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Fabrice Mathieu

PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3. Les transistors effet de champs
3.1. Dfinition
3.2. La commutation
3.3. Lamplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La gnration de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire diffrentielle
5.4. Lamplification de puissance
5.5. Lamplificateur oprationnel
5.6. Lalimentation linaire
5.7. Ladaptation de tension
5.8. Les montages non linaires
Les transistors et leurs applications
Fabrice Mathieu
1. Les amplificateurs
PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3. Les transistors effet de champs
3.1. Dfinition
3.2. La commutation
3.3. Lamplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La gnration de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire diffrentielle
5.4. Lamplification de puissance
5.5. Lamplificateur oprationnel
5.6. Lalimentation linaire
5.7. Ladaptation de tension
5.8. Les montages non linaires
Fabrice Mathieu
1. Les amplificateurs
Modle Quadriple dun amplificateur
Un amplificateur peut tre reprsent de faon gnrale par :
Son impdance dentre (Zin), Son gain en tension (Av) et son impdance de sortie (Zout).

Le quadriple dun amplificateur peut tre dtermin par les diffrentes matrices classiques
(admittance, impdance et hybride)
La reprsentation la plus utilise pour un amplificateur est la suivante:
Chaque lment peut tre exprim avec les paramtres des diffrentes matrices.

Important :
- Faire attention au sens des courants
- Vrifier si ltude du quadriple est effectue vide ou en charge.
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1. Les amplificateurs
Lamplificateur de tension charg
Le chainage des amplificateurs peut avoir une influence sur le comportement.

- La tension dentre Vin
n
de lamplificateur An est dpendante des impdances Zout
n-1
et
Zin
n
avec la relation :


- La tension de sortie Vout
n
de lamplificateur An est dpendante des impdances Zout
n
et
Zin
n+1
avec la relation :



En conclusion, pour rendre un amplificateur indpendant de ces conditions il faut que

Zin soit la plus grande possible et Zout la plus faible possible.

1
1

+
=
n n
n
n n
Zout Zin
Zin
Av Vin
n n
n
n n
Zout Zin
Zin
Av Vout
+
=
+
+
1
1
Zin+1 Zinn-1 Avn-1.Vinn-1
Zoutn-1
Vinn
Zinn Avn.Vinn Avn+1.Vinn+1
Zoutn Zoutn+1
Fabrice Mathieu
2. Les transistors bipolaires
PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3. Les transistors effet de champs
3.1. Dfinition
3.2. La commutation
3.3. Lamplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La gnration de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire diffrentielle
5.4. Lamplification de puissance
5.5. Lamplificateur oprationnel
5.6. Lalimentation linaire
5.7. Ladaptation de tension
5.8. Les montages non linaires
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B
C
E C
E
B
Transistor NPN Transistor PNP
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
+ = 1 1
T
BE
V
V
A
CE
S C
e
V
V
I I
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
+ =

1 1
T
BE
V
V
A
CE
S C
e
V
V
I I
q
kT
V
T
=
B C
I I | =
B C E
I I I + =
| : Gain en courant, Trs peut reproductible dun composant lautre,
Dfini par sa valeur minimale ( 20 < | < 500 ).
V
A
: Tension dEarly, paramtre technologique ~ 100V
2.1. Dfinition
CE
V
CE
C
C
A
V
V
I
I
V
BE

|
|
.
|

\
|
c
c
=
I
S
: Courant de saturation inverse de la jonction metteur base ~ 10
-14
A
2. Les transistors bipolaires
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2.2. La commutation
Le transistor bipolaire est trs utilis en commutation. Le principe de base peut tre
reprsent par le montage inverseur.
Dans ce cas, les paramtres importants sont les temps de
commutation louverture et la fermeture ainsi que la
rsistance en circuit ouvert R
off
et en circuit ferm R
on
(R
cesat
).
Condition de blocage (interrupteur ouvert)
besat be b
V V I << = 0
Condition de saturation (interrupteur ferm)
min
|
C
b
I
I >>
Doc : 2N3904 Philips
Doc : 2N3904 Fairchild
O ~ = 5
c
cesat
on
I
V
R O ~ =
8
10
CEcutoff
CEbloqu
off
I
V
R
2. Les transistors bipolaires
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2.3. Lamplification
Diffrentes classes damplificateurs
La polarisation
Pour fonctionner en amplificateur, un transistor doit tre aliment de faon ce quil soit en
rgime linaire. Pour cela un circuit de polarisation doit lui tre appliqu.
Le circuit form par le transistor et lensemble des lments
doit vrifier les quations de dfinition
- Le rapport des diffrents courants I
c
, I
b
et I
E

- Les diffrentes tensions V
BE
et V
CEsat
<V
CE
<V
CEmax

A,B, AB,C Amplification analogique
D, E, F Amplification dcoupage (MLI)

2. Les transistors bipolaires
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2.3. Lamplification
Caractristique de transfert dun transistor
mont en Emetteur commun
( )
CE CC
C E
C
V V
R R
I
+
=
1
Droite de charge statique
( )
C U C CE
I R R V A = A //
Droite de charge dynamique
- Passe par le point de repos
- Coefficient directeur :
2. Les transistors bipolaires
( )
1
//

=
A
A
U C
CE
C
R R
V
I
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Autour du point de polarisation, si les signaux damplification sont faibles (pas de distorsion),
on linarise le fonctionnement avec le montage suivant
Avec :
T
C
BE
C
m
V
I
dV
dI
g ~ =
C
CE A
C
CE
out ce
I
V V
dI
dV
R r
+
= = =
C
T
B
BE
in be
I
V
dI
dV
R r | ~ = =
Et g
m
la transconductance : ;
Modle petit signal simplifi
2.3. Lamplification
2. Les transistors bipolaires
b be m
i v g | =
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Schma tenant compte des lments parasites, permettant ltude en frquence.
A noter, la contre raction ralis par les lments r

et C

qui provoquent un effet Miller.


Effet Miller : l'influence du gain d'un amplificateur de tension inverseur sur ses propres caractristiques d'entre.
(dans le cas d'un amplificateur non-inverseur, le mme effet conduit la gnration d'impdances ngatives).
Consquences : Diminutions de limpdance dentre et de la bande passante du montage
2.3. Lamplification
Modle petit signal rel
2. Les transistors bipolaires
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Emetteur commun Collecteur commun Base commune
Les montages de base
u
u
be p e
r R R // = ( )( ) ( )
U E ce be p e
R R r r R R // // 1 // + + = |
|
be
m
e
r
g
R = ~
1
( )
be
U C ce
V
r
R R r
A
// // |
=
( )( )
( )( )
1
// // 1
// // 1
s
+ +
+
=
U E ce be
U E ce
V
R R r r
R R r
A
|
|
( )
U C ce
ce
m V
R R r
r
g A // //
1
|
|
.
|

\
|
+ =
C ce C S
R r R R ~ = //
( )
1
//
// //
+
+
=
|
be p G
E ce S
r R R
R r R ( )( ) ( )
G E be ce m ce C S
R R r r g r R R // // 1 // + + =
Avec : , , ,

et R
G
: Impdance de sortie du gnrateur.
2 1
// R R R
p
=
T
C
m
V
I
g =
C
T
be
I
V
r | =
C
CE A
ce
I
V V
r
+
=
2.3. Lamplification
2. Les transistors bipolaires
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Emetteur commun Collecteur commun Base commune
u
u
- Gain damplification en tension
important A
v
~100
- Impdance dentre faible
Z
e
~ kO
- Impdance de sortie leve
Z
s
~ R
c
~ kO
- Gain damplification en tension
proche de lunit
- Impdance dentre leve
Z
e
~ | fois lEC
- Impdance de sortie faible
Z
s
~ 1/| fois lEC
- Gain damplification en tension
quivalent lEC
- Impdance dentre faible
Z
e
~ quelque dizaines dO
- Impdance de sortie assez leve
Z
s
~ quelque dizaine de kO
Conclusions
Le montage en metteur commun est utilis en amplificateur. Par contre, pour amliorer ses caractristiques
dentre et de sortie, on peut lui associer un montage en collecteur commun en amont et en aval.
Le montage base commune est peu utilis. Cependant, il apporte un intrt dans les montages haute
frquence, car leffet de la capacit Miller est fortement diminu, ce qui permet une bande passante plus
importante.
Les montages de base
2.3. Lamplification
2. Les transistors bipolaires
Fabrice Mathieu
3. Les transistors effet de champs
PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3. Les transistors effet de champs
3.1. Dfinition
3.2. La commutation
3.3. Lamplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La gnration de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire diffrentielle
5.4. Lamplification de puissance
5.5. Lamplificateur oprationnel
5.6. Lalimentation linaire
5.7. Ladaptation de tension
5.8. Les montages non linaires
Fabrice Mathieu
3.1. Dfinition
Il existe plusieurs types de transistors effet de champs. Les deux types les plus utiliss sont:
les transistors JFET canal N et P et les transistors MOSFET enrichissement et
appauvrissement canal N ou P. Soit 6 types de transistors.
Le JFET
Cest un transistor FET jonction. Le canal de conduction
correspond la rgion n, encadre par deux rgion p
connectes llectrode de grille. Cette grille sert polariser la
jonction pn en inverse de faon moduler la largeur du canal.
Le JFET conduit si , V
p
est la tension de pincement
(pinch voltage), cest une tension inverse ngative.
Cette tension est trs peu reproductible dun transistor lautre.
p GS
V V >
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=
AJ
DS
p
GS
DSS D
V
V
V
V
I I 1 1
2
O et . I
DSS
est le courant V
GS
nul
p GS
V V > > 0
p GS DS
V V V >
3. Les transistors effet de champs
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3.1. Dfinition
Le JFET
Canal N Canal P
Le courant de grille I
G
correspond au courant de fuite de la jonction pn, il nest donc
pas compltement nul. Cependant il est ngligeable compar au courant de base
existant dans le bipolaire.
La tension V
AJ
est un effet comparable la tension dEarly, elle est due la modulation
de la longueur du canal de conduction par la tension V
DS
. (~150V)
repos D DSS
P
V
GS
D
m
I I
V V
I
g
DSconst
=
(

c
c
=
2
D
DS AJ
V
D
DS
ds
I
V V
I
V
r
const GS
+
=
(

c
c
=
3. Les transistors effet de champs
Fabrice Mathieu
3.1. Dfinition
Le MOSFET
Le canal de conduction est ralis par
lapplication dun potentiel de grille V
GS
.
Lorsque ce potentiel de grille atteint la
tension de seuil V
T
le transistor se met
conduire.
Loxyde (SiO
2
) tant isolant, le courant de grille est quasiment nul et correspond au
courant de fuite de la capacit MOS. Donc la rsistance dentre tend vers linfini.
En rgle gnrale, le substrat (bulk) est reli la source
Pour information, Cette tension V
T,
est lie la tension
dinversion de population dans le canal. Elle dpend des
paramtres technologiques. Elle est trs peu reproductible
dun transistor lautre.
3. Les transistors effet de champs
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3.1. Dfinition
Le MOSFET
( ) ( )
2
2
DS DS T GS D
V V V V K I =
Avec V
GS
> V
T
et V
DS
< V
GS
-V
T
Rgime linaire (Mode Triode)
Rgime bloqu : V
GS
< V
T
I
D
~ 0

eff
: Mobilit des porteurs dans le canal
C
ox
: Capacit du condensateur de grille
W : Largeur du canal
L : Longueur du canal
Rgime satur (Mode pentode)
( )
|
|
.
|

\
|
+ =
A
DS
T GS D
V
V
V V K I 1
2
Avec V
GS
> V
T
et V
DS
> V
GS
-V
T
DS
V
DS
D
D
A
V
V
I
I
V
GS

|
|
.
|

\
|
c
c
=
V
A
: Tension dEarly
L
W
C K
ox eff

2
1
=
2
.
T DSS
V K I =
3. Les transistors effet de champs
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3.2. La commutation
Le transistor MOS est trs utilis en commutation. Son norme intrt davoir un courant de
grille quasiment nul, donc un courant de commande nul.
Dans ce cas, les paramtres importants sont les temps de commutation louverture et la
fermeture ainsi que la rsistance en circuit ouvert R
off
et en circuit ferm R
on
.
R
off
: correspond la rsistance du canal hors conduction.
Quelque centaines de mgohms.
R
on
: correspond la rsistance du canal en conduction.
Elle dpend donc beaucoup de la technologie utilise
Elle est de quelque dixime dohm quelque dizaines dohm.
( )
T GS
V
D
DS
on
V V K I
V
R
DS

~
c
c
=
~
2
1
0
Exemple : Interrupteur base de transistors MOS complmentaires
permettant un comportement dinterrupteur analogique.
Doc : BSS123 Fairchild
Doc : AN-251 Analog Device
3. Les transistors effet de champs
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MOSFET enrichissement MOSFET appauvrissement
Canal N Canal P Canal N Canal P
Le MOSFET
GS
D
m
V
I
g
c
c
=
D
DS A
D
DS
ds
I
V V
I
V
r
+
~
c
c
=
3.3. Lamplification
T GS
D
D m
V V
I
I K g

~ ~
2
. 2
( )
DS T GS
D
DS m
V V V
I
V K g

~ ~
2
. 2
. 2
Rgime
Rgime satur:
Rgime linaire:
3. Les transistors effet de champs
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Source commune Drain commun Grille commune
Les montages de base
=
e
R =
e
R
m
e
g
R
1
=
( )
L m L ds m V
R g R r g A ~ = //
1
1
1
1
~
+
=
L m
V
R g
A
S m
L m
V
R g
R g
A
+
=
1
L ds L S
R r R R ~ = //
m
L
m
S
g
R
g
R
1
//
1
~ =
( )
S m ds S
R g r R + = 1
3.3. Lamplification
- Gain damplification en tension
- Impdance dentre trs grande
- Impdance de sortie leve
- Gain damplification en tension
unitaire
- Impdance dentre trs grande
- Impdance de sortie faible
- Gain damplification en tension
unitaire
- Impdance dentre faible
- Impdance de sortie faible
3. Les transistors effet de champs
Fabrice Mathieu
4. Comparaison des deux technologies
PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3. Les transistors effet de champs
3.1. Dfinition
3.2. La commutation
3.3. Lamplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La gnration de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire diffrentielle
5.4. Lamplification de puissance
5.5. Lamplificateur oprationnel
5.6. Lalimentation linaire
5.7. Ladaptation de tension
5.8. Les montages non linaires
Fabrice Mathieu
Les bipolaires
Transistors NPN et PNP

- Contrle par courant.

- En commutation, rsistance srie faible
si Ic important.

- Tension dearly Ic = f(Vbe) non plat dans
la zone linaire.

- Impdance dentre faible (vue de la base).

- Consommation de courant en rgime tout ou rien.

- Tension de seuil trs reproductible en
composants discret Vbe = f (Ic,Ib)

- | dfini par sont minimum.
Les effet de champs
JFET & MOSFET canal N ou P
enrichissement ou appauvrissement

- Contrle en tension.

- Rsistances Ron faible (plus forte que le
bip mais moins dpendante du courant).

- Effet Early existant mais moins marqu que le bip


- Impdance dentre trs forte (vue de la grille).

- Pas de consommation en dehors des
transitions en rgime tout ou rien.

- Peut de reproductibilit en composant discrets
Vgsth = f (Vds,Id) varie dun rapport deux
Gnralits
4. Comparaison des deux technologies
Fabrice Mathieu
Phototransistor Relai solide Transistor MOS Transistor Bipolaire
Les points importants : - Temps de commutation
- La rsistance srie rapporte
- Le type de commande
- Tensions et courants mises en jeux
- Fonctionne en tension
flottante
- Rapide, fonction de I
F

t
commutation
< 20 s

- Unidirectionnel
- Vce fonction de I
c
Trs fortes variations
- Fonctionne en tension
flottante
- Lent t
commutation
> ms

dpend de I
F
- bidirectionnel
- Rsistance srie faible
1O<R
on
<100O
Indpendante de I
F

dpend de T, I
d

- Fonctionne en tension
rfrence
- t
commutation
< 20 ns

dpend de I
d
- Bidirectionnel
V
gs
> V
gs(th)
- Rsistance srie faible
100mO<R
on
<100O
Indpendante de I
d

dpend de T, Vgs
LH1532 BSS123 FMMTL618 TCMT1100
- Consommation de la base
- Fonctionne en tension
rfrence
- t
commutation
< 400 ns

dpend de I
c
- Unidirectionnel
- Rsistance srie faible
10mO < V
cesat
/Ic < 1O
dpend de I
c

La commutation
4. Comparaison des deux technologies
Fabrice Mathieu
5. Les applications
PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Dfinition
2.2. La commutation
2.3. Lamplification
3. Les transistors effet de champs
3.1. Dfinition
3.2. La commutation
3.3. Lamplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La gnration de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire diffrentielle
5.4. Lamplification de puissance
5.5. Lamplificateur oprationnel
5.6. Lalimentation linaire
5.7. Ladaptation de tension
5.8. Les montages non linaires
Fabrice Mathieu
Gnration dun courant pilots en tension avec prcision

Points Importants :
- la stabilit

5.1. La gnration de courant
I
Rc
V-
V
-

V
base
I
R
e
I
R
e

I
R
e

I
R
e

I
R
e

I
Rc
V-
I I I I

V
-

V
base

I
R
e

5. Les applications
|
|
.
|

\
| +
=

|
| 1
e
be base
R
V V V
I
Valeur du courant :

s
c
be
I
I
q
kT
V ln ~
! Attention !
Sensible la temprature
T
R R
T
I
I
q
k
I
e e s
c
A ~
A
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
| +
~ A
3
10 . 2
. ln
1
|
|
- lgalit des courants
Transistors identiques
Fabrice Mathieu
5.1. La gnration de courant le miroir de courant
in in out
I I I ~
+
=
|
2
1
1
Copier un courant avec prcision
Permet la modulation
Sensibilit rduite la temprature
! Attention !
Il faut respecter la symtrie parfaite des transistors
Utiliser des composants spcifiques
Utiliser des | levs
Compensation en temprature
Potentiel flottant
s
c
be
I
I
q
kT
V ln 2 2 ~
5. Les applications
be com
V V +
I
out
I
in
R
com
I
out
I
in
in out
I I =
R
com
com
V +
1
+
Fabrice Mathieu
5.2. La charge active
( )
O ~ ~ ~
~ ~ ~ ~ ~ ~
+
1200 ; 240
2 ; 6
2
; . 40 . //
C s V
C C C C C C m ce C
be
V
R r A
mA I V
V
I R I R R g r R
r
A
|
Ici le gain est limit par la tension de polarisation.
Il faut que limpdance vue du collecteur soit trs forte, avec une polarisation identique.
Elle est utilise dans la majeure partie du temps pour limiter lutilisation des rsistances qui sont trs
difficilement intgrables dans les circuits intgrs. Elles peuvent galement dans certains cas augmenter le
gain damplification en jouant sur la rsistance dynamique.
Dans ce cas, limpdance vue du collecteur est :
Donc, si V
A
= 100V et I
C
=2mA
( ) 1 1
2 2
R g r r
m ce c
+ ~
( ) O ~
|
|
.
|

\
|
+ = + ~ O ~ ~
6
10 2 . 1 1 1 1 1 300 1 R
V
I
I
V
R g r r
I
V
R
T
C
C
A
m ce c
C
be
Donc le gain en tension est ici limit par la rsistance dynamique
de sortie du transistor1 :
Soit un gain de :
O ~ K r
ce
50
1
( ) ( )
1 1
; 4000 // //
ce s ce C
T
C
ce C
be
V
r r r r
V
I
r R
r
A ~ ~ = ~
|
5. Les applications
u
Fabrice Mathieu
5.2. La charge active
Utilisation en polarisation.
Dans ce montage, lamplificateur en metteur commun ralis
par le transistor T1.
Si on se rfre au rsultat prcdent, T1 est charg par le
transistor T2, et la rsistance de charge correspond r
ce2
.
Le courant de polarisation est ralis grce au miroir de courant
T2 ,T3 et vaut :
1
3
R
V V
Ic
be

~
+
On peut donc charger une branche damplification sans rsistance en amliorant le gain damplification.
Ceci, en pilotant la polarisation de la branche damplification en intgrant un miroir de courant.
On peut donc valuer le gain en tension de cet amplificateur :
( ) 2600
2 2 2
// ~ = = = ~
T
A
C
A
T
C ce
T
C
ce C
T
C
V
V
V
I
V
V
I r
V
I
r R
V
I
A
5. Les applications
Fabrice Mathieu
5.3. La paire diffrentielle
T1 T2
T4 T3
T5 T6 RI
I1
I
VE1 VE2
Iout
I2
+VCC
-VCC
Elle est utilise pour amplifier la diffrence deux tensions dentre. Cest un lment essentielle en
lectronique.
Les transistors T5 et T6 sont monts en miroir de courant.
Le courant I du collecteur T5 vaut :
RI
V V
I
be CC 6

~
Les transistors T3 et T4 sont monts en miroir de courant.
Ils imposent de ce fait lgalit des courants I
1
et I
2
. de plus, le
montage impose que : I=I
1
+I
2
.
Les transistors T1 et T2 composent la paire diffrentielle
Si V
E1
=V
E2
T
1
et T
2
ont le mme V
be
, donc I
1
et I
2
sont identiques,
Alors I
out
=0
Si V
E1
V
E2
T
1
et T
2
nont plus le mme V
be
, donc I
1
et I
2
sont diffrents car : i
n
=g
m
.v
ben
Comme I
out
+I
2
=I
1
Alors I
out
= g
m
(V
E1
-V
E2
)
! Attention !
Ceci nest vrai que pour de trs petites variations autour du point de polarisation V
E1
-V
E2
< V
T

5. Les applications
Fabrice Mathieu
5.4. Lamplification de puissance, ltage push Pull
Cest un montage amplificateur classe B. Cest--dire quune demi priode est amplifi par le transistor
correspondant mont en collecteur commun. Le gain est unitaire, il permet surtout une amplification de la
puissance en sortie.
Q2
Q3
E-
E+
RL1
100
Vout1
0
Vin
5. Les applications
Q4
E-
Q5
E+
RL2
0
Vout2 Vin
RD2
RD1
D1
D2
Les diodes liminent leffet de la distorsion due la jonction base metteur. (fonctionnement en classe AB)
V
in
V
out1
V
out2
V
in
V
out1
V
out2
Fabrice Mathieu
Impdance dentre 10
6
10
12
W
Bande passante 1MHz 250MHz
Tension dalimentation <5v qq dizaines de volts
Consommation qq 100A >10mA
Courant de sortie 10mA 2A
Niveau de bruit 3.5 nv/Hz 80 nV /Hz
Tension doffset qq 10 V 10mV
5.5. Lamplificateur oprationnel
Charge active
Paire diffrentiel dentre
Etage de sortie
Push pull
Miroir de courant
Etage damplification
Emetteur commun
5. Les applications
Fabrice Mathieu
5.6. Lalimentation linaire Le montage en ballast
Permet dobtenir en sortie de montage une puissance importante en tension
stabilise.
R
Vz
Vin
Vout = Vz+Vbe
I
Principe du rgulateur linaire
Ncessite une tension Vce minimale
de fonctionnement

Rendement globale de mauvaise qualit
Perte de puissance dans le transistor
Augmenter le courant disponible
dun composant dfinie
Vin
Vout = Vreg+Vbe
Rgulateur
5. Les applications
Fabrice Mathieu
5.7. Ladaptation de tension
Dans les systme multi tensions
Permet dadapter les tensions de fonctionnement
Porte logique
R
R
Vout
Vin
Vrifier que le courant de sortie soit compatible
V
CC1
Porte logique
R
Vout
Vin
Vrifier que la tension V
gs(th)
soit infrieur V
CC1
Faible consommation
V
CC2
V
CC1
V
CC2
Montages Inverseurs
5. Les applications
Fabrice Mathieu
5.8. Utilisation de la non linarit tension/courant
Amplificateur logarithmique
s
in
out
I R
V
q
kT
V
.
ln ~
|
.
|

\
|
~
in s out
V
T k
q
I R V
.
exp .
V
in
+
-
R
Amplificateur anti-logarithmique
ou exponentiel
+
-
I
in
R
V
2
Multiplieur (Mixeur)
V
1
! Attention !
Trs sensible la temprature
Utiliser des circuit monolithiques compenss
Respecter les niveaux de tensions compatibles
+
+
+
-
+
+
-
-
2 1
. . V V K V
out
~
5. Les applications
V
in
Fabrice Mathieu
Annexes
Cours dlectronique analogique trs complet : http://philippe.roux.7.perso.neuf.fr/

Cours sur les transistors effet de champs : http://www.montefiore.ulg.ac.be/~vdh/supports-elen0075-1/notes-chap6.pdf

Cours de circuits lectrique et lectronique : http://subaru2.univ-lemans.fr/enseignements/physique/02/cours2.html

Article dcrivant certains critres de choix entre bipolaire et MOSFET : http://www.diodes.com/zetex/_pdfs/5.0/pdf/ze0372.pdf

Cours sur les transistors effet de champ : http://leom.ec-lyon.fr/leom_new/files/fichiers/MOS.pdf

Cours sur les transistors bipolaire : http://leom.ec-lyon.fr/leom_new/files/fichiers/BJT.pdf

Cours sur les blocs lmentaires base de transistor : http://leom.ec-lyon.fr/leom_new/files/fichiers/Bloc_elem.pdf

Cours sur lamplificateur diffrentiel : http://claude.lahache.free.fr/mapage1/ampli-differentiel.pdf

Cours dintroduction llectronique analogique : http://www.famillezoom.com/cours/electronique/electronique-analogique.pdf

Article prsentant la modulation de Ron dans les MOS : http://www.analog.com/static/imported-files/application_notes/413221855AN251.pdf

Bibliographie