EL TRANSISTOR UJT

11/06/2013

UJT

EL TRANSISTOR UJT
(transistor de unijuntura)
Tambin llamado transistor monounin, uniunin. Este es un dispositivo de conmutacin del tipo ruptura. Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores, generadores de onda, y ms importante an, en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs. Este dispositivo puede provocar grandes tiristores con un pulso en la base 1

Smbolo. Consiste de tres terminales llamados emisor (E), base 1 (B1) y base 2 (B2)

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 Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Es un dispositivo de disparo. Esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas P y la regin N dbilmente dopado con N. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).

Estructura. La unin P-N del dispositivo se forma en la frontera entre la varilla de aluminio y la barra de silicio tipo N

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CIRCUITO EQUIVALENTE
El modelo equivalente representado en la siguiente figura esta constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, RB1 y RB2 , que verifican RBB = RB1+ RB2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como:

Donde:

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En donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y y el es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca.
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FUNCIONAMIENTO DEL UJT

El punto de funcionamiento viene determinado por las caractersticas del circuito exterior. El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RB1B2 mediante la tensin aplicada al emisor. Si el emisor no est conectado VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0.

Si VE VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE. Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en funcin de IE. A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente.
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CURVA CARACTERSTICA
En la curva se puede apreciar que a medida que aumenta el VE, aumenta la corriente IE hasta un punto mximo IP. Mas all del punto mximo, la corriente aumenta a medida que disminuye la tensin en la regin de resistencia negativa. La tensin alcanza un mnimo en el punto valle. La resistencia RB1, la resistencia de saturacin es mas bajo en el punto valle.
Donde: VP: voltaje de pico o tensin de disparo. IP: corriente de pico (de 20 a 30 A.). VV: voltaje de valle del emisor IV: corriente de valle el emisor
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Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de

forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin: Donde la VD varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Regin de resistencia negativa. Si la tensin de emisor es

suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin.
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Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).

Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un

tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte.
Hay dos tipos de transistores monounin: El transistor monounin original, o UJT. (El 2N2646 es la versin ms utilizada de la UJT) El transistor monounin programable o PUT , es un primo cercano del tiristor (El 2N6027 es un ejemplo de tal dispositivo).
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APLICACIONES DEL UJT

Funcionamiento de un oscilador de relajacin con UJT
Circuito que sirve para generar seales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga a travs de la unin E-B1.

El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios. Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez. (Ver la lnea verde en el siguiente grfico) El grfico de lnea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.
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 Si se desea variar la frecuencia de oscilacin se puede modificar tanto el capacitor C como el resistor R1. R2 y R3 tambin son importantes para encontrar la frecuencia de oscilacin. La frecuencia de oscilacin est aproximadamente dada por: F = 1/R1C Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben estar entre lmites aceptables para que el circuito pueda oscilar. Estos valores se obtienen con las siguientes frmulas: R1 mximo = (Vs - Vp) / Ip R1 mnimo = (Vs - Vv) / Iv
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 donde: Vs = es el valor del voltaje de alimentacin (en nuestro circuito es de 20 Voltios) Vp = valor obtenido dependiendo de los parmetro del UJT en particular Ip = dato del fabricante Vv =dato del fabricante Iv = dato del fabricante

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