UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

FISICA DE SEMICONDUCTORES

ACTIVIDAD 10. TRABAJO COLOBORATIVO # 2

ANDRS DUARTE 1061712760

ANDRES FELIPE TARAZONA TUTOR

POPAYN - CAUCA
NOVIEMBRE DE 2011

Conceptos Bsicos de Semiconductores

Operacin Fsica de los Diodos

MATERIALES DESDE EL PUNTO DE VISTA DE CONDUCCION DE CORRIENTE ELECTRICA

Conduccin de corriente elctrica => existencia de partculas cargadas ( portadores ) capaces de moverse libremente a travs del medio => portadores libres Tres clases de materiales: Conductores (Ej. Aluminio, Cobre, Plata): Los electrones de la ltimas capas atmicas no estn ligadas a un tomo, son compartidos por todos => pueden moverse libremente a travs del cristal. Aislantes (Ej. Diamante (carbono)): electrones firmemente ligados a los tomos => no hay portadores libres.

Semiconductores (Silicio (Si), Germanio (Ge), Arseniuro de Galio (GaAs)): Aislantes a baja temperatura, malos conductores a temperatura ambiente

ESCTRUTURA DEL CRISTAL DE SI PURO (SI INTRINSECO) (1) El Si tiene 4 electrones de valencia. En el cristal cada tomo se engancha con otros 4 tomos por Medio de enlaces covalentes: Dos tomos comparten dos Electrones (uno de cada uno) de su ltima capa (capa de Valencia).

Enlace covalente

Estructura del cristal de Si puro (Si intrnseco) (2)

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Situacin a baja temperatura: todos los electrones en enlaces

Generacin trmica de par electrn hueco

+4

e-

+4

+4

h+

+4

+4

Carga Positiva

Se generan dos portadores libres: un electrn y un hueco (partcula ficticia con carga positiva +1). Muy pocos: a temperatura ambiente un par electrn hueco cada 10 12 tomos de Si

Movimiento de los huecos

+4

h+

En realidad movimiento de eentre enlaces covalentes, equivalente a movimiento de una partcula con carga positiva, el hueco, en sentido contrario
+4

e+4

+4

Se le asigna al hueco una cierta masa, que responde a cmo se mueve y otras caractersticas Concepto de hueco permite tratar el fenmeno con herramientas de la fsica clsica

Mecanismos de generacin par electrn - hueco

Trmico Impacto
Electrn acelerado De importancia para fenmenos de confiabilidad de componentes Partculas radioactivas

Efecto fotoelctrico
Fotn que impacta sobre enlace covalente Principio usado para la traduccin de seales pticas a elctricas

Recombinacin de par electrn hueco

+4
-

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Carga positiva

+4

Atomo neutro

Mecanismo opuesto a la generacin (libera energa) En algunos semiconductores se puede liberar como un fotn
Principio de los diodos emisores de luz (LEDs)

Formulacin alternativa: Diagramas de bandas de energa

Energa Banda de conduccin Banda de conduccin

eBanda prohibida

Banda de valencia Conductor

Banda de valencia

Aislante

Semiconductor

Si intrnseco y extrnseco
n: concentracin de electrones libres (e -/unidad de volumen) p: concentracin de huecos libres (h +/unidad de volumen) Se generan siempre de a pares =>

n = p = ni(T)
ni: concentracin de electrones libres en Si intrnseco
Muy dependiente de la temperatura Muy bajo a temperatura ambiente: 0.0145m-315 e-/1000 3 (tomos de Si: 5.1010 tomos/ 3)

=> Semiconductores Dopados: semiconductor al que se agrega una pequea proporcin de otro elemento para aumentar nmero de e- o de h+

Silicio dopado con donador (1)

Si se agrega elemento con 5 e- de valencia (ej. fsforo, arsnico o antimonio) => dona un electrn libre
+4

e libre

e- libre
+4

+4

+5

+1 tomo fijo

+4

Silicio dopado con donador (2)

e- libre
+1 tomo fijo

Semiconductor tipo n: e-: portadores mayoritarios h+ (generados trmicamente): portadores minoritarios Dopajes: 1/ 1012 a 1/108 tomos de Si => el material sigue siendo silicio

Silicio dopado con aceptor (1)

Si se agrega elemento con 3 e- de valencia (ej. boro, indio) => acepta un electrn libre => aporta un hueco
+4

h libre
+4 +3

h+

+4

-1 tomo fijo

+4

Silicio dopado con aceptor (2)

h+ libre

-1
tomo fijo

Semiconductor tipo p: h+: portadores mayoritarios e- (generados trmicamente): portadores minoritarios

Si dopado tipo n, concentraciones

nn0 ND
Concentracin de e-

En material tipo n
En equilibrio
En equilibrio se cumple que:

Concentracin de impurezas donadoras

nn 0 . pn 0 =ni (T ) pn 0

Es decir: debido a recombinacin concentracin de huecos en material tipo n es mucho menor an que en Si intrnseco. De todos modos los portadores minoritarios van a importar.

ni2 ND

Si dopado tipo p, concentraciones

Anlogo al caso n

pp0 NA
Concentracin de impurezas aceptoras

Concentracin de h+

En material tipo p
En equilibrio En equilibrio se cumple que:

n p 0 . p p 0 =ni (T ) n p 0

ni ni =pi { N A N A >> ni

Es decir: debido a recombinacin concentracin de electrones en material tipo p es mucho menor an que en Si intrnseco.