Vous êtes sur la page 1sur 38

Universidad de Oviedo

Leccin 5

EL MOSFET DE POTENCIA
Sistemas Electrnicos de Alimentacin 5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin

Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-xidoSemiconductor


El nombre hace mencin a la estructura interna: Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo de portador Los usados en Electrnica de potencia son de tipo acumulacin

EL MOSFET DE POTENCIA

D G
Canal N

D G

S
Canal P

S
Conduccin debida a huecos

Conduccin debida a electrones

Los ms usados son los MOSFET de canal N La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor movilidad menores resistencias de canal en conduccin

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin


Curvas caractersticas del MOSFET

D G + VGS -

ID 4

- Curvas de salida

EL MOSFET DE POTENCIA

+ VDS S -

ID [mA]
VGS = 4,5V VGS = 4V

VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

Referencias normalizadas

VDS [V]

6
VGS < VTH = 2V

- Curvas de entrada: No tienen inters (puerta aislada del canal)

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

Zonas de trabajo 2,5KW


D G

ID + VDS -

ID [mA]
4
VGS = 4,5V VGS = 4V

2
10V

VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

EL MOSFET DE POTENCIA

VGS

12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V


Comportamiento resistivo Comportamiento como fuente de corriente (sin inters en electrnica de potencia)

Comportamiento como circuito abierto

Ideas generales sobre los MOSFETs

Precauciones en el uso de transistores MOSFET - El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos - El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin - Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET de enriquecimiento

EL MOSFET DE POTENCIA

S
N+ P-

D
N+
+

D G S

Substrato

Estructura de los MOSFETs de Potencia

Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada) Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente Algunas celdas posibles
Fuente Fuente

EL MOSFET DE POTENCIA

Puerta

Puerta

n+

n+

n+

n-

n-

n
+
Drenador Estructura planar (D MOS)

n
+
Drenador Estructura en trinchera (V MOS)

S G D

Encapsulados de MOSFETs de Potencia En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los encapsulados axiales) Existe gran variedad Ejemplos: MOSFET de 60V

EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=9,4mW, ID=12A

RDS(on)=12mW, ID=57A

RDS(on)=5,5mW, ID=86A

RDS(on)=9mW, ID=93A

RDS(on)=1.5mW, ID=240A

Encapsulados de MOSFETs de Potencia Otros ejemplos de MOSFET de 60V

EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=3.4mW, ID=90A

Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia

1 -Mxima tensin drenador-fuente


2 -Mxima corriente de drenador 3 -Resistencia en conduccin 4 -Tensiones umbral y mximas de puerta

5 -Velocidad de conmutacin
1 Mxima tensin drenador-fuente

EL MOSFET DE POTENCIA

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a la fuente) y el drenador.

Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)

1 Mxima tensin drenador-fuente

La mxima tensin drenador-fuente de representa como VDSS o como V(BR)DSS


Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

Baja tensin

Media tensin 100 V 150 V 200 V

Alta tensin 500 V 600 V 800 V 1000 V

EL MOSFET DE POTENCIA

Ejemplo de clasificacin

15 V 30 V 45 V 55 V 60 V 80 V

400 V

2 Mxima corriente de drenador El fabricante suministra dos valores (al menos):

- Corriente continua mxima ID


- Corriente mxima pulsada IDM

EL MOSFET DE POTENCIA

La corriente continua mxima ID depende de la temperatura de la cpsula (mounting base aqu)

A 100C, ID=230,7=16,1A

3 Resistencia en conduccin Es uno de los parmetro ms importante en un MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo Se representa por las letras RDS(on) Para un dispositivo particular, crece con la temperatura Para un dispositivo particular, decrece con la tensin de puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.

EL MOSFET DE POTENCIA

Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

3 Resistencia en conduccin Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes, RDS(on) crece con el valor de VDSS

EL MOSFET DE POTENCIA

3 Resistencia en conduccin En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V)

MOSFET de

1984

EL MOSFET DE POTENCIA

MOSFET de los aos 2000

4 Tensiones umbral y mximas de puerta La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que comience a haber conduccin entre drenador y fuente

Los fabricantes definen la tensin umbral VGS(TO) como la tensin puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V

EL MOSFET DE POTENCIA

4 Tensiones umbral y mximas de puerta La tensin umbral cambia con la temperatura

EL MOSFET DE POTENCIA

4 Tensiones umbral y mximas de puerta La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es tpicamente de 20V

EL MOSFET DE POTENCIA

5 Velocidad de conmutacin

Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.)
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al aumento de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son difciles de eliminar para que el dispositivo deje de conducir

EL MOSFET DE POTENCIA

La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades parsitas del dispositivo Hay, esencialmente tres: - Cgs, capacidad de lineal - Cds, capacidad de transicin Cds k/(VDS)1/2 - Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante

D Cdg G Cgs Cds

5 Velocidad de conmutacin

Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:

- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada) - Crss = Cdg (capacidad Miller) - Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)

EL MOSFET DE POTENCIA

D Cdg G
Ciss

D Cdg Cds
Coss

G Cgs

Cds S

Cgs

5 Velocidad de conmutacin Ejemplo de informacin de los fabricantes

EL MOSFET DE POTENCIA

Ciss = Cgs + Cgd Crss = Cdg Coss = Cds + Cdg

5 Velocidad de conmutacin

La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin de los MOSFET de potencia
Carga y descarga de un condensador desde una resistencia En la carga de C: - Energa perdida en R = 0,5CV12 - Energa almacenada en C = 0,5CV12

EL MOSFET DE POTENCIA

V1

R C

En la descarga de C: - Energa perdida en R = 0,5CV12 Energa total perdida: CV12 = V1QCV1

Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en el proceso de conmutacin

5 Velocidad de conmutacin Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa: - Con carga inductiva - Con diodo de enclavamiento - Suponiendo diodo ideal

EL MOSFET DE POTENCIA

IL Cdg V1 Cds R Cgs

V2

5 Velocidad de conmutacin Situacin de partida: - Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin - Por tanto: vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0

iDT = 0 y iD = IL
- En esa situacin, el interruptor pasa de B a A

EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iD

vDG
A V1 Cdg + vGS -

+
+ -

iDT
+ -

+
vDS V2

Cds Cgs

5 Velocidad de conmutacin

iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO) vDS = V2 hasta que iDT = IL

vGS
VGS(TO)

BA Pendiente determinada por R, Cgs y por Cdg(V2)

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT

IL IL vDG A V1 B R + Cdg +
+ + -

iD iDT
+ -

+ vDS V2

Cds Cgs

vGS

5 Velocidad de conmutacin

vGS
VGS(TO)

BA

La corriente que da V1 a travs de R se emplea fundamentalmente en descargar Cdg prcticamente no circula corriente porCgs vGS = Cte

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT

IL IL vDG A V1 B R + Cdg +
+ -

iDT
+ -

+ vDS V2

+
-

Cds Cgs

vGS

5 Velocidad de conmutacin

Cgs y Cdg se continan

vGS
VGS(TO)

BA

V1
Constante de tiempo determinada por R, Cgs y por Cdg(V1)

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT

IL IL vDG A V1 B R + Cdg +
+ -

iDT

+ vDS Cds Cgs V2

+
-

vGS

5 Velocidad de conmutacin

vGS
VGS(TO)

BA

V1
VM Valoracin de prdidas entre t0 y t2:

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

- Hay que cargar Cgs (grande) y descargar Cdg (pequea) VM voltios


- Hay convivencia tensin corriente entre t1 y t2

iDT

IL
+ +

iDT
iDT

t0 t1 t2 t3

Cdg

+ vDS V2

PVI

+
vGS -

+ -

Cgs Cds -

5 Velocidad de conmutacin Valoracin de prdidas entre t2 y t3:

vGS
VGS(TO)

BA

V1
VM

- Hay que descargar Cds hasta 0 e invertir la carga de Cdg desde V2-VM hasta -VM - Hay convivencia tensin corriente entre t2 y t3

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT

IL

iCdg+iCds+IL iDT = IL iCdg


+ + -

t0 t1 t2 t3

PVI

+
vGS -

Cgs Cds -

+ -

Cdg

iCds +
vDS IL

5 Velocidad de conmutacin

vGS
VGS(TO)

Valoracin de prdidas a partir de t3: BA

V1
VM

- Hay que acabar de cargar Cgs y Cdg hasta V1 - No hay convivencia tensin corriente salvo la propia de las prdidas de conduccin

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT

IL Cdg

iCdg
iL
-

iDT = IL

t0 t1 t2 t3

+
vDS Cgs Cds IL

PVI

+
vGS -

+ -

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta: - La corriente que da la fuente V1 es aproximadamente constante entre t0 y t3 (comienzo de una exponencial, con IV1 V1/R) - De t0 a t2, la corriente IV1 se ha encargado esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una carga elctrica Qgs

vGS

iV1
Qgs t0

Qdg

EL MOSFET DE POTENCIA

- De t2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la carga de Cdg. Se ha suministrado una carga elctrica Qdg - Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Qg es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg) - Para un determinado sistema de gobierno (V1 y R), cuanto menores sean Qgs, Qdg y Qg ms rpido ser el transistor - Obviamente t2-t0 QgsR/V1, t3-t2 QdgR/V1 y PV1 = V1QgfS, siendo fS la frecuencia de conmutacin

t2 t3 Q
g

iV1 V1

5 Velocidad de conmutacin Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta: Informacin de los fabricantes IRF 540

EL MOSFET DE POTENCIA

BUZ80

MOSFET de 1984

MOSFET de los aos 2000

5 Velocidad de conmutacin Otro tipo de informacin suministrada por los fabricantes: conmutacin con carga resistiva

VDS
90%

VGS

EL MOSFET DE POTENCIA

10%

td on

tr

td off

tf

iDT RD
D

td on : retraso de encendido
tr : tiempo de subida td off : retraso de apagado tf : tiempo de bajada

RG +

+ -

+ vDS -

vGS

5 Velocidad de conmutacin Otro tipo de informacin suministrada por los fabricantes: conmutacin con carga resistiva

IRF 540

EL MOSFET DE POTENCIA

iDT RD
td on : retraso de encendido
tr : tiempo de subida td off : retraso de apagado tf : tiempo de bajada D

RG +

+ -

+ vDS -

vGS

Prdidas en un MOSFET de potencia Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente

vGS

vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

Pcond = RDS(on)iDT(rms)2
Pconm = fS(won + woff)

iDT

PVI

Won
Prdidas en conduccin

Prdidas en conmutacin

Woff

Prdidas en un MOSFET de potencia Prdidas en la fuente de gobierno

iV1 V1

vGS

EL MOSFET DE POTENCIA

iV1
Qgs t0

Qdg

Circuito terico

iV1
t2 t3 Q
g

V1 RB
Circuito real

PV1 = V1QgfS

El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre todo en MOSFETs de alta tensin
IRF 540

EL MOSFET DE POTENCIA

D G S

El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

El diodo parsito en un MOSFET de alta tensin

EL MOSFET DE POTENCIA

Caractersticas trmicas de los MOSFETs de potencia

Es vlido todo lo comentado para los diodos de potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

Este fabricante denomina mounting base a la cpsula y suministra informacin de la RTHja = RTHjc + RTHca