Dio Dos de Potencia Clase 1 A

Programa de Electronica, Mecatronica y Telecomunicaciones
Ing. Helmer A. Huatuco B.
PRESENTACION Esta primera asignatura de electrnica de potencia se ha estructurado tomando en cuenta el modelo de objetivos tanto generales como especficos, con el fin de lograr un aprendizaje significativo en los temas abordados, con las ideas claras para que el alumno pueda hacer una aplicacin en el mbito profesional. Cubre los tpicos fundamentales de la electrnica de potencia incluyendo dispositivos y circuitos aplicativos, los cuales permitirn al estudiante imbuirse de los conceptos especficos y a su vez le permitir un mejor entendimiento de los fenmenos fsicos y aplicaciones en las asignaturas afines a la carrera profesional. La asignatura se ha dividido en 2 unidades con objetivos especficos para que el alumno logre un aprendizaje progresivo de la electrnica de potencia.
Objetivos generales del curso

Al finalizar el curso el alumno estar en condiciones de analizar los datos tcnicos de los dispositivos de potencia y aplicar estos conocimientos en la adecuada interpretacin del rol de un dispositivo de potencia en un circuito. El alumno estar en condicin de proponer circuitos rectificadores para fines especficos. El alumno estar capacitado para analizar el funcionamiento de un circuito bsico de potencia que incluya tiristores,TRIACS y otros dispositivos bsicos.
Bibliografa sugerida
ELECTRNICA de POTENCIA........... Autor: Muhammad H. Rashid. Editorial: Pearson............................................... Edicin: 2004
Contiene una amplia temtica referente a la electrnica de potencia y constituye una excelente fuente de consulta para esta especialidad.
TIRISTORES y TRIACS..................... Autor: Henry Lilen. Editorial: Marcombo........................................... Edicin: 1992
Es un texto de consulta obligada acerca de los dispositivos de potencia.
ELECTRNICA INDUSTRIAL............. Autor: Thimoty Maloney. Editorial: Gomen................................................. Edicin: 1983
Contiene teora de dispositivos y circuitos bsicos empleados en forma genrica en la industria.
ELECTRNICA de POTENCIA......... Autor: Jos Manuel Benavent Editorial: Universidad Politcnica de valencia Edicin: 1999
Desarrolla la temtica de electrnica de potencia desde el punto de vista sistmico y dando nfasis al anlisis cualitativo.
Diodos de Potencia
Objetivos Especficos
Conocer los parmetros de funcionamiento de los dispositivos de potencia.
Representar grficamente el comportamiento de los dispositivos de potencia.
Emplear los datos de fabricante en la eleccin de dispositivos de potencia.
1. Construccin y encapsulado 2. Caractersticas estticas 2.1 Curvas caractersticas 2.2 Estados de bloqueo y conduccin 2.3 Clculo de prdidas 3. Caractersticas dinmicas 3.1 Salida de conduccin: Recuperacin inversa 3.2 Entrada en conduccin: Recuperacin directa 3.3 Clculo de prdidas 4. Tipos de diodos de potencia 4.1 Diodos rectificadores para baja frecuencia 4.2 Diodos rpidos y ultrarrpidos 4.3 Diodos Schotkky 4.4 Diodos para aplicaciones especiales 5. Uso de los datos de catlogo de fabricantes
Contenido
1. Construccin y encapsulado
CARACTERSTICAS DESEABLES: - Corriente elevada con baja cada de tensin -Tensin inversa elevada con mnimas fugas COMPARACION DE LOS DIODOS DE POTENCIA
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2. Caractersticas Estticas
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Dispositivos electrnicos de potencia: Diodos de potencia

Caractersticas estticas Parmetros en bloqueo. Parmetros en conduccin. Modelos estticos de diodo.
Caractersticas dinmicas Tiempo de recuperacin inverso. Influencia del trr en la conmutacin. Tiempo de recuperacin directo.
Electrnica de Potencia I
Diodos de potencia. ndice continuacin..

Disipacin de potencia Potencia mxima disipable (Pmx). Potencia media disipada (PAV). Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM). Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM). Caractersticas trmicas Temperatura de la unin (Tjmx). Temperatura de almacenamiento (Tstg). Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc). Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd). Proteccin contra sobreintensidades Principales causas de sobreintensidades. rganos de proteccin. Programa de Electronica, Parmetro I2t. Mecatronica y
Telecomunicaciones Ing. Helmer A. Huatuco B. 15
El diodo de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas. Programa de Electronica,
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Ecuacin caracterstica del diodo. Modelo matemtico
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:
Donde: I : es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD : es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS : es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A) q : es la carga del electrn cuyo valor es 1.6 * 10 19 T : es la temperatura absoluta de la unin k : es la constante de Boltzmann n : es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C). Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal que se muestran en la figura. El ms simple de todos (4) es el diodo ideal.
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Curva caracterstica bsica del Diodo de Potencia

El diodo responde a la ecuacin:
En la curva caracterstica, donde: - VRRM: tensin inversa mxima - VD: tensin de codo.
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A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
Caractersticas estticas: Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). Parmetros en conduccin. Modelo esttico. Caractersticas dinmicas: Tiempo de recuperacin inverso (trr). Influencia del trr en la conmutacin. Tiempo de recuperacin directo. Potencias: Potencia mxima disipable. Potencia media disipada. Potencia inversa de pico repetitivo. Potencia inversa de pico no repetitivo. Caractersticas trmicas. Proteccin contra sobreintensidades. Programa de Electronica,
Caractersticas estticas
Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser
soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez,
durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el

diodo en estado de bloqueo. Programa de Electronica,
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Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la
mxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser
soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo
pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo

cuando se encuentra en el estado de conduccin.
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Helmer A. Huatuco Ing.Ing. Helmer A. Huatuco B. B.
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3. Caractersticas Dinmicas
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Modelos estticos del diodo
NOTA: Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser Programa de Electronica, proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa Mecatronica y Telecomunicaciones Ing. Helmer A. Huatuco B. 27
Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso
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Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso
El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.
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Parmetros caractersticos
ta (tiempo de almacenamiento) : es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. tb (tiempo de cada) : es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. trr (tiempo de recuperacin inversa) : es la suma de ta y tb. Qrr : se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. di/dt : es el pico negativo de la intensidad. Irr : es el pico negativo de la intensidad.
Ing. Helmer A. Huatuco B. 30
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo:
De donde:
Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos: . Para ta = tb trr = 2ta . Para ta = trr tb = 0 En el primer caso obtenemos:
Y en el segundo caso:
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Influencia del trr en la conmutacin
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:

. Se limita la frecuencia de funcionamiento. . Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida. Factores de los que depende trr :
. A mayor IRRM menor trr. . Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.
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Tiempo de recuperacin directo
tfr (tiempo de recuperacin directo) : Es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia apreciables. Programa de Electronica,
Disipacin de potencia

Potencia mxima disipable (Pmx)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.
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Potencia media disipada (PAV)

Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como:
Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta:
y como:
es la intensidad media nominal es la intensidad eficaz al cuadrado
Nos queda finalmente: Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media). Programa de Electronica, Mecatronica y Telecomunicaciones
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Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.
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Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula: Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por Programa de Electronica, otro medio (como mica aislante, etc).
Proteccin contra sobre intensidades
Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobre intensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica).
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rganos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos. Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su It y su tensin.
Parmetro It
La It de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. Debemos escoger un fusible de valor It inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo.
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4. Tipos de Diodos de Potencia
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5. Uso de los datos del catlogo del fabricante
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ACTIVIDADES A REALIZAR
Contestar y presentar desarrollado el siguiente cuestionario: Cul es la finalidad prctica del UJT, PUT y DIAC? Cul es la finalidad prctica del SCR y TRIAC? Cul es la finalidad prctica de los opto acopladores? Cmo se seleccionan cada uno de los componentes anteriores? En qu tipo de equipos vienen incluidos estos componentes electrnicos? Qu tienes que hacer antes de usar cualquiera de estos componentes en un circuito? Los puedes identificar fsicamente? Realizar un resumen sobre la estructura interna, operacin y curva caracterstica de cada uno de los componentes anteriores (de todos). Mencionar las referencias bibliogrficas.
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Muchas felicidades por haber finalizado este programa de tecnologa relacionada, esperamos que lo que aprendiste sea de utilidad en el ejercicio de tu carrera profesional !
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Y recuerda que el tiempo en el Taller es una oportunidad para todos de aprender a hacer interesantes aplicaciones de la Electrnica para nuestro beneficio !
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Objetivos generales del curso

ELECTRNICA de POTENCIA........... Autor: Muhammad H. Rashid. Editorial: Pearson............................................... Edicin: 2004

TIRISTORES y TRIACS..................... Autor: Henry Lilen. Editorial: Marcombo........................................... Edicin: 1992

Es un texto de consulta obligada acerca de los dispositivos de potencia.

ELECTRNICA INDUSTRIAL............. Autor: Thimoty Maloney. Editorial: Gomen................................................. Edicin: 1983

Contiene teora de dispositivos y circuitos bsicos empleados en forma genrica en la industria.

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Representar grficamente el comportamiento de los dispositivos de potencia.

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Ecuacin caracterstica del diodo. Modelo matemtico

Curva caracterstica bsica del Diodo de Potencia

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durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.

Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el

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Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser

Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo

Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo

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Modelos estticos del diodo

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Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:

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Tiempo de recuperacin directo

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