El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU.

en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o trodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.

 El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea. Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje.
Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo.

Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

Elementos de un transistor o transistores:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas. BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas. COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

TIPOS DE TRANSISTORES
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se destinan. La siguiente tabla muestra los tipos de uso ms frecuente y su simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unin (JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de Metal-xidoSemiconductor (MOSFET)

Fototransistor

Nota: En un esquema electrnico, los transistores se representan mediante su smbolo, el nmero de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como se muestra aqu:

TIPOS DE TRANSISTORES
Transistor de contacto puntual Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).

Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transistor PNP

FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1). Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2). En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE

Figura 1

Figura 2

POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base colector inversamente.

ZONAS DE TRABAJO

CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector.

ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.

Transistor de unin unipolar o de efecto de campo

El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

TIPOS DE ENCAPSULADO
Estn encapsulados de diferentes formas y tamaos, dependiendo de la funcin que vayan a desempear. Hay varios encapsuladosestndar y cada encapsulado tiene una asignacin de terminales que puede consultarse en un catlogo general de transistores. Independientemente de la cpsula que tengan, todos los transistores tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que indica el modelo de transistor. Por ejemplo, en los siguientes transistores se observa la referencia "MC 140".

Cpsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar un radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en l. Arriba a la izquierda vemos su distribucin de terminales, observando que el colector es el chasis del transistor.

Ntese que los otros terminales no estn a la misma distancia de los dos agujeros. A la derecha vemos la forma de colocarlo sobre un radiador, con sus tornillos y la mica aislante. La funcin de la mica es la de aislante elctrico y a la vez conductor trmico. De esta forma, el colector del transistor no est en contacto elctrico con el radiador.

Cpsula TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores de tensin en fuentes de alimentacin y para tiristores y triacs de baja potencia. Generalmente necesitan un radiador de aluminio, aunque a veces no es necesario, si la potencia que van a disipar es reducida. Abajo vemos la forma de colocarle el radiador y el tornillo de sujeccin. Se suele colocar una mica aislante entre el transistor y el radiador, as como un separador de plstico para el tornillo, ya que la parte metlica est conectada al terminal central y a veces no interesa que entre en contacto elctrico con el radiador. Cpsula TO-126. Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no resulta generalmente necesario colocarles radiador. Arriba a la izquierda vemos la asignacin de terminales de un transistor BJT y de un Tiristor. Abajo vemos dos transistores que tienen esta cpsula colocados sobre pequeos radiadores de aluminio y fijados con su tornillo correspondiente.

Cpsula TO-92. Es muy utilizada en transistores de pequea seal. En el centro vemos la asignacin de terminales en algunos modelos de transistores, vistos desde abajo. Abajo vemos dos transistores de este tipo montados sobre una placa de circuito impreso. Ntese la indicacin "TR5" de la serigrafa, que indica que en ese lugar va montado el transistor nmero 5 del circuito, de acuerdo al esquema elctrnico.

Cpsula TO-18. Se utiliza en transistores de pequea seal. Su cuerpo est formado por una carcasa metlica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor. Cpsula miniatura. Se utiliza en transistores de pequea seal. Al igual que el anterior, tienen un tamao bastante pequeo.

Aplicaciones de los transistores

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Ventajas de los transistores electrnicos

El consumo de energa es sensiblemente bajo.
El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco. Una vida larga til (muchas horas de servicio). Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento). No necesita tiempo de calentamiento. Resistencia mecnica elevada. Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la fotosensibilidad.