Experimento 3 Termostato eletrnico.

Disciplina: EN2712 Sensores e Transdutores.

Discentes: Douglas Henrique Fernando Henrique Gomes Zucatelli Pedro Caetano de Oliveira Turma: A/Diurno Prof Dr. Carlos Alberto Reis Filho.

Santo Andr, 08 de Dezembro 2011

Sumrio
1. 2. 3. 4. RESUMO ........................................................................................................................... 2 INTRODUO .................................................................................................................. 2 OBJETIVOS ....................................................................................................................... 3 PARTE EXPERIMENTAL ................................................................................................ 3 4.1. Materiais e equipamentos ............................................................................................ 3 4.2. Procedimentos .............................................................................................................. 4 4.2.1. Determinao da curva de Vbe. ............................................................................ 4 4.2.2. Caracterizao de R5 para histerese de 10C. ...................................................... 5 4.2.3. Caracterizao de R2 para operao entre 50C e 60C. ...................................... 5 5. RESULTADOS E DISCUSSO ....................................................................................... 6 6. CONCLUSO .................................................................................................................... 9 7. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ............................................................................. 10

1. RESUMO
A partir de um diodo foi possvel criar um sensor de temperatura, baseado na tenso Vbe desse componente, que depende do valor dessa varivel, e condicionar esse sinal em um circuito com um comparador regenerativo. Assim, foi estabelecido um intervalo de histerese e o valor dos componentes do circuito necessrios para os resultados desejados foi calculado. O circuito se comportou bem prximo do esperado pelo projeto e os nicos erros foram devido ao valor real dos componentes, que foi compensado com o ajuste por meio de um potencimetro.

2. INTRODUO
O sensor utilizado nesse projeto foi um diodo, mas o comportamento pelo qual estamos interessados tambm ocorre no transistor, j que, por se tratarem ambos de materiais semicondutores, apresentam dependncia com a temperatura nos valores de tenso nas junes que ocorrem em suas estruturas. Um comportamento caracterstico destes elementos sua curva de tenso Vbe como resposta da temperatura a que o componente submetido ser linear, o que torna estes sensores especialmente interessantes para medidas de temperatura. Este comportamento linear esta relacionado maneira pela qual um ganho de energia de um eltron de silcio passa da banda de valncia para a banda condutora, que modelado pela equao(1):
Vg = Vg (T ) Vg 0 T

(1)

Tipicamente uma juno semicondutora pn com uma corrente de 1mA apresenta uma variao de -2mV/ C. Uma das grandes vantagens de se trabalhar com um sensor linear a sua facilidade de calibrao, bastando tomar dois pontos de sada em funo de duas diferentes entradas no sensor para se obter uma reta que corresponde funo de transferncia do sensor e faz a correspondncia dos valores de entrada e sada. Outro elemento utilizado no circuito implementado o amplificador operacional, que, de forma resumida, pode ser utilizado para amplificar uma tenso ou diferena de tenso aplicadas em sua entrada, alm de apresentar diversas funcionalidades dependendo da forma como inserido no circuito e dos componentes que interagem com ele.

No caso do circuito projetado, o amplificador operacional funcionou principalmente como um comparador (outro tambm foi inserido como buffer), permitindo a insero de uma histerese e a manuteno de uma faixa de tolerncia para o qual o circuito comuta a sada.

3. OBJETIVOS
O objetivo deste experimento foi projetar um circuito que, a partir da sada de um elemento sensor de temperatura (diodo), aciona-se um LED em um valor mximo de temperatura e o apagasse em um valor mnimo, funcionando dentro de um ciclo de histerese entre 50C e 60C.

4. PARTE EXPERIMENTAL 4.1.

Materiais e equipamentos

Multmetro digital bancada 8045A; Multmetro digital Minipa ET-2510; Multmetro digital Politerm VC-9808 (Termopar) Fonte de Tenso Marca Minipa MPL-3303 Placa universal de circuito impresso; Estanho para solda (Liga Estanho-Chumbo); Ferro de Solda; Resistor de fio 10 / 5W;

Resistores (Conforme Tabela 1); Potenciometro 3,3 k ; Diodo 1N4148 como sensor de temperatura; Amplificador (LM324-A); Pasta Trmica; Cabos e fios para conexo.

Tabela 1 Resistores utilizados.

Resistor R1 R2* R3 R4 R5* R6

**Valor 1,641k

Nominal ( ) 100k 23,4k 1k 2k 1,033 M 1k

Medido ( ) 104,7k 22,28k+1,641k=23,921k** 978 1,957k 0,9812M 977

*Valor nominal o valor calculado para os parmetros de histerese e faixa de operao. o valor do potencimetro em srie para realizar o ajuste fino do resistor.

4.2.

Procedimentos

4.2.1. Determinao da curva de Vbe. A Figura 1 mostra o circuito do termostato eletrnico.

Figura 1 Circuito do termostato eletrnico.

Para a determinao da curva de Vbe foi usado o circuito Figura 1 com os resistores R2 e R5 em aberto e com os amplificadores alimentados com +12Vcc e 0V. Dessa forma, o circuito de polarizao do sensor, um diodo 1N4148, constitudo pelo resistor R1. O diodo foi posto em contato (com o auxlio de pasta trmica) com um resistor de potncia submetido fonte de tenso varivel juntamente com o termopar para monitorar a temperatura. Dessa forma, foi ajustada uma reta aos pontos coletados, sempre aguardando o termopar indicar uma temperatura estvel do resistor e a indicao de Vbe pelo multmetro tambm se tornar estvel.

Com o valor do coeficiente angular da reta, que o coeficiente trmico do diodo, foi possvel determinar os resistores R5 para a faixa de histerese e R2 para o qual esta faixa deva variar. 4.2.2. Caracterizao de R5 para histerese de 10C. A Figura 2 apresenta o detalhe da parte do amplificador configurado para operar com comparador regenerativo.

Figura 2 Detalhe do circuito amplificador.

A partir da Figura 2, aplicando-se o conceito de diviso de tenso, pode-se chegar em (2).

Vx = R6 R5 .Vs + .V2 ( R5 + R6 ) ( R5 + R6 )

(2)

Para realizar o dimensionamento do circuito para o ciclo de histerese desejado deve-se partir do fato de que Vx o mesmo para os diferentes valores de Vs e V2. Os valores de V2 advm da sada do outro amplificador da Figura 1, que est configurado para operar como buffer, assim V2 ser o Vbe do diodo em funo da temperatura do mesmo. Assim temos (3), onde F denota a temperatura mais Fria e Q denota a temperatura mais quente do ciclo de histerese:
Vx = R6 R5 R6 R5 .Vsmax + .VbeF = .Vsmin + .VbeQ ( R5 + R6 ) ( R5 + R6 ) ( R5 + R6 ) ( R5 + R6 )

(3)

Assim equacionando tem-se(4): R6 .Vsmax + R5 .VbeF = R6 .Vsmin + R5 .VbeQ R5 .(VbeF VbeQ ) = R6 .(Vsmin Vsmax ) R5 = R6 .
(Vsmin Vsmax ) (Vs Vsmin ) = R6 . max (VbeF VbeQ ) (VbeQ VbeF )

(4)

4.2.3. Caracterizao de R2 para operao entre 50C e 60C. Do circuito da Figura 1 nota-se a presena de um divisor de tenso formado por R2 e R3 na entrada inversora do amplificador, correspondente a V1 na Figura 2. O

funcionamento do comparado baseado na mudana no sinal da diferena entre V1 e Vx, assim o dimensionamento de R2 feito igualando V1 a Vx conforme(5) Vx = V1 = R3 R .V .VCC Vx .( R2 + R3 ) = R3 .VCC R2 = 3 CC R3 R2 + R3 Vx (5)

5. RESULTADOS E DISCUSSO
A Tabela 2 apresenta os valores de Vbe medidos em diferentes temperaturas.
Tabela 2 Valores de tenso Vbe em funo da temperatura.

T (C) 1 30 35 45 50 55

V (V) 0,557 0,497 0,493 0,482 0,485 0,472

T (C) 60 70 75 80 85 90

V (V) 0,480 0,473 0,469 0,465 0,459 0,449

A Figura 3 exibe o grfico dos dados da Tabela 2de onde se obtm

Vbe T = 0, 001V/C = 1mV/C .

Como este valor metade do esperado de 2mV/ as medies foram C, repetidas mais 2 vezes, todavia tomando-se apenas dois pontos distintos da reta, e em ambas medies, o valor encontrado foi prximo do citado acima. Para os clculos foi utilizado o valor de 0,92 mV/ tomando a temperatura quente C ligeiramente superior a 60 e a fria de referncia o valor temperatura ambiente. C

Figura 3 Tenso de Vbe em funo da temperatura.

A tenso de sada mxima (Vsmax) para a alimentao de +12Vcc (11,98V medidos) foi de 10,67V, obtida com R5 aberto e R2 tambm em aberto. O valor mnimo de sada (Vsmin) foi obtido com R5 em aberto, porm com R2=0. Utilizando o valor medido de R= chegou-se ao valor de R5 descrito em(6):
R5 = R6 . (Vsmax Vsmin ) (10, 67 0,935) V = 977. = 1, 033M (VbeQ VbeF ) (0, 0092V )

(6)

Por sua vez o valor de V1 calculado com Vcc=11,98V e Vx=0,48V (este valor foi confirmado ser constante experimentalmente para assegurar a afirmao da Eq.(3)), portanto tem-se R2 dado por(7):
R2 = R3 .VCC 978.11,98 R3 = 978 = 23, 4k Vx 0, 48

(7) adicionado

O valor de R2 foi ajustado partindo-se de um R2 nominal de 22k

com um potencimetro em srie para realizar o ajuste fino de forma a mudana na sada do amplificador no aquecimento ocorresse em 60 Aps alguns ciclos de C. aquecimento o valor que propiciou a mudana foi de 1,641k . Um ciclo de aquecimento e resfriamento aps o ajuste do potencimetro apresentado entre a Figura 4 e a Figura 6.

Figura 4 Tenso de Vbe no inicio do ciclo de aquecimento antes da temperatura baixa.

Nessa figura, tem-se o valor, no ciclo de aquecimento, do limite inferior da histerese, usado como base para a anlise do circuito projetado. Percebe-se que, como projetado, o LED mantm-se apagado.

Figura 5 Tenso de Vbe passando pelo ponto de troca quente em 60 C.

Dando continuidade ao ciclo de aquecimento do diodo, observou-se que, em 61 houve a mudana do estado do LED, prximo do que havia sido projetado C, para um limite superior de histerese de 60 C.

Figura 6 Tenso de Vbe passando pelo ponto de troca fria do ciclo de aquecimento em 50 C.

Finalmente, no ciclo de resfriamento do diodo, j tendo cruzado o limite superior da histerese e acendido o LED, observou-se que o LED manteve-se aceso at cruzar o limite mnimo da histerese, em que houve seu desligamento. Esse limite mnimo, originalmente projetado para ser de 50 foi de 46 C, C, dessa maneira, o circuito apresentou uma histerese de cerca de 15 C. Vale mencionar que um potencimetro de valor total 3k3 superior da histerese bem prximo do desejado. foi inserido em srie com R2 para se realizar o ajuste dessa resistncia e, assim, obteve-se um valor

Para o caso do valor do limite inferior da histerese, com o intuito de realizar um ajuste mais fino, poder-se-ia tambm inserir um potencimetro em srie com R5, melhor calibrando o valor da resistncia. Nesse caso, porm, seria necessrio um potencimetro de maior valor, j que o valor de R5 alto e, para o ajuste, deveria ser inserida uma resistncia extra prxima de 53k , que seria, basicamente, a diferena entre o valor calculado e o inserido no circuito, considerando o valor real do resistor. Durante a realizao dos ciclos de aquecimento e resfriamento percebeu-se como o tempo de resposta do diodo era menor que o do termopar. O termopar detectava mudanas de temperatura muito mais abruptas do que o diodo, dessa forma, durante a realizao dos ciclos de ajuste, teve-se o cuidado de variar lentamente a tenso sobre o resistor de potncia quando o termopar indicava a proximidade com a temperatura de transio. Nos primeiros ciclos chegou-se a ter variaes cujo valor no termopar indicava 70 entretanto a tenso Vbe era correspondente a algo na faixa entre 60 e 63 C, C C (0,470V e 0,467V).

6. CONCLUSO
O circuito construdo apresentou comportamento real bastante prximo do esperado segundo o projeto. Sendo que, na prtica, verificou-se que essa diferena se deve ao valor real dos componentes, que difere do valor calculado tanto pelo valor real do componente, que apresenta um desvio em relao ao nominal, quanto pela existncia de um componente que apresente o valor exato calculado. A soluo aplicada foi simples, bastando acrescentar um potencimetro em srie com os resistores responsveis pela caracterizao da histerese de maneira que possa ser realizado o ajuste da sada segundo a temperatura medida. Esse processo foi aplicado no resistor de menor valor (R2), permitindo um ajuste extremamente prximo do desejado para o limite mximo da histerese. O ajuste do limite inferior exigiria um potencimetro de maior valor inserido em srie com o resistor que controla a entrada do comparador. Esse circuito til em aplicaes prticas quando se quer estabelecer um controle em um sistema do tipo on-off, de forma que a sada no seja

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constantemente mudada em funo de uma entrada varivel, mantendo um limite mximo, mnimo e um intervalo sem mudana entre esses dois limites.

7. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

FIRMO, Davidson Lafitte; Eletrnica 1 Universidade Federal de Itajub. Disponvel em <http://www.cpdee.ufmg.br/~lafitte/eletronica1/Aula_amp_op_06.pdf>. Acesso em 24 de Nov. 2011. REIS FILHO, Carlos A.. Aula-12 - Outros sensores de Temperatura Efeito trmico em transistores. 26 f. Notas de aula. UFABC, Santo Andr, 2011. Disponvel em <http://carlosreis.webs.com/en2712-12.pdf>. Acesso em 05 de nov. 2011.