Polarizacin de un diodo

Carrera: Curso: Profesor: Alumnos: Ing. en Energa Electrnica general Ing. Huacccha Salazar Ever Andamato Pacheco Jorge. Retamozo Molina Vilma. Sosa Diaz Yhonatan.

Marco terico
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor

Diodo semiconductor
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones). Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento. A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.

La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Polarizacin directa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

 Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

Experiencia en el laboratorio Objetivos:

Analizar el funcionamiento de un diodo.

Materiales Utilizados.
Una fuente de alimentacin regulada Un diodo 1N4007 Un diodo LED Verde y Un diodo LED Rojo

Trabajo previo
Investigar todos los datos que sean necesarios para llevar a cabo la prctica, tales como lmites de voltaje y corriente del mismo de todos los componentes, configuracin de conexiones, etc. Realizar los clculos tericos necesarios para determinar los voltajes y corriente en el circuito a realizar. Tomar nota de los Instrumentos utilizados. Verificar con el multimetro el buen estado del diodo 1N4007 y los diodos LED. Valores de las Resistencias.

Procedimiento.
1.-Montaren el Proto Board el siguiente circuito. D1=1N4007

Paso 1
Colocar la resistencia de 100 Ajustar la fuente de alimentacin V a 12 voltios tensin continua Tomar la medicin de voltaje y la corriente en el diodo y llenar en la tabla 1. Repetir con los diversos valores de la fuente hasta completar los valores de la tabla 1.

DATOS SIMULADOS DIODO 1N4007 R= 100 FUENTE V 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 -0.5 -1 -2 VOLTAJE DEL DIODO 784.358 mV 779.127 mV 773.407 mV 767.087 mV 760.013 mV 751.966 mV 742.611 mV 731.41 mV 717.401 mV 698.611 mV 669.836 mV 606.439 mV 499.611 mV 576.985 mV 554.766 mV 522.350 mV 471.138 mV (-) 499.997 mV (-) 999.997 mV (-) 2 V

DATOS MEDIDOS DIODO 1N4007 R= 99 VOLTAJE CORRIENTE CORRIENTE FUENTE DEL DIODO DEL DIODO DEL DIODO V (V) (A) 112.156 mA 12.09 0.807 0.12897 102.208 mA 11 0.793 0.11793 92.226 mA 10 0.78 0.1078 82.329 mA 9 0.776 0.09776 72.4 mA 8 0.774 0.08774 62.481 mA 7 0.767 0.07767 52.574 mA 6 0.763 0.06763 42.686 mA 5 0.754 0.05754 32.826 mA 4 0.744 0.04744 23.014 mA 3 0.73 0.0373 13.302 mA 2 0.706 0.02706 3.936 mA 1 0.991 0.01991 3.065 mA 0.9 0.804 0.01704 2.23 mA 0.8 0.794 0.01594 1.452 mA 0.7 0.669 0.01369 776.504 uA 0.6 0.497 0.01097 288.623 uA 0.5 0.497 0.00997 (-) 32.485 nA -0.5 -0.498 -0.00998 (-) 32.987 nA -1 -1.02 -0.0202 (-) 33.988 nA -2 -2.03 -0.0403

TABLA NUMERO 1 (valores simulados y medidos)

Paso 2.
En el mismo circuito reemplazar la resistencia de 100 por una resistencia de 1K Ajustar la fuente de alimentacin V a 12 voltios tensin continua. Tomar la medicin de voltaje y la corriente en el diodo y llenar la tabla 2. Repetir con los diversos valores de fuente de alimentacin hasta completar los valores de la tabla 2
DATOS SIMULADOS DIODO 1N4007 R= 1 K FUENTE V 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 -0.5 -1 -2 VOLTAJE DEL DIODO CORRIENTE DEL DIODO DATOS MEDIDOS DIODO 1N4007 R= 966 VOLTAJE CORRIENTE FUENTE DEL DEL DIODO V DIODO (mA) 12.1 11.01 10.02 9.05 8.01 7 6.03 5.1 4.07 3.02 2.01 1.01 0.89 0.81 0.69 0.61 0.5 -0.51 -1 -2 0.7 V 0.695 V 0.689 V 0.685 V 0.677 V 0.671 0.663 0.653 0.641 0.623 0.595 0.536 0.521 0.511 0.487 0.467 0.46 -0.4659 -1.02 -2.02 12.8 11.705 10.709 9.735 8.687 7.671 6.693 5.753 4.711 3.643 2.605 1.546 1.411 1.321 1.177 1.077 0.96 -0.9759 -2.02 -4.02

661.495 mV 11.340 mA 656.700 mV 10. 344 mA 651.427 mV 9.349 mA 645.568 mV 8.356 mA 638.977 mV 7.362 mA 631.443 mV 6.639 mA 622.650 mV 5.378 mA 612.089 mV 4.388 mA 598.869 mV 3.401 mA 581.190 mV 2.419 mA 554.523 mV 1.446 mA 499.611 mV 500.45 uA 489.381 mV 410.671 uA 476.968 mV 323.075 uA 461.313 mV 238.698 mA 440.472 mV 159.539 uA 410.550 mV 89.456 uA (-) 499.968 mV (-) 32.485 nA (-) 999.967 mV (-) 32.987 nA (-) 2 V (-) 33.99 nA

TABLA NUMERO 2 (valores simulados y medidos)

2.- Montar en el Proto Board el siguiente circuito. LED1 = LED Verde. Ajustar la fuente de alimentacin Va 12 voltios tensin continua Tomar la medicin de voltaje y la corriente en el diodo y llenar en la tabla 3. Repetir con los diversos valores de fuente de alimentacin hasta completar los valores de la tabla 3

DATOS SIMULADOS DIODO LED VERDE R= 470 FUENTE V 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 -0.5 -1 -2 VOLTAJE DEL DIODO 2.134 V 2.125 V 2.116 V 2.106 V 2.094 V 2.080 V 2.062 V 2.040 V 2.009 V 1.959 V 1.821 V 999.995 mV 899.998 mV 799.999 mV 700 mV 600 mV 500 mV (-) 500 mV (-) 1000 mV (-) 2 V

DATOS MEDIDOS DIODO LED VERDE R= 467 VOLTAJE CORRIENTE FUENTE CORRIENTE DEL DIODO DEL DIODO V DEL DIODO (A) (V) 20.991 m A 12.04 2.243 0.030584582 18.881 mA 11.03 2.07 0.028344754 16.773 mA 10.02 2.178 0.026226981 14.667 mA 9.07 2.147 0.024019272 12.556 mA 0.02 2.108 0.021687366 10.468 mA 7.05 2.074 0.019537473 8.378 mA 6.02 2.44 0.017267666 6.298 mA 5.02 2.07 0.015047109 4.236 mA 40.7 1.961 0.012914347 2.216 mA 3.09 1.917 0.010721627 379.799 uA 2.03 1.821 0.008246253 10.825 nA 1 1.009 0.004301927 3.617 nA 0.91 897 0.003869379 1.552 nA 0.813 814 0.003477516 908.178 pA 0.741 696 0.002970021 657.993 pA 0.6 599 0.002567452 516.32 pA 0.506 505 0.002164882 (-) 500517 pA 0.507 (-) 506 -0.002169165 (-) 1.001 nA -1 (-) 1.008 -0.004299786 (-) 2.002 nA -2.04 (-) 2.03 -0.008715203

TABLA NUMERO 3 (valores simulados y medidos)

3.- Montar en el Froto Board el siguiente circuito. LED1 = LED Rojo. Ajustar la fuente de alimentacin V a 12 voltios tensin continua. Tomar la medicin de voltaje y la corriente en el diodo y llenar en la tabla 4. Repetir con los diversos valores de fuente de alimentacin hasta completar los valores de la tabla 4

DATOS SIMULADOS DIODO LED ROJO R= 470 FUENTE V 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 -0.5 -1 -2 VOLTAJE DEL DIODO 1.830 V 1.825 V 1.819 V 1.812 V 1.804 V 1.795 V 1.784 V 1.770 V 1.752 V 1.722 V 1.655 V 999.998 V 899.999 V 800 mV 700 mV 600 mV 500 mV (-) 500 mV (-) 1000 mV (-) 2 V CORRIENTE DEL DIODO 21.638 mA 19.520 mA 17.407 mA 15.293 mA 13.181 mA 11.073 mA 8.969 mA 6.871 mA 4.783 mA 2.718 mA 735.044 uA 3.428 nA 1.254 nA 852.155 uA 708.12 pA 601.711 pA 500.649 pA (-) 500.491 pA (-) 1.001 nA (-) 2.002 nA

DATOS MEDIDOS DIODO LED ROJO R= 467 VOLTAJE CORRIENTE FUENTE DEL DEL DIODO V DIODO (A) 12.08 11.06 10.01 9.02 8.06 7 6.01 5.09 4.03 3 2.02 1.05 0.919 0.805 0.706 0.601 0.505 -0.504 -1.02 -2 2.335 V 0.030867238 2.29 V 0.028543897 2.246 V 0.026244111 2.203 V 0.02403212 2.157 V 0.021877944 2.11 V 0.019507495 2.064 V 0.017289079 2.021 V 0.015226981 1.966 V 0.012835118 1.907 V 0.010507495 1.817 V 0.008216274 1.05 V 0.004496788 917 mV 0.003931478 804 mV 0.003445396 707 mV 0.003025696 601 mV 0.002573876 505 mV 0.002162741 (-) 500 V -0.002156317 (-) 1.022 V -0.004372591 (-) 2.02 V -0.008650964

TABLA NUMERO 4 (valores simulados y medidos)

Conclusiones
El error de los valores obtenidos mediante la simulacin y medicin es pequeos, y esto puede ser debido a error de contacto entre los componentes de circuito o por la procedencia de los materiales. En la experiencia numero 1 se noto que el valor de la resistencia era muy bajo esto ocasiono que esta se caliente (efecto joule) por lo tanto se calentara el circuito, es posible que la variacin entre los valores medidos y simulados se deba a este efecto. En la polarizacin directa se obtuvo graficas crecientes que obedecen la forma de una Parbola con pendiente positiva y esta se contrasta con la grafica terica. En la polarizacin indirecta se obtuvo graficas decreciente con penitente negativa y se contrasta con la terica.