Fotodiodo APD

Definicin
Los fotodiodos de avalancha APD, son foto detectores

especialmente diseados para medir la luz de muy baja intensidad. En los APD la luz externa incide en una zona intrnseca, generando portadores libres, al igual que en un fotodiodo PIN, pero estos portadores son luego acelerados por un campo elctrico muy intenso, provocando un efecto de avalancha debido al cual cada portador original es acelerado y al chocar con la red provoca la creacin de nuevos portadores.

Fotodiodo APD
Los APD son similares a los diodos PIN en cuanto a que

trabajan polarizados en inversa, en ausencia de grandes corrientes de oscuridad.

A diferencia de los diodos PIN los APD operan a tensiones

inversas lo suficientemente elevadas como para que cuando los portadores sean en el campo elctrico.

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Fotodiodo APD
Se hace funcionar al diodo en una

zona muy prxima a la de avalancha (similar a la de los diodos Zener).

Campo elctrico muy intenso, los

electrones tienen mucha energa y generan nuevos pares electrnhueco al chocar con la red cristalina
El APD necesita altos voltajes de

polarizacin en inversa.
Tiene ganancia interna (factor de

multiplicacin: M)
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La luz entra al diodo y es absorbida por la capa n,

haciendo que ciertos electrones pasen a la banda de valencia a la banda de conduccin.

El fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicacin por

avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco electrn, debido al gran campo elctrico generado por la polarizacin inversa, los electrones adquieren velocidades muy altas y al chocar con otros electrones de otros tomos, hacen que estos se ionicen, los tomos ionizados ionizan a su vez a otros tomos desencadenando un efecto de avalancha de corriente fotoelctrica

En el siguiente grfico se muestra como se mantiene un campo elctrico en un APD

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Proceso de avalancha
El diodo est preparado para conducir corriente limitada

por la resistencia del dispositivo.

En polarizacin inversa, la unin p-n forma una barrera y

slo la puede atravesar una corriente muy pequea, normalmente causada por generacin trmica.
La corriente de oscuridad es una corriente elctrica

relativamente pequea que fluye a travs de dispositivos fotosensibles incluso cuando no est recibiendo luz.
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La corriente de oscuridad se debe a la generacin

aleatoria de electrones y huecos, que son arrastrado por el campo elctrico. Su intensidad aumenta con la temperatura. Cuanto menor sea la corriente de oscuridad, mayor ser la sensibilidad del detector, Si la polarizacin es negativa se aumenta la corriente de oscuridad. Cuando se ilumina el diodo, se producen muchos ms pares electrn-hueco. A una polarizacin suficientemente baja se puede suponer que no hay ganancia de avalancha de la fotocorriente
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La fotocorriente es la corriente total generada en el diodo

menos la corriente de oscuridad correspondiente a esa tensin. Para un voltaje mayor, se produce una ganancia finita, tanto de la fotocorriente como de la corriente de oscuridad. La mxima ganancia se alcanza justo antes de la tensin de ruptura. La tensin de ruptura es el voltaje para el cual la ganancia de multiplicacin de la corriente de oscuridad se aproxima a infinito.
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Fotodiodo APD de Silicio

Los fotodiodos APD de silicio presentan bajo ruido y un

rendimiento de hasta el 90% trabajando en la primera ventana.

Su factor de ganancia M es alto (de 50 a 150) y su

sensibilidad es casi inversamente proporcional a la velocidad binaria

8Mb/s 140Mb/s -64dBm -50dBm
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Fotodiodo APD de Silicio

La corriente de oscuridad es relativamente baja a 25C

esta alrededor de 1 y 5nA, en cuanto al ancho de banda obtenidos superan 1Ghz.

Como inconveniente esta su alta tensin de alimentacin

de (200-300v).
Su tiempo medio de vida es de 10^7 horas. Aparte del fotodiodo APD de silicio, existe tambin

Fotodiodo APD de germanio y Arseniuro de Galio.

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Caractersticas del Fotodiodo de InGaAs

Los APDs de InGaAs pueden ser usados en enlaces de

fibra de mayor velocidad (hasta 3 GHz), los cuales regularmente operan a 1300 y 1500 nm. Los APDs de InGaAs, no presentan buenos parmetros de potencia y ancho de banda.

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Ganancia de un APD

Factor de multiplicacin

Corriente total Corriente sin multiplicacin I APD I ph www.scribd.com

Ganancia de un APD
Su ganancia depende de:
Temperatura, debido a la agitacin trmica que favorece

la recombinacin
La longitud de onda

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Factor de Multiplicacin
El factor de multiplicacin (M) depende de:

- El voltaje de aceleracin - El grosor de la regin de ganancia - De la relacin de electrones a huecos que participan en el proceso de ionizacin.
Es decir, la ganancia puede controlarse variando el voltaje

inverso.
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Se debe tener en cuenta que, puesto que el proceso de

ionizacin es esencialmente aleatorio, tambin lo es, el factor de multiplicacin.

Por tanto, cuando se efectan clculos, se trabaja con un

valor promedio de M (10 a 500)

As mismo, de la fsica del proceso de avalancha se

desprende, que este proceso es ruidoso.

Esto no anula la principal ventaja del APD: amplificacin

interna de la fotocorriente, sin el ruido asociado a la circuitera electrnica externa.

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Ancho de Banda del fotodiodo APD

Puesto

que un APD introduce amplificacin, la caracterstica ms importante de tal dispositivo es el producto ganancia-ancho de banda: M x BW

El producto ganancia-ancho de banda puede ser evaluado

por:

M = ganancia a frecuencia cero

e = tiempo de trnsito efectivo

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El tiempo de trnsito efectivo es igual a:

tr = tiempo de trnsito y kA es la relacin de electrones a

huecos envueltos en el proceso de ionizacin (se asume tr >> RC).

La relacin kA depende del material semiconductor y se

encuentra en el rango de: 0.03 para Si - 0.8 para Ge 0.6 para InGaAs.
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El producto ganancia-ancho de banda est alrededor de:

- 500 GHz para un APD de Si y - 120 GHz para un APD de InGaAs

Puesto que un APD de Si tiene una ganancia del orden de

500, su BW 1 GHz
Un APD de InGaAs tiene una ganancia tpica de alrededor

de 40, lo cual produce un BW 3 GHz.

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Caractersticas comparativas entre los diodos PIN y APD

Costo Los diodos APD son ms complejos y por ende ms caros. Vida Los diodos PIN presentan tiempos de vida til superiores. Temperatura Los diodos APD poseen velocidades de respuesta mayores, por lo tanto permiten la transmisin de mayores tasas de informacin. Circuitos de polarizacin Los diodos PIN requieren circuitos de polarizacin ms simples, pues trabajan a menores tensiones.
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Tabla comparativa valores tpicos de Fotodiodos Comerciales

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Otros Parmetros de Comparacin

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Aplicaciones del Fotodiodo APD

Una de las aplicaciones del fotodiodo APD es el telemetro

laser.
Otra aplicacin importante es la telecomunicacin de

larga distancia por fibra ptica.

Una nueva aplicacin incluye la tomografa por emisin

de positrones, la fsica de partculas y la fsica de astro partculas

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Conclusiones
Los APDs de Si son tiles para una red de fibra ptica de

velocidad moderada (hasta 1 GHz), la cual usualmente opera a 850 nm.

Los APD de Si tienen buenas caractersticas de

desempeo tanto desde el punto de vista de potencia como de ancho de banda, pero estn restringidos para uso en la primera ventana transparente (fuera del reino de las aplicaciones comerciales).

Conclusiones
Un APD es al menos 10 veces ms sensitivo que un FD

pin, con un BW comparable. Esto implica un tramo de fibra ptica 10 veces ms largo entre un transmisor y un receptor.