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Definicin de Electrnica:
"Electrnica es la rama de la Ciencia y la Tecnologa que se ocupa del estudio de las leyes que rigen el trnsito controlado de electrones a travs del vaco, de gases o de semiconductores, as como del estudio y desarrollo de los dispositivos en los que se produce este movimiento controlado y de las aplicaciones que de ello se deriven".
nodo +
Ctodo -
1912 el perfeccionamiento alcanzado por los tubos de vaco hizo posible que F.Lowenstein patentara el trodo como amplificador , aumentando el grado de vaco en su interior, 1916 Hull y Schottky introducen la rejilla pantalla entre la de control y el nodo para disminuir capacidades dando lugar al tetrodo 1928, cuando B.Tellegen introdujo una nueva rejilla proponiendo un nuevo dispositivo: el pentodo. Esta ltima rejilla, llamada supresora, est conectada cerca del nodo y tiene como misin eliminar la emisin secundaria de electrones,.
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Fiabilidad.
Costo de fabricacin. Tamao.
Primer transistor
1947 En los laboratorios de la Bell Telephone Shockley Bardeen y Brattain inventan el Transistor de puntas de contacto.
Consiguieron Nobel en 1956
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1951 Teal, Spark y Buehler construyeron el primer transistor bipolar de unin con posibilidades comerciales inmediatas
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1953 Dacey y Ross fabricaron primer transistor de efecto campo operativo, el FET de unin (JFET).
1955 I.M.Ross describio la estructura MOSFET de enriquecimiento tal como se conoce hoy da, es decir, con uniones p-n en la fuente y el drenador.
A pesar de ser la idea del MOSFET ms antigua que la del BJT, fueron los avances tecnolgicos producidos en el desarrollo del transistor bipolar los que hicieron viable al de efecto campo. No obstante habra que esperar a que se perfeccionara la tecnologa para poder aprovechar toda la potencia del MOSFET
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1958 Kilby de Texas Instruments idea de circuito integrado, patent un flipflop realizado en un cristal de germanio con interconexiones de oro
1959 Noyce de Fairchild patent la idea de circuito integrado de silicio utilizando en 1960 la tecnologa planar para definir, mediante fotolitografa, transistores y resistencias interconectados usando lneas delgadas de aluminio sobre el xido de pasivacin
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Se comenz a usar el Si como material semiconductor por sus propiedades: Fcil oxidacin, Pasivacin. Su oxido puede ser atacado sin atacar al Si.
Usando su resistividad se hacen resistencias y las uniones pn pueden actuar como condensadores 1960 Kanhng y Atalla fabrican el primer MOSFET operativo Alrededor de 1968 ya se haban propuesto las estructuras bsicas MOS. Desde entonces la mayor parte de los esfuerzos tecnolgicos se han dedicado a la miniaturizacin de los dispositivos con el propsito de aumentar su velocidad y la densidad de integracin 1960 SSI (Small Scale Integration) 100 componentes/chip 1966 MSI (Mediun Scale Integration) 100-1000 componentes/chip 1969 LSI (Large Scale Integration)1000-10000 componentes/chip 1975 VLSI (Very Large Scale Integration) mas de 10mil componentes/chip Actualmente ULSI (Ultra Large Scale Integration) mas de 100Millones comp/chip
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Procesador Pentiun II
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