Diodos

I. INTRODUCCION
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) el arseniuro de galio, el

seleniuro de cinc, el teluro de plomo y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc. El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

 Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodo (dispositivos) empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca

la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.

En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 [1]William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, [2] Walter Brattain y [3] John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna.

II. OBJETIVO
2.1) Materiales Semiconductores Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta. En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes mtodos: Elevacin de su temperatura Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina Incrementando la iluminacin. Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la luz (LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.

 Estos cambios originan un aumento del numero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energa elctrica. Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un tomo estn en parejas y son compartidos por otros tomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Para producir electrones de conduccin, se utiliza energa adicional en forma de luz o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia energa. Cada electrn de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrs de s un hueco, o dicho en otra forma, deja a su tomo padre con un electrn de menos, lo que significa entonces que en ese tomo existir un protn de ms. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

 Los cristales semiconductores de dividen en intrnsecos y

extrnsecos. Un cristal intrnseco es aqul que se encuentra puro (aunque no existe prcticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrnseco es aqul que ha sido impurificado con tomos de otra sustancia. Al proceso de impurificacin se le llama tambin dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energa elctrica a otros puntos del cristal. Los materiales extrnsecos se dividen en tipo n y tipo p. La diferencia del nmero de electrones entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el nmero de electrones de conduccin negativos o positivos. Si aumenta el nmero de electrones de conduccin negativos, entonces el material es tipo n; y si aumenta el numero de cargas positivas (lagunas), es un material tipo p. Ejemplos:

 Cada tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia. Se requieren dos para formar el enlace covalente. En el silicio tipo n, un tomo como el del fsforo (P), con cinco electrones de valencia, reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales. En el silicio tipo p, los tomos de tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una deficiencia de electrones o huecos que se comportan como electrones positivos. Los electrones o los huecos pueden conducir la electricidad. Cuando ciertas capas de semiconductores tipo p y tipo n son adyacentes, forman un diodo de semiconductor, y la regin de contacto se llama unin pn. Un diodo es un dispositivo de dos terminales que tiene una gran resistencia al paso de la corriente elctrica en una direccin y una baja resistencia en la otra. Las propiedades de conductividad de la unin pn dependen de la direccin del voltaje, que puede a su vez utilizarse para controlar la naturaleza elctrica del dispositivo Algunas series de estas uniones se usan para hacer transistores y otros dispositivos semiconductores como clulas solares, lseres de unin pn y rectificadores. Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniera elctrica. Los ltimos avances de la ingeniera han producido pequeos chips semiconductores que contienen cientos de miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de miniaturizacin en los dispositivos electrnicos.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida tambin como fotorresistor o clula fotoelctrica. Posee la caracterstica de disminuir el valor de su resistencia interna cuando la intensidad de luz que incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio (CdS) y su principal aplicacin es en el encendido y apagado automtico del alumbrado pblico en las calles de las ciudades, cuando disminuye la luz solar.

 2.2) Caractersticas

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con signo positivo. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos: - Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila. - Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. - Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio. - Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.

III. MARCO TEORICO

3.1) Clases Semiconductores intrnsecos Es un cristal de silicio que forma una estructura tetradrica mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecoscon 4 capas ideales y es en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

 Semiconductores extrnsecos Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

 Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IV A de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo IIIA de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrara en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

elemento

Grupo

Electrones en la ultima capa

Cd Al, Ga, B, ln Si, C, Ge P, As, Sb Se, Te, (S)

II B III A IV A VA VI A

2e3e4e5e6e-

 Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla

Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores. Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

VI. ESPECIFICACIONES TECNICAS

De los materiales conductores.

Conductividad De los materiales aislantes. Resistencia Factor de potencia Resistencia al arco

V. CONCLUSIONES
Los materiales semiconductores son utilizados en todo

el mundo; es el generador de la electrnica creando innumerables productos, y no son difciles de conseguir para nosotros que tenemos de estos minerales en abundancia.

VI. BIBLIOGRAFIA
[1]William Shockley,

[2] Walter Brattain [3] John Barden Premio Nobel de Fsica en 1956, por sus investigaciones de los semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor.

VII. ANEXOS
Muchos minerales conducen bien la electricidad (conductores), mientras que se oponen a su paso (aislantes). Unos pocos la conducen medianamente (semiconductores). Gracias a estos ltimos se han desarrollado semiconductores que permiten al ser humano conseguir un alto nivel tecnolgico. Pero hay ms comportamientos de los minerales en relacin con las fuerzas electromagnticas: - Magnetismo: consiste en atraer el hierro y sus derivados. Los imanes naturales son permanentes. La magnetita es un imn natural conocido desde tiempos muy remotos. - Piezoelectricidad: es la capacidad para producir corrientes elctricas cuando se les aplica presin. Si se aplica una fuerza a las caras de un cristal, genera cargas elctricas y, si se aplican cargas elctricas, entonces se produce una deformacin de las caras del cristal. Ejemplo: el cuarzo. - Piroelectricidad: se producen corrientes elctricas en el extremo de las caras cuando el mineral se somete a un cambio de temperatura. Ejemplos: cuarzo y turmalina. - Radiactividad: es la propiedad que poseen determinados minerales para emitir partculas de forma natural y espontnea. La radiactividad natural tiene muchas aplicaciones cientficas, mdicas e industriales, y los minerales que la poseen raramente alcanzan niveles peligrosos. Ejemplo: la uraninita