Vous êtes sur la page 1sur 47

CURSO:

ELECTRONICA BASICA

1.- PRINCIPIOS DE ELECTRICIDAD: 1.1.Conductores. 1.2.Aisladores. 1.3.Semiconductores 1.4.Corriente Elctrica 1.5.Resistencia Elctrica. 1.6.Fuerza elctrica. 1.7.Potencia elctrica. 1.8.Ley de Ohm. 1.9.Elementos de un circuito. 1.10.- Circuitos puramente resistivos en C.D. 1.10.1.- Circuitos en serie. 1.10.2.- Circuitos en paralelo. 1.10.3.- Circuitos mixtos (serie-paralelo). 2.- PRINCIPIOS DE ELECTRONICA: 2.1.- Semiconductores. 2.1.1.- Material tipo P. 2.1.2.- Material tipo N. 2.1.3.- Unin P-N. 2.2.- Diodo semiconductor. 2.2.1.- Teora y Funcionamiento. 2.2.2.- Polarizacion del diodo. 2.2.3.- Curva caracterstica del diodo. 2.3.- Circuitos con diodos. 2.3.1.- Circuito rectificador de media onda. 2.3.2.- Circuito rectificador de onda completa. 2.3.3.- Circuito rectificador de onda completa tipo puente. 2.4.- El transistor bipolar. 2.4.1.- Teora y funcionamiento. 2.4.2.- Curva caracterstica del transistor. 2.4.3.- El transistor como interruptor. 2.4.4.- El transistor como amplificador. 2.5.- Otros transistores. 2.5.1.- El UJT. 2.5.2.- EL FET.

ELECTRONICA BASICA

1.1.- Conductores.
Los materiales cuyos electrones se liberan fcilmente se llaman conductores. Los tomos de los conductores tienen solo uno o dos electrones de valencia, son los mejores conductores elctricos, los ms conocidos son: Cobre, plata y Oro.

COBRE

CAPAS

ELECTRONICA BASICA

1.2.- Aisladores.

Los aisladores o aislantes, son materiales que no dejan que sus electrones se liberen fcilmente. Los tomos de los aislantes tienen capas de valencia que estn llenas de 8 electrones o bien llenas a ms de la mitad. Estos tomos forman buenos aisladores debido a que es muy difcil liberar un electrn de su capa de valencia.

capa de valencia

ELECTRONICA BASICA

1.3.- Semiconductores.
Los materiales que tienen tomos con cuatro electrones de valencia reciben el nombre de semiconductores. Los semiconductores son materiales con mayor numero de electrones libres que los aisladores pero menor que los conductores. Ejemplos de materiales semiconductores: el Germanio, Silicio y el Selenio.

CAPA DE VALENCIA

ELECTRONICA BASICA

1.4.-Corriente elctrica.
conductor

El movimiento o flujo de electrones se denomina corriente para producirlo, los electrones deben moverse por una diferencia de potencial. La corriente se representa por el smbolo (I). La unidad bsica para medirla es el ampere (A).

ELECTRONICA BASICA
1.5.- Resistencia elctrica. La resistencia es la oposicin al flujo de corriente, para aumentar la resistencia en un circuito, se usan componentes elctricos llamados resistores (resistencias). Un resistor es un objeto cuya resistencia al paso de la corriente tiene un valor especfico conocido. Los resistores son componentes familiares en muchos aparatos elctricos y electrnicos. Algunos de los usos frecuentes de los resistores son establecer el valor adecuado de voltaje en un circuito, limitar la corriente y proporcionar una carga. El smbolo de la resistencia es R y su unidad es el ohm ().
Figura. Estructura y smbolo:

ELECTRONICA BASICA

1.5.1.- Tipos de resistencias: a) Resistores de alambre enredado o devanado. Resistores de carbn y aglomerado. Resistores de pelcula metlica. Resistores variables.

b)

c)

d)

ELECTRONICA BASICA
1.5.3.- Cdigo de colores para los resistores de carbono:
COLOR NEGRO 1ra. CIFRA SIGNIFICATIVA 2da. CIFRA SIGNIFICATIVA 0 3ra. CIFRA MULTIPLICADOR 4ta. CIFRA TOLERANCIA

CAFE ROJO NARANJA

1 2 3

1 2 3

0 00 000

1 % 2%

AMARILLO

0000

VERDE AZUL VIOLETA GRIS

5 6 7 8

5 6 7 8

00000 000000 0000000

0.5% 0.25% 0.10% 0.05%

BLANCO

ORO PLATA SIN COLOR

0.1 0.01

5% 10% 20%

ELECTRONICA BASICA
1.5.4.- Ejemplo de lectura de resistencias:

ELECTRONICA BASICA

1.6.- Fuerza elctrica. Cuando dos cargas tienen una diferencia de potencial, la fuerza elctrica resultante se llama fuerza electromotriz. La unidad que se usa para indicar la intensidad de la FEM es el volt. 1.6.1.- Diferencia de potencial. Cuando dos cargas no son iguales, debe haber entre ellas una diferencia de potencial. La unidad bsica de la diferencia de potencial es el volt (V). El smbolo de la diferencia de potencial es V e indica la capacidad de efectuar un trabajo para que los electrones se muevan. 1.6.2.- Tensin. Es el voltaje que existe entre dos puntos por el que circula una corriente.

ELECTRONICA BASICA
1.7.- Potencia elctrica. La potencia elctrica (en Watts) que entrega una fuente de energa al llevar una carga q (en Coulombs) a travs de una elevacin de potencial V (en Volts), en un tiempo t (en Segundos), es:

POTENCIA ENTREGADA = q x V =
t POTENCIA ENTREGADA = V x I =

Coulombs x Volts =
segundos volts x amperes =

watts.

watts.

ELECTRONICA BASICA

1.8.- Ley de ohm. George Simn Ohm en 1817, comprob que la corriente que fluye en un circuito de corriente directa es directamente proporcional al voltaje aplicado e inversamente a la resistencia del circuito. Esta Ley se aplica siempre que exista una relacin lineal entre el voltaje y la corriente. Expresado matemticamente, se tiene que: I= V R Donde: I = Corriente en amperes (A). V = Voltaje en volts (V). R = Resistencia en ohms ()

ELECTRONICA BASICA

1.9.- Elementos de un circuito elctrico. Bsicamente un circuito elctrico consta de: Una fuente de energa. Alambres o conductores de conexin. Un dispositivo que aproveche la energa elctrica de la fuente para lograr algn objetivo. Este dispositivo que hace aprovechable a la energa recibe el nombre de carga. Elemento de control.

Figura: Elementos de un circuito elctrico bsico:

CONDUCTORES

ELECTRONICA BASICA

1.10.- Circuitos puramente resistivos en CD. (solucin de circuitos simples usando la ley de ohm). 1.Cierta bombilla tiene una resistencia de 240 cuando se enciende. Cuanta corriente fluir a travs de la bombilla cuando se conecta a 120V. I= V = 120 V = 0.50 A

R 240 2.- Un calentador elctrico utiliza 5A cuando es conectado a 110 V. Determine su resistencia. R = V = 110V = 22 I 5A 3.- Cual es la cada de potencial a travs de una parrilla elctrica que consume 5A, cuando su resistencia caliente es de 24. V = I x R = 5A x 24 = 120V

ELECTRONICA BASICA

1.10.1.- Circuitos en Serie.

Un circuito serie es un circuito en el que solo hay un camino por el que fluye la corriente. En el circuito serie la corriente es la misma en todas las partes del circuito. Esto significa que la corriente que fluye por R1 es igual a la corriente en R2, en R3 y es igual a la corriente que proporciona la fuente de energa.

Figura.

Circuito Serie:

ELECTRONICA BASICA

1.10.2.- Circuitos en paralelo.

Es aquel circuito donde se conectan dos o ms resistencias de manera que la corriente pueda pasar por dos o mas caminas. En el circuito paralelo el voltaje es el mismo a travs de cada una de las resistencias.

Figura: Circuito paralelo.


I

ELECTRONICA BASICA

1.10.3.- Circuitos Mixtos.

Figura: circuito mixto (circuito serieparalelo). I

El circuito mixto (tambin conocido como circuito serie-paralelo), consiste en la conexin de resistencias, tanto en serie como en paralelo, de tal manera que para la solucin de este tipo de circuito, se hace empleo de las ecuaciones en serie y en paralelo.

ELECTRONICA BASICA
2.- PRINCIPIOS DE ELECTRONICA:

2.1.- Semiconductores. Las sustancias que tienen cuatro electrones de valencia, reciben el nombre de semiconductores. Los materiales que mas se utilizan en la electrnica de semiconductores son: Germanio, Silicio y el Selenio. Estos materiales (germanio o silicio), se unen mediante pares electrnicos o uniones covalentes formando patrones geomtricos conocidos como retculo cristalino o simplemente cristal. Sus retculos cristalinos son tales que cada electrn puede aparearse con otro electrn de un tomo contiguo. As cada tomo forma uniones covalentes con cuatro tomos contiguos y cada uno de estos hace lo mismo con otros cuatro y as sucesivamente

ELECTRONICA BASICA

Figura.Clave:

Estructura terica del material intrnseco de germanio:


Descripcin:

G e

Ncleo inico de Germanio.

G e

Ge

Ge

Electrn de valencia

Ligadura covalente

Ge

Ge

Ge

G e

Ge

Ge

ELECTRONICA BASICA

2.1.1.- Material tipo P (material aceptador).


Si el cristal de silicio se impurifica con un elemento que tiene solo tres electrones de valencia en su capa externa, como por ejemplo: aluminio, galio o indio, estos electrones de valencia forman ligaduras covalentes con tres de sus vecinos de silicio, Con el cuarto electrn, solo puede formar una ligadura de valencia, dejando un hueco para el electrn faltante. No es necesaria mucha energa para que el hueco atrape un electrn de una ligadura covalente vecina.

ELECTRONICA BASICA
Figura.- Estructura de un cristal de silicio tipo P. Clave: S i Descripcin: S i

Ncleo inico de silicio

Si

Si

In

Ncleo inico de indio

= =

Electrn de valencia Hueco

Si

In

Si

Ligadura covalente

S i
= Ligadura de una valencia

Si

Si

Electrn ()

Hueco (+)

ELECTRONICA BASICA

2.1.2.- Material tipo N (material donador).

Supongamos que una impureza, como un tomo de arsnico, se introduce en un cristal intrnseco de germanio o silicio, en el lugar de uno de los tomos de esta sustancia, Las impurezas como el arsnico y el antimonio tienen 5 electrones de valencia, solo cuatro se aparean y el quinto electrn como no se aparea, permanece unida con poca fuerza a su ncleo. No necesita mucha energa adicional para convertirse en electrn libre. Este tipo de impureza se conoce como impureza donante, ya que dona un electrn en exceso. El cristal semiconductor con su impureza donante se conoce como tipo N, ya que contiene un exceso de electrones que son conductores negativos.

ELECTRONICA BASICA
Figura.- Estructura de un cristal de silicio tipo N. Clave: S i Descripcin:

Ncleo inico de silicio

S i

Si

Si

A s

Ncleo inico de indio

Si
= Electrn de valencia

As

Si

Ligadura covalente

S i

Si

Si

Electrn en exceso (-)

ELECTRONICA BASICA

2.1.3.- Unin P-N.

Supongamos que se une un cristal tipo N a otro tipo P, como se muestra en la siguiente figura. Los conductores mayoritarios de cada regin en la vecindad de la unin, se desprendern de sus ncleos y se difundirn por la unin hacia la regin contraria.
Figura.- Distribucin de los electrones y huecos mviles en el momento de formar la unin P-N.

Clave:

N
+ + +

P
+ + + + +

= electrones mviles +
= huecos

mviles

+ + + + + + + + + + + + + + +

Unin P-N

ELECTRONICA BASICA

2.2.-

Diodo semiconductor.

El cristal de dos regiones expuesto anteriormente, tambin puede actuar como un diodo, Entonces el electrodo de la regin N corresponde al ctodo y el de la regin P al nodo. Este se conoce como diodo de unin o diodo semiconductor, y su smbolo es:

(Tipo P) (+)

(Tipo N) ()

ELECTRONICA BASICA

En la siguiente figura, se muestra diferentes tipos de diodos que se usan en electrnica. Todos estos diodos son formados por trozos de materiales semiconductores del tipo P y del tipo N, con una juntura comn. Los diodos pueden ser de silicio, germanio o selenio, segn el material semiconductor usado en su fabricacin.

ELECTRONICA BASICA

2.3.- Circuitos con diodos. 2.3.1.- Circuito rectificador de media onda.

El circuito mas simple que puede convertir corriente alterna en corriente continua es el rectificador de media onda. Durante el semiciclo positivo de la tensin en el primario, el bobinado secundario tiene una media onda positiva de tensin entre sus extremos. Este aspecto supone que el diodo se encuentra con polarizacion directa. Sin embargo, durante el semiciclo negativo de la tensin en el primario, el arrollamiento secundario presenta una media onda senoidal negativa, por tanto el diodo se halla polarizado inversamente.

ELECTRONICA BASICA
Figura.- Circuito rectificador de media onda:

PRIM.

SEC.

VL

VL

Figura.- Seal de media onda en la carga (RL).

tiempo

ELECTRONICA BASICA

2.3.2.- Circuito rectificador de onda completa. El circuito mostrado en la figura, rectifica ambas mitades del ciclo de CA. El rectificador superior funciona con el semiciclo positivo de tensin en el secundario, mientras que el rectificador inferior funciona con el semiciclo negativo de tensin en el secundario. Es decir, D1 conduce durante el semiciclo positivo y D2 conduce durante el semiciclo negativo. As pues, la corriente en la carga rectificada circula durante los dos semiciclos. Adems, esta corriente en la carga circula solamente en una direccin.

ELECTRONICA BASICA
Figura.- Circuito rectificador de onda completa:

PRIM

SEC.

VL

VL

seal de onda completa:

D1

D2

D1

D2

tiempo

ELECTRONICA BASICA

2.3.3.- Circuito rectificador de onda completa tipo puente. Mediante el uso de cuatro diodos en lugar de dos, el puente rectificador elimina la necesidad de la conexin intermedia del secundario del transformador. La ventaja de no usar dicha conexin es que la tensin en la carga rectificada es el doble de la que se obtendra con el rectificador de onda completa. Durante el semiciclo positivo de la tensin de red, los diodos D2 y D3 conducen; esto produce un semiciclo positivo en la resistencia de carga. Los diodos D1 y D4 conducen durante el semiciclo negativo; lo que produce otro semiciclo positivo en la resistencia de carga.

ELECTRONICA BASICA
Figura.- Circuito rectificador de onda completa tipo puente.

PRIM

SEC

D1

D3

D2

D4

VL

VL
Figura.- El resultado es una seal de onda completa en la resistencia de carga (RL).

D2, D3

D1,D4

D2,D3

D1,D4

tiempo

ELECTRONICA BASICA
2.4.El transistor bipolar.

El transistor bsico se disea agregando otro elemento semiconductor al de un diodo simple P-N, se trata de un semiconductor de tres elementos. Los tres elementos estn dispuestos de tal manera que hay dos elementos externos, inyectados con el mismo tipo de portadores mayoritarios, en tanto que el elemento que los separa tiene portadores mayoritarios opuestos. As, un transistor puede ser N-P-N o bien P-N-P. Los tres elementos del transistor son: el EMISOR, la BASE, y el COLECTOR. El emisor suministra portadores mayoritarios para el flujo de la corriente en el transistor, mientras que el colector recibe la corriente para la operacin del circuito. La base hace las veces de las uniones o junciones requeridas para asegurar la interaccin adecuada entre el emisor y el colector. El emisor se representa esquemticamente por medio de una flecha que seala la direccin del flujo de huecos. Por convencin se acepta que el emisor suministra portadores mayoritarios a la base de modo que un emisor de tipo P se muestra con la flecha sealando hacia la base, y un emisor de tipo N se representa con la flecha alejndose de la base, para indicar que se suministra electrones.

ELECTRONICA BASICA

Figura.- Estructura y smbolo del transistor NPN y PNP respectivamente.

ELECTRONICA BASICA

Figura.- Circuito de conmutacin con transistor.

2.4.3.- El transistor como interruptor. La manera ms sencilla de usar un transistor es emplearlo en conmutacin, lo que quiere decir que debe funcionar en saturacin o en corte y que no debe funcionar en ningn otro punto de la recta de carga. Si un transistor esta saturado, acta como un interruptor cerrado del colector al emisor. Si un transistor esta en corte, es como un interruptor abierto.

RC RB

ELECTRONICA BASICA

Figura.- Recta de carga y sus puntos extremos.

Ic (mA)

Interruptor cerrado (saturacin) Interruptor abierto (corte)

Ic(sat)

VCE (Volts)
Recta de carga VCC

ELECTRONICA BASICA

2.4.4.- El transistor como amplificador. Para hacer que un transistor funcione como amplificador, la unin baseemisor debe estar polarizada en directa y la unin base colector debe estar polarizada en inversa. Para un transistor NPN, ambas de estas condiciones de activacin pueden ser logradas a partir de voltajes positivos de alimentacin. La siguiente figura muestra un diagrama esquemtico del amplificador de voltaje.

IC

RC

POT

ENTRADA

IB

SALIDA

VC VB
RB

ELECTRONICA BASICA

2.5.- Otros transistores. 2.5.1.- El UJT. El transistor de juntura nica (UJT o TJU) o transistor monounion, difiere del tipo comn, tanto en construccin como en funcionamiento. El UJT, conocido tambin como diodo de doble base, es un dispositivo semiconductor de tres terminales, que ha encontrado su principal aplicacin en circuitos osciladores no senoidales, control y conmutacin. La construccin fsica, el smbolo esquemtico se presenta en la siguiente figura, donde se muestra el emisor
(E), y las dos bases, B1 y B2.

ELECTRONICA BASICA

BASE 2 ESTRUCTURA B2 SIMBOLO

EMISOR P E N

EMISOR

BASE 2

BASE 1

B1
BASE 1

ELECTRONICA BASICA

a) Osciladores de relajacin con UJT.


R2

VE

El oscilador de relajacin es el corazn de la mayora de los circuitos temporizadores y osciladores con UJT. Los tamaos de los componentes para un circuito de relajacin se dan en la siguiente figura:

VB2

IE CE IR1 VB1 R1

ELECTRONICA BASICA

2.5.2.- EL FET. (Transistor de Efecto de Campo, FET de unin o JFET). En la siguiente figura, se muestra el smbolo elctrico de un JFET de canal N. Existe tambin un JFET de canal P. Se compone de un material tipo P con zonas difundidas de material tipo N.

JFET DE CANAL N : DRENADOR

JFET DE CANAL P : DRENADOR

PUERTA

PUERTA

FUENTE

FUENTE

ELECTRONICA BASICA

a) Estructura.

Para producir un JFET, el fabricante difunde dos reas de semiconductor tipo P en el semiconductor tipo N, como se muestra en la figura, cada una de esas zonas P se denomina puerta (gate). Cuando el fabricante conecta una terminal separada a cada puerta, el dispositivo se llama JFET de doble puerta. La mayora de los JFET tienen las dos puertas conectadas internamente para tener un solo terminal de conexin externo. Debido a que las dos puertas estn siempre conectadas al mismo potencial, el dispositivo acta como si tuviera solo una.

ELECTRONICA BASICA
Figura.a) JFET de doble capa:
DRENADOR

b) JFET de puerta nica:

DRENADOR

N PUERTA 1 P P PUERTA 2 PUERTA P

N P

N N

FUENTE

FUENTE

ELECTRONICA BASICA

b) Efecto de campo.

El termino defecto de campo se relaciona con las zonas de deplexion que rodean a cada zona P, como se observa en la figura. Las uniones entre cada zona P y las zonas N tienen capas de deplexion debido a que los electrones libres se difunden desde las zonas N en las zonas P. La precombinacin de los electrones libres y los huecos crea las zonas de deplexion mostradas por las reas sombreadas.

ELECTRONICA BASICA
Figura.- Capas de deplexion.
DRENADOR

PUERTA

ZONASDEPLEXION

FUENTE

ELECTRONICA BASICA
c) Polarizacion del JFET.

La figura siguiente, muestra la manera normal de polarizar un JFET. Siempre se polariza en inversa el diodo puerta-fuente. Debido a la polarizacin inversa, solo una corriente inversa muy pequea puede existir en el terminal de la puerta. Como aproximacin ideal, la corriente de puerta es cero. Es decir: IG = 0 Si la corriente de entrada indicara cero, la resistencia de entrada del dispositivo seria infinita. Por ejemplo, si VGG = 2V e IG = 0, la resistencia de entrada es: RE = 2v = 0 La situacin real es que IG no es exactamente cero, as que la resistencia de entrada no es del todo infinita, pero si muy cercana.

ELECTRONICA BASICA
Polarizacion del JFET.

DRENADOR
N PUERTA P N VGG + FUENTE P VDD +