TRANSISTORES

TRANSISTORES BJT

PNP

NPN

OPERACIN DEL TRANSISTOR BJT

Una unin polarizada en directa y otra en inversa

Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor PNP.

CONFIGURACIONES BASE COMUN EMISOR COMUN COLECTOR COMUN

BASE COMUN

BASE COMUN: CARACTERISTICAS DE ENTRADA

BASE COMUN: CARACTERISTICAS DE SALIDA

Alfa ()
En el modo cd los niveles de IC e IE originados por los portadores mayoritarios estn relacionados por una cantidad llamada alfa definida por la siguiente ecuacin:

EMISOR COMUN

EMISOR COMUN: CARACTERISTICAS E/S

Beta ()
En el modo de cd los niveles de IC e IB estn relacionados por una cantidad llamada beta y definida por la siguiente ecuacin:

COLECTOR COMUN

COLECTOR COMUN: CARACTERISTICAS E/S

COLECTOR COMUN
LA DIFERENCIA ENTRE ESTA CONFIGURACION Y LA DE EMISOR COMN ES QUE ESTE PRESENTA UNA IMPEDANCIA DE ENTRADA MAS ALTA Y UNA IMPEDANCIA DDE SALIDA BAJA. SE UTILIZA COMO ADAPTADOR DE IMPEDANCIAS

EJEMPLO DE APLICACIN COMO ADAPTADOR DE IMPEDANCIAS

CONFIGURACION DE POLARIZACION EMISOR COMUN

POLARIZACION FIJA. ANALISIS: Calcule para el circuito: a) IBQ b) ICQ c) VCEQ d) VB e) VC f) VBC

Anlisis con curvas caractersticas

Calcule para el circuito: a) IBQ b) ICQ c) VCEQ d) VB e) VC f) VBC

Diseo. Dada la informacin de la figura, calcula:

A) IC B) RB C) RC D) VCE

Disea un circuito en Configuracin de Polarizacin Fija que se ubique en el punto de operacin Q. (Vcc = 20V)

Prctica 5: Polarizacin del Transistor BJT

Objetivo: Disea un circuito en Configuracin de Polarizacin Fija que se ubique en el punto de operacin Q dado.

Practica 6: El Transistor como conmutador

Construir un circuito conmutador con transistor BJT que controle el encendido de un foco de 120 Vca. El circuito recibir una seal cuadrada de 0 a 5 V con una frecuencia de 1Hz o mas obtenida con el generador de funciones. El transistor controlar un relevador para que este controle el encendido del foco.

El transistor FET
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en varias aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT. La diferencia principal entre los dos tipos de transistor son:
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente en tanto que el transistor FET es un dispositivo controlado por voltaje.

El transistor BJT vs FET

El transistor FET
As como hay transistores BJT npn y pnp, tambin existen transistores FET de canal n y de canal p. El transistor BJT es un dispositivo bipolar; en cambio el FET es un dispositivo unipolar que slo depende de la conduccin de electrones (canal n) o de la condicin de huecos (canal p).

Caractersticas del FET

Uno de las caractersticas ms importantes del FET es su alta impedancia de entrada. (Desde 1M hasta varios cientos de Mohms) Las ganancias de voltaje de ca tpicas para amplificadores de BJT son mucho mayores que para los FET. Los FET son ms estables a la temperatura que los BJT, y en general son ms pequeos que los BJT, lo que los hace particularmente tiles en chips de circuitos integrados (CI).

Tipos de FET
Transistor de efecto de campo de unin (JFET) Transistor de efecto de campo semiconductor de xido metlico (MOSFET) Transistor de efecto de campo semiconductor metlico (MESFET). La categora MOSFET se divide an ms en tipos de empobrecimiento y enriquecimiento

CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET

Canal n

Canal p

CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET

Analoga
La fuente de la presin de agua puede ser vinculada al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establece un flujo de agua (electrones) desde el grifo (fuente). La compuerta gracias a una seal aplicada (potencial), controla el flujo de agua (carga) dirigido hacia el drenaje. Las terminales del drenaje y la fuente se encuentran en los extremos opuestos del canal.

Si VGS = 0 V y VDS algn valor positivo

Las corrientes a travs del drenaje y la fuente son iguales (ID = IS). El flujo de la carga est relativamente desinhibido y limitado slo por la resistencia del canal n entre la fuente y el drenaje.

Potenciales de polarizacin en inversa que varan a travs de la unin p-n de un JFET de canal n.

Voltaje de estrangulamiento Vp

Comportamiento para VDS>VP

A medida que VDS aumenta ms all de Vp, la longitud de la regin del encuentro cercano entre las dos regiones de empobrecimiento crece a lo largo del canal. El nivel de ID permanece igual. Para VDS > Vp, el JFET tiene las caractersticas de una fuente de corriente.

 El efecto del VGS de polarizacin negativa es establecer regiones de empobrecimiento similares a las obtenidas con VGS = 0 V, pero a niveles ms bajos de VDS.

VGS < 0

Relacin entre entrada y salida de un JFET

La ecuacin de Shockley define la relacin entre ID y VGS

Curva de transferencia del FET

EJEMPLO: Trace la curva de transferencia definida por IDSS = 12 mA y VP= 6V.

Polarizacin del FET: Autopolarizacin

La configuracin de autopolarizacin utiliza una fuente de cd. El voltaje de control de la compuerta a la fuente lo determina el voltaje a travs de un resistor RS

Anlisis en Corriente Directa p418

Para el anlisis de cd el resistor RG se reemplaza por un equivalente de cortocircuito, puesto que IG = 0.

Autopolarizacin: Analisis en cd.

Como se puede observar el comportamiento del transistor en esta configuracin se debe a dos ecuaciones de dos variables. Para encontrar la solucin se puede hacer uso del mtodo matemtico o el mtodo grfico.

Mtodo grfico
Se traza la curva de la ecuacin de Shockley usando el mtodo aproximado y encima se traza la recta desde el origen hasta el punto donde ID=IDSS/2

Ejemplo: Para el circuito dado calcule:

a) b) c) d) e) f) VGSQ IDQ VDS VS VG VD

Mtodo grfico para IDSS = 8 mA y VP= -6V.