UNIDAD 3

Elementos Bsicos de los Sistemas de Comunicaciones por Fibra ptica

TEMAS

4.1 Fuentes y Transmisores pticos

4.2 Detectores y Receptores pticos
4.3 Amplificadores pticos

4.1 Fuentes y Transmisores pticos

Las fuentes de luz modernas (transmisores)

Contienen circuitos integrados Diodos Lser (LD) o Diodos Emisores de Luz (LED) Modulados por circuitos integrados separados

Fuentes y Transmisores pticos

Pequeo tamao Estructura slida y bajos requerimientos de potencia En tasas de algunos Gbps la informacin se pone en el haz ptico modulando la fuente de corriente de entrada. Para tasas mayores se usa modulacin externa.

4.1.1 Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

La teora de bandas

Banda de Conduccin

Operacin de un emisor (y receptor)

Dos bandas de energas permitidas Separadas por una regin prohibida

De energa superior Electrones no unidos a tomos individuales Libres de moverse De energa inferior Huecos no unidos Libres de moverse Carga positiva

Banda de Valencia

Su ancho tiene energa Wg

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Los huecos se ubican donde se tom un electrn de un tomo neutro. El tomo queda con una carga neta positiva. Un electrn libre puede recombinarse con un hueco devolviendo al tomo su estado neutro. Se libera energa cuando esto ocurre.

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Semiconductor tipo n

Tiene electrones libres Tiene huecos libres Los niveles de Fermi WF de los materiales se alinean Producen la barrera de energa que se muestra

Semiconductor tipo p

Cuando se unen sin aplicar voltaje:

Materiales fuertemente dopados

Condicin para generar muchos electrones y huecos

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Energa del electrn:

Incrementa hacia arriba Los electrones libres en n no tienen suficiente energa para ir a la regin p Incrementa hacia abajo Los huecos libres en p no tienen suficiente energa para ir a la regin n

Energa del hueco:

Sin voltaje no hay movimiento de carga

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Un voltaje V aplicado separa los niveles de Fermi de los dos materiales Disminuye la barrera

Aumentando la energa potencial del lado n Disminuyendo la energa potencial del lado p

Si la energa aplicada (eV) es cercana a la energa de separacin Wg, los electrones y los huecos libres tendrn suficiente energa para ir a la regin de unin. Su recombinacin recupera energa en forma de un fotn.

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

La energa de un fotn y la frecuencia estn relacionadas por W = hf. La longitud de onda radiada es entonces:
hc Wg
Wg Joules
, metros

Expresando la energa de separacin en electrnvolts y la longitud de onda en micrmetros:

1.24 Wg

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Semiconductores emisores de luz

Material
GaInP GaAs AlGaAs InGaAs InGaAsP

Rango de longitudes de onda (m)

0.64-0.68 0.9 0.8-0.9 1.0-1.3 0.9-1.7

Energa de banda de separacin (eV)

1.82-1.94 1.4 1.4-1.55 0.95-1.24 0.73-1.35

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Homo-unin

Se usa el mismo material semiconductor a ambos lados de la unin p-n La recombinacin ocurre en una regin muy amplia Ya que los portadores no estn confinados en una vecindad, es difcil obtener altas densidades de portadores

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Hetero-unin

Hace que las capas p y n encierren una capa delgada (capa activa) que puede o no estar dopada
Su ancho puede controlarse externamente Un valor tpico es de ~0.1 m.

Su papel es confinar los portadores inyectados

Permite obtener altas densidades de portadores

A tales dispositivos se les denomina doble heteroestructuras.

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Heteroestructuras

La capa activa tiene un ndice de refraccin ligeramente superior a los de las capas p y n Acta como una gua de onda dielctrica

La heteroestructura confina la luz generada a la capa activa debido a su mayor ndice de refraccin

Soporta modos pticos cuyo nmero puede controlarse cambiando su ancho

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Absorcin Emisin espontnea Emisin estimulada

Interaccin electro-ptica en uniones de semiconductores

Emisin espontnea

Se emiten fotones con direcciones aleatorias No hay relacin de fase entre ellos Luz no coherente Inicia con un fotn existente El fotn emitido tiene la misma energa (frecuencia), y direccin de propagacin Luz coherente

Emisin estimulada

4.1.2 Diodos Emisores de Luz

La radiacin de un LED es causada por la recombinacin de huecos y electrones que son inyectados en la unin por un voltaje de activacin. Usan emisin espontnea Para telecomunicaciones emiten en la regin de infrarrojo cercana. Son baratos comparados con los lser

LED

Se usan principalmente con fibra multimodo Emiten luz incoherente Ancho espectral de 30 a 60 nm Dispersin angular grande

LED

LED de emisin superficial LED de emisin lateral

LED

Pueden tener una homounin p-n o un diseo de heteroestructura La heteroestructura tiene un desempeo superior

Da control sobre el rea de emisin Elimina la absorcin interna Solo 1% de la potencia generada internamente por emisin superficial pasa a la fibra

Los LED son muy ineficientes

LED

Tpicamente emite a 820 nm

4.1.3 Caractersticas de operacin de los LED

La potencia que generan es proporcional a la corriente que se les inyecta y no toda va a la fibra Tpicamente operan a cerca de 50-100 mA y requieren voltajes de1.2-1.8 V

Modulaciones digital y anloga

Qu pasara con una corriente negativa?

Caractersticas de operacin de los LED

Algunas desviaciones de la linealidad distorsionan la seal. Cuando se requiere una distorsin muy baja, se debe evaluar la linealidad de la fuente propuesta. Al igual que las fibras, la fuente puede tambin restringir la capacidad del sistema

A mayores frecuencias, capacitancias de unin y parsitas cortocircuitan la corriente que vara rpidamente, reduciendo el valor de la potencia de ac La limitacin ms importante a la modulacin de alta frecuencia es el tiempo de vida de la portadora .

Tiempo de vida de la portadora

Es el tiempo promedio para que la cargas inyectadas se recombinen. La corriente moduladora debe cambiar lentamente comparada con . La respuesta limitada del tiempo de vida de portadora de un LED para seales elctricas de frecuencia en radianes es:

PSP

a1 I SP 1 2 2

Cunto vale para = 1/?

Tiempo de vida de la portadora

En el receptor la corriente generada por el detector es proporcional a la potencia ptica. Cuando la potencia ptica de ac se reduce a 0.707, la corriente ac detectada tambin disminuir por ese factor La potencia elctrica en el detector (proporcional al cuadrado de la corriente) bajar un factor de 0.7072 = 0.5 (esto es, baja 3 dB).

Tiempo de vida de la portadora

Por esta razn, se llama a 1/

El ancho de banda de modulacin de 3 dB del LED O su ancho de banda elctrico de 3 dB.

Y en hertz? Emisores de superficie

Se han alcanzado 300 MHz

LED comerciales

Menor para la mayora de ellos Valores tpicos de 1 a 100 MHz

Tiempo de subida tr

0.35 f 3dB tr

Valores tpicos:

De unos pocos a 250 ns.

LED y dispersin

Dispersin material y de gua de onda

La dispersin del pulso debida a ellas crece linealmente con el ancho espectral de la fuente

LED en la regin 800-900 nm: 20-50 nm Mayores longitudes de onda: 50-100 nm

Se compensa con la reduccin en la dispersin material

Eficiencia de acoplamiento

Depende mucho del patrn de radiacin del emisor:

De ms de 500 Mbps para fibras SM Ancho del haz de media potencia?

Patrn Lambertiano

Eficiencia de acoplamiento

Los rayos que inciden en una fibra, pero fuera de su ngulo de aceptacin, no sern acoplados.

Una fibra con NA=0.24, tiene un ngulo de aceptacin de unos 14 (total 28), as que buena parte de la potencia ser rechazada.

Especificaciones de operacin

Son muy confiables y duraderos si operan dentro de las especificaciones del fabricante:

Potencia Voltaje Corriente Temperatura

Ejemplo de caractersticas
Caracterstica Potencia de salida a fibra monomodo (25C) Apertura numrica Tiempos de subida/bajada Ancho de lnea de media potencia Coeficiente de temperatura de potencia de salida Variacin de la longitud de onda central con la temperatura Ensanchamiento espectral Valor 2-50 W 0.1-0.6 3 ns max. 30-60 nm 1.2% / C tpico 0.5-0.8 nm / C 0.4 nm / C, tpico

Duracin y efecto de la temperatura

Tiempo de vida: ms de 11 aos para LED buenos Algunos toleran temperaturas de operacin de entre -65 y 125C

Pero la potencia disminuye al subir la temp. Un valor tpico: 0.012 dB / C

Tipos de paquete

4.1.4 Diodos Lser (LD)

Usan emisin estimulada Altas potencias (~100 mW) Dispersin angular relativamente estrecha

Eficiencia de acoplamiento: ~50% en SM

Permiten operar a altas tasas: ~10 Gbps Pueden modularse directamente hasta 25 GHz

Tiempo de recombinacin corto

Otros tipos de lser?

Diodos Lser (LD)

Diodos Lser (LD)

Usados principalmente para enlaces de larga distancia y/o con altas tasas de bits Hay muchos tipos:

De modo multilongitudinal (MLM) o Fabry-Perot De modo monolongitudinal (SLM) SLM con retroalimentacin distribuida (DFB), ms comnmente llamado lser DFB Lser DFB con modulador externo Lser de emisin superficial de cavidad vertical (VCSEL)

MLM o Fabry-Perot

Emisin multimodo Ancho completo a medio mximo (FWHM): 4 a 5 nm Particionamiento de modo

Variacin en la potencia de modos individuales Afecta fibras con dispersin cromtica

Particionamiento de modo

Genera ruido en la seal de salida

Independiente de la potencia

Para sistemas con tasas sobre unos cientos de Mbps en fibras de bajas prdidas puede limitar el alcance Pequeas reflexiones de luz que regresan al lser:

Por conectores, por ejemplo Causan cambios significativos en el particionamiento Por tanto afectan el desempeo del sistema Modos con apenas 1% de la potencia afectan.

Esto redefine el espectro de este tipo de dispositivos

Lser de modo monolongitudinal (SLM)

Prdidas de cavidad diferentes para distintos modos El modo con la prdida de cavidad ms pequea alcanza el umbral primero y se convierte en el modo dominante Los modos secundarios deberan estar 30 dB por debajo del modo dominante

Lser semiconductor con retroalimentacin distribuida (DFB)

Sistema selectivo de distribuido

Rejilla que retroalimenta una especfica

Muy sensible a la retroalimentacin de luz

Menos de 0.1% puede desestabilizarlo Puede disminuirse con:

Capas antirreflectivas Cortes angulares del extremo de la fibra (la luz reflejada no golpea la regin activa del lser An ms drstico: se instalan aisladores

Lser semiconductor con retroalimentacin distribuida (DFB)

Un parmetro importante: tasa de supresin de modos (MSR)

Objetivo: atenuar los modos subsidiarios para obtener potencia mxima en el principal MSR > 30 dB para un DFB continuo FWHM ideal: menos de 0.2 nm

Y puede disminuirse a unos pocos cientos de kHz Casi universalmente empleado en circuitos de largo alcance.

Lser semiconductor con retroalimentacin distribuida (DFB)

Es caro Se agregan componentes para:

Monitorear su salida (con un receptor PIN) Controlar la temperatura de la unin

Enfriador termoelctrico TEC , Aparatos de calentamiento/enfriado Dispositivos de absorcin/ disipacin

Controlar y mantener la frecuencia

Con un circuito de retroalimentacin

Lser DFB con modulador externo

Modulacin directa (o de intensidad):

Encender y apagar el lser En la actualidad el lser nunca se apaga completamente

Uso de un modulador ptico

Lser DFB con modulador externo

Moduladores pticos:

Controlan la cantidad de potencia ptica transmitida a la fibra. Mach-Zender (M-Z) Electro-refraccin (Semiconductor de) Electro-absorcin MQW

Tres tipos comunes:

Modulador Mach-Zehnder (M-Z)

Usa guas de LiNbO3 de titanio difuso

El ndice de refraccin del LiNbO3 puede cambiarse aplicando un voltaje externo. Taza de extincin: mayor a 20 (13 dB) Ancho de banda de modulacin: 75 Gbps

Parmetros:

Moduladores externos

Tambin hechos de polmeros electro-pticos, alcanzan hasta 60 Gbps algunos monolticos. Otro tipo es el de semiconductores

Moduladores de electro-absorcin Usan el efecto Franz-Keldysh

La banda de separacin de un semiconductor disminuye cuando se le aplica un campo elctrico a travs de ella En tal caso una banda transparente empieza a absorber luz

Tasa de extincin: 15 dB o ms (aplicando 2 V) Para tasas de bits entre 20 y 60 Gbps

Moduladores externos

Estructura esquemtica de un lser OKI DFB con modulador.

Moduladores externos

a) Modulador de LiNbO3 en configuracin Mach-Zehnder b) Modulador semiconductor basado en electroabsorcin

Lser de emisin superficial de cavidad vertical (VCSEL)

Lser de emisin superficial de cavidad vertical (VCSEL)

El nmero y material de las capas depende de la frecuencia que emitir Usan cavidades sumamente pequeas (~1m) Frecuencia y ancho de banda tpicamente menores a los de un DFB de emisin lateral Se usan en LANs y lazos locales Baratos en comparacin con DFBs Se usan en arreglos con lsers operando a distintas

Eso las hace ideales para sistemas WDM

Curvas caractersticas de un diodo lser

4.1.5 Anlisis comparativo de las fuentes pticas

Caracterstica Longitud de onda (nm) Potencia acoplada, tpica (dBm) Ancho espectral (nm) Tasa de bits mxima (Gbps) Tipo de fibra, tpico Costo MTBFc (horas)
aEl bEl

LED de emisin Lser FP (lser lateral MLM) 850/1310 10 a 15 30-60 <0.155 Multimodo Econmico 109 1310/1550 0.0 <3 >2 Monomodo Moderadamente caro 108

Lser DFB con modulador externo 1550 0.0 <0.1 >10b Mono, de dispersin desplazada Caro 107

VCSEL 850/1310 0.0 <3 2 Multi o monomodo Moderado 108

ancho de lnea espectral est dado en trminos de FWHM. valor actual se est extendiendo a 40 Gbps sin lmite a la vista cMTBF (mean time between failure, tiempo medio entre fallas). Los valores son estimados y el dispositivo opera en ambiente normal.

Caractersticas pticas bsicas de un Transmisor lser monolongitudinal (DFB)

Parmetro
Salida de potencia ptica promedio Variacin de potencia de salida

Tpico
0 dBm 0.5 dB

Valor G.957
+3 dBm +3 a 2 dB

Industria
+2 a +6 dBm 0.5 dB

Comentarios
Con OFA: sobre +20 dBm1,2 Definicin

Penalizacin de dispersin
Rango de longitudes de onda de operacin

1.0 dB

Bajo estudio

2.0 dB para largo alcance

1260-1480 1500-1660

Valor colocado en el presupuesto del enlace

Una extensin a la banda de 1600 nm es deseable

1280-1480 1500-1650

1260-1360 1500-1580

Prdida de retorno mnima

Tasa de extincin
1La 2La

24-30 dB
10 dB

24 dB
8.2, 8.3 dB

24 dB
11 dB Deseable > 11 dB

salida de potencia debera ser ajustable para acomodarse a enlaces cortos alta potencia de salida se requiere para compensar las prdidas de los componentes de WDM 3El rango de operacin en la banda de 1500 nm puede estar limitado al rango de operacin de los EDFAs empleados.

Comparaciones entre lsers ajustables

Tipo de lser Retroalimentacin distribuida (DFB) Reflector de Bragg distribuido (DBR) Rejilla muestreada (DBR) VCSEL Ventajas Estabilidad de longitud de onda; en produccin Velocidad de conmutacin alta Desventajas Potencia de salida comparativamente baja; limitado rango de ajuste Ancho espectral grande; inestabilidad de longitud de onda Baja potencia de salida; ancho de lnea grande; ajuste no continuo Potencia de salida baja para E/P; confinado a longitudes de onda cortas (850/1300 nm) Velocidad de conmutacin sensible a vibracin/golpes Aplicaciones Rango de ajuste estrecho; ampliamente usado en enlaces de larga distancia Enlaces de acceso, aplicacin OADM Enlaces de acceso; conmutacin metro; OADM Enlaces y redes metro

Amplio rango de ajuste; velocidad de conmutacin alta Ancho de lnea estrecho para O/P; haz circular de bajo consumo de potencia; rango de ajuste amplio Alta potencia; ancho de lnea estrecho, bajo RIN, ajuste continuo; rango de ajuste amplio

Lser de micro cavidad externa

Enlaces de larga y ultra larga distancia; OADM de rea metropolitana; conmutacin

4.1.6 Circuitos de excitacin

Estructura de un transmisor ptico

Circuitos de manejo para LED

Modulador Analgico

Circuitos de manejo para LED

Moduladores Digitales

Circuitos de manejo para LD

Ms complicados:

Hay una corriente de umbral Dependencia de la edad de la corriente de umbral Dependencia de la temperatura de la corriente de umbral Dependencia de la temperatura de la longitud de onda de la emisin

Cmo corregir esos problemas?

Circuitos de manejo para LD

Los cambios en la longitud de la portadora son de unos 0.2 nm/C

Unos 89 GHz/C a 820 m

Puede enfriarse el diodo Puede variarse la corriente.

Circuitos de manejo