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Debe su nombre a Resistor de transferencia. Dispositivo electrnico, formado por tres partes de material Semiconductor.
INTRODUCCIN:
Sustrato de Si, con otras partes dopadas. Este tipo de circuitos se utilizan para la construccin de circuitos integrados.
AMPLIFICADOR MOSFET
Caractersticas:
Su estructura es mas simple y por lo tanto su costo de fabrica mas reducido. La tecnologa MOS ha dado importantes pasos hacia la consecucin de transistores de potencia que puedan competir con lo de tecnologa bipolar. En los transistores MOS existe la posibilidad de conectarlos en paralelo, de cara a manejar elevadas corrientes, ya que su conductancia disminuye al aumentar la temperatura, (distribucin homognea de la corriente entre los dispositivos conectados).
AMPLIFICADORES MOSFET
Amplificadores unilaterales: Estos poseen una realimentacin interna, causa que la resistencia de entrada dependa de la resistencia de carga en su totalidad. La realimentacin interna puede causar que la resistencia de salida, dependa del valor de la resistencia de la seal source de alimentacin en el amplificador.
AMPLIFICADORES MOSFET
El amplificador alimenta con una seal de fuente, en abierto, de Voltaje Vsig, y una residencia interna Rsig. stos pueden ser los parmetros de una fuente sealada real o que es lo mismo el equivalente de Thvenin de la salida del circuito de otro amplificador de fase que precede en uno de cascada.
La carga en el amplificador. La corriente ii que traza el amplificador desde la fuente. La proporcin de Vsig aparece en la entrada del amplificador.
GANANCIA EN EL CIRCUITO
La ganancia AV de AVO se evala en RO, debido a que AV se basa en alimentar el amplificador con un voltaje ideal vi.
Avo Gm Ro
La ganancia total de voltaje GV del valor GVO se evala en la resistencia Rout, porque GV se basa en alimentar el amplificador con una seal Vsig que posee una resistencia interna Rsig.
Ejemplo:
Un amplificador de transistor, es alimentado con una seal, teniendo un voltaje de circuito abierto Vsig de 10 mA y una resistencia interna Rsig de 100 k. El voltaje Vi en la entrada del amplificador, y el voltaje de salida Vo , son medidos sin y con una resistencia de carga RL = 10 k conectada a la salida del amplificador Los resultados de las mediciones son los siguientes:
Sin RL Con RL
Vi = 9 mV y Vo = 90 mV Vi = 8 mV y Vo = 70 mV
Vo 90 A vo 10 Vi 9
Aumento total del voltaje
G vo
Ri Avo R i R sig
G vo
Vo 90 9 Vsig 10
Ri 9 10 R i 100
Ri 900 k