Hace ms de 50 aos, el elemento principal en el funcionamiento de televisores y radios eran las vlvulas electrnicas fabricadas de cristal (vidrio) y plstico,

las que comnmente se les conoca como bulbos, vlvulas o tubos al vaco.

Para que estos aparatos electrodomsticos empezaran a funcionar, primero haba que activar la perilla de encendido y luego esperar cierto tiempo hasta que los filamentos de los tubos se calentaran. Los filamentos eran pequeos tiras de tungsteno que se calientan a altas temperaturas. El ctodo debe calentarse, y esto se logra pasando una corriente cercana a l. El voltaje tpico que se requiere para lograr esto es de 250 V.
Todo aparato que utilizaba tubos al vaco consuman mucha corriente elctrica y generaba una gran cantidad de calor, adems que los filamentos de aquellos se fundan luego de cumplirse su ciclo de vida, limitado a 1000 horas.

Durante 1945 a 1949 el grupo de la compaa Bell desarroll la teora de los transistores, la verific experimentalmente y construy diodos y triodos. En el ao de 1956 Bardeen, Shockley y Brattain recibieron el Premio Nobel de Fsica por el brillante trabajo que desemboc en la invencin del transistor. Cabe mencionar que Bardeen recibi en 1972 nuevamente el Premio Nobel de Fsica, ahora en compaa de J. R. Schrieffer y L. N. Cooper, por haber desarrollado la teora de la superconductividad.

VENTAJAS DEL TRANSISTOR

Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vaco.:

- No emplean un filamento interno de calentamiento (caldeo) - Disipan una menor cantidad de energa en forma de calor - El consumo de energa es sensiblemente bajo - Tienen duracin indefinida (muchas horas de servicio)

- Ocupan menos espacio (son ms pequeos), con el se inici la miniaturizacin de los aparatos electrnicos.
- Estructura robusta, ya que pueden resistir excesivos vibraciones y choques.

-Pueden reproducir otros fenmenos, como la fotosensibilidad.

- Ms econmicos.

El transistor es un dispositivo de estado slido o semiconductor que tiene tres terminales, electrodos o conexiones, (a diferencia del diodo, que tiene dos terminales), el cual tiene la propiedad de controlar la corriente elctrica que circula a travs de l, a partir de una corriente elctrica muy pequea. Los tres terminales principales son: emisor, colector y base El germanio y el silicio son los materiales ms frecuentemente utilizados para la fabricacin de los transistores. A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. El transistor consiste en dos materiales de tipo n separados por un material de tipo p (transistor NPN) o en dos materiales p separados por un material n (transistor PNP). FUNCIONES DEL TRANSISTOR Los transistores cumplen las funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. CONTROLAR REGULAR CONMUTAR (Interruptor electrnico)

AMPLIFICAR (modular, tenue, brillante)

Existen dos grandes familias principales de transistores:

Transistores NPN TRANSISTORES BIPOLARES BJT Transistores PNP

TRANSISTORES UNIPOLARES UJT TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO FETS

Transistores JFET (FET de Unin) Transistores MOSFET (FET de xido Metlico)

Canal N Canal P Mosfet N Mosfet P

El transistor bipolar est constituido por un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). Existen dos (2) tipos de transistores bipolares, los denominados NPN y PNP, (el emisor siempre tiene la flecha).
El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente dopada con donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su funcin es la de emitir electrones a la base. La base es la zona ms estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona ms ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la base.

EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vaco o "vlvulas" electrnicas.
BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o "vlvulas" electrnicas. COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco o "vlvulas" electrnicas.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO

Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus terminales (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin (o ganancia). Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor. BETA es la cantidad de veces que la Ic es ms grande que Ib en un transistor. (Un valor tpico es 100)

Ic (corriente que pasa por el terminal colector) es igual a (factor de amplificacin)

por Ib (corriente que pasa por el terminal base).

Ic = * Ib Ie (corriente que pasa por el terminal emisor) es del mismo valor que Ic, slo que,
la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.

Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es mas alta

El transistor posee tres (3) zonas de funcionamiento: ZONA DE SATURACIN: El diodo colector est polarizado directamente y es transistor se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicional de la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.

ZONA ACTIVA: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente, determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.
ZONA DE CORTE: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto. Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean como amplificadores de seales. Las zonas de corte y saturacin son tiles en circuitos digitales.

Regin de Corte: Un transistor esta en corte cuando: Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de Saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mx). En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib) Regin Activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

El emisor emite, el colector recoge y la base recombina. El sentido de las corrientes es el contrario al de los electrones.

NPN: Para que pueda circular una corriente de colector Ic, el voltaje aplicado al colector debe ser positivo con respecto al emisor. PNP: Para que pueda circular una corriente de colector Ic, el voltaje aplicado al colector debe ser negativo con respecto al emisor. Si se quiere que el transistor funcione es necesario que se cumpla las siguientes condiciones: el diodo ubicado entre la base y el emisor o ms comnmente llamado, la unin base emisor debe tener polarizacin directa, es decir, base positivo y emisor negativo, en cambio que la unin base colector debe tener polarizacin inversa, es decir, base negativo y colector positivo.

En la unin base emisor los electrones del emisor penetran en la base, sin embargo dado que hay pocos huecos, la mayora queda flotando entre el emisor y la base. Mientras mayor sea la corriente de base mayor ser la cantidad de electrones flotantes entre ambas regiones. Por otro lado la unin base colector con polarizacin inversa empuja a los electrones y a los huecos mayoritarios hacia los extremos, y ya que existen pocos portadores minoritarios no hay corriente. Al combinar los dos a la vez, resulta que los electrones flotantes del emisor actan como portadores minoritarios de la base, por lo que son atrados hacia el colector y producen una corriente muy alta en comparacin con la corriente de la base.

Transistor NPN

Transistor JFET Canal N

Transistor PNP

Transistor JFET Canal P

puerta (gate); sumidero o drenador (drain) y fuente (source).

Un transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor - FET) tpico est formado por una barrita de material P N, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. Se construye empleando dos secciones de material semiconductor, conectadas en los tres terminales externos del dispositivo, es decir, para dos terminales se emplea una misma seccin de material. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente, sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (ggate) en el collar. Caractersticas: 1. Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). 2. No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza Conmutador (Interruptor). 3. Hasta cierto punto inmune a la radiacin. 4. Es menos ruidoso. 5. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Los FETs basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre sumidero y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
TIPOS DE FETS El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2). El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "vacos" forma el aislante.

Entre la compuerta G y Fuente S se conforma un diodo PN para el canal N y un diodo NP para el canal P.

TRANSISTOR MOSFET Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio de operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores MOS: Enriquecimiento de canal N Enriquecimiento de canal P Empobrecimiento de canal N Empobrecimiento de canal P

TO-3: Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar un radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en l.
Observe que el colector es el chasis del transistor. Ntese que los otros terminales no estn a la misma distancia de los dos agujeros. Se ve la forma de colocarlo sobre un radiador, con sus tornillos y la mica aislante. La funcin de la mica es la de aislante elctrico y a la vez conductor trmico.

TO-3

TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores de tensin en fuentes de alimentacin y para tiristores y triacs de baja potencia.

Generalmente necesitan un radiador de aluminio, aunque a veces no es necesario, si la potencia que van a disipar es reducida.
Se suele colocar una mica aislante entre el transistor y el radiador, as como un separador de plstico para el tornillo, ya que la parte metlica est conectada al terminal central y a veces no interesa que entre en contacto elctrico con el radiador.

TO-126. Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no resulta generalmente necesario colocarles radiador.

TO-92. Es muy utilizada en transistores de pequea seal.

TO-18. Se utiliza en transistores de pequea seal. Su cuerpo est formado por una carcasa metlica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor. Encapsulado miniatura. Se utiliza en transistores de pequea seal. Al igual que el anterior, tienen un tamao bastante pequeo.

CDIGOS DE TRANSISTORES
Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC). Japanese Industrial Standard (JIS).

Pro-electron.
JEDEC Estos toman la forma: dgito, letra, nmero de serie, [sufijo]

- El primer dgito es siempre una unidad menor que el nmero de patillas, (2 para transistores), 4N y 5N que estn reservados para opto-acopladores.
- La letra es siempre 'N' - El nmero de serie se sita entre el 100 y el 9999 y no dice nada sobre el transistor, salvo su fecha aproximada de introduccin. El [sufijo] opcional indica la ganancia (hfe) genrica del dispositivo: A = ganancia baja B = ganancia media C = ganancia alta Sin sufijo = cualquier ganancia Ejemplos: 2N3819, 2N2221A, 2N904.

JIS Toman la forma: dgito, dos letras, nmero de serie, [sufijo] Nuevamente, el dgito es una unidad menor que el nmero de patillas. Las letras indican el rea de aplicacin y tipo de dispositivo segn el siguiente cdigo: SA: Transistor PNP HF SB: Transistor PNP AF SC: Transistor NPN HF SD: Transistor NPN AFSE: Diodos SF: Tiristores SG: Dispositivos de disparo SH: UJTSJ: FET/MOSFET de canal-p SK: N-channel FET/MOSFETSM: Triac SQ: LEDSR: Rectificadores SS: Diodos de seal ST: Diodos avalancha SV: Varicaps SZ: Diodos zener El nmero de serie varia entre 10 y 9999. El [sufijo] opcional indica que dicho tipo est aprobado para el empleo por varias organizaciones japonesas. NOTA: Desde que el cdigo de los transistores siempre comienza por 2S, este es siempre omitido (en la mayora de los casos), por ejemplo: un 2SC733 puede estar marcado como C 733. Ejemplos: 2SA1187, 2SB646, 2SC733.

Pro-electron Toman la forma: dos letras, [letra], nmero de serie, [sufijo]

La primera letra indica el material: A = Ge B = Si C = GaAs R = mezcla de materiales.

La segunda letra indica la aplicacin del dispositivo: A: Diodo RF B: Variac C: transistor, AF, pequea seal D: transistor, AF, potencia E: Diodo tnel F: transistor, HF, pequea seal K: Dispositivo de efecto Hall L: Transistor, HF, potencia N: Optoacoplador P: Dispositivo sensible a la radiacin Q: Dispositivo productor de radiacin R: Tiristor, baja potencia T: Tiristor, potencia U: Transistor, potencia, conmutacin Y: Rectificador Z: Zener, o diodo regulador de tensin
La tercera letra indica que el dispositivo est pensado para aplicaciones industriales o profesionales, ms que para uso comercial. suele ser una W, X, Y, Z. El nmero de serie varia entre 100 y 9999. El sufijo indica la ganancia genrica en grupo, como en los JEDEC. Ejemplos: BC108A, BAW68, BF239, BFY51.

Para probar transistores hay que analizar un circuito equivalente de este, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos. Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposicin (tiene dos uniones), por lo tanto las medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por separado, pensando que el electrodo base es comn a ambas direcciones.

Se puede ver que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP estn compuestos por diodos y se puede seguir la misma tcnica que se sigue al probar diodos comunes. La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los mtodos a seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos

Se emplear un multmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 tambin ohm x 100. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente cerciorarse del tipo de ste, ya que si es NPN se proceder de forma contraria que si se trata de un PNP. Para el primer caso (NPN) se situar la punta roja (positivo) del multmetro sobre el terminal de la base y se aplicar la punta negra sobre las pines correspondientes al emisor y colector. Con esto se habr aplicado entre la base y el emisor o colector, una polarizacin directa, lo que traer como consecuencia la entrada en conduccin de ambas uniones, movindose la aguja del multmetro hasta indicar un cierto valor de resistencia, generalmente baja (algunos ohm) y que depende de muchos factores

A continuacin se invertir la posicin de las puntas del instrumento, colocando la punta negra (negativa) sobre la base y la punta roja sobre el emisor y despus sobre el colector. De esta manera el transistor recibir una tensin inversa sobre sus uniones con lo que circular por l una corriente muy dbil, traducindose en un pequeo o incluso nulo movimiento de la aguja. Si se tratara de un transistor PNP el mtodo a seguir es justamente el opuesto al descrito, ya que las polaridades directas e inversas de las uniones son las contrarias a las del tipo NPN.

Las comprobaciones anteriores se completan con una medida, situando el multmetro entre los terminales de emisor y colector en las dos posibles combinaciones que puede existir; la indicacin del instrumento ser muy similar a la que se obtuvo en el caso de aplicar polarizacin inversa (alta resistencia), debido a que al dejar la base sin conexin el transistor estar bloqueado. Esta comprobacin no debe olvidarse, ya que se puede detectar un cortocircuito entre emisor y colector y en muchas ocasiones no se descubre con las medidas anteriores.

TO-39

El emisor emite, el colector recoge y la base recombina. El sentido de las corrientes es el contrario al de los electrones.

FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

Una corriente pequea que se inyecta por el terminal de la base controla el flujo de corriente por el colector. NPN: Para que pueda circular una corriente de colector Ic, el voltaje aplicado al colector debe ser positivo con respecto al emisor. PNP: Para que pueda circular una corriente de colector Ic, el voltaje aplicado al colector debe ser negativo con respecto al emisor.

330 + NPN 1k PNP +

330

1k

El cable libre que qued en la resistencia de 1 K conectarlo al terminal positivo de la bateria. El Led enciende

El cable libre que qued en la resistencia de 1 K conectarlo al terminal negativo de la bateria. El Led enciende

mA

330 + LED1

R3 1k

LED2
mA

NPN

Una pequea corriente de base puede controlar una corriente de colector mucho mayor.

Es un transistor fabricado especialmente para que la corriente Emisor-Colector est controlada por la cantidad de luz (infrarroja) que llegue a la base. Para ello, la base est expuesta a la luz y generalmente tiene un lente para hacerla ms sensible. La mayora de los fototransistores son del tipo NPN y no tienen terminal para la base. Los fototransistores se utilizan como detectores de seales luminosas de gran sensibilidad, en aparatos de control remoto, comunicaciones inalmbricas, etc.

FOTODIODO

FOTOTRANSISTOR

Transistor de baja potencia muy comn el BC107. Este transistor tiene una mnima de 100

Emisor Base Colector