5.

1 Familia de tiristores

SCR DIAC TRIAC

5.2 UJT y PUT

5.3 MOSFET de potencia

Decremental Incremental

5.4 IGBT

5.5 GTO

5.1 Familia de tiristores (SCR, DIAC, TRIAC)

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de 4 capas de estructura PNPN con 3 uniones PN tiene tres terminales: nodo, ctodo y compuerta. Los tiristores se fabrican por difusin y du estructura es la siguiente:

Es uno de los dispositivos semiconductores de potencia mas importantes. Se utilizan de forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor.

Es uno de los semiconductores ms antiguos 1957 General Electric Research Laboratories

Tiene una enorme capacidad de manejar potencia Son muy robustos Seguir teniendo aplicaciones debido a que es de los semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia Estructura de 4 capas

Caracterstica V-I Puerta

IA nodo A

VAK

Ctodo K IA Polarizacin directa: una vez disparado, conduce como un diodo

Polarizacin directa: si no se ha disparado, no conduce VAK Zona de transicin Con polarizacin inversa se comporta como un diodo: no conduce

El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero

Encapsulados de SCR
MAGN A PACK

ADD A PACK

PACE PACK

TO-200

Parmetros fundamentales para seleccionar un SCR

Tensin de ruptura

Corriente mxima
Velocidad de conmutacin

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales 400 V Alta tensin Soportan tensin directa (VDRM) e inversa (VRRM)

800 V
1000 V 1200 V

Caractersticas de disparo
El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el punto de corte est en la zona de disparo seguro Z1 V1 IG
V1 / Z1

Zona de disparo seguro

V1

VGK

Caractersticas de disparo
2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente nodo-ctodo sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento (Latching Current)

IA

Sigue conduciendo ILATCHING

Se apaga

IG

Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo aunque no tenga corriente en puerta

Apagado del SCR

Hay dos tipos de apagado: Apagado esttico Apagado dinmico

IA
IMANTENIMIENTO

El apagado esttico se utiliza en aplicaciones VAK de red (50 Hz) El tiristor se apaga de forma natural

El apagado dinmico se utiliza en aplicaciones de frecuencia ms elevada (1 - 20 kHz)

IA

Se requiere un circuito externo para apagar el SCR de forma forzada

VAK

Ejemplo de funcionamiento
V1

Disparo

R1 V1

VR VR

VT

VT

No es un interruptor Una vez disparado se comporta como un diodo

Cuando su corriente pasa por cero, se apaga

Para dispararlo hay que sobrepasar una tensin caracterstica VDIAC que suele ser de 30 V. Es totalmente simtrico IT12
T1

T2

- 30 V

30 V

VT12

Aplicaciones: se suele usar para disparar TRIACs y tiristores

Funciona como un tiristor Al dispararlo, conduce hasta que la corriente pasa por cero Es bidireccional. Conduce en ambos sentidos Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes

T1

T2

Su uso es comn en aplicaciones de baja potencia (pero relativamente alta comparada con la potencia de muchos sistemas de alimentacin) 200, 400, 600, 800, 1000 V 1- 50 A

Especificaciones tpicas

Hay 4 posibilidades de funcionamiento

No todas son igual de favorables

T2

T2

+ IG

T2

+
IG

T2

IG
T1

IG
T1

T1

T1

IG > IH < IL <

35 mA 30 mA 40 mA

35 mA 30 mA 60 mA

70 mA 30 mA 60 mA

35 mA 30 mA 40 mA

IH Corriente de mantenimiento

IL Corriente de enclavamiento

UJT
El transistor uniunin (UJT, unijunction transistor) es un dispositivo de conmutacin del tipo ruptura. Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores, generadores de onda, y ms importante an, en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs. Cuando el voltaje entre emisor y base1 Veb1, es menor que un cierto valor denominado voltaje de pico, Vp, el UJT est CORTADO, y no puede fluir corriente de E a B1 (Ie=0). Cuando Veb1 sobrepasa a Vp en una pequea cantidad, el UJT se dispara o CONDUCE. Cuando esto sucede, el circuito E a B1 es prcticamente un cortocircuito, y la corriente fluye instantneamente de un terminal a otro. En la mayora de los circuitos con UJT, el pulso de corriente de E a B1 es de corta duracin, y el UJT rpidamente regresa al estado de CORTE.

UJT. Funcionamiento
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la figura se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidos como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases rBB con valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs, se carga el condensador C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en circuito abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:

T RC ln

1 1

PUT.
El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor. Se puede utilizar como un oscilador de relajacin. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de disparo Vp. Un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo R1 y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta ms el voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de disparo y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en Vs. En general Rs est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.

T RC ln 1

R2 R1

5.3 MOSFET de potencia

Decremental Incremental

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por tensin que requiere solo de una muy pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de conmutacin del orden de los nanosegundos. Sin embargo, tiene problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo requiere de cuidados especiales, adems es relativamente difcil de protegerlos bajo condiciones de falla por cortocircuito.
Los MOSFET son de dos tipos:

Decrementales Incrementales

Tipo decremental
Un mosfet tipo decremental de canal n se forma en un sustrato de silicio de tipo p. La compuerta esta aislada del canal mediante una delgada capa de oxido. Los tres terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. El voltaje de compuerta a fuente puede ser positiva o negativa. Con un mosfet tipo decremental de canal p, se invierten las polaridades de , ,

Tipo incremental

El mosfet de canal n de tipo incremental no tiene canal fsico. Si es positivo, un voltaje inducido atrae a los electrones del sustrato p y los acumula en la superficie, bajo la capa de oxido. Un mosfet tipo decremental permanece activo con voltaje cero de compuerta.

5.4 IGBT
El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente

C
MOSFET Bipolar

G E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)

No tiene diodo parsito

Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET
Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

Gran capacidad de manejo de corriente

Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor El IGBT tiene menor cada de tensin

Menores prdidas en conduccin

Problema: Coeficiente de temperatura negativo

A mayor temperatura, menor cada de tensin Conduce ms corriente Se calienta ms Esto es un problema para paralelizar IGBTs

Encapsulados de IGBT
Mdulos de potencia TO 220

MTP

TO 247

5.5 GTO

Gate Turn-Off Thirystor

En muchas aplicaciones, el hecho de no poder apagar el SCR es un grave problema El GTO solventa ese inconveniente Con corriente entrante por puerta, se dispara Con corriente saliente por puerta, se apaga K G

Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia Es muy robusto A

 Soporta altas tensiones Puede manejar corrientes elevadas

La cada de tensin en conduccin es relativamente baja

El GTO es bsicamente igual que un SCR Se han modificado algunos parmetros constructivos para poder apagarlo por puerta Se pierden algunas caractersticas (solucin de compromiso). Por ejemplo, la corriente de disparo es mayor.

Cada de tensin en conduccin ligeramente superior al SCR Algo ms rpido que un SCR

Bibliografa
ftp://64.76.3.82/oscar/Bkup%20pc%20oscar/Electronica%20de %20Potencia/5.A%20Power%20Mosfet%20v2.0.pdf http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp http://www.daenotes.com/electronics/industrialelectronics/put-programmable-unijunction-transistor http://ccpot.galeon.com/enlaces1737094.html