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CONDUCTIVIDAD

ELCTRICA DC


FSICA DEL ESTADO SLIDO
FC UNI
mayo 2009

ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
MODELO DE DRUDE
Si no hay campo elctrico los electrones se mueven con velocidades del
orden de hasta 10
6
pero en direcciones al azar de modo que en promedio v = 0
d
v

En presencia de un campo elctrico constante los electrones adquieren
una velocidad constante, conocida como velocidad de arrastre, .
d
v
MODELO DE DRUDE
q
t d
dv
m =
En t = los electrones chocan con iones y regresan a v = 0
t

Entonces, en promedio los electrones viajan con velocidad :
y t 0 t entre t,
m
q
v = = =

m 2
q

d
v =
drift velocity o
velocidad de arrastre
MODELO DE DRUDE
( )
3
3
3
3
q
3
4
2
V
q
3
4
2
L
=
|
.
|

\
|
Nmero de modos de vibracin con
vector de onda entre 0 y q :
1
q
L
2
t

mv
- q
t d
dv
m =

v
-
m
q
t d
dv
=
(

=
m
q
v

1
-
t d
dv
t d

1
-

m
q
v
dv
=
(

t
-

m
q

m
q
v
=


Ln
Si t >>

)
t/ -
e - 1 (
m
q
v =
constante d velocida ,
m
q
v =
MODELO DE DRUDE
J =
J
m
q
nq |
.
|

\
|
=
t = 0
t =
v
d
v
d
v
d
t
t
d
v
t
d
nq v J =

t
q t A n
I
d
A
A
=
v


m
2
e n
=
MODELO DE SOMMERFELD
Se basa en la descripcin cuntica del movimiento de electrones libres
(gas de Fermi)
Si no hay campo elctrico externo, los electrones con k < k
F
se distribuyen
simtricamente dentro de la esfera de Fermi. En presencia de un campo
elctrico, la esfera de Fermi se desplaza.
k

d
v
k
m
=
MODELO DE SOMMERFELD
Slo contribuyen a la conductividad elctrica los electrones llevados fuera
de la esfera de Fermi por el campo elctrico.
3
F
k
3
4
k
2
F
k 4
3
1
n
ef
n =
F
v
d
v
n
ef
n =
F
q
ef
n v J =
d
nq v J =

m
2
e n
=
Conductividad vs temperatura en metales
Si el cristal fuera perfecto no habran choques de los electrones
con la red. Los choques se producen por las impurezas y por
losfonones.
Conductividad vs temperatura en metales

m
2
e n
=
m
2
e n
=

1

e n
m

2
=
m
2
e n
=
)

1
(
e n
m

fon i
2
+ =
fon i
+ =
Conductividad elctrica en
semiconductores

m
e n

h
2
h
=

m
e

e
e
e
e
e
= =

m
e

h
h
h
h
h
= =

m
e n

e
2
e
=
e n
e e
=
e n
h h
=
) e p e (n
h e
+ =
Conductividad vs temperatura en
semiconductores intrnsecos
) ( e n
h e i
+ =

h e
y
T K 2 / -Eg
B
e (T) f =
n
i
depende de la temperatura exponencialmente
depende de la temperatura
polinomialmente
Prevalece el comportamiento exponencial
) (
h e
+
Conductividad vs temperatura en
semiconductores extrnsecos

v m
e

-
r e
e
e

=
e n
e e
=
T K
2
3
v m
2
1

B
2
r
-
e
=
e n
e e
=
En un amplio rango de temperatura n = N
d
se
mantiene constante. Los cambios de con la
temperatura se deben a la movilidad.

m
e

e
-
e
e
t
=
( )

T K 3 m
e

1/2
B
1/2
e
e
e

=
-1
e
T
-3/2
e
T
EFECTO HALL
H

H

Si sobre una muestra por la que circula corriente elctrica se aplica un campo
magntico perpendicular a la corriente, entonces, aparecer una diferencia de
potencial en la direccin perpendicular a ambos. Sirve para determinar el tipo de
portadores en semiconductores.
H

H

0 ) B (v q
H d
= +
B v
d H
=

e n
J
- v
x
d
=
B J
e n
1
-
x H
=
B v
d H
=
x
d
J
v
p e
=
H x
1
J B
p e
=

e n
1
- R
H
=

e p
1
R
H
=
EFECTO HALL
B v e B) (v e - F
e e Le
= =
0 ) B (v q
H d
= +
e n
B J

e
Le
=
B v
e Le
=
e p
B J -

h
Lh
= 2
h e
2
e
2
h
) p e(n
n p
R
+

=
( )
H h e Lh h Le e y
e p e n e p e n J + + + =
h e
e
x
e
p n
n

J
J


+
=
RESONANCIA CICLOTRNICA
GHz 2,8B
2
c

c
= =
B v e - r
2
m =
B
*
m
e
c
=
La resonancia ciclotrnica es comnmente
usada para medir la masa efectiva del electrn
en metales y semiconductores
B en kilogauss
RESONANCIA CICLOTRNICA
}
=
) ( v


B e 2

c

k
k

| | B k v
k
) ( e -
t d
d
=
} }
= =
) ( v
k
B e
t T
k

| | t ) (
e
- B k v k =

La trayectoria no es necesariamente
una circunferencia:
v( k) es la velocidad normal a la rbita
B
*
m
e
c
=
Para electrones libres regresamos a:
:
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
( ) B v E v + = |
.
|

\
|
+ e

1
dt
d
m
( )
y x x
v B E e v

1
dt
d
m + =
|
.
|

\
|
+
( )
x y y
v B E e v

1
dt
d
m =
|
.
|

\
|
+
z z
E e v

1
dt
d
m =
|
.
|

\
|
+
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
y c x x
v E
m
e
- v = x c y y
v E
m
e
- v + =
z z
E
m
e
- v =
|
|
|
.
|

\
|
|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
|
.
|

\
|

z
y
x
c
c
z
y
x
v
v
v

1 0 0
0 1 -
0 1

E
E
E

m
e
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
|
|
|
.
|

\
|
|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
|
.
|

\
|
z
y
x
-1
c
c
2
z
y
x
E
E
E

1 0 0
0 1 -
0 1

m
ne

J
J
J

|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
|
.
|

\
|
z
y
x
z
y
x
v
v
v
e n
J
J
J

EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
La resistividad es independiente del campo magntico
|
|
|
.
|

\
|
|
|
|
.
|

\
|
+
+
=
|
|
|
.
|

\
|
z
y
x
2
c
c
c
2
c
0
z
y
x
E
E
E

) ( 1 0 0
0 1
0 - 1

) ( 1


J
J
J

x 0 x y
E J 0 J = =
B J
e n
1
-
m / e n
J
- E - E
x
2
x
c x c y
= = =
0
=
ne
1
R
H
=
MAGNETORESISTENCIA

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