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Microscopies à balayage de sonde:

Microscope à effet tunnel (STM) et microscope à force atomique (AFM)

1.INTRODUCTION

Cette manipulation a pour but de permettre une premiè re familiarisation des é tudiants avec des microscopes modernes qui ne sont apparus qu'au cours des ann é es 80. Le microscope à effet tunnel à é té mis au point dans les laboratoires de recherche et

d é veloppement de IBM à R ü schlikon pr è s de Zurich par Heinrich Rohrer et Gerd Binning.

Pour ce travail, Rohrer et Binning ont é té r é compens é du Prix Nobel en physique en 1986. Puis, en utilisant plusieurs des techniques mises au point pour le STM (abr é viation usuelle de "Scanning Tunneling Microscope") Gerd Binning et Christoph Gerber ont alors mis au point le microscope à force atomique ­ AFM pour "Atomic Force Microscope".

Depuis lors de nombreuses variations et extensions de ces microscopes ont é té d é velopp é es. Ainsi, en 2003 on utilise aussi des microscopes à force magné tique, à force atomique dynamique, avec balayage thermique, à balayage optique en champ proche etc. La microscopie à balayage de sonde est un domaine de la recherche scientifique trè s riche et tr è s dynamique.

L'idé e g é n é rale de ces microscopes est de balayer une pointe monoatomique sur une surface à é tudier. Durant ce balayage, on mesure en chaque point une caract éristique de l'é chantillon examin é . La cartographie ainsi obtenue permet de "voir" la surface de l'ché antillon. Dans le cas du microscope à effet tunnel, on mesure le courant entre l'é chantillon et la pointe. Pour le microscope à force atomique, on mesure directement la force de contact entre l'é chantillon et la pointe.

Ces microscopes sont tr è s sensibles et permettent d'observer individuellement les atomes d'une surface examiné e. Cette ré solution est accessible assez facilement avec le maté riel de manipulation mis à disposition des é tudiants.

Certains de ces microscopes sont aussi utilis é s comme machines pour construire atome apr è s atome des structures physiques int é ressantes ou des objets technologiques nanoscopiques. C'est ledomaine de la nanotechnologie.

2. THEORIE SUR LA METHODE EXPERIMENTALE DU STM

2.1 Introduction

L’e ffet tunnel est un phé nomè ne de transition, interdit par la m écanique classique mais expliqu é en mé canique quantique. Il exprime le fait qu’ une particule, d écrite par une fonction d’ond e dans le formalisme quantique, poss ède une probabilit é non nulle de traverser une barriè re de potentiel à é nergie plus é levé e que la sienne. Ce principe est interdit en m écanique classique, puisque la loi de conservation de l’ é nergie ne serait plus v é rifi é e. L’a pplication pratique de ce phé nomè ne est de donner accè s à une technique d’ é tude des surfaces. On peut en effet modé liser la surface d’ un conducteur par une barriè re de potentiel que traversent des é lectrons sous l’ effet d’ un champ é lectrique intense, cr é ant ainsi un courant d’ é mission permettant de visualiser la surface. La thé orie classique pr é voit que pour qu’un é lectron puisse quitter la surface d’un conducteur, il faut qu’i l acquiert une é nergie e 0 . C’ est le travail de sortie né cessaire pour amener

l’ é lectron de la surface jusqu’ à l’ infini. Il s’ é lè ve pour les mé taux à quelques é lectron­volts.

Le champ électrique qu’ on applique a pour effet de r é duire la barri ère de potentiel à ( < 0 ), mais l’ é lectron reste confiné à la surface, puisqu’il poss è de une énergie infé rieure à e . Ainsi le pré voit la thé orie classique !

2.2 Concepts th é oriques

En 1983, Binnig et Rohrer mettent au point le dispositif d’un STM qui t émoigne de la possibilit é qu’on t certains é lectrons, ayant une é nergie infé rieure au travail d’e xtraction e , à quitter un solide. Les é lectrons arrivaient ainsi à surmonter la barriè re de potentiel, tout comme s’ ils la traversaient par un tunnel ! Et la probabilit é de sortie augmentait avec le champ électrique.

La mé canique quantique fournit une explication. Les fonctions d’ond e des électrons de

conduction, solutions de l’ é quation de Schr ö dinger, d é bordent de la surface avec une densit é

d é croissant rapidement. La probabilit é de pr é sence de l’ é lectron en dehors du solide, n’ est

donc pas nulle à la surface, comme le pr é voit la mé canique classique, mais dé cro î t exponentiellement dans la barriè re de potentiel du vide (air). Lorsqu’on approche ainsi une é lectrode constitu é e de la pointe du STM, à quelques distances atomiques de l’ é lectrode repr é sentant la surface du conducteur, leurs deux fonctions d’ond e se recouvrent. Lorsqu’ on applique alors un champ é lectrique exté rieur, une diff é rence de potentiel agit sur les é lectrons, ce qui cr é e un courant d’ é lectrons à travers la barriè re de potentiel, dans le vide qui sé pare les é lectrodes.

Le courant tunnel dé cro ît exponentiellement avec la distance surface­pointe d. Cette

d é pendance exponentielle avec la sé paration d r é git la pr é cision de l’o rdre de quelques

angstr ö ms sur la topographie de la surface. En effet, le courant tunnel I subit une variation d’un facteur e 2 avec une modification de d de 1 Å . Et c’ est la mesure de ce courant tunnel, lors

du balayage de la pointe du STM sur la surface, qui reproduit les variations de morphologie de la surface de l’ é chantillon à imager.

2.3 Principe du microscope

On approche la pointe mé tallique tr è s fine à une distance d de quelques angstr ö ms, de la surface de l’ é chantillon. Puis on applique une diff é rence de potentiel de quelques volts entre ces deux é lectrodes. Il faut que la pointe soit suffisamment fine afin de produire un champ é lectrique intense à son extr é mit é . Et qui cr é era un courant tunnel suffisamment intense et localis é le long d’un e fine colonne, afin d’ atteindre une r é solution atomique.

Idé alement on suppose que la pointe est infiniment fine, se terminant par un unique atome. La sonde pr é sentera ainsi un maximum de r é solution. En effet, la qualit é des images obtenues d é pend surtout de la forme de la pointe : si la pointe STM est trop large par rapport au relief de la surface, on a perte de r é solution car l’ image acquise est une convolution de la zone d’ interaction pointe­é chantillon. La r é solution lat érale obtenue, est ainsi de l’o rdre de grandeur du diam ètre de l’ extr é mit é de la pointe. Un autre problè me dans l’inte rpr é tation des images, est que le courant tunnel d é pend à la fois de la topographie de la surface et de sa structure é lectronique. L’i mage est alors le produit de convolution du profil é lectronique de la surface et de la pointe.

Le courant collect é est mesur é dans un dispositif é lectronique qui d é duira la topologie de la surface, gr â ce aux variations exponentielles de courant avec la sé paration instantané e d. La pointe effectue ainsi un balayage lat é ral de l’ é chantillon, à courant constant donné (c’e st­ à ­ dire à distance constante de la surface), à l’ aide de l’a sservissement à une boucle de r é gulation. La pointe joue ainsi le r ô le d’ une sonde locale qui d é termine la densité é lectronique de la surface. Lorsque la surface de l’ é chantillon pr é sente un travail de sortie constant, le mouvement de la pointe suit la topographie de la surface, à l’ aide d’un pi ézo, asservi au courant constant fix é . On obtient une repr é sentation tridimensionnelle de la surface à l’ aide de c é ramiques pié zoé lectriques, qui assurent les d é placements de la pointe avec une pr é cision de l’ ordre de la fraction d’ angstr ö m. Les pié zos permettent des balayages lat é raux dans le plan de la surface, ainsi que des variations normales à la surface. L’ é chantillon à é tudier peut ê tre d é placé selon la normale à la surface, gr â ce à un syst è me de translation pi é zoé lectrique.

Les images sont obtenues avec le STM travaillant en mode courant constant. Ainsi, le courant tunnel mesur é et amplifié , est compar é avec une valeur de r é f é rence impos é e par l’e xp é rimentateur. On la choisit comme é tant la distance minimum d’a pproche d ésir é e. Afin de r é duire cette erreur, la position verticale de la pointe est ajust é e par le systè me de feedback. On obtient alors une image topographique de la surface, à densit é é lectronique constante. Elle apparaî t sous forme de contrastes d’ intensit é s selon Z ; la couleur la plus foncé e correspondant au d é placement le plus grand de la pointe, n é cessaire pour maintenir le courant constant.

Un logiciel informatique de pilotage et d’a cquisition asservit le STM à un ordinateur. Il permet le choix du mode de fonctionnement, ainsi que le contr ô le du balayage de la surface

par la pointe. On peut ainsi s électionner la vitesse de scannage, la r é solution en pixel de l’ image et les dimensions de l’ image. Un logiciel de traitement et de visualisation des donn é es permet une analyse des images acquises. Il permet d’ appliquer des fonctions de filtration, de retirement d’ un plan moyen, de coupe de profil etc. sur la portion de l’im age s é lectionné e.

3. THEORIE SUR LA METHODE EXPERIMENTALE DE L’AFM

Diff é rentes m éthodes existent pour explorer les prot é ines et l’ ADN, chacune ayant ses avantages et inconvé nients. Citons la diffraction de rayons X, la r é sonance magn é tique nucl é aire, la diffusion de la lumi è re, le microscope é lectronique et le microscope à force atomique. Dans ce travail, nous utiliserons la seule technique qui permet une observation directe de prot éines, d’ ADN et d’ autres é chantillons biologiques non conducteurs; dans des conditions physiologiques et d’ atteindre une r é solution laté rale de 10nm. Les caracté ristiques des mat é riaux non­conducteurs (systè mes biologique, polym è re… ) s’ ouvrent ainsi à nous. Remarquons qu’ il est n é anmoins possible d’ob server des é chantillons biologiques isolants avec un STM, si on d é pose une couche mé tallique sur la surface.

3.1 Principe du microscope à force atomique

Apr è s l’inv ention du microscope à effet tunnel (STM) limit é à l’ é tude des é chantillons conducteurs ou semi­conducteurs,Binning, Quate et Gerber d é veloppè rent en 1986 le microscope à la force atomique (Atomic Force Microscope ou Scanning Probe Microscope). La topographie d’un é chantillon isolant peut ê tre obtenue, aussi bien à l’a ir que dans un liquide. L’ é chantillon est fix é sur un tube, dispositif compos é de cé ramiques pié zo é lectriques permettant des d é placements dans les trois directions de l’ espace XYZ avec une pr é cision de

0.1 Å . La sonde de l’ AFM est une pointe ultrafine int é gr é e à l’ extré mit é d’un levier flexible et sensible à des forces plus faibles que les forces interatomiques. Les d é flections du levier (~0.1

Å ) r é sultant des vibrations de forces (~pN) entre la pointe et l’ é chantillon lors du balayage

sont mesur é es le plus souvent par une dé tection optique (dans le premier AFM, la d é tection se faisait à l’a ide d’ un STM). Un faisceau laser est focalis é sur le levier puis r é flé chi dans une photodiode coupé e en deux ou quatre quadrants. Le signal diff é rentiel donne la d é formation du levier et donc la force d’ interaction, puisque le levier ob é it à la loi de Hooke (F= ­ kz) pour de petits d é placements. Dans le mode de fonctionnement standard (en contact), la force est maintenue constante durant le balayage (XY) à l’a ide d’ une boucle de r égulation qui ajuste la position Z de l’ é chantillon. La force mesur é e F m est compar é e à une force de r é f é rence F c . Un correcteur é lectronique permet d’ annuler l’ erreur F= F m ­ F c , en modifiant la position Z de l’ é chantillon pour maintenir la force d’int eraction d é sir é e. La position Z en fonction des positions XY de l’ é chantillon donne la topographie de la surface. La caracté ristique essentielle des leviers (en silicium ou nitrure de silicium) est la constante

é lastique k. Il faut avoir un k petit (par rapport à k atom 10N/m), tout en ayant une fré quence de r é sonance grande (pour minimiser la sensibilit é au bruit). Si ces leviers sont trop mous, la

d é flection est trop importante, au contraire, s’ils sont trop rigides, ils risquent d’ endommager

l’ é chantillon et la sensibilité aux forces est plus faible.

3.2 Les forces dans l’AFM

Parmi les quatre forces fondamentales pr é sentes dans la nature (forte, faible, gravitationnelle et é lectromagné tique), seules les interactions d’or igine é lectromagné tique sont à considé rer lorsqu’on é tudie des interactions inter atomiques. Les interactions entre la pointe et

l’ é chantillon, et donc le processus responsable du contraste dans les images AFM, sont d’un e

grande complexit é . Les atomes se trouvant à l’ extr é mité de la pointe participent aux interactions à courte port é e, tandis que la grande partie de la pointe contribue aux forces à longue port é e. En plus de la pointe et de l’ é chantillon, l’ environnement joue un r ô le important (constante dié lectrique… ). Durant le balayage, l’int eraction devient un processus dynamique ; les liaisons pointe­ é chantillon sont sans cesse formé es et cass é es.

Lorsqu’on tr availle à l’a ir, les forces les plus importantes sont :

­ Les forces de capillarit é s qui jouent un r ô le important si l’ exp é rience est conduite dans des conditions ambiantes. La surface de l’ é chantillon est recouverte d’ une couche d’ eau (é paisseur de 50Å à 500 Å selon le degr é d’humid it é ). Cette force dé pend fortement de la forme de la pointe. Une estimation donne une force de capillarit é de 30 nN, d’o ù la n é cessit é de travailler dans un environnement d’ azote sec ou de plonger le syst è me levier­ é chantillon dans un liquide ou encore d’uti liser une pointe hydrophobique; ­les forces é lectrostatiques ;

Lorsqu’on travaille dans les liquides, la force de capillarit é n’ est plus que d’ environ 100 pN. Les forces importantes sont maintenant :

­les forces de Van der Waals, presque toujours attractives: c’ est un effet purement quantique provenant des fluctuations du dip ô le (dispersion) é lectrique de l’ atome. Il est possible de modé liser le syst è me pointe­ é chantillon comme une sphè re sur une surface plane. La force de Van der Waals dans ce cas :

F(r) = ­AR / 6r 2

o ù R est le rayon de la pointe et A est la constante de Hamaker (d é pend du mat é riau et de la

densité ). Une valeur typique de A est ~10 ­19 J, donnant des forces entre la pointe et

l’ é chantillon entre 10 ­10 N et 10 ­9 N selon le liquide. Notons qu’il existe dans certains liquides une forme ré pulsive de la force de Van der Waals ;

­la force de "double layer" due à la pr é sence d’i ons dans la solution et de charges sur le levier (force é lectromagné tique).

De plus, il y a la force r é pulsive de Born (interaction d’ é change due au principe d’ exclusion de Pauli), allant selon r ­12 qui est toujours pr é sente.

La r é solution de l’ AFM est d étermin é e par la d é pendance spatiale de l’ interaction pointe­ é chantillon. La somme des contributions attractives et r é pulsive donne un potentiel de Lennard­Jones : U(r) = 4 [ (/r) 12 ­ ( /r) 6 ]

3.3 Les diffé rents modes de fonctionnement

l’ AFM peut op é rer dans plusieurs modes. Dans le mode consta nt d é flection, la d é flection, et donc la force, est maintenue constante par la boucle de r é gulation, qui contr ô le la position Z de l’ é chantillon. En principe, on peut choisir aussi bien une force attractive que r épulsive comme force de r é f é rence. Le mode "non­contact" correspond à la plage attractive. C’ est un mode tr ès difficile à op é rer aux conditions ambiantes. G é n é ralement, on choisit de travailler dans le r é gime r é pulsif des forces intermol é culaires 10 ­7 N à 10 ­9 N , de sorte que la pointe et l’ é chantillon sont en contact durant le balayage: c’ est le "contact mode". On choisit la r é gion r é pulsive pour avoir une meilleure r é solution verticale : pour une m ê me variation en distance, la variation de force est plus grande pour des forces r é pulsives que pour des forces attractives. En contrepartie, on risque d’ endommager l’ é chantillon ou la pointe. Lorsque l’ AFM est en mode contact, il est possible de d é tecter la torsion du levier: c’ est le mode LFM (Lateral Force Microscope). L’ image permet d’ob tenir des informations sur les forces de friction entre la pointe et l’ é chantillon. En mode contact, il est possible de travailler avec la boucle de r é gulation ouverte (mode consta nt height ). L’ é chantillon se d é place seulement selon XY, restant à la mê me distance du levier : la topographie est obtenue par d é flection. Ce mode ne peut ê tre utilis é que pour des é chantillons tr è s plats (graphite).

que pour des é chantillons tr è s plats (graphite). Le mode contact correspond au fonctionnement

Le mode contact correspond au fonctionnement traditionnel du microscope, mais il est peu adapté pour l’ é tude des substances biologiques. En effet, un des d ésavantages de rester en contact avec l’ é chantillon est qu’il existe de grandes forces lat é rales; la pointe peut endommager des échantillons nous en les d é formant o ù en d é pla çant des mol é cules faiblement attach é es. Pour rem é dier à ces inconvé nients, un nouveau mode d’op é ration a é té d é veloppé , le "tapping mode", compromis entre le mode contact et le mode non contact. A l’a ide d’un pié zo, on fait osciller le levier proche de sa fr é quence de ré sonance (~10 kHz dans les liquides et ~300kHz à l’ air) avec une grande amplitude d’os cillation (10­100nm), pour

d é passer la force d’a dh é sion de la pointe sur la surface. La pointe est positionn é e en dessus de la surface et "tape" l’ é chantillon à chaque oscillation. L’ amplitude d’ oscillation change avec la topographie : lorsque la pointe touche l’ é chantillon, l’a mplitude est amortie. La boucle de r é gulation garde constante cette amplitude. Il est possible d’ enregistrer diff é rentes donn é es. Le tapping standard consiste à relever les variations Z de l’ é chantillon, mais on peut aussi mesurer la diff é rence de phase entre les oscillations d é livr é es par le pi ézo et les oscillations d é tecté es. Dans ce mode "phase", le contraste procure des informations sur les propri é t é s d’ é lasticit é et de viscosit é de la surface. En tapping mode, le contact a lieu seulement pendant une fraction de p é riode de l’ oscillation, ce qui implique des forces faibles (0.1 à 1 nN). L’av antage de ce mode est l’ é limination des forces lat érales de frottement pr é sentes lorsqu’ on balaie la surface en mode contact. De plus, selon la fr é quence d’os cillation du levier, l’ é chantillon peut paraî tre plus dur. Du fait qu’ il endommage peu les échantillons mous, c’ est un mode tr è s utilisé dans les applications biologiques.

La courbe de force est un graphique de la force pointe­ échantillon en fonction de la position verticale de l’ é chantillon en un point XY donn é fixe. C’ est un mode utile pour trouver les forces s’ exer ç ant entre le levier et la pointe. Pour obtenir une courbe de force, on dé place l’ é chantillon de haut en bas selon Z, et on acquiert les d éflections du levier en fonction de la position de l’ é chantillon

du levier en fonction de la position de l’ é chantillon Il faut bien comprendre que

Il faut bien comprendre que l’ abscisse des courbes de force n’e st pas la distance pointe­ é chantillon, à cause de la d é flection du levier et des d é formations de l’ é chantillon. En plus, il y a une diff é rence de chemin entre l’a pproche et le retrait (hysté r è se). Les deux discontinuit é s sont :

­le "jump­to­contact" lors de l’a pproche qui fournit des informations sur les forces attractives (constante de Hamaker) ­le "jump­to­contact" lors du retrait qui nous renseigne sur l’ adhé sion ( é nergie de surface) ; encore faut­il conna î tre la d é formation de la pointe et de la surface. La ligne de contact donne la rigidit é de l’ é chantillon.

4. MICROSCOPIE : DETAILS TECHNIQUES DU FONCTIONNEMENT DE L’AFM ET DU STM

Une des astuces technologiques clé de ces microscopes se base sur le ph é nom è ne de la pié zo­ é lectricit é d é couvert par Pierre Curie en 1880. Pour certaines matiè res comme le quartz on peut observer que si on impose une diff é rence de potentiel entre deux surfaces oppos é es d'un cristal, il se d é forme dans la direction perpendiculaire à cette diff é rence de potentiel. Inversement, une dé formation induit l'apparition d'une diff é rence de potentiel. L'effet est de l'ordre de 1 micromè tre pour 30V, multipli é par la dimension gé om é trique du cristal. Un arrangement intelligent de cristaux pié zo­é lectriques auquel on applique des diff é rences de potentiel permet alors de contr ô ler au nanom è tre pr ê t la position de la pointe de balayage et de l'échantillon. Le tout est pilot é par une électronique et un ordinateur.

La pointe du microscope est en principe monoatomique à son extr é mit é . Elle s'approche à quelques dixi è mes de nanom è tre de l'é chantillon (nano­ pour 10^­9, donc le nanomè tre est milliardiè me du m è tre).

Pour le STM, le courant é lectrique est de l'ordre du nanoampè re. Ce courant é lectrique passe par le "vide" (l'air est un isolant) entre l'é chantillon et la pointe

Pour l'AFM,on mesure des forces de l'ordre du nanoNewton. Dans le cas de l'AFM, la pointe est d é pos é e au bout d'un rbas de levier fait en silicium (Si). Le bras est "long", environ 450

µ m, et "mince", env. 20 µ m.

Un rayon laser illumine ce bras et la ré flexion est mesur é e par un syst è me de diodes

d é tectrices de lumi è re. Quand la pointe passe d'un rceux à une bosse, la force atomique de

contact augmente et pousse sur le bras de levier qui est est d éform é . La r é flexion de la lumi è re laser change de position sur le dé tecteur et on peut en d é duire la position verticale de la pointe. Une é lectronique de contre­r é action envoie alors une diff é rence de potentiel sur les

pié zos afin de corriger la position du levier et donc de la pointe.

Le logiciel garde la trace de toutes les corrections de positions et permet, apr è s traitement, la cartographie de la surface. Evidement la qualité de la pointe de balayage est cruciale et peut donner lieu à des artefacts

5 MANIPULATION

5.1 Buts de la manipulation

1) Se familiariser avec la microscopie à sonde et avec son mode de fonctionnement. Apprentissage de l’uti lisation du dispositif de mesure AFM ou STM.

2) Se familiariser avec le logiciel d’a cquisition et de traitement des images. Expliciter les paramè tres à disposition pour l’ acquisition des donn é es, et faire varier ces paramè tres en notant leur effet sur l’im age recueillie.

3) Imager avec l’ AFM ou le STM la surface d’un é chantillon. Dé crire qualitativement la structure observ é e. Choisir les param ètres n é cessaires pour l’obt ention d’une image de bonne qualit é et r é solution, puis imprimer les r é sultats obtenus.

Le mat é riel mis à disposition est tr è s d é licat et co û teux. Les é tudiants sont prié s de prendre les pré cautions n é cessaires, pour le bon d é roulement du TP. Une utilisation sans soin des échantillons et de l’appareillage entra î nera des retards dans votre propre exp é rience ! L’assistant doit ê tre averti sur le champ, si le dispositif se met à mal fonctionner. Des initiatives de r é paration ne seront prises que avec l’accord et sous la supervision de l’assistant !

Ce TP doit ê tre consid é r é comme un travail personnel d’apprentissage de l’utilisation du logiciel pour l’acquisition/traitement des images. C’est à vous de passer le temps

n é cessaire pour obtenir des images convenables. Des notices d’utilisation du logiciel seront à disposition de chaque groupe. Vous travaillerez avec l’aide et sous la supervision de l’assistant, mais un investissement personnel vous est demand é !

5.2 Proc é dure exp érimentale

1) Mise sous tension de l'ordinateur et de l'é lectronique des microscopes.

2) Dé marrage du programme de contrô le.

3) Attendre que le programme d é charge le logiciel de pilotage dans les bo îtes d'é lectroniques. L’a pparition d’ une barre d’ é tat et d’ une lumi è re jaune indique le succè s.

4) Placement de l’ é chantillon avec des pincettes sur le porte­ é chantillon. Placement à la main du porte­ é chantillon à ~ 4 mm de la pointe: attention à ne pas toucher la pointe !!!! Ne jamais toucher avec les doigts l'échantillon ou la pointe.

5) Placement de la coupole en verre sur le dispositif

6) Soyez dé licat dans vos manipulations: on parle de nanom ètres et nanoampè re. Le support du dispositif ne doit plus ê tre touch ée lors de l’a pproche de la pointe, ni lors de toute l’a cquisition des images !

7) Cliquez le bouton du programme indiquant la flè che en bas, pour une approche du porte é chantillon à ~2 mm de la pointe. Ouvrez le panneau de feedback et assurez vous que les paramè tres satisfont :

SetPoint (tunneling current) 1.00nA, GapVoltage (tension pointe­é chantillon) 0.05V, P­Gain 12 et I­Gain 1. Ensuite cliquez le bouton contr ô le pour l'approche automatique.

8) Les vibrations m é caniques et acoustiques doivent maintenant ê tre minimis é es.

9) Un indicateur apparaî t à l’ é cran lorsque l’a pproche est r é ussie. La diode sur le dispositif tourne au vert lorsque le courant tunnel est d é tecté .

10) Evitez la lumi è re directement incidente sur votre é chantillon durant la mesure.

11) L’ acquisition commence directement. Observez les mouvements de la pointe et la construction de l'image.

12) Lorsque l’im age contient une couleur totalement uniforme, choisissez le bouton « plain » pour ajuster le scan de la pointe sur une aire d éfinie de surface.

13) En fonction des options du logiciel, ajustez la position relative de l'é chantillon et de la pointe. On cherche des r é gions plates peu accident é es !

14) Suivant les conditions de travail, on est sujet à d'é normes dilatations thermiques de la pointe ou de l'é chantillon; il faut alors patienter que tout se ré gularise. L’ é quilibre thermique est mieux conserv é si le nombre de personnes dans le lieu de mesure reste constant.

15) Am é liorez la ré solution, agrandissez l'é chelle etc. Une fois une bonne image acquise, l'enregistrer et l'imprimer.

5.3 Proc é dure en cas de mauvais ré sultats

Si les images consistent en des lignes non corr é l ées

Si elles sont é tiré es (floues) en un endroit

Si les lignes dans Line View sont instables

Si, d’ une image à l’ autre la topographie est chang é e

Alors commencez par choisir d’ autres paramè tres d’ acquisition, ceux choisis pourraient ne pas correspondre à un fonctionnement stable du syst è me é lectronique. Si n é cessaire utilisez les boutons « reset » pour retrouver les valeurs par d é faut !

Poursuivez en changeant via le logiciel, l’ emplacement de la pointe sur l’ é chantillon. Rescannez sur la nouvelle surface choisie.

Il se peut aussi qu’une particule/impureté ait é té attrapé e par la pointe, il faut alors « nettoyer » la pointe en appliquant une forte tension ou un fort courant, afin d’ é jecter la particule. Apr è s cette procé dure que vous ferez avec l’a ssistant, changez l’ emplacement de la pointe avec le logiciel.

Si n é cessaire retirez et r é initialisez l’a pproche ! Avant de rapprocher la pointe, tournez le porte é chantillon pour scanner un autre endroit de la surface !

Si tout ceci a é t é inutile, adressez vous à votre assistant, d’autres m é thodes peuvent ê tre employ ées pour amé liorer vos ré sultats !!