UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II

RESPUESTA DE ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA INFORME PREVIO 1.-Definir rbb, rbe, rbc, rce, Cbe, Cbc, gm, fB,fT.

rbb=La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parmetro h, hie, que es

la resistencia con la salida en corto. En el modelo hibrido , esta se denomina a menudo como r si se aplica un corto circuito entre el emisor y colector,se obtiene:

hie =r= rbb+( rbe // rbc) rbe=La resistencia de entrada (r en el modelo hibrido) se aproxima por medio de la
razn: r=

rbc=Resistencia de retroalimentacin. rce=Resistencia de salida del transistor. Cbe y Cbc= Son las capacitancias parsitas del transistor. Cbc es la capacitancia
de la unin colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele considerarse constante en una regin de operacin particular del transistor. La capacitancia Cbe, la cuales capacitor base- emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como Cib. Esta capacitancia es la suma de la capacitancia de difusin del emisor y la capacitancia de la unin del emisor. Debido a que el primer capacitor es el ms grande de los dos, Cbe es aproximadamente iguala la capacitancia de difusin (conocida tambin como capacitancia de carga de la base).

gm= Es la relacin de la corriente del colector y el voltaje trmico su unidad es Siemens

1/

fB y fT= son frecuencias caractersticas, fB es la frecuencia para cuando el factor de ganancia del transistor empieza a variar. fT es la frecuencia mxima de operacin del
transistor se da cuando la ganancia es igual a cero.

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2. En el circuito del experimento, de acuerdo al modelo del transistor en altas frecuencias, encontrar una expresin para fB y fT.

56 k

1.5 k 22 F

1k

22 F 2N2222 12 V

Vi 12 k 680 100 F 10 k

Del circuito mostrado: Ai = Ai(jw) = Frecuencia de corte: WB = =

Ai(jw) =
( )

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Despejando WT:

WT =

fT =
Por lo tanto:

fT =

fB

3.-Considerando que Cbc <0.1-50 pF>, Cbe<100-1000pF>, rbe=(VT*hfe)/IEQ , encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito. Consideremos un =100,RB=56k//12k,Ri=1k ,RL=10K .La corriente de polarizacin el transistor IQ =1.99m A. rbe=1.31 k RTH= Rin//ri = 0.536 k AV =80 Cbc=10pF Cbe=100pF

fT = fT=0.326 M Hz.
4.-En altas frecuencias Cul de los modelos de transistor ser ms conveniente? Por qu? La Configuracin de emisor comn porque es la nica que presenta capacidad Miller, y debido a esta capacidad nosotros podemos hallar la frecuencia ms cercana que est en el codo derecho del ancho de banda, ya que esta es mayor a las dems capacidades (parsitas). El modelo hibrido , es la ms conveniente para altas frecuencias ya que cuenta con los parmetros que salen a relucir para altas frecuencias como las capacitancias parasitas.
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