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OBJETIVOS
Conhecer os tipos de materiais quanto organizao atmica e seu comportamento, com nfase nos materiais eltricos e de construo mecnica. Conhecer a tecnologia, tipos de materiais e dispositivos empregados em Engenharia de Controle e Automao.
PROGRAMA
UNIDADE 1 - INTRODUO A CINCIA DOS MATERIAIS 1.1 - Estrutura dos materiais: cristalinos, policristalinos e amorfos. 1.2 - Estruturas cristalinas mais comuns. 1.3 - Propriedades dos materiais e suas origens: mecnicas, eltricas, magnticas, pticas, trmicas e qumicas. UNIDADE 2 - MATERIAIS ELTRICOS 2.1 Principais tipos: condutores, isolantes, semicondutores, magnticos e piezeltricos. 2.2 Aplicaes em controle e automao.
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PROGRAMA
UNIDADE 3 TECNOLOGIA DOS MATERIAIS ELTRICOS 3.1 Dispositivos empregados em eletrotcnica. 3.2 Dispositivos empregados em eletrnica. 3.3 Simbologia de componentes de eletrotcnica e eletrnica. 3.4 Codificao de componentes. UNIDADE 4 - MATERIAIS DE CONSTRUO MECNICA 4.1 Principais tipos: metlicos, cermicos e polimricos. 4.2 Ligas metlicas. 4.3 Tratamentos trmicos e termoqumicos em metais. 4.4 Corroso.
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PROGRAMA
UNIDADE 5 TECNOLOGIA DOS MATERIAIS MECNICOS 5.1 Elementos de transmisso de potncia. 5.2 Elementos de apoio. 5.3 Elementos de fixao. 5.4 Simbologia.
BIBLIOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA BSICA SCHMIDT, VALFREDO. Materiais Eltricos: Condutores e Semicondutores - Vol. 1. So Paulo: Ed Edgard Blucher, 1980. SCHMIDT, VALFREDO. Materiais Eltricos: Isolantes e Magnticos - Vol. 2. So Paulo: Ed Edgard Blucher, 1980. CALLISTER Jr., William D. Cincia e Engenharia dos Materiais Uma introduo. Rio de Janeiro: Editora LTC, 2008. Niemann, G. Elementos de Mquinas. So Paulo: Editora Blucher, 1971. MALVINO, A. P. Eletrnica. So Paulo: Makron Books, 1997.
BIBLIOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTAR CALLISTER Jr., William D. Fundamentos Cincia e Tecnologia dos Materiais Uma abordagem integrada. Rio de Janeiro: Editora LTC, 2006. SMITH, W. F. Princpios de Cincia e Engenharia dos Materiais. Lisboa: Editora McGRAW-HILL, 2008. MATE VAN VLACK, Lawrence. Princpios de Cincia dos Materiais. So Paulo: Editora Blucher, 1970. MARTIGNONI, A. Eletrotcnica. Porto Alegre: Globo, 1980.
AVALIAO
Seminrio (4) Prova (6)
MF = (M1 + M2)/2
- Presena (75%)
Universidade Federal de Santa Maria Departamento de Processamento de Energia Eltrica Engenharia de Controle e Automao
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Consiste num pequeno grupos de tomos que formam um modelo repetitivo ao longo da estrutura tridimensional (analogia com elos da corrente) A clula unitria escolhida para representar a simetria da estrutura cristalina
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CLULA UNITRIA
CLULA UNITRIA
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SISTEMA CBICO
Os tomos podem ser agrupados dentro do sistema cbico em 3 diferentes tipos de repetio
Cbico simples (CS) Cbico de corpo centrado (CCC) Cbico de face centrada (CFC)
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NMERO DE COORDENAO
Nmero de coordenao corresponde ao nmero de tomos vizinhos mais prximos Para a estrutura cbica simples o nmero de coordenao ?
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RELAO ENTRE O RAIO ATMICO (R) E O PARMETRO DE REDE (a) PARA O SITEMA CBICO SIMPLES
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Fator de empacotamento =
4R3/3 (2R) 3
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Filme
RELAO ENTRE O RAIO ATMICO (R) E O PARMETRO DE REDE (a) PARA O SISTEMA CCC
No sistema CCC os tomos se tocam ao longo da diagonal do cubo: (3) .a=4R
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NMERO DE COORDENAO
1/8 de tomo
1 tomo inteiro
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O PARMETRO DE REDE E O RAIO ATMICO ESTO RELACIONADOS PARA ESTE SISTEMA POR: acfc = 4R/(2)1/2 =2R . (2)1/2
Na est. cfc cada tomo dos vertices do cubo dividido com 8 clulas unittias J os tomos das faces pertencem somente a duas clulas unitrias H 4 tomos por clula unitria na Filme 25 estrutura cfc o sistema mais comum encontrado nos metais (Al, Fe, Cu, Materiais Eltricos e EletrnicosPb, Ag, Ni,...) para Automao 25
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a2 + a2 = (4R)2 2 a2 = 16 R2 a2 = 16/2 R2 a2 = 8 R2
a=
2R (2)1/2
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Fator de empacotamento= Nmero de tomos X Volume dos tomos Volume da clula unitria O FATOR DE EMPACOTAMENTO PARA A EST. CFC 0,74
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CLCULO DA DENSIDADE
O conhecimento da estrutura cristalina permite o clculo da densidade (): = nA VcNA
n= nmero de tomos da clula unitria A= peso atmico Vc= Volume da clula unitria NA= Nmero de Avogadro (6,02 x 1023 tomos/mol)
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EXEMPLO:
Cobre tm raio atmico de 0,128nm (1,28 ), uma estrutura cfc, um peso atmico de 63,5 g/mol. Calcule a densidade do cobre.
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rea do tringulo ABC = (base) (altura) = (a) (a sen 60) = a^2sen 60 rea total da base HC = (6) (1/2 a sen 60) = 3 a^2sen 60 Volume da clula unitria HC do zinco = (3 a 2 sen 60) (c)= (3) (0,2665 nm) 2(0,8660) (0,4947 nm) = 0,0913 nm
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SISTEMAS CRISTALINOS
Estes sistemas incluem todas as possveis geometrias de diviso do espao por superfcies planas contnuas
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OS 7 SISTEMAS CRISTALINOS
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AS 14 REDES DE BRAVAIS
Dos 7 sistemas cristalinos podemos identificar 14 tipos diferentes de clulas unitrias, conhecidas com redes de Bravais. Cada uma destas clulas unitrias tem certas caractersticas que ajudam a diferenci-las das outras clulas unitrias. Alm do mais, estas caractersticas tambm auxiliam na definio das propriedades de um material particular.
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POLIMORFISMO OU ALOTROPIA
Alguns metais e no-metais podem ter mais de uma estrutura cristalina dependendo da temperatura e presso. Esse fenmeno conhecido como polimorfismo. Geralmente as transformaes polimorficas so acompanhadas de mudanas na densidade e mudanas de outras propriedades fsicas.
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ALOTROPIA DO FERRO
ccc De 1394C-PF
cfc
De 910-1394C
ccc
At 910C
Na temperatura ambiente, o Ferro tm estrutura ccc, nmero de coordenao 8, fator de empacotamento de 0,68 e um raio atmico de 1,241. A 910C, o Ferro passa para estrutura cfc, nmero de coordenao 12, fator de empacotamento de 0,74 e um raio atmico de 1,292. A 1394C o ferro passa novamente para ccc.
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ALOTROPIA DO TITNIO
FASE
Existe at 883C Apresenta estrutura hexagonal compacta mole
FASE
Existe a partir de 883C Apresenta estrutura ccc dura
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EXERCCIO
O ferro passa de ccc para cfc a 910 C. Nesta temperatura os raios atmicos so respectivamente , 1,258 e 1,292. Qual a percentagem de variao de volume percentual provocada pela mudana de estrutura? Vccc= 2a3 accc= 4R/ (3)1/2 Vccc= 49,1 3 Vcfc= a acfc = 2R (2)1/2 Vcfc= 48,7 3
Para o clculo foi tomado como base 2 clulas unitrias ccc, por isso Vccc= 2a3 uma vez que na passagem do sistema ccc para cfc h uma contrao de volume
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a, b e c definem os eixos de um sistema de coordenadas em 3D. Qualquer linha (ou direo) do sistema de coordenadas pode ser especificada atravs de dois pontos: um deles sempre tomado como sendo a origem do sistema de coordenadas, geralmente (0,0,0) por conveno;
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Subtrai-se o ponto final do vetor direo com o ponto da origem do vetor posio.
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Os nmeros devem ser divididos ou multiplicados por um fator comum para dar nmeros inteiros
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PLANOS CRISTALINOS
So representados de maneira similar s direes So representados pelos ndices de Miller = (hkl) Planos paralelos so equivalentes tendos os mesmos ndices
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PLANOS CRISTALINOS
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PLANOS CRISTALINOS
Para identificar planos cristalogrficos, numa estrutura cristalina cbica, usa-se o sistema de notao de Miller Os ndices de Miller de um plano cristalogrfico so definidos como os inversos das intersees fracionrias (com as fraes reduzidas ao mesmo denominador) que o plano faz com os eixos cristalogrficos x, y e z coincidentes com trs arestas no paralelas da clula unitria cbica
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PLANOS CRISTALINOS
a) Escolher um plano que no passe pela origem (0,0,0); b) Determinar as intersees do plano com os eixos cristalogrficos x, y e z do cubo unitrio. Essas intersees podem ser nmeros fracionrio; c)Obter os inversos destas intersees (o recproco) (3 3/2 1); d) Reduzir as fraes, dado que no so permitidas intersees fracionrias; Os ndices de Miller so: (632) 69
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PLANOS CRISTALINOS
Se o plano cristalogrfico considerado passar pela origem, fazendo com que uma ou mais intersees sejam zero, o plano ter de ser deslocado para uma posio equivalente, dentro da clula unitria, mantendo se paralelo ao plano inicial
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PLANOS CRISTALINOS
Planos (010) So paralelos aos eixos x e z (paralelo face) Cortam um eixo (neste exemplo: y em 1 e os eixos x e z em ) 1/ , 1/1, 1/ = (010)
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PLANOS CRISTALINOS
Planos (110) So paralelos a um eixo (z) Cortam dois eixos (x e y) Intersees: 1,1, 1/ 1, 1/1, 1/ Plano {110}
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PLANOS CRISTALINOS
Planos (111) Cortam os 3 eixos cristalogrficos 1/ 1, 1/1, 1/ 1 = Plano {111}
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