ELECTRNICA GENERAL

SEMICONDUCTORES: TIPOS DIODOS

10/04/2013

ESPEL Ing. Jos Bucheli

Electrnica General

DIODOS

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DIODOS

Idealmente presenta dos estados bien diferenciados: corte y conduccin. El paso de un estado a otro no se realiza de forma instantnea y en dispositivos en los que el funcionamiento se realiza a elevada frecuencia, es muy importante el tiempo de paso entre estados, puesto que ste acotar las frecuencias de trabajo.

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Simbologa

Ejemplos: VRSM: tensin inversa de pico no repetitivo IF(AV): intensidad media nominal PRRM: potencia inversa de pico repetitiva
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Caractersticas del diodo :

Caractersticas Estticas: Parmetros de bloqueo, conduccin y modelos estticos. Caractersticas Dinmicas: Tiempo de recuperacin inverso y tiempo de recuperacin directo.

Caractersticas Trmicas.

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CARACTERSTICAS ESTTICAS
POLARIZACION INVERSA

Tensin inversa de trabajo, VRWM : Mxima tensin inversa que puede soportar de forma continuada sin peligro de avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo, VRRM : Mxima tensin inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su frecuencia de repeticin inferior a 100 Hz. 0 10mseg Tensin inversa de pico nico ( no repetitivo), VRSM : Mxima tensin inversa que puede soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es inferior a 10 ms. Tensin de ruptura, VRBD (VR) : Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10 ms.

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POLARIZACIN DIRECTA
Caractersticas de catlogo en Polarizacin Directa:

Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la mxima corriente de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma continuada con la cpsula mantenida a una determinada temperatura (tpicamente 100 C). Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente mxima que puede ser soportada cada 20ms con duracin de pico 1ms. Corriente de pico nico, IFSM : Corriente mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 ms minutos siempre que la duracin del pico sea inferior a 10ms.

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CARACTERSTICAS DINMICAS

Generalmente, cuando diseamos circuitos electrnicos rara vez prestamos atencin a todos los parmetros que vienen en la hoja de datos, esto es as porque lo mismo funciona para que perder tiempo considerando todo?. Pero que sucede cuando trabajamos con circuitos mas complejos, de alta potencia (alta en serio por ej 50A) y con frecuencias elevadas?, la cosa ya no es tan simple, hay que prestar atencin al minimo detalle. Uno de estos parmetros es el Tiempo de Recuperacion Inversa de un Diodo. Cuando trabajamos en conmutacin es muy importante tener presente este tiempo, ya que una mala eleccin del diodo seguro que nos trae problemas al punto tal de que el circuito directamente no funcione.

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Tiempo de recuperacin inversa trr

El tiempo de recuperacin inversa es normalmente medido entre el momento en que la corriente (previamente polarizada a IF) pasa por cero, en el flanco descendente, y el momento en que la corriente inversa alcanza un valor menor al 10% de la corriente pico inversa IRM. Observando la figura 5, trr est dividido en dos partes. ta es el tiempo que tarda la concentracin de minoritarios en llegar al valor de equilibrio y tb es el tiempo que tarda en formarse la zona de deplexin

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CARACTERSTICAS DINMICAS

ta(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta al pico negativo. Es debido a la acumulacin de portadores en la regin de deplexin de la unin tb (tiempo de cada): tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la corriente hasta el 10% de sta.

tb es debido al almacenamiento de carga en el volumen del material semiconductor

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Los factores que influyen en el tiempo de recuperacin inversa son:

IF; cuanto mayor sea, mayor ser trr. Esto se debe a que la carga almacenada ser mayor. VR; cuanto mayor sea, menor ser trr. En este caso si la tensin inversa es mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados. diF/dt; cuanto mayor sea, menor ser trr. No obstante, el aumento de esta pendiente aumentar el valor de la carga almacenada Q. Esto producir mayores prdidas. T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarn tanto Q como trr.

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Influencia de trr en la rectificacin.

La Figura muestra la corriente por un diodo rectificador de 180 tericos de conduccin. Funcionando a 50Hz la intensidad y el tiempo de recuperacin inversa son despreciables, mientras que a 50KHz y con la misma intensidad directa de pico, dichos parmetros se hacen importantes de forma que el valor medio de la corriente rectificada es bastante inferior al terico.

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En un diodo:

Al aumentar la temperatura disminuye la potencia que soportan.

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Recuperacin en Directa

Si un diodo est en condicin de polarizacin inversa, fluye una corriente de fuga debido a los portadores minoritarios. Si ahora se le aplica una polarizacin directa, se obligara al diodo a conducir. Pero, se requiere un cierto tiempo, conocido como tiempo de recuperacin en directa, antes de que los portadores mayoritarios de toda la unin puedan contribuir al flujo de la corriente. Por lo tanto, el tiempo de recuperacin en directo limita la velocidad de elevacin de la corriente directa. Respecto a las limitaciones de la velocidad de conmutacin, es despreciable frente al trr.

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PRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS

La potencia que disipa un diodo en cada instante ser el producto de la tensin en sus extremos por la intensidad que lo recorre en ese instante. Es decir:
Pd (t) Vd (t) I d (t)

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Tipos de diodos
Diodo rectificador normal.

El diodo rectificador normal presenta un elevado tiempo de recuperacin en inverso (tpicamente de 25s) y es utilizado en aplicaciones de baja frecuencia.

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DIODO SCHOTTKY

Los problemas de carga producida por la zona de deplexin p-n se eliminan utilizando un diodo Schottky. Estos diodos se fabrican utilizando el efecto de barrera potencial producido por el contacto entre un metal y un material semiconductor. La conduccin de corriente en estos diodos solamente depende del desplazamiento de cargas mayoritarias.

Los mrgenes de funcionamiento de los diodos Schottky varan desde 1A hasta 300A. Los diodos Schottky son utilizados en circuitos rectificadores de bajo voltaje, para mejorar as la eficacia del proceso de rectificacin. Su relativamente bajo voltaje inverso de ruptura, es aceptable en la mayora de las aplicaciones de bajo voltaje.

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Diodos de recuperacin rpida.

Un diodo de recuperacin rpida es un diodo con un tiempo de recuperacin muy corto. Esta caracterstica es especialmente valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta variacin de corriente tan rpida necesitar circuitos de proteccin, sobre todo cuando en el circuito exterior encontramos elementos inductivos. Estos diodos cubren un margen de funcionamiento que va desde intensidades menores de 1A hasta varios cientos de amperios, y tensiones desde 50V hasta cerca de 3KV.
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DIODO LED

Un diodo LED, acrnimo ingls de Light-Emitting Diode (diodo emisor de luz) es un dispositivo semiconductor que emite luz monocromtica cuando se polariza en directa y es atravesado por la corriente elctrica. El color depende del material semiconductor empleado en la construccin del diodo, pudiendo variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro de luz visible, hasta el infrarrojo, recibiendo stos ltimos la denominacin de diodos IRED (InfraRed Emitting Diode). El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida.
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Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED; el voltaje de operacin va desde 1,5 hasta 3,4 voltios aproximadamente, y la gama de intensidades que debe circular por l va desde 10 hasta 20 mA en los diodos de color rojo, y de 20 a 40 mA para los otros LEDs. El primer diodo LED que emita en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick Holonyak en 1962.

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Conexin
La diferencia de potencial vara de acuerdo a las especificaciones relacionadas con el color y la potencia soportada.

Rojo = 1,6 V Rojo alta luminosidad = 1,9v Amarillo = 1,7 V a 2V Verde = 2,4 V Naranja = 2,4 V Blanco brillante= 3,4 V Azul = 3,4 V Azul 430nm= 4,6 V

El trmino I en la frmula se refiere al valor de corriente para la intensidad de luminosa que necesitamos. Lo comn es de 10 a 20mA. un valor superior puede quemar el LED. Cabe recordar que tambin pueden conectarse varios en serie, sumndose las diferencias de potencial en cada uno.

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Materiales empleado en la construccin de diodos Led

Compuestos empleados en la construccin de diodos LED. Compuesto Arseniuro de galio (GaAs) Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) Infrarrojo Rojo e infrarrojo Color Long. de onda 940nm 890nm

Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP)

Fosfuro de galio (GaP) Nitruro de galio (GaN) Seleniuro de zinc (ZnSe) Nitruro de galio e indio (InGaN) Carburo de silicio (SiC) Diamante (C)

Rojo, naranja y amarillo

Verde Verde Azul Azul Azul Ultravioleta

630nm
555nm 525nm

450nm 480nm

Silicio (Si)

En desarrollo

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Diodos Zener

Dispositivo semiconductor que se comporta igual que un diodo normal en polarizacin directa. En polarizacin inversa se comporta igual que un diodo normal hasta llegar a la zona de ruptura, punto en el cual el voltaje se mantiene constante (VZ= voltaje zener) y la corriente aumenta.

En sentido inverso debe controlase su valor mximo de corriente, y se la calcula en base a la potencia que puede manejar el zener.
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Conexin: diodos en serie

Para aplicaciones en las que aparecen tensiones inversas elevadas por rama, como por ejemplo en rectificadores de potencia, la capacidad de bloqueo de un nico diodo puede no ser suficiente. Ser necesario una conexin serie de dos o ms elementos. Si los elementos estn colocados en serie, tendrn la misma corriente de fugas, sin embargo, presentan tensiones inversas diferentes.

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Asociacin de diodos en serie

Este problema puede resolverse conectando resistencias en paralelo con cada diodo

I Is1 IR1 Is2 IR2

PR
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I
2 VR(RMS)

V V I R R

R
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Asociacin de diodos en serie

Determinar el valor de las resistencias de equilibrio para los diodos conectados en serie, sabiendo que la tensin de alimentacin es de 1000V (VRMS), los diodos tienen una tensin inversa VRWM de 800V y una corriente de fuga inversa mxima IR de 4mA. La tensin mxima aplicada al circuito ser: V 2 V 2 1000 1414V
max RMS

Como vemos, esa tensin es superior a la que puede soportar un nico dispositivo, por lo que como mnimo usamos dos o ms en funcin de cmo sean las variaciones de la tensin de alimentacin. Es estas condiciones la resistencia de cada diodo en estado de bloqueo ser: . VRWM 800
R off

Para que por las resistencias circule cuatro veces ms intensidad que por los diodos, estas resistencias tendrn un valor 200 10 3
R 4 50K

IR

4 10 3

200K

La potencia disipada en cada resistencia viene dada por:

0.25 (800 2 ) P 3.2W 50 10 3

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Conexin en paralelo de Diodos

Esta configuracin se utiliza cuando se requieren altas intensidades. Esta configuracin presenta como problema el reparto desigual de la corriente por cada una de las ramas de los diodos debido a las distintas caractersticas de conduccin de los mismos. Este problema se puede resolver utilizando dos criterios:

Conectando resistencias en serie con cada diodo. (Condiciones estticas) Estas resistencias conectadas en serie ayudan a estabilizar e igualar los valores de intensidad I1 e I2. Conectando bobinas en serie ( condiciones dinmicas)

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Conexin en paralelo de Diodos

EJERCICIO

Los dos diodos conectados en paralelo de la figura, conducen en total 100A. a.-) Determinar el valor de las resistencias para que ningn diodo conduzca ms de 55A. b.-) Calcular la potencia en cada rama. c.-) Calcular la cada de tensin en cada rama. Datos: Vd1 = 1.5 V; Vd2 = 1.8 V

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Solucin:

a.-) Suponiendo el caso de que algn diodo conduzca 55A, ste diodo ser el de menor tensin de codo, por lo tanto: V = R I1 + VD1 = R I2 + VD2 55 R + 1.5 = 45 R + 1.8 R = 0.03 b.-) La potencia en cada rama ser: PR1 = R I2 = 0.03 552 = 90.75W PR2 = 0.03 452 = 60.75W c.-) La cada de tensin ser: V = R I1 + VD1 = 0.03 55 + 1.5 = 3.15V

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