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TUTORZATE

ORCAD: Simulacin en condiciones no ideales.


Simulacin con modelos de alta aproximacin al dispositivo real.
Fabin Martnez O. 11/06/2012

Este documento es una produccin original y cualquier copia o reproduccin total o parcial queda expresamente prohibida para fines comerciales. De uso acadmico. Ms informacin:

3.5.1 Simulacin bajo condiciones no ideales, secuencia de conmutacin no apropiada y carga resistiva. En este anlisis se ha implementado el modelo de aproximacin real suministrado por el fabricante, a partir del cual se gener sus respectivas libreras para la herramienta de simulacin ORCAD, proceso descrito a continuacin:

a. Generacin del archivo .MOD Como primer paso, se cre el archivo con extensin .MOD, esto a partir de la informacin suministrada por el fabricante en su pgina WEB. Para el caso del modelo de IGBT empleado, IOR RECTIFIER suministra la siguiente informacin: .SUBCKT irg4pc40ud 1 2 3
************************************** * Model Generated by MODPEX * *Copyright(c) Symmetry Design Systems* * All Rights Reserved * * UNPUBLISHED LICENSED SOFTWARE * * Contains Proprietary Information * * Which is The Property of * * SYMMETRY OR ITS LICENSORS * *Commercial Use or Resale Restricted * * by Symmetry License Agreement * ************************************** *Model generated on Jan 31, 97 * MODEL FORMAT: SPICE3 *Symmetry IGBT Model (Version 1.0) *External Node Designations *Node 1 -> C *Node 2 -> G *Node 3 -> E M1 9 6 8 8 MSUB L=100u W=100u * Default values used in MSUB: * The voltage-dependent capacitances are * not included. Other default values are: * RD=0 RS=0 LD=0 CBD=0 CBS=0 CGBO=0 .MODEL MSUB NMOS LEVEL=1 +VTO=5.94387 KP=0.214059 LAMBDA=1.66093 CGSO=2.00187e-05 RD 7 9 1e-06 RS 4 8 1e-06 D1 3 1 D4PC40U .MODEL d4pc40u d +IS=1.65917e-10 RS=0.0270533 N=2 EG=1.3 +XTI=0.5 BV=600 IBV=0.00025 CJO=3.27714e-9 +VJ=0.491101 M=0.101102 FC=0.5 TT=1.99996e-08 +KF=0 AF=1 Q1 4 7 1 QSUB OFF .MODEL QSUB PNP +IS=1e-17 BF=4.47778 NF=0.85 VAF=88.0979 +IKF=493.458 ISE=3.54824e-11 NE=1.47478 BR=10.1202 +NR=0.75 VAR=142.787 IKR=1134.64 ISC=9.98961e-12 +NC=1.98439 RB=0.0001 IRB=1073.98 RBM=0.0001 +RE=1e-08 RC=0.000222891 XTB=0 XTI=3.54269 +EG=1.2 CJC=1.45053e-09 VJC=1.82764 MJC=0.9 +CJE=2.90106e-08 VJE=0.4 MJE=0.9 TF=2.99912e-09 RDS 7 4 1e8 RER 4 100 0.0005 LE 100 3 23e-9 RG 6 2 13.9403 RL 10 11 1 D2 12 11 DCAP * Default values used in DCAP: * RS=0 EG=1.11 XTI=3.0 TT=0 * BV=infinite IBV=1mA .MODEL DCAP D IS=1e-32 N=50 +CJO=4.12619e-09 VJ=0.4 M=0.9 FC=0.5 D3 0 11 DL * Default values used in DL: * EG=1.11 XTI=3.0 TT=0 CJO=0 * RS=0 BV=infinite IBV=1mA .MODEL DL D IS=1e-10 N=0.4 VFI2 12 0 0 FI2 6 7 VFI2 -1 EV 10 0 7 6 1

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CAP 10 13 1.09768e-09 RCAP 10 14 1 D4 0 14 DL VFI1 13 14 0 FI1 6 7 VFI1 -1 .ENDS irg4pc40ud

Esta informacin ha sido copiada en un archivo de texto, al cual posteriormente se le cambi su extensin de .TXT a .MOD

b. Creacin del archivo .LIB

Figura 24. Importacin del archivo .MOD del IGBT para la creacin del el archivo .LIB

Mediante la herramienta PSPICE MODEL EDITOR de ORCAD, se gener el archivo .LIB, el cual contiene la informacin necesaria de los parmetros del modelo para su simulacin en ORCAD. Los paso a seguir para lograr esto es en las opciones de PSPICE MODEL EDITOR -> MODEL -> IMPORT, donde se busca el archivo con extensin .MOD que se cre anteriormente, como el ejemplo que se observa en la figura 24.

Es fundamental la generacin de este archivo, si se desea realizar una simulacin con el modelo aproximado real del dispositivo, ya que ste archivo es una librera que contiene los determinados modelos de simulacin.

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Figura 25. Creacin del archivo .LIB

Una vez se ha importado el archivo .MOD se realiza la creacin del .LIB desde la misma herramienta desde FILE -> SAVE AS obteniendo un resultado similar al mostrado en la figura 25, en la cual el programa nos permite guardarlo con la extensin .LIB. c. Creacin del archivo .OLB Posterior a la creacin del archivo .LIB se debe generar un archivo del mismo pero con la extensin .OLB el cual es una librera que contiene los smbolos o esquemticos del modelo a simular, esto e utilidad en el instante de realizar conexiones entre el nuevo dispositivo generado y los dems presentes en las distintas libreras del programa. Igualmente es requisito su generacin si se desea la implementacin del circuito esquemtico en una PCB, aunque aclarando que ste no esta asociado con la existencia o no de su respectivo FOOTPRINT en el programa de diseo de PCB, en este caso, ORCAD LAYOUT. Los pasos para generar el archivo de extensin .OLB son: FILE -> EXPORT TO CAPTURE PART LIBRARY, llegando hasta la opcin mostrada en la figura 26. All es posible seleccionar dnde y en que tipo de formato se desea guardar, para este caso en .OLB.

Figura 26. Creacin del archivo .OLB

Posterior a esto, se procede con la asociacin del archivo .OLB generado con un smbolo esquemtico, mediante la herramienta MODEL IMPORT WIZARD [CAPTURE] disponible en ORCAD 10.5. Para ejecutarlo seprocede desde PSPICE MODEL EDITOR FILE -> IMPORT WIZARD [CAPTURE] generando una interfaz de seleccin y configuracin como las observadas en las figura 27, 28, 29 y 30 para la ubicacin del archivo, resumen de la configuracin, seleccin de esquema y asignacin de pines, respectivamente.

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Figura 27. Ubicacin del archivo generado

Figura 28. Resumen de la configuracin adoptada para el modelo.

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Figura Seleccin del smbolo esquemtico

29.

Figura 30. Asignacin de pines.

Lo relevante de los procedimientos descritos en los literales a, b y c, es la realizacin de simulaciones con los modelos aproximados reales para tener un estimado de los resultados a esperar en un montaje real, como lo es la entrega en fsico del proyecto aqu descrito. La figura 31, muestra el esquemtico empleado para la simulacin del inversor trifsico implementado con el modelo del IGBT. Cabe resaltar que para los IGBT de la parte alta de las ramas del puente H, se suministr tensiones para VGS de 15 [V] a travs de una fuente en serie con una resistencia para el acoplamiento de la fuente, esto con la intencin de ocasionar la conmutacin de los dispositivos. A su vez, cada una de estas fuentes representa los 6 PWM generados por el circuito integrado MC3PHAC, teniendo especial consideracin de evitar que transistores de la misma rama se activen en el mismo instante, ya que esto tanto en la simulacin como en su implementacin prctica, generara un corto circuito considerablemente peligroso, no solo por llevar el dispositivo a su destruccin sino tambin para las personas que estn manipulando el circuito.

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En la figura 32 es posible ver los resultados obtenidos para esta implementacin, en donde se puede apreciar que dichos resultados son cercanos a los obtenidos para un modelo ideal, lo que indica que el modelo del IGBT y las tensiones de excitacin han sido correctamente implementados. Se observa al igual que en el caso anterior que existen niveles inferiores a los mximos esperados, por la misma causante explicada. Dado que la seal de salida observada en esta figura es muy cercana a la esperada en el modelo ideal, es posible deducir que el comportamiento del modelo IGBT es ptimo y satisface el rendimiento esperado para este tipo de dispositivos semiconductores, como se describi en el numeral 3.5.

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