TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA AISLADA

El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los aos 80 Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente

C EL IGBT DE POTENCIA
MOSFET
Bipolar

G E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutacin (Bipolar) No tiene diodo parsito

Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V

EL IGBT DE POTENCIA

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

Gran capacidad de manejo de corriente

Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor

El IGBT tiene menor cada de tensin

Menores prdidas en conduccin

Problema:

EL IGBT DE POTENCIA

Coeficiente de temperatura negativo A mayor temperatura, menor cada de tensin Conduce ms corriente

Se calienta ms
Esto es un problema para paralelizar IGBTs

Encapsulados de IGBT

Mdulos de potencia TO 220

MTP TO 247

EL IGBT DE POTENCIA

Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

Tensin de ruptura Corriente mxima Tensin colector-emisor en saturacin

EL IGBT DE POTENCIA

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Media tensin 250 V 300 V (Poco usuales) Alta tensin 600 V 900 V 1200 V

Caractersticas bsicas

EL IGBT DE POTENCIA

C
En ocasiones, el encapsulado incorpora internamente un diodo

G E

Caractersticas elctricas
Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)

Tensin umbral de puerta (como en MOSFETS) Caractersticas trmicas

EL IGBT DE POTENCIA

Caractersticas dinmicas
Circuito equivalente del IGBT
La base del bipolar no del accesible

La circuitera exterior no puede solucionar el problema de la eliminacin de los minoritarios de la base

EL IGBT DE POTENCIA

Esto da lugar a la llamada cola de corriente (current tail) Problema: aumento de prdidas de conmutacin

Cola de corriente

Caractersticas dinmicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutacin del IGBT no dan informacin sobre las prdidas de conmutacin Causa: No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente Este efecto es muy significativo en el conjunto de prdidas Adems, el tiempo de cada de la tensin VCE no queda definido Este tiempo es muy importante para definir las prdidas

Se hace mediante grficos que proporciona el fabricante

EL IGBT DE POTENCIA