu'en base commune. Leur interprtation graphique est donne la fig 12. Les valeurs des paramtres hybrides en metteur commun ainsi que leurs variations sont donnes l'annexe 1 pour un transistor petit signal (2N1711)

Ic(A)

h 21e Ico Ib Ibo

Q h 22e Vce (V) Vceo VBRceo

Vbeo h11e Vbe h 12e

Fig-12 Interprtation graphique des paramtres hybrides d'un transistor bipolaire mont en metteur commun Dans tous les montages le transistor pourra tre reprsent pour les "petits signaux" par le schma de la figure-13.a. Ce schma se rduit frquemment celui de la figure-13.b compte tenu des ordres de grandeurs de h12 et h22.
h 11 h21i1

i1

h 11 h 12 v2 h21i1

i2

i1

i2

v1

h 22 v2

-1

v1

v2

a)

b)

Fig-3-13 Schmas quivalents petis signaux en Basse Frquence a) schma complet, b) schma simplifi

Remarque : En montage metteur commun la conductance de sortie h22e est due a un effet de modulation de la largeur de la base lorsque VCB varie appel effet Early. En effet lorsque la tension Vcb augmente la largeur de la base diminue car la largeur de la zone de charge d'espace augmente (jonction BC polarise en inverse)

4.2.

PARAMETRES HAUTE-FREQUENCE D'UN TRANSISTOR

Dans une premire tude nous avons suppos que le transistor rpondait instantanment une excitation. Ceci est vrai en basses frquences car les constantes de temps mises en jeu dans le transistor sont trs infrieures aux priodes des signaux appliqus. En Haute Frquence il n'en est plus de mme et il faut tenir compte des capacits intrinsques du transistor qui sont dues principalement l'effet de stockage des porteurs minoritaires dans la base et la capacit de transition de la jonction Base Collecteur polarise en inverse.

4.2.1. Schma de Giacoletto Le circuit propos par Giacoletto est un circuit quivalent "petits signaux" du transistor reprsent suivant une structure de quadriple en . Il est reprsent la fig14.

r b'c rbb' B rb'e

B' C b'c

Vbe

C b'e

V b'e

rce

gm V

b'e

Vce

E
Figure14 Schma quivalent (de Giacoletto) Hautes Frquences du transistor bipolaire mont en metteur commun

Ce circuit valable en petits signaux fait apparaitre la base B' appele base intrinsque qui n'est pas physiquement accessible. La rsistance rbb' reprsente la rsistance de la zone d'accs la base intrinsque. Elle est prsente dans tous les transistors et constitue la principale limitation l'utilisation HF des transistors bipolaires. Les diffrents lments du schma quivalent se dduisent des caractristiques du transistor de la faon dcrite ci-aprs.

4.2.2. Transconductance gm

La transconductance gm encore appele pente du transistor est obtenue partir de la caractristique IC = f ( VB' E ) du transistor. En rgime de polarisation normale nous avons en effet:

IC I s e V T

VB' E

(19)

Pour de faibles variations de

Ic0 ; VB' E 0 on peut crire :

VB ' E

autour du point de polarisation

Vb'eo Ic I I = s e V = co T Vb'e VT VT kT = 26mV 300K avec VT = q

gm =

(20)

Ainsi

pour

un

courant

Ic0 = 2,6mA

la

transconductance

est

de

100mA / V = 100mS . Cette forte valeur de la transconductance est une caractristique


des transistors bipolaires. Rsistance d'entre rB' E

4.2.3.

En rgime de polarisation normale on suppose rB'C >> rB' E car la jonction Base Collecteur est polarise en inverse. La rsistance rB' E reprsente la rsistance dynamique de la caractristique d'entre du transistor I B = f ( VB' E ) . Pour les petites variations de I B et de VB' E on peut crire, en tenant compte de:

VB' E = rB' E I B =
d'o

IC gm

(21)

rB' E =

1 gm

Ic h = 21 Ib gm

Le gain en courant, la rsistance d'entre et la transconductance sont lis par la relation:

rB' E gm = h21

(22)

Exemple:

gm = 100mA / V

h21 = 100 rB' E = 1k

4.2.4. Rsistance de raction rB'C

A partir du schma quivalent de Giacoletto on peut redfinir le coefficient h12 du transistor par:

h12 =

VB' E rB' E = VCE rB' E +rB'C

(23)

comme h12 << 1 on a rB' E << rB'C et

rB'C

rB' E h12
4

(24)

Exemple: h12 = 10

rB' E = 1k rB'C = 10 M

4.2.5. Rsistance de sortie rCE

On a: h22 =

IC VCE I = 0 B

La condition I B= 0 impose les relations:

Ic =

VCE VCE + + gm VB' E rCE rCE + rCE

(25)

et

VB' E = h12 VCE

(26)

on en tire:

h22 =

1 rCE

1 + gm h12 rB'C + rB' E

(27)

Compte tenu des ordres de grandeurs des diffrents paramtres soit: rB' E << rB'C et des relations (24) et (22) on obtient:

h22 =

1 + 1 + g h rCE h21 m 12 1

(28)

Exemple:

h12 = 10 4 gm = 100mA / V
1 rCE = 15 103 4.2.6. Capacit C B' E

h21 = 100 h22 = 25 103 mA / V

La capacit C B' E reprsente la somme de la capacit de diffusion de la jonction base metteur et de la capacit de transition. Lorsque la jonction base metteur est polarise en direct la capacit de diffusion est prpondrante. La rpartition des porteurs minoritaires dans la base a l'allure indique la fig-15. La densit de porteurs est nulle au collecteur car la jonction C.B. est polarise en inverse.
np(x) np(0) N+ Emetteur Qb P N Collecteur

pn(0) npo pno x 0 Wb

Fig-15 Rpartition des porteurs minoritaires dans la base

La charge stocke dans la base vaut donc Qb = l'aire de la jonction. D'autre part le courant de diffusion est donn par:

1 q n p( 0 ) A Wb o A est 2

I= q A Dnb
ou encore puisque

dn p(x) dx dn p(x) dx = n p( 0 ) Wb
on a:

(29)

I=-

q A Dnb p(o) Wb

(30)

et finalement: 2 I Wb

Qb =

2 Dnb

= b I

(31)

La capacit de diffusion sera donne par

C B' E =

dQb dI = b dVB' E dVB' E

(32)

Mais le courant de diffusion de la base constitue la plus grande partie du courant collecteur ou de la mme faon du courant collecteur. On a donc:

dI = b gm Cb'e = b dVB' E

(33)

Remarque : la largeur de la base Wb n'tant pas accessible la mesure, il n'est pas possible de dterminer la constante de temps b la dtermination de la capacit C B' E se fera de manire indirecte partir de la mesure de la frquence de transition du transistor. D'ores et dj on peut donner l'ordre de grandeur de C B' E 100 pF .

4.2.7.

Capacit C B'C

C'est la capacit de transition de la jonction collecteur-base polarise en inverse. Elle est donc trs faible.

C B'C =

A 1 = - VCB 2 N B+NC q N B NC

CJco V 1 - CB

VCB <

o N B et NC reprsentent respectivement les dopages de base et de collecteur et A laire de la jonction. En pratique un ordre de grandeur de la capacit base collecteur est

C B'C 3 pF
4.3.

REPONSE FREQUENTIELLE DU TRANSISTOR

A partir du circuit quivalent de Giacoletto on peut calculer le gain en courant du transistor. Celui-ci est dfini par:

(j) = c Ib V

(34)

CE = 0

En ngligeant l'influence de RB'C le gain en courant est donn par:

(j) =

1 + j (C B' E + C B'C ) VB' E rB' E gm

gm V B' E

soit encore

(j) =

1 + j (C B' E + C B'C ) rB' E

(35)

on peut ainsi mettre le gain en courant sous la forme:

(j) =
avec

( 0 ) 1+ j
(36)

1 ( 0 ) = gm rB' E et = rB' E C B' E + C B' E

Sur la fig-16 on a reprsent l'allure du gain en courant pour les montages metteur commun et base commune du transistor. On remarque que les produits gain-bande des deux montages sont quasiment identiques. En effet on a:

( 0 ) (jw) ( 0) 1 + ( 0) (jw) = = = 1 + (jw) 1 + j 1+ j ( 1 + ( 0))

(37)

La frquence de transition est dfinie comme la frquence pour laquelle le gain en courant est gal 1. Cette frquence est donne par:

fT

( 0) w
2
100

( 0) w 2

(38)

Gains en courant 0 f Emetteur commun

10

Base commune 0 f f

0.1 100000

1000000

1e+07

1e+08

1e+09

Frquence (Hz)

Fig-16 Gains en courant du transistor bipolaire en emetteur commun et en base commune

On peut exprimer la frquence de transition en fonction des diffrents lments du circuit. On a:

fT

( 0) w
2

gm rB' E gm 1 1 = 2 (C B' E + C B'C ) rB' E 2 (C B' E + CB'C )

(39)

En rgime de polarisation normale on a: C B' E >> C B'C et, en tenant compte de la relation (33) on a:

1 fT 2 b

(40)

La relation (40) nous permet de dterminer la constante de temps des porteurs minoritaires dans la base. On constate de plus que le principal facteur limitant la frquence des transistors bipolaires est l'paisseur de la base.

5. TRANSISTOR EN COMMUTATION

5.1.

ETAT BLOQUE ETAT SATURE

Considrons le montage de la figure 3.17, les quations des mailles d'entre et de sortie sont :

V BB = RB I B + V BE VCC = RC I c + VCE

(41)

Dans le plan de sortie IC = f (VCE ) on considre 3 rgions suivant l'tat du transistor (figure 17): ! Une rgion de saturation caractrise par la tension Vcesat et le courant Icsat donn VCEsat V par: ICsat = CC (point S de la fig-17) RC ! Une rgion de blocage caractrise par Ib = 0, Ic = 0 et Vce = Vcc (point B de la fig 17) ! Une rgion d'amplification dite rgion de fonctionnement linaire situe entre les deux rgions prcdentes.

Ic Vcc/Rc Icsat S

Ic

Ibsat

Rc

pente -1/Rc
Vcc Vce

Ib

Rb Vbe Vbb

Ib=0 Vcesat

B Vcc

Vce

Fig-3-17 Dfinition des rgimes de fonctionnement du transistor bipolaire

La condition de saturation s'crit :

IB

V - VCEsat CC Rc

(42)

En ralit on a VCC >> VCEsat d'o la condition de saturation

I B I Bsat

1 VCC . RC
est donn par:

Cependant le courant I B

IB =

V BB - V BEsat I Bsat RB

(43)

A l'examen de la relation (43) on constate que le courant IB est fix par le circuit d'entre. Cependant pour I B I Bsat le courant IC n'augmente quasiment plus. On dit alors que le transistor fonctionne en rgime de sursaturation. Une augmentation de IB se traduit alors par une accumulation de charges constitues par les porteurs minoritaires dans la base. On constate de plus que dans ce type de rgime les deux jonctions BE et BC sont polarises en direct. Les charges stockes dans la base proviennent alors la fois de l'metteur et du collecteur.

5.2.

TEMPS DE COMMUTATION DU TRANSISTOR

Supposons le montage de la figure 3.17 o on a remplac le gnrateur continu d'entre Vbb par un gnrateur impulsionnel eb(t). Les formes des signaux observs l'entre et la sortie du transistor sont reprsentes la fig-18. Le signal d'entre la fig-18-a, la tension vbe(t) et le courant ib(t) aux fig-18-b et 18-c et enfin le courant ic(t) la fig-18-d. On distingue typiquement 4 temps de commutation.

eb(t) E2 a) t -E1 vd b) -E1 ib(t) c) I2 t t

-I1

ic(t) Icsat 0,9 Icsat d)

0,1 Icsat t td tr ts tf

Fig-18: Dfinition des diffrents temps de commutation d'un transistor bipolaire.

! td temps de retard (delay) : c'est le temps ncessaire charger la capacit de transmission de la jonction Emetteur base base major du temps ncessaire pour que les premiers lectrons injects dans la base atteignent le collecteur typiquement pour le transistor 2N2219 : td = 10 nS ! tr temps de monte (rise time): c'est le temps que met le courant collecteur pour passer de 0,1.Icsat 0,9.Icsat. Typiquement on a: tr = 25 ns (Ic=150mA; Ib=15mA; T=2N2219) ! ts temps de dstockage (storage time): C'est le temps ncessaire pour vacuer la charge stocke dans la base. Il se dcompose en 2 temps: ts= 200 nS (Ic=150 mA; Ib= 15mA; 2N 2219) " ts1 :(Ib = Cte et Ic = Cte) c'est le temps que met passer du rgime de sursaturation au rgime actif. " ts2 : (Ic # alors que Ib = Cte) c'est le temps pour vacuer la charge stocke la limite de la saturation. le transistor pour

ncessaire

N+ np(x) E

P B pente Icsat

N C

N+ np(x) E

P B

N C

Zone active x a) b)

Fig-19 Ilustration du phnomne d'vacuation de la charge stocke. a) Pendant le temps ts1 la charge correspondant la sursaturation (saturation de la diode BC) est vacue: partie hachure de l'aire correspondant la charge stocke. Ic=Icsat b) pendant le temps ts2 la charge stocke corres-pondant au rgime actif est vacue. La pente de la caractristique np(x) diminue et par consquent le courant Ic diminue.

! tf temps de descente (fall time) : c'est le temps mis par le courant Ic pour passer de 0,9.Icsat 0,1.Icsat. Typiquement on a: tf = 60ns (Ic=150mA; Ib=15mA; T=2N2219)

Ce sont ces temps de commutation qui limiteront les temps de propagation dans les portes logiques. On peut remarquer qu' afin de diminuer le temps de stockage ts il faut viter de sursaturer le transistor. Pour cela, on peut placer une diode entre collecteur et base de la faon indique la figure.20. Cette diode est appele diode d'anti-saturation. Cette diode est gnralement une diode Schottky et le transistor ainsi constitu est appel transistor Schottky.

C Diode Schottky C

Fig3-20 Transistor Schottky

6. ANNEXE-1: Caractristiques des transistors 2N1711 2N2222 2N2219

CHAPITRE 3: TRANSISTORS BIPOLAIRES I. Principe: Effet transistor .........................................................................................1 I.1 Dfinition ..................................................................................................1 I.2 Effet transistor ...........................................................................................2 II- Composantes des courants.....................................................................................5 III- Caractristiques statiques .....................................................................................7 III.1 Equations du transistor ...........................................................................7 II.2 Caractristiques statiques......................................................................... 9 II-2-a. Montage base commune ..........................................................10 III-2-b. Emetteur commun ..................................................................11 III.3 Limitations physiques .............................................................................12 III-3-a. Claquage .................................................................................12 III-3-b Limitation en puissance...........................................................12 III-3-c Dpendance du gain en courant...............................................12 IV- Modles linaires petits signaux du transistor ..................................................... 13 IV-1 Modles Basses frquences....................................................................13 IV-1-a Polarisation du transistor.........................................................13 IV-1-b Paramtres hybrides en Base commune..................................14 IV-1-c Paramtres hybrides en Emetteur commun ............................. 16 IV.2 Paramtres haute-frquence d'un transistor ............................................ 17 IV.2.a Schma de Giacoletto ..............................................................18 IV-2-b Transconductance gm .............................................................18 IV-2-d. Rsisrance d'entre rb'e .......................................................... 19 IV-2-e Rsistance de raction rb'c ......................................................20 IV-2-f Rsistance de sortie rce............................................................20 IV-2-g Capacit Cb'e ..........................................................................21 IV-2-h Capacit Cb'c .......................................................................... 22 IV-3 Rponse frquentielle du transistor........................................................23 V. TRANSISTOR EN COMMUTATION................................................................. 25

V.1 Etat bloqu tat satur..............................................................................25 V.2 Temps de commutation du transistor.......................................................26 ANNEXE-1: Caractristiques des transistors 2N1711, 2N2222, 2N2219 ... .............30