Optoelectronica

Optoelectrnica METC 1 semestre
FSICA DOS SEMICONDUTORES

Resistividade (O. m 20C)

Ouro 2.4 10
-8

Prata 1.6 10
-8

Cobre 1.710
-8

Alumnio 2.810
-8
Tungstnio

5.6 10
-8
Ferro 10 10
-8
Germnio (puro) 0.47
Silcio (puro) 2110
2

Vidro 10
10
10
11

mbar 510
14

Mica 910
14

Quartzo fundido 7510
16
1
0
-
8
1
0
-
6
1
0
-
4
1
0
-
2
1
0
0
1
0
2
1
0
4
1
0
6
1
0
8
1
0
1
0
1
0
1
2
1
0
1
4
1
0
1
6
1
0
1
8
Mica
mbar
Borracha
Silcio
Germnio
Carbono
Ferro, Platina, chumbo
Niquel-Crmio
Prata, Cobre, Ouro, Alumnio, Tungstnio
Quartzo fundido
V
i
d
r
o

R
e
s
i
s
t
i
v
i
d
a
d
e

(
O
m
)
Isolantes
10
10
10
17
O. m
Semicondutores
Condutores
Resistividade
Faixa de resistividade tpica
ISOLANTE
RESISTIVIDADE
CONDUTIVIDADE
SEMICONDUTOR CONDUTOR
] [
m] [
1
] m [ ) (
-1 -1
O =
O =
O + =
A
L
R
p n q
p n
o
Elementos e compostos semicondutores
Elementos
Si
Ge
Compostos binrios
SiC
SiGe
a-Si:H
III-V II-VI
GaAs
InP
GaSb
AlP
AlAs
AlSb
GaN
GaP
InAs
InSb
ZnO
ZnS
ZnSe
ZnTe
CdS
CdSe
CdTe
Compostos ternrios
Al
x
Ga
1-x
As
In
x
Ga
1-x
P
GaAs
x
P
1-x

IV III-V II-VI
Hg
x
Cd
1-x
Te
IV
Compostos quaternrios
III-V
In
x
Ga
1-x
As
y
P
1-y
Os ndices x e y representam fraces estequiomtricas variando de
0 a 1.
Por exemplo, o composto Al
0.3
Ga
0.7
As significa que para cada 10
tomos de As tem-se 3 tomos de Al e 7 tomos de Ga.
III IV V
VI
Crystal - a structure that can fill all space based on the regular
repetition of a particular unit cell
Unit cell - unit to construct crystal by regular repetition
Primitive - smallest cell which will replicate the crystal
Cubic - Larger most commonly used as most
semiconductors are diamond or zincblende structure, for
which the primitive unit cell is complex and its easier to
visualize cubic replication
Estrutura cristalina
Si, Ge
GaAs
AlN, GaN, InN
Materiais fotnicos
Ge Si GaAs InGaAs InP
Densidade (g cm
-3
) 5.33
E
g
(eV) 0.67 1.11 1.43 0.75 1.35
n
i
(m
-3
) 1.0410
19
1.4510
16
1.810
12
1.810
18

c
r
(0) ; c
r
() 16 11.9 13.1;10.6 12.5;9.3 12.5;9.61
n
(m
2
V
-1
s
-1
) 0.39 0.135 0.85 1.38 0.46
p
(m
2
V
-1
s
-1
) 0.19 0.048 0.04 0.04 0.015
g
(m) 1.87 1.11 3.6 3.4
Propriedades de alguns semicondutores (300 K)
2s Band
Overlapping energy
bands
Electrons 2s
2p
3s
3p
1s
1s
SOLID ATOM
E = 0
Free electron
Electron Energy, E
2p Band
3s Band
Vacuum
level
In a metal the various energy bands overlap to give a single band
of energies that is only partially full of electrons. There are states
with energies up to the vacuum level where the electron is free.
1999 S.O. Kasap, Optoelectronics (Prentice Hall)
Diagrama de bandas de energia metais

Nuvem electrnica
Ies positivos
Modelo gs electres
Nos metais os electres de valncia no esto associados a um determinado tomo. Pelo
contrrio estes circulam por todo o metal.
Os electres de valncia dos metais so designados de electres livres e so os responsveis
pela corrente elctrica.

Electron energy, E
Conduction Band (CB)
Empty of electrons at 0 K.
Valence Band (VB)
Full of electrons at 0 K.
E
c
E
v
0
E
c
+_
(b)
Band gap = E
g
(a)
Covalent bond
Si ion core (+4e)
(a) A simplified two dimensional view of a region of the Si crystal
showing covalent bonds. (b) The energy band diagram of electrons in the
Si crystal at absolute zero of temperature.
Diagrama de bandas de energia semicondutores intrnsecos
e
hole
CB
VB
E
c
E
v
0
E
c
+_
E
g
Free e
hu > E
g
Hole h
+
Electron energy, E
(a) A photon with an energy greater than E
g
can excite an electron from the VB to the CB.
(b) Each line between Si-Si atoms is a valence electron in a bond. When a photon breaks a
Si-Si bond, a free electron and a hole in the Si-Si bond is created.
hu
(a) (b)
Gerao de portadores em semicondutores intrnsecos
Comportamento isolante
T
1
=0 K T
2
>0 K T
3
>T
2

Electres ligados
Electro livre
Lacuna
Quebra ligaes covalentes
Aparecimento de pares
electro-lacuna
Quebra de MAIS ligaes
covalentes
Maior n electres/lacunas:
aumento da condutividade
Condutividade varivel com
a temperatura
Transporte elctrico
assegurado por electres e
lacunas
Gerao de portadores em semicondutores intrnsecos
Estatstica Fermi-Dirac
|
.
|
\
|
+
=
KT
E E
F
e
E f
1
1
) (
Temperatura absoluta [K]
Energia do nvel de Fermi
Cte Boltzman
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
Energia (eV)
f
(
E
)

T1
T2>T1
T=0 K
T10 K
T2>T1
E
F
Probabilidade de ocupao dos
nveis de energia
E
g(E)
fE)
E
F
n
E
(E) or p
E
(E)
E E
For
electrons
For holes
[1f(E)]
n
E
(E)
p
E
(E)
Area = p
Area = n
E
(E)dE = n
E
c
E
v
E
v
E
c
0
E
c
+_
E
F
VB
CB
(a) (b) (c) (d)
g(E) (EE
c
)
1/2
(a) Energy band diagram. (b) Density of states (number of states per unit energy per
unit volume). (c) Fermi-Dirac probability function (probability of occupancy of a
state). (d) The product of g(E) and f(E) is the energy density of electrons in the CB
(number of electrons per unit energy per unit volume). The area under n
E
(E) vs. E is
the electron concentration.
-1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Energia (eV)
D
e
n
s
i d
a
d
e
d
e
e
s
t a
d
o
s
d
e
e
n
e
r
g
i a
(
u
. a
. )

BV
BC
( )
2 / 1
) (
c C
E E E N ( )
2 / 1
) ( E E E N
V V

Limites BC/BV
( )
2 / 3
2
*
/ ) (
2 / 1
2 / 3
2 2
2
2
) ( ) ( ) (
2
2
2
) (
|
|
.
|
\
|
=
=
= =

|
|
.
|
\
|
=

}
h
KT m
N
e N n
E f N dE E N E f n
E E
m
E N
n
c
KT E E
c
C c
E
C
c
n
C
F c
C
t
t
( )
( ) ( )
2 / 3
2
*
/ ) (
2 / 1
2 / 3
2 2
2
2
) ( 1 ) ( ) ( 1
2
2
2
) (
|
|
.
|
\
|
=
=
= =

|
|
.
|
\
|
=

}
h
KT m
N
e N p
E f N dE E N E f p
E E
m
E N
p
v
KT E E
v
V v
E
V
V
p
V
v F
V
t
t
Dens. Electres BC
Dens. Lacunas BV
Densidade de estados efectiva
nos limiares das bandas
2
2
i
KT
E
v c
n e N N p n
g
= =
|
|
.
|
\
|
Lei aco das massas

Vlida no equilbrio trmico e no escuro
V C g
E E E =
Densidade de estados de energia
( ) ( )
] [m 10 82 . 4 ) (
/ 2 2 ) (
3 -
2 /
2 / 3 21
2 /
2 / 3
4 / 3
* *
2 / 3
2
KT E
i
KT E
p n i
g
g
e T T n
e T m m h kT T n
~
= t
250 300 350 400 450 500
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
10
20
10
21
10
22
10
23
Temperatura [K]
C
o
n
c
.

i
n
t
r
n
s
e
c
a

[
m
-
3
]

Si
Ge
( ) ( )
] [m 10 82 . 4 ) (
/ 2 2 ) (
3 -
2 /
2 / 3 21
2 /
2 / 3
4 / 3
* *
2 / 3
2
KT E
i
KT E
p n i
g
g
e T T n
e T m m h kT T n
~
= t
ni
Si,300K
=1.210
16
m
-3
ni
Ge,300K
=5.910
19
m
-3
Concentrao intrnseca
E
g(E)
fE)
E
F
n
E
(E) or p
E
(E)
E E
For
electrons
For holes
[1f(E)]
n
E
(E)
p
E
(E)
Area = p
Area = n
E
(E)dE = n
E
c
E
v
E
v
E
c
0
E
c
+_
E
F
VB
CB
(a) (b) (c) (d)
g(E) (EE
c
)
1/2
(a) Energy band diagram. (b) Density of states (number of states per unit energy per
unit volume). (c) Fermi-Dirac probability function (probability of occupancy of a
state). (d) The product of g(E) and f(E) is the energy density of electrons in the CB
(number of electrons per unit energy per unit volume). The area under n
E
(E) vs. E is
the electron concentration.
e
(a)
As
+
x
As
+
As
+
As
+
As
+
E
c
E
d
CB
E
v
~0.05 eV
As atom sites every 10
6
Si atoms
Distance into
crystal
(b)
Electron Energy
(a) The four valence electrons of As
allow it to bond just like Si but the fifth
electron is left orbiting the As site. The
energy required to release to free fifth-
electron into the CB is very small.
(b) Energy band diagram for an n-type Si doped
with 1 ppm As. There are donor energy levels just
below E
c
around As
+
sites.
Diagrama de bandas de energia semicondutores dopados (tipo N)
Nveis dadores
Banda de valncia totalmente ocupada
Banda de conduo totalmente vazia
Gerao de portadores em semicondutores extrnsecos Tipo N
Banda de conduo parcialmente ocupada
Transies da banda de valncia p/ a banda
de conduo
Aumento ocupao banda de conduo.
So criadas lacunas na
banda de valncia.
B.C.
T
2
>0 K
B.V.
B.C.
B.V.
T
4
>T
3
B.C.
B.V.
T
1
=0 K
Todos os electres fracamente ligados
transitaram p/ a banda de conduo
Electres fracamente
ligados
Electres fortemente
ligados
Electres fracamente
ligados transitam p/ a
banda de conduo
B.C.
B.V.
T
3
>T
2
Ionizao completa
das impurezas
B
h
+
(a)
x
B
E
v
E
a
B atom sites every 10
6
Si atoms
Distance
into crystal
~0.05 eV
B
h
+
VB
E
c
Electron energy
(b)
(a) Boron doped Si crystal. B has only three valence electrons. When it
substitutes for a Si atom one of its bonds has an electron missing and therefore a
hole. (b) Energy band diagram for a p-type Si doped with 1 ppm B. There are
acceptor energy levels just above E
v
around B
sites. These acceptor levels accept

electrons from the VB and therefore create holes in the VB.
Diagrama de bandas de energia semicondutores dopados (tipo P)
Nveis aceitadores
B. V.
B. C.
Electres
fortemente
ligados
T
1
=0 K
Banda de conduo totalmente vazia
Lacunas nos nveis aceitadores
Lacunas
Gerao de portadores em semicondutores extrnsecos Tipo P
B. V.
B. C.
Alguns electres da B.V. ocupam os nveis aceitadores
Banda de conduo permanece vazia
Surgem lacunas na banda de valncia
T
2
>0 K
Electres
fortemente
ligados
+ LACUNAS
B. V.
B. C.
Preenchimento de todos os nveis aceitadores
Ionizao total das impurezas aceitadoras
Aumenta n lacunas na banda de valncia
Banda de conduo permanece vazia
T
3
>0 K
Electres
fortemente
ligados
+ LACUNAS
B. V.
B. C.
Electres da banda de valncia saltam p/ a banda de conduo
A banda de conduo comea a ser ocupada
Aumenta a quantidade de lacunas na banda de valncia
T
4
>0 K
Electres
livres
Electres
fortemente
ligados
+ LACUNAS
E
c
E
v
E
Fi
CB
E
Fp
E
Fn
E
c
E
v
E
c
E
v
VB
(a)
(c) (b)
Energy band diagrams for (a) intrinsic (b) n-type and (c) p-type
semiconductors. In all cases, np = n
i
2
. Note that donor and acceptor
energy levels are not shown.
Diagrama de bandas de energia em semicondutores
=
+ = +
+
2
i
d a
n p n
N p N n
( )
( )
=
+ =
=
+ =
+ +
+ +
p
n
n
n N N N N p
n
n
p
n N N N N n
i
i d a d a
i
i d a d a
2
2 2
2
2 2
4 ) ( ) (
2
1
4 ) ( ) (
2
1
( )
p n
p n q o + =
Clculo da concentrao de portadores em semicondutores dopados
Equao da neutralidade de carga
Lei de aco das massas
300 350 400 450
10
14
10
16
10
18
10
20
Temperatura (K)
C
o
n
c
.

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

(
m
-
3
)
Silcio, Nd=1x10
18
m
-3
ni
n
p
Semicondutor
apresenta
comportamento
intrnseco.

O mecanismo de
transporte
predominante a
temperatura.
Semicondutor fortemente extrnseco!.

O mecanismo de transporte predominante a ionizao das
impurezas.
Variao da conc. portadores em semic.dopados em funo da temperatura
250 300 350 400 450 500
10
10
10
15
10
20
10
25
Temperatura (K)
C
o
n
c
.

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

(
m
-
3
)
Silcio, Nd=1x10
18
m
-3
ni
n
p
250 300 350 400 450 500
10
5
10
10
10
15
10
20
10
25
Temperatura (K)
C
o
n
c
.

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

(
m
-
3
)
Silcio, Nd=1x10
20
m
-3
ni
n
p
250 300 350 400 450 500
10
10
10
15
10
20
10
25
Temperatura (K)
C
o
n
c
.

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

(
m
-
3
)
Silcio, Nd=1x10
17
m
-3
ni
n
p
250 300 350 400 450 500
10
5
10
10
10
15
10
20
10
25
Temperatura (K)
C
o
n
c
.

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

(
m
-
3
)
Silcio, Nd=1x10
19
m
-3
ni
n
p
Variao da conc. portadores em semic.dopados em funo da temperatura
250 300 350 400 450 500
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
10
2
Temperatura (K)
C
o
n
d
u
t
i
v
i
d
a
d
e

(
O
h
m
-
1

m
-
1
)
Silcio
Intrinseco
Tipo N (Nd=1x10
19
m
-3
)
Tipo P(Na=1x10
19
m
-3
)
Variao da condutividade em funo da temperatura
( )
p n
p n q o + =
Baixas temperaturas: semicondutores dopados tm condutividade muito superior ao
intrnseco.
Em semicondutores dopados com igual teor de dopagem a condutividade dos tipo N
superior aos tipo P devido diferena nas mobilidade elctricas de electres e lacunas.
Altas temperaturas: as curvas convergem para a curva do intrnseco.
Espectro electromagntico
Espectro electromagntico
Ultra-violeta
10
3
10
2
10
1
1 10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
10
-10
10
-11
10
-12
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1 10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
Fontes
Ordem de
grandeza
do c.d.o.

Designao
Vrus
Campo
futebol
Bola basebol
Protena
Cabea alfinete
Clula
Molcula de gua
Bactria
Casa
Frequncia
(s
-1
)
Comprimento
de onda (m)
Ondas de rdio
Microondas
Infra-vermelhos
V
i
s
v
e
l

Radiao X mole Radiao
gama
Radiao X
10
6
10
7
10
8
10
9
10
10
10
11
10
12
10
13
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
10
20
Energia
(eV)
Lmpada
incandescente
Corpo
humano
Radio AM
Fontes
radioactivas
Forno
micro-ondas
Cavidade
RF
Radio FM
SLS
Mquina
raios X
Sincrotro
Radar
Fotogerao de portadores
Energia (eV)
Absoro da luz
2 / 1
) (
g
E E o
O coeficiente de
absoro (o) caracteriza a
propagao da luz no
semicondutor:
Comprimento de onda (m)
g
(Si)=1.1 m
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
0 1 2 3 4 5
1/o - 63 %
2/o - 87 %
1/o - Profundidade de penetrao
A absoro da luz causa a
diminuio da potncia
ptica com a distncia de
penetrao (1/o):
x
e x

u = u
o
0
) (
Fotocondutividade
A fotogerao de
portadores dada por:
) ( ) (
~
) , (
) , (
0
p p n n ph p n ph
ph p
ph n
x
G q p n q
G p
G n
e
x
x
x G
t t o
t
t
o
o
+ = A + A =
= A
= A
u =
c
u c
=

0 2 4 6 8 10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Potencia incidente (W/m
2
)
C
o
n
d
u
t
i
v
i
d
a
d
e

(
O
h
m -
1

m
-
1
)
Silcio

Red
Blue
0 2 4 6 8 10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2
)
C
o
n
d
u
t
i
v
i
d
a
d
e

(
O
h
m -
1

m
-
1
)
Silcio

Red
Blue
0 2 4 6 8 10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2
)
C
o
n
d
u
t
i
v
i
d
a
d
e

(
O
h
m -
1

m
-
1
)
Silcio

650 nm
450 nm
0 2 4 6 8 10
10
23
10
24
10
25
10
26
2
)
T
a
x
a

g
e
r
a
o

f
o
t
o
e
l
c
t
r
i
c
a

(
m
-
3
)
Silcio

Red
Blue
0 2 4 6 8 10
10
23
10
24
10
25
10
26
2
)
T
a
x
a

g
e
r
a
o

f
o
t
o
e
l
c
t
r
i
c
a

(
m
-
3
)
Silcio

Red
Blue
0 2 4 6 8 10
10
23
10
24
10
25
10
26
2
)
T
a
x
a

g
e
r
a
o

f
o
t
o
e
l
c
t
r
i
c
a

(
m
-
3
)
Silcio

650 nm
450 nm
0 2 4 6 8 10
10
17
10
18
10
19
10
20
2
)
F
l
u
x
o

(
m
-
2

s
-
1
)
Silcio

Red
Blue
0 2 4 6 8 10
10
17
10
18
10
19
10
20
2
)
F
l
u
x
o

(
m
-
2

s
-
1
)
Silcio

Red
Blue
0 2 4 6 8 10
10
17
10
18
10
19
10
20
2
)
F
l
u
x
o

(
m
-
2

s
-
1
)
Silcio

650 nm
450 nm
F
l
u
x
o

(
m
-
2

s
-
1
)

T
a
x
a

g
e
r
a
o

t
o
f
o
e
l
c
t
r
i
c
a

(
m
-
3
)

C
o
n
d
u
t
i
v
i
d
a
d
e

(
O
-
1

m
-
1
)

Potncia incidente (W m
-2
) Potncia incidente (W m
-2
)
Potncia incidente (W m
-2
)
S
Variao de , G
op
e o com a potncia incidente
) (
0
0
p p n n fo fo
fo
inc
G q
G
c h
P
t t o
o
+ =
u =
= u
1/o
L
2
L
1
L
3
Fraco iluminada
Fraco s escuras
Iluminao sensor de comprimento de onda (cor)!
+
=
2 1
3
0
2 1 0
1 1
1 1
L L
L
R
L L
R
escuro
L
ilum
o
o
o
o o
escuro ilum total
R R R + =
O
A resistncia total dominada pela maior
das resistncias!
Caso em que a amostra est semi-iluminada:
1/o < L
3

Caso em que a amostra est toda iluminada:
1/o > L
3

ilum total
L
ilum
R R
L L
L
R
=

+
=
2 1
3
0
1
o o
Iluminao lateral sensor de comprimento de onda (cor)!
10
1
10
2
10
3
10
4
10
2
10
4
10
6
10
8
10
10
2
)
R
e
s
i
s
t
n
c
i
a

l
a
t
e
r
a
l

(
O
h
m
)
Iluminao lateral
650 nm
450 nm
Iluminao transversa sensor de luz!
+
=
1 2
3
0
1
3
0
) 1 (
1
1
1
L L
L
R
L
L
R
escuro
L
ilum
o o
o o o
escuro ilum
escuro ilum
escuro ilum total
R R
R R
R R R
+
= = //
1/o
L
1
L
2
L
3
Fraco iluminada
Fraco s escuras
O
Caso em que a amostra est semi-iluminada:
1/o < L
2

A resistncia total dominada pela menor
das resistncias!
Caso em que a amostra est toda iluminada:
1/o > L
2

ilum total
L
ilum
R R
L L
L
R
=

+
=
2 1
3
0
1
o o
Iluminao transversa sensor de luz!
10
1
10
2
10
3
10
4
10
3
10
4
10
5
10
6
10
7
2
)
R
e
s
i
s
t
n
c
i
a

t
o
p
o

(
O
h
m
)
Iluminao topo
650 nm
450 nm
0 50 100
10
-2
10
0
10
2
Potencia incidente (W/m^^2)
C
o
n
d
u
t
i
v
i
d
a
d
e

(
O
h
m
-
1

m
-
1
)
Silcio
Red
Blue
Variao da condutividade com a potncia incidente
Semicondutores gradualmente dopados correntes de difuso
= =
= =
E p e E J
E n e E J
p p deriva p
n n deriva n
o
o
,
,
Correntes de deriva
E
+
-
-
+
=
=
) (
) (
,
,
p grad D e J
n grad D e J
p difuso p
n difuso n
Coeficientes de difuso [m
2
s
-1
]
Dependem do material e da temperatura
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
T
e
T K
V
u
D
u
D
T
p
p
n
n
=
= = =
5
10 62 . 8
RELAO EINSTEIN
=
=
p p p
n n n
D L
D L
t
t
Tempos de
vida mdia [s]
Comprimentos de difuso
= + = =
+ = + = =
) (
) (
, ,
, ,
p grad D e E p e J J J J
n grad D e E n e J J J J
p p difuso p deriva p p p
n n difuso n deriva n n n
Correntes de difuso
D
n
D
p

n

n

m
2
s
-1
m
2
s
-1
m
2
V
-1
s
-1
m
2
V
-1
s
-1

Ge 0.010 0.0050 0.390 0.190
Si 0.035 0.00125 0.135 0.048
GaAs 0.022 0.0010 0.850 0.40

Coef. difuso e mobilidade elctrica a 300 K
Semicondutores gradualmente dopados variao de potencial
dx
x dp
p
V
dx
x dp
p
D
E
p grad D e E p e
p grad D e E p e J J J J
T
p
p
p p
p p difuso p deriva p p p
) ( 1 ) ( 1
) (
0 ) (
, ,
= =
=
= = + = =

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
p
V
dp
dV
dx
x dp
p
V
dx
dV
E
T T
= = =
) (
dx
dV
-
| |
|
|
.
|
\
|
= = =
} }
2
1
1 2
ln ) ln(
2
1
2
1
2
1
p
p
V p V ) )-V(p V(p dp
p
V
dp
dp
dV
T
p
p T
T
p
p
p
p
1
1
V
p
2
2
V
p
|
|
.
|
\
|
= =
2
1
1 2 21
ln V
p
p
V -V V
T
A d.d.p. entre dois pontos do semicondutor com
diferentes concentraes de lacunas depende somente da
conc. entre os pontos, e independente da sua separao.
=
=
T
T
V
V
V
V
e
e
21
21
1 2
2 1
n n
p p

2 2
2
1 1
n p n p = =
i
n porque
Juno PN - equilbrio
DEF.: Semicondutor dopado com
aceitadores num lado e com dadores no
outro.

No seu interior h uma superfcie onde
ocorre variao abrupta da dopagem
(plano da juno).
Em equilbrio
P N

ionizao impurezas aceitadoras/dadoras
criao pares electro/lacuna devido agitao trmica
P N
Juno PN
impur.dadoras impur.aceitadoras
electres lacunas
Juno PN - equilbrio
P N
gradiente concentrao portadores
corrente de difuso de portadores maioritrios
lacunas de P migram p/ lado N
electres de N migram p/ lado P
Juno PN Juno PN - equilbrio
P N
aniquilao pares electro/lacuna na zona da juno
aparecimento regio isenta de portadores carga: REGIO DE DEPLECO
Juno PN Juno PN - equilbrio
P N
+ -
E
separao de carga elctrica na regio de depleco
lado P: carga negativa, lado N: carga positiva
d.d.p. entre lado P e N: POTENCIAL DE CONTACTO
o potencial de contacto ope-se difuso dos portadores maioritrios (as
lacunas de P so impedidas de passar p/ lado N, e os electres de N p/ o lado P)
Juno PN - equilbrio
+ -
P N
E
criao campo elctrico dentro do semicondutor
direco campo: de N para P
corrente de deriva:
portadores minoritrios aproximam-se da juno,
portadores maioritrios afastam-se da juno
Juno PN
n
no
x
x = 0
p
no
p
po
n
po
log(n), log(p)
-eN
a
eN
d
M
x
E (x)
B
-
h
+
p n
M
As
+
e
W
p
W
n
Neutral n-region Neutral p-region
Space charge region
V
o
V(x)
x
PE(x)
Electron PE(x)
Metallurgical Junction
(a)
(b)
(c)
(e)
(f)
x
W
p
W
n
(d)
0
eV
o
x
(g)
eV
o
Hole PE(x)
E
o
E
o
M
net
M
W
n
W
p
n
i
Properties of the pn junction.
Propriedades da juno PN - equilbrio
Propriedades da juno PN em equilbrio (I)
n
no
x
x = 0
p
no
p
po
n
po
log(n), log(p)
-eN
a
eN
d
M
x
E (x)
B
-
h
+
p n
M
As
+
e
W
p
W
n
Space charge region
V
o
V(x)
x
PE(x)
Electron PE(x)
(a)
(b)
(c)
(e)
(f)
x
W
p
W
n
(d)
0
eV
o
x
(g)
eV
o
Hole PE(x)
E
o
E
o
M
net
M
W
n
W
p
n
i
Perfil de
portadores
Nas regies neutras a concentrao de portadores
maioritrios controlada pelo teor de dopagem

Na RD a concentrao de portadores maioritrios
decresce significativamente devido s recombinaes.
A concentrao de portadores controlada pela
agitao trmica.
=
=
=
=
d
i
n
a
i
p
d n
a p
N
n
p
N
n
n
N n
N p
2
0
2
0
0
0
Portadores
MAIORITRIOS
Portadores
minoritrios
Propriedades da juno PN em equilbrio (II)
n
no
x
x = 0
p
no
p
po
n
po
log(n), log(p)
-eN
a
eN
d
M
x
E (x)
B
-
h
+
p n
M
As
+
e
W
p
W
n
Space charge region
V
o
V(x)
x
PE(x)
Electron PE(x)
(a)
(b)
(c)
(e)
(f)
x
W
p
W
n
(d)
0
eV
o
x
(g)
eV
o
Hole PE(x)
E
o
E
o
M
net
M
W
n
W
p
n
i
|
|
.
|
\
|

=
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
=
2
T 0
extrnsec fortemente
0
ln V ln ln
i
d a
o
P
N
T
N
P
T
n
N N
V
n
n
V
p
p
V V
Potencial
de contacto
O potencial de contacto representa a d.d.p. entre os dois lados da juno pn
Cresce com o teor de dopagem da juno
Decresce com a temperatura!
Propriedades da juno PN em equilbrio (III)
n
no
x
x = 0
p
no
p
po
n
po
log(n), log(p)
-eN
a
eN
d
M
x
E (x)
B
-
h
+
p n
M
As
+
e
W
p
W
n
Space charge region
V
o
V(x)
x
PE(x)
Electron PE(x)
(a)
(b)
(c)
(e)
(f)
x
W
p
W
n
(d)
0
eV
o
x
(g)
eV
o
Hole PE(x)
E
o
E
o
M
net
M
W
n
W
p
n
i
Densidade
de carga
A recombinao dos portadores maioritrios
junto ao plano da juno deixa a descoberto as
impurezas ionizadas.
As impurezas dadoras so responsveis pelo
aparecimento de carga positiva no lado N da
juno.
As impurezas aceitadoras so responsveis pelo
aparecimento de carga negativa no lado P da
juno.
Na RD a carga total nula:
n d p a n d p a
W N W N A W N q A W N q
Q Q
= =
=
+

Dens. carga Volume lado
P da RD

} }
c = c c = c =
c
c
x E x E
x
E
c
Teorema de Gauss
( )
( )

0 para ) ( : N Lado
0 para ) ( : P Lado
0
) (
) (
0
s s
= c
= c
s s +

= c

= c
} }
} }

n
p
W
x
n n
d
N
d
x E
p p
a
P
x
W
a
x E
W x W x
N e
x E x
N e
x
x W W x
N e
x E x
N e
x
c c
c c
0 = +
+
Q Q
Campo
elctrico
c c
c
c p a
n d
n
d
N
p
a
P
W eN
W eN
E
W x
eN
x E
W x
eN
x E
= =
=
+ =

) ( ) ( : N Lado
) ( ) ( : P Lado
0
n
no
x
x = 0
p
no
p
po
n
po
log(n), log(p)
-eN
a
eN
d
M
x
E (x)
B
-
h
+
p n
M
As
+
e
W
p
W
n
Space charge region
V
o
V(x)
x
PE(x)
Electron PE(x)
(a)
(b)
(c)
(e)
(f)
x
W
p
W
n
(d)
0
eV
o
x
(g)
eV
o
Hole PE(x)
E
o
E
o
M
net
M
W
n
W
p
n
i
O campo elctrico nulo nas regies
neutras (fora RD).
Na RD varia linearmente com a distncia ao
plano da juno.
O campo mximo (em valor absoluto) no
plano da juno.
Propriedades da juno PN em equilbrio (IV)
}
c = c = c
c
c
= x x E x x E V
x
V
x E ) ( V ) ( ) (
c
n d
W
W
W eN
W E W x x E V
n
p
= = c =
}
2
1
2
1
V ) (
0 0 0
=
+ =
d n a p
n p
N W N W
W W W
+
=
+
=
W
N N
N
W
W
N N
N
W
d a
a
n
d a
d
p
Extenso da RD
p/ lados N e P
2
1
0 0
1
Na
1

2
V
2
1
V W
Nd
e
W
N N
N
eN
W
d a
a
d
|
.
|
\
|
+ =
+
=

c c

1
Na
1

2

0
V
Nd e
W
|
.
|
\
|
+ =
c
Regio de
depleco
A simetria da RD da juno depende da concentrao de impurezas em cada lado:
A RD estende-se para o lado menos dopado.
A juno simtrica qd N
a
=N
d
(mesma dopagem nos dois lados da juno)
+
=
+
=
W
N N
N
W
W
N N
N
W
d a
a
n
a d
d
p
n
no
x
x = 0
p
no
p
po
n
po
log(n), log(p)
-eN
a
eN
d
M
x
E (x)
B
-
h
+
p n
M
As
+
e
W
p
W
n
Space charge region
V
o
V(x)
x
PE(x)
Electron PE(x)
(a)
(b)
(c)
(e)
(f)
x
W
p
W
n
(d)
0
eV
o
x
(g)
eV
o
Hole PE(x)
E
o
E
o
M
net
M
W
n
W
p
n
i
Space
Charge
region
0
1 1 2
V
N N e
W
d a
|
|
.
|
\
|
+ =
c
Propriedades da juno PN em equilbrio (V)
Regio de
carga
espacial
N
a
N
d
Regio neutra no lado N Regio neutra no lado P
Propriedades da juno PN em equilbrio (VI)
Diagrama de bandas
de energia
Corrente inversa de saturao:
devida aos portadores minoritrios gerados por agitao trmica
Independente da tenso aplicada
Dependente da temperatura e da natureza do material
Assume valores muito baixos: ~ A Ge, nA - Si (25C)

A resistncia da juno PN muito elevada qd. polarizada inversamente
P N
- +
Diagrama de bandas de energia
Juno PN Polarizao inversa
P N
campo elctrico aplicado refora campo da juno:
port. maiorit. afastam-se juno,
port. minorit. aproximam-se da juno
+ -
E
- +
P N
recombinao de portadores maioritrios junto juno
regio de depleco alarga
d.d.p. entre as regies P e N aumenta
mov. de port. maiorit. atravs da juno fica dificultado:
CORRENTE DIRECTA nula
+ -
E
- +
gerao trmica junto juno promove passagem port. minorit.
corrente elctrica de N para P:
CORRENTE INVERSA DE SATURAO
Forte dependncia c/ a temperatura!!!

P N
+ -
E
- +
Corrente directa:
Deve-se aos port. maioritrios
Dependncia exponencial com tenso aplicada

A resistncia da juno PN muito baixa qd. polarizada directamente
P N
+ -
Diagrama de bandas de energia
Juno PN Polarizao directa
P N
o campo elctrico aplicado ope-se ao campo da juno
favorece mov. dos port. maiorit. atravs da juno
se for inferior ao campo da juno:
no possvel vencer o potencial de contacto
portadores maioritrios no atravessam a juno
+ -
E
+ -
E
ext
P N
qd. o campo aplicado se aproxima do campo da juno:
alguns port. maiorit. entram na regio de depleco e
atravessam a juno, q/ se torna + estreita
surge uma corrente directa (de P p/ N) de baixa
intensidade
+ -
E
+ -
E
ext
P N
qd. o campo aplicado excede o campo da juno:
um n muito mais elevado de port. maiorit. vence o
potencial de contacto e atravessa a juno
a corrente directa aumenta muito
+ -
E
+ -
E
ext
Juno PN polarizada directamente injeco de portadores
=
=
d n
a p
N n
N p
0
0
No equil. nas regies neutras
=
=
d
i
n
a
i
p
N
n
p
N
n
n
2
0
2
0
Maioritrios minoritrios
=
=
KT
V V
n p
KT
V V
p n
e n n
e p p
0
0
0
0
) 0 (
) 0 (
Devido aplicao de polarizao directa
os portadores maioritrios atravessam a
RD e entram na regio de volume neutra:
Injeco de
portadores
minoritrios
=
=
KT
V
n p
KT
V
p n
e n n
e p p
0
0
0 0
0 0
Como a proporo de portadores ao longo
da juno controlada pelo potencial de
contacto:
Carrier concentration profiles across the device under forward bias.
SCL space charge layer
A quantidade de portadores que se
difundem nas regies neutras :
=
=
KT
V
p p
KT
V
n n
e n n
e p p
0
0
) 0 (
) 0 (
Lei da juno
= A
= A
po p
no n n
n x n x n
p x p x p
) ' ( ) ' (
) ' ( ) ' (
Excesso de portadores injectados
face s conc. no vol, neutro
Juno PN polarizada directamente corrente de difuso
J
elec
x
n-region
J = J
elec
+ J
hole
SCL
Minority carrier diffusion
current
Majority carrier diffusion
and drift current
Total current
J
hole
W
n W
p
p-region
J
The total current
anywhere in the device is
constant. Just outside the
depletion region it is due
to the diffusion of
minority carriers.
Da difuso resulta um decaimento exponencial
dos portadores injectados
A = A
A = A
n
h
L
x
p p
L
x
n n
e n x n
e p x p
'
0
'
0
) 0 ( ) ' (
) 0 ( ) ' (
Comprimento
de difuso
=
=
n n n
h h h
D L
D L
t
t
Coef. difuso
Tempo vida mdio
portadores minoritrios
|
|
.
|
\
|
A =
A
=
|
|
.
|
\
|
A =
A
=
e
h
L
x
p e
p
e elec D
L
x
n h
n
h hole D
e n
dx
d
qD
dx
x n d
qD J
e p
dx
d
qD
dx
x p d
qD J
'
0 ,
'
0 ,
) 0 (
' '
) ' (
) 0 (
' '
) ' (
Correntes
de difuso
Correntes de difuso dependem da posio x (!)
|
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
+ = + = 1
2 2
, ,
KT
V
a e
i e
d h
i h
elec D hole D
e
N L
n qD
N L
n qD
J J J
= = = A = A =
= = = A = A =
) 1 ( ) ( ) ) 0 ( ( ) 0 ( ) 0 (
) 1 ( ) ( ) ) 0 ( ( ) 0 ( ) 0 (
2
0 0 0 0 0
'
0 ,
2
0 0 0 0 0
'
0 ,
KT
V
a
i
e
e
p
KT
V
p
e
e
p p
e
e
p
e
e
L
x
p
e
e
elec D
KT
V
d
i
h
h
n
KT
V
n
h
h
n n
h
h
n
h
h
L
x
n
h
h
hole D
e
N
n
L
qD
n e n
L
qD
n n
L
qD
n
L
qD
e n
L
qD
J
e
N
n
L
qD
p e p
L
qD
p p
L
qD
p
L
qD
e p
L
qD
J
e
h
|
|
.
|
\
|
= 1
0
KT
V
S
e J J
Eq. Schokley
Difuso de portadores
minoritrios nas
regies neutras
Lei da juno x=0
Conc. minoritrios
nA
I
Shockley equation
Space charge layer
generation.
V
mA
Reverse I-V characteristics of a
pn junction (the positive and
negative current axes have
different scales)
I = I
o
[exp(eV/qk
B
T) 1]
Juno PN caracterstica I(V)
) ( se 1
0 0
KT V J e J J
S
KT
V
S
>
|
|
.
|
\
|
=
Densidade de corrente
inversa de saturao
2
0 i
a e
e
d h
h
s
n
N L
D
N L
D
q J
|
|
.
|
\
|
+ =
Depende do material, mas no da tenso aplicada.
Forte dependncia com a temperatura!
Esta eq. resulta do modelo de difuso de portadores
minoritrios na regio neutra.
E
c
E
v
E
c
E
Fp
M
E
Fn
eV
o
p
n
E
o
E
v
n
p
(a)
V
I
n
p
E
o
E
e(V
o
V)
eV
E
c
E
Fn
E
v
E
v
E
c
E
Fp
(b)
(c)
V
r
n p
e(V
o
+V
r
)
E
c
E
Fn
E
v
E
v
E
c
E
Fp
E
o
+E (d)
I = Very Small
V
r
n p
Thermal
generation
E
c
E
Fn
E
v
E
c
E
Fp
E
v
e(V
o
+V
r
)
E
o
+E
Energy band diagrams for a pn junction under (a) open circuit, (b) forward
bias and (c) reverse bias conditions. (d) Thermal generation of electron hole
pairs in the depletion region results in a small reverse current.
SCL
Juno PN diagrama de bandas de energia
Juno PN Capacidade da zona de carga espacial
Capacidade de transio/juno
n
no
x
x = 0
p
no
p
po
n
po
log(n), log(p)
-eN
a
eN
d
M
x
E (x)
B
-
h
+
p n
M
As
+
e
W
p
W
n
Space charge region
V
o
V(x)
x
PE(x)
Electron PE(x)
(a)
(b)
(c)
(e)
(f)
x
W
p
W
n
(d)
0
eV
o
x
(g)
eV
o
Hole PE(x)
E
o
E
o
M
net
M
W
n
W
p
n
i
V V
N N e
W
W
N N
N
W W
N N
N
W
A W N e A W N e Q
d a
d a
a
n
d a
d
p
n d p a
) (
1 1 2

0

|
|
.
|
\
|
+ =
+
=
+
=
= =
dV
dQ
C =
W
A
V) (V
N N e
e
e
A
V V
N N
e
A C
V) (V
N N
e A A V) (V
N N e
N N
N
N e Q
d a
d a
j
d a d a d a
d
a
c
=

|
|
.
|
\
|
+

|
|
.
|
\
|
+

=

|
|
.
|
\
|
+ =
|
|
.
|
\
|
+
+
=

0
0
0
1
0
1 1 2
4
2 2
1
2
1
1 1
2
1 1
2
1 1 2
W
A
C
j
c
=
Juno PN Capacidade de difuso
J
elec
x
n-region
J = J
elec
+ J
hole
SCL
Minority carrier diffusion
current
Majority carrier diffusion
and drift current
Total current
J
hole
W
n W
p
p-region
J
The total current
anywhere in the device is
constant. Just outside the
depletion region it is due
to the diffusion of
minority carriers.
Capacidade de difuso
p n
p
L
x
n
L
x
n
L
x
n n
L p e A
L
e
p e A Q
dx e p e e A Q
e p x p
p
p
p
=
(
(
(
(
=
= =
=
}
) 0 (
1
) 0 (
) 0 (
) 0 ( ) (
0
0
0
0
0
0
( )
KT
V
n p
KT
V
n p
n
p p n p dif
e p
KT
L e A e p
dV
d
L e A
dV
dp
L e A L p e A
dV
d
dV
dQ
C
0 0 0 ,
1 ) 0 (
) 0 ( =
|
|
.
|
\
|
= = = =
I
V
e n
V
L
p
V
L
e A e n
KT
L e A e p
KT
L e A C
T
KT
V
p
T
n
n
T
p
KT
V
p n
KT
V
n p dif
=
|
|
.
|
\
|
+ = + =
t
0 0 0 0
1 1
I
V
C
T
=
t
250 300 350 400
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Temperatura (K)
P
o
t
e
n
c
i
a
l

c
o
n
t
a
c
t
o

(
V
)
Homojuno PN de silcio
Na=Nd=10
16
m
-3
Na=Nd=10
17
m
-3
Na=Nd=10
18
m
-3
Na=Nd=10
19
m
-3
Na=Nd=10
20
m
-3
Na=Nd=10
21
m
-3
Juno PN Potencial de contacto (dependncia com a temperatura)
10
18
10
19
10
20
10
21
10
22
10
23
10
24
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Teor de dopagem, Na=Nd (m
-
3)
P
o
t
e
n
c
i
a
l

c
o
n
t
a
c
t
o

(
V
)
Homojuno PN de silcio
300K
350 K
400 K
Juno PN Potencial de contacto (dependncia com o teor de dopagem)
Constantes fsicas
Si Ge

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