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Pr. B.

ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-1


COURS

Chapitre 3
TRANSISTORS BIPOLAIRES
FONCTIONNEMENT ET POLARISATION
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-2
Chapitre 3: TRANSISTOR BIPOLAIRE
Construction : Jonctions P-N-P, N-P-N
Fonctionnement : I
E
= I
B
+ I
C
Facteur damplification et polarisation
Gain de courant |
DC
et polarisation
Modles DC
Montage en metteur commun
O Courbes caractristiques
Entre, Sortie
O Droite de charge statique
O Point de fonctionnement
O Fonctionnement en ampli ou commutateur
Polarisation
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-3
III. Transistor bipolaire
III.1 Introduction
le Transistor = llment clef de llectronique
il peut :
amplifier un signal
7 amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
tre utilis comme une source de courant

agir comme un interrupteur command ( = mmoire binaire)
7 essentiel pour llectronique numrique
...etc
il existe :
soit comme composant discret
soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant
partie dun circuit plus complexe, allant de
quelques units (ex: AO) quelques millions de
trans tors par circuit (microprocesseurs)
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-4
Un TR bipolaire = lment SC dans lequel
sont formes 2 jonctions trs voisines.
Donc deux rgions de mme types de
conductivit (N ou P) sont spares par une
mince rgion de conductivit oppose
appele base.

Il peut y avoir 2 types de transistors
suivant que la rgion centrale (base) est de
type N en P.
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-5
I. Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire
Structure simplifie
P
+

P
N
E
B
C
metteur
collecteur
base
Transistor PNP
Un transistor bipolaire est constitu de 3 zones semiconductrices diffrentes, lmetteur, la
base et le collecteur, qui se distinguent par la nature du dopage.
E
C
Transistor NPN
N
N
P
B
+
couplage
entre les
diodes
diode EB
diode BC
Les deux jonctions PN se partagent la rgion centrale : la base . Le couplage entre les
jonctions est lorigine de l effet transistor : le courant dans lune des diodes
(gnralement dans la jonction base/metteur) dtermine le courant dans la seconde.
Symtrie NPN/PNP: Les TR: PNP et NPN ont un comportement analogue condition
dinverser les polarits des tensions.
diode EB
diode BC
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-6
Reprsentation symbolique
N
N
P
C
B
E
COLLECTEUR
BASE
EMETTEUR
P
P
N
C
B
E
COLLECTEUR
BASE
EMETTEUR
fi g. 1 : transi stor NPN
fi g. 2 : transi stor PNP
Le TR prsente 2 jonctions P-N dont les sens passant sont opposs:
La zone comprise entre les 2 jonctions est trs mince, cest la BASE.
Une des zones extrmes est fortement dope, cest lEMETTEUR du transistor.
Lautre zone extrme, faiblement dope, est le COLLECTEUR du transistor.
Sur le symbole du composant, lmetteur est distingu du collecteur par une flche
indiquant le sens passant de la jonction base-metteur.
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-7
Fonctionnement physique simplifi
V
BE
<0

E
E
C
C
B
B
V
CB
<0

V
BE
>0

V
CB
>0

V
BE
= 0,6V
I
B
+I
C
+I
E
= 0
I
B
> 0 , I
C
> 0
I
E
< 0
V
BE
= -0,6V
I
B
+I
C
+I
E
= 0
I
B
< 0 , I
C
< 0
I
E
> 0
Polarisation direct Polarisation inverse
Polarisation direct
Polarisation inverse
Par convention, les courants entrants sont positifs
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-8
En fonctionnement normal, la jonction base
metteur (BE) est polarise en direct tandis que
celle collecteurbase (CB) est en inverse.

Pour le transistor NPN, linjection dun courant dans
la base contrle un courant proportionnel circulant
du collecteur vers lmetteur (pour le PNP, cest
lextraction).

Il en rsulte des courants: I
E
, I
C
, I
B

polarisation TRB.swf
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-9
Fonctionnement
Relation entre les courants I
E
, I
C
, I
B
V
BE
<0

V
CB
<0

Jonction E-B (en directe):
Les trous passent par diffusion dans la bases pour donner I
dp

Les lectrons passent par diffusion de la bases vers E pour donner I
dn

I
i
: courant inverse d lagitation thermique (minoritaires)
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-10
Jonction B-C (en inverse):
la grande partie I
dp1
du courant I
dp
traverse la jonction BC car la
polarisation inverse attire les trous vers le collecteur.
la jonction BC il existe aussi un courant inverse de saturation I
S

(I
CBO
) qui sajoute I
dp1

Billan des courants:
S i dn dp dp B
S dp C
i dn dp E
I I I I I I
I I I
I I I I
+ =
+ =
+ =
'
'
) (
1
1
I
C
I
B
I
E
I
dp1
I
dn
I
S
I
i
B C E
I I I + =
C:\Documents and Settings\babboud.FST\Bureau\Nouveau dossier\transistors-animation.php.htm
( )
900 20
999 , 0 95 , 0
1
avec ) 1 (
avec
1
s s
s s
|
.
|

\
|

= + + =
+ + =
|
.
|

\
|
= + =
|
o
o
o
| | |
o
o o
CBO B C
CBO C B C
E
dp
CBO E C
I I I
I I I I
I
I
I I I
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-11
Rq: 95 99% trous provenant de E arrivent au collecteur
(=oI
E
) on aura donc:
B E C
I I I | o ~ ~ En gnral: I
CBO
<<o I
E
:
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-12
On considre le TR comme un quadriple dont une lectrode
est commune lentr et la sortie. Trois montages sont donc
envisager:
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-13
Diffrents montages du TR
C
B
E
V
BE
V
CE
B
C
E
V
E
B
V
CB
B
C
E
V
BC
V
EC
Montage Montage Montage
Emetteur Commun Base Commune Collecteur Commun
Rq:
Montage Emetteur Commun le plus utilis pour lamplification
Bip_ass.qt
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-14
I
c
=f(V
CE
)
I
B
=f(V
BE
)
I
C
=f(I
B
)
V
BE
=f(V
CE
)
Rseau de caractristiques
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-15
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-16
Circuits de polarisation du transistor (fonctionnement statique)
Le circuit de polarisation fixe le point de repos
(ou point de fonctionnement statique) du TR.

Le choix du point de repos dpend de lapplication du circuit.

Il doit tre lintrieur du domaine de fonctionnement du TR
(I
C(B)
< I
max,
, V
CE (BE)
<V
max
,....)

Les principales caractristiques dun circuit de polarisation sont :
sensibilit par rapport la dispersion de fabrication du TR
(incertitude sur h
FE
, )
stabilit thermique.
(coeff de temprature des = paramtres du transistor :V
BE
, |, I).

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-17
V
CE0
I
C0
I
B0
V
BE0
Q

Le point de repos
C:\Documents and
Settings\babboud.FST\Bureau\Nouveau
dossier\trans_npn.htm
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-18
Diffrents montage de polarisation du TR &Influence de T
Polarisation 2 sources
V
CC
R
C R
B
V
CC
R
C R
B
R
B
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-19
V
CC
R
C R
B
R
P
V
CC
R
C
R
T
E
T
Transformation du circuit laide du Thorme de Thevenin
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-20
Influence de la temprature
O La caractristique dune jonction PN dpend de la temprature
les courants inverses (mode bloqu) augmentent avec T

V
BE
, I
B,E
constant, diminue avec T

ou rciproquement : pour V
BE
maintenue fixe, I
E
(et donc I
C
) augmente avec T
Risque demballement thermique :
Necessit dune contre-raction dans les amplificateurs transistors bipolaires :
+ + + | |
C B BE C
I I V I T
L

T dissipe Puissance
C
I T
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-21
Variation des caractristiques dun TR avec la temprature
Si
Ge
BE
C
BE
C
V
V
I
V
I
S
BE
A
A
~
c
c
=
| |
|
A
A
~
c
c
=
C C
I I
S
CBO
C
CBO
C
I
I
I
I
I
S
CBO
A
A
~
c
c
=
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-22
I
CEO

|I
B

I
C

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-23
Q est tant fix : le circuit doit le maintenir dans une zone dtermine
du plan (I
C
,V
CE
) lorsque les paramtres du TR varient.
Droite de charge tant choisie: suffit I
C
~ cst ( I
C
=o I
E
) donc I
E


Rgions de fonctionnement
RGIONS DE FONCTIONNEMENT DUN TRANSISTOR BIPOLAIRE
JONCTION
BASE-COLLECTEUR
JONCTION
BASE-METTEUR
DIRECT
V
BC
> 0
INVERSE
V
BC
< 0
DIRECT
V
BE
> 0
SATURATION
( Interrupteur ferm )
Rgion active directe
AMPLIFICATION
Gain normal
INVERSE
V
BE
< 0
Rgion active inverse
( Mode damplification
presque jamais utilis sauf en
circuits TTL)
BLOCAGE
( Interrupteur ouvert )
TR (vulgarisation).pps
BJT AUDIO
TD TR en commut.ppt
BJT PUISSANCE
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-27
Point dopration
Comme pour la diode, il faut pouvoir calculer
le point dopration.
Dans le cas du transistor, il sagit de trouver
le point dopration sur les deux courbes en
mme temps : la courbe dentre et la courbe
de sortie.
En pratique on nutilise pas la droite de
charge sur la courbe dentre.
Montage en metteur commun
Transistor NPN
Mode direct
Nous assumerons
donc V
BE
= 0.7
lorsque la jonction
B-E est en mode
direct peu importe
V
CE
Cette approximation
rendra les calculs
plus faciles sans
trop perdre de
prcision
Montage en metteur commun
B-E direct
C-B inverse
Transistor NPN en rgion active ou linaire
Se comporte comme un
AMPLIFICATEUR
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-30
Montage en metteur commun
Nous avons aussi les relations suivantes quil est
intressant de connatre

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-31
VALEURS LIMITES
I
Cmax
: Courant collecteur maximum
P
Cmax
: Puissance maximale
V
CEmax
: Tension C-E maximale

I
C max
P
C max
P
C max
Nous sommes maintenant prts
polariser le transistor pour lutiliser
comme amplificateur
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-32
POLARISATION FIXE
Boucle 1
Boucle 2
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-33
cest la forme de
polarisation la moins bonne
I
C
dpend directement de
|
CC
qui peut varier avec la
temprature.
Si I
C
augmente avec la
temprature, le point Q se
dplace vers la zone de
saturation.
Polarisation fixe
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-34
POLARISATION FIXE
Exemple 4.7
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-35
MODE SATURATION
En saturation, V
CEsat
0
On peut donc faire
lapproximation :
Pour tre en mode
SATURATION il faut
avoir I
Csat
tel que :
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-36
DROITE DE CHARGE
On peut varier la position du point Q en variant : R
B
(I
B
), R
C
(I
C
) et V
CC

Diminution de R
B
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-37
DROITE DE CHARGE
Augmentation de R
C
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-38
POLARISATION RACTION DMETTEUR
On augmente la
stabilit puisque R
E

tend limiter les
variations de I
C
dues
aux variations de | et
de V
BE
.
En effet, si I
C

augmente, alors I
E
et
V
E
augmentent, ce qui
contribue diminuer I
B
.
Figure 4.17 Polarisation dun transistor
bipolaire avec raction dmetteur
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-39
POLARISATION RACTION DMETTEUR
Figure 4.17 Polarisation dun transistor
bipolaire avec raction dmetteur
Boucle 1 B-E
R
E
dans lmetteur est reflte comme
une rsistance R
i
dans la base. La valeur
de R
i
est :
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-40
POLARISATION RACTION DMETTEUR
R
E
dans lmetteur est reflte comme une
rsistance R
i
dans la base. La valeur de R
i
est :
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-41
POLARISATION RACTION DMETTEUR
Si on assume que I
E
I
C
, alors on
aura V
CE
tel que :
Montrez que si on utilise lquation
I
E
= I
B
+ I
C
, alors on aura la valeur
exacte de V
CE
soit :
(

+
|
|
.
|

\
| +
=
C E C CC CE
R R I V V
|
| 1
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-42
Exemple 4.4
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-43
Exemple 4.5
Regardons la variation de V
CE
lorsque le gain | varie de 100 % ( 50 100)
lorsquon a une polarisation fixe ( Ex. 4.1 ) vs une polarisation raction
dmetteur ( Ex. 4.4 ).
Lequel des 2 circuits de polarisation est meilleur ou plus stable ?
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-44
DROITE DE CHARGE
Pour lexemple 4.4, I
B
= 40 uA et I
C
= 2,01 mA.
Dans quelle rgion de fonctionnement se trouve
le point Q ?
V
C
= 15,98 V, V
B
= 2.71 V et V
E
= 2,01 V
Alors V
BC
= -13,27 V et V
BE
= 0,7V
Q dans la rgion linaire ou amplification
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-45
DROITE DE CHARGE
Modifiez R
B
pour que le transistor soit dans la
rgion de saturation. Les autres paramtres sont
constants.
R
E
= 1KO, R
C
= 2 KO et | = 50
Lorsque le transistor est satur, on a
Rp: R
B
= 93.7 KO
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-46
POLARISATION DIVISEUR RSISTIF
On veut liminer linfluence des
variations de | en fixant I
E
( ou I
C
)
plutt que I
B
.

Le diviseur fixe la tension V
E
et I
B

sajustera en fonction des
variations de | et de V
BE
pour
maintenir I
C
constant. Le circuit de
polarisation fonctionne comme
une source de courant.
Figure 4.17 Polarisation dun transistor
bipolaire avec diviseur rsistif
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-47
POLARISATION DIVISEUR RSISTIF (exact)
La mthode exacte ncessite de
produire le circuit quivalent
Thvenin vu de la base et de le
rsoudre pour trouver I
B
.
Polarisation avec diviseur rsistif
(mthode exacte)
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-48
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF (exacte)
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-49
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF (exacte)
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-50
Exemple 4.7 ( exacte )
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-51
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF
La mthode approximative nglige
la valeur du courant I
B
par rapport
au courant qui circule dans R
2
.

Pour utiliser la mthode
approximative, il faut que la relation
suivante soit satisfaite :
Figure 4.17 Polarisation avec diviseur
rsistif ( mthode approximative )

R
Th
= R
1
// R
2
<
|R
E
10
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-52
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF ( approx. )
Figure 4.17 Polarisation avec diviseur
rsistif (mthode approximative)

|R
E
>10R
Th
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-53
Exemple 4.8 ( approx. )
Le reste de la solution se fait comme
pour lexemple 4.7. Avec cette mthode,
on note que lon ne tient pas compte de
I
B
et de |. Le point Q est donc
indpendant de la valeur de |
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-54
Exemple 4.9 ( approx. )
Lorsque la mthode
approximative sapplique, la
dpendance de V
CEQ
ou de I
CQ

par rapport aux variations de |
est ngligeable. Refaire
lexemple 4.7 en assumant | =
70 au lieu de 140
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-55
Exemple 4.10 (exacte )
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-56
Exemple 4.10 (approx. )
Comparaison des 2 mthodes
Mme lorsque R
i
/R
2
3 au lieu de
10, le rsultat est acceptable
R
i
R
1
R
2
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-57
Modlisation des TR
La modlisation du TR=trouver un schma lectrique quivalent qui peut
servir aux calculs thoriques.
Thorie des quadriples:
v
BE v
CE
i
C
i
B
Q

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-58
Modlisation du TR en dynamique & en rgime de petits signaux
i
b
1/h
22
h
11
h
21
i
b
h
12
v
ce v
ce
v
be
i
c
v
be
v
ce
i
b
i
c
=

+ =
+ =
ce 22 b 21 c
ce 12 b 11 be
v h i h i
v h i h v
Rq: Notons quil existe dautre modles plus complexes
Diode: Polarisation directe :
a- Basse frquence :
si on se trouve sur la partie conduction de la diode, ceci est
dfinie par le point de fonctionnement en mode statique, le
point de fonctionnement dynamique dcrit un segment de
droite, c'est le parcours dynamique. La diode est donc de ce
point de vue un lment linaire quivalent une rsistance. Le
calcul de la valeur de r
d
peut donc ce faire de manire
identique au modle source de tension relle, on obtient la
valeur
Rappel sur les diodes
Courant de saturation de la diode
Jonction=condensateur plan d'paisseur w
T
, d'aire A et de constante dilectrique
o w
T
, A et reprsentent.

La capacit de transition est alors : avec
Capacit de transition
Considrons une jonction polarise en inverse par une tension V < 0. La
tension applique la zone de transition est alors
T
= - V .
Capacit de transition de la
jonction polarise en inverse
on en tire finalement:

avec et
C
T0
=20pF
Variations de capacit de diodes varicap
C
T0
=2pF
C
T0
=10pF
Capacit de diffusion ou de stockage
En polarisation direct des charges (lectrons ou trous) sont injectes dans les
rgions quasi-neutres de la diode. Ces charges diffusent jusqu'aux contacts
ohmiques constituant ainsi une charge stocke dans la zone neutre. Reprenons la
rpartition des trous minoritaires dans la zone N pour une jonction P
+
N et modifions
lgrement la tension de polarisation V d'une quantit dV. Il en rsulte une
augmentation dp
N(0)
de la densit de trous injects au niveau de la jonction. La
charge stocke dans la rgion N subit alors une augmentation de dQs. (zone
hachure de la figure).
En rsum la jonction PN prsente deux types de capacits suivant qu'elle est
polarise en inverse ou en direct:
une capacit de transition en inverse.
une capacit de diffusion en direct.
Elle prsentera donc un comportement fortement non linaire et l'tude
analytique ne pourra se faire qu'au moyen d'approximations linaires par
morceaux.
b- Haute frquence :
En HF, il est possible de mettre en uvre un
modle sous la forme d'une r
d
et d'un C
d
. La
rsistance r
d
est dtermine de la mme manire que
prcdemment.

La C
d
est lie au temps de transit moyen des porteurs
minoritaires dans la zone de charge d'espace. Pour dterminer
son expression il faut connatre la valeur de la charge Q
engendre par les porteurs minoritaire dans les 2 zones c--d
des 2 cots de la jonction.
Une expression simple de la capacit de transite est:
Si on fait abstraction des capacits parasites, il est intressant de comparer les 2 schmas.
Pratiquement cela signifie qu'il existe un temps de
commutation t entre le passage ON et OFF de la diode et
par voie de consquence un dphasage entre le courant et
la tension l'intrieur de celle-ci.
Ce temps de commutation est de l'ordre de 10ns 10s.
Si on superpose au rgime statique un rgime sinusodal, la
tension aux bornes de la diode est
Polarisation inverse en rgime de petits signaux :

Dans ce modle on considrera la diode simplement comme un condensateur C
t
(capacit de transition). Physiquement en polarisation inverse il existe une zone
de charge d'espace, celle-ci se comporte comme un isolant puisque il est
impossible de faire passer le moindre lectron entre les zones N et P. La valeur
de C
t
est dfinie comme la variation de la charge cause par la variation de la
tension inverse
C
0
est la valeur de la capacit C
t
V
i
= 0.
valeur de la barrire de potentiel comprise entre 0,4 et 1V.
k vaut 1/2 pour une jonction abrupte et 1/3 pour une jonction linaire.
Les capacits de jonction

Si la jonction est polarise en sens direct : C
D
(Capacit de diffusion).
Si la jonction est polarise en sens inverse: C
T
(Capacit associe la charge
despace).
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-73
Modle dynamique hautes frquences et faible signaux
Aux frquences leves on ne peut pas ngliger les capacits internes des jonctions EB et BC.
En mode actif :
la jonction EB introduit une capacit de diffusion C
d
(C
be
)
la jonction BC introduit une capacit de transition C
t
(C
bc
)
Schma quivalent dynamique hautes frquences: Schma de Giacoletto
Ces capacits influencent le fonctionnement du transistor aux frquences leves et sont
responsable dune bande passante limite des amplificateurs transistor bipolaire .
| i
R
bb
: rsistance de volume de la base, le point B' se trouvant la jonction
Base-Emetteur (~ centaine d'ohm) (B=point inaccessible);

C
b'e
: capacit dynamique (ou de diffusion) de la jonction Base-Emetteur;
elle est de l'ordre de la centaine de pF ;

C
b'c
: capacit de transition base-collecteur due la charge d'espace
de la polarisation inverse de la jonction ; elle est de l'ordre du pF (~10 pF)
(valeur souvent trs infrieure C
b'e
) ;

R
b'c
: rsistance de transition base-collecteur de l'ordre du qqM
(traduit les variations de dv
ce
sur di
b
).

Quelle est la signification des nouveaux lments de ce schma ?
Exemple: T=25
0
C pour I
C
=1mA

R
bb
=100 R
bc
=4 M
R
be
=2600 C
bc
=3 pF
C
b'e
=40 pF R
ce
=80 K
| = g
m
R
be
= 100 gm = 40 mA/V
Exemple numrique:
Ic=1,3 mA la temprature ambiante. On a:
V mA g
m
/
,
50
26
3 1
= =
Remarque:
i
b
courant dans r
be
(Source de courant lie g
m
v
be
peut se mettre sous la forme |i
b
:

= =
= =
T
C
e b
m
e b
e b
b e b m
V
I
r
g
r
V
i V g

|
| |
(Transconductance)
Relation entre les 2 montages
Basse Frequence:

Coupe dun transistor NPN
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-77
Remarque
Facile de mesurer les para hybride ou admittance en
fonction de f, que de dterminer le schma naturel,
Caractristiques : constructeur (courbes), variation
de paramtre hyb |h| ou |Y| en fonction de f pour un
point de polarisation donn,
partir de ces courbes les paramtres du schma
naturel peuvent tre calculer.

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-78
Relation entre les para du schma HF et les para hybrides ou (admittance)

=
=
=
ce
ce
c b
c b
e b
e b
r
g
r
g
r
g
1
1
1


avec

Calculs: on tient compte des ordres de grandeurs des diffrents lments, soit
e b bc e b ce bc
c c et g g g

<< << <<
e b
e b e b be
z
C j g y


1
= + = e
c b
c b c b bc
z
C j g y


1
= + = e
b
e
Y
be

Y
bc

r
bb

b
b
e
r
be

c
be

r
bb

b
i
1

v
1

i


i
2

i
1

v
2

v
1

Les paramtres h
11e
et h
21e
sont dtermins pour v
2
=0 en ralisant un CC
entre collecteur et metteur. Lanalyse du circuit (figure 1) nous montre
que le courant de CC : i
2
=g
m
v
be
si lon nglige les courants traversant g
ce

et y
bc
et que le courant i
1
est gal au courant circulant dans y
be
si lon
nglige le courant dans y
bc
(Figure 2).

Figure 1
Figure 2
Dans la bande passante loin de la pulsation de coupure:
On obtient donc:
On a:
e b e b
e b
bb
e b
bb V e
C r j
r
r
y
r
i
V
h

0
1
1
11
1
1
) (
2
e +
+ = + = =
=
e b
e b V e
y
i
r i avec
i
i
i
i
h

1
0
1
2
21

) (
2
= = =
=
|
e b e b e b e b
e
C r j y r
h

21
1 e
| |
+
= =
e b e b
ce
C r

1
= e
| e ~ s
21
1 h o d C r
e b e b ce
Les parametres h
12e
et h
22e
sont calculs pour i
1
=0:
v
2
On a:
soit
est obtenu en dterminant le court i
2
.

On a: et
e b
c b
c b
e b
e b c b
e b
i e
y
y
z
z
z z
z
v
v
h

0
2
1
12
1
) ( = ~
+
= =
=
) 1 (
) 1 (



12
e b
c b
C r j r
C r j r
h
e b c b
c b e b
e
e
e
+
+
=
0
2
2
22
1
) (
=
=
i e
v
i
h
e b c b
ce e b m
z z
v
v g v g i

2
2 2
+
+ + =
2

v
z z
z
v
c b e b
e b
e b
+
=
i"

Or lorsque
Or obtient
do
)
1
1 )(
1
(
1


22
e b e b
e b m
c b
c b c b
ce
e
C r j
r g
r
C r j
r
h
e
e
+
+
+
+ =
) 1 (
) 1 ( ) 1 (

22
e b
m
c b ce
c b
e b m
ce
c b e b
e b m
ce e
y
g
y g
z
z g
g
z z
z g
g h + + =
+
+ ~
+
+
+ =
e b m e b e b
r g C r

; 1
) 1 )( (
1

22 c b c b
c b ce
e
C r j
r r
h e
|
+ + ~
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-85
Thorme de Miller
Dfinition:
Si on place une impdance entre l'entre et la sortie d'un amplificateur de
gain ngatif (-A
v
) (inverseur, comme l'metteur commun), alors, vue de
l'entre, cette impdance est multiplie par: -(Av + 1).

Application au schma de Giacoletto.
On voit l'application immdiate au schma de Giacoletto : la capacit C
bc

situe entre la base et le collecteur du TR, donc entre l'entre et la sortie
d'un MEC sera multiplie par le gain de l'tage : vue de l'entre, elle vaudra
plus d' 1nF !
Elle devient alors prpondrante devant C
be
et c'est elle qui va limiter le
fonctionnement en HF.
Autres applications.
Une autre application importante consiste utiliser cette proprit dans la
conception de circuits intgrs. On fabrique des capacits avec deux
surfaces mtallises en regard et spares par de l'isolant. La capacit est
proportionnelle la surface, et en pratique, elle sera trs petite (impratifs
de cots du silicium, donc des composants).
On peut multiplier une capacit par effet Miller sur ces circuits, et gagner au
choix de la surface de silicium ou augmenter la valeur de la capacit.
Effet Early :
Si on trace le rseau de courbes IC=f(VCB) IE constant et le rseau
IC=f(VBE) IB constant on observe que ces rseaux sont convergent vers un
point que l'on nomme la tension d'Early VA. Cette tension est trs grande elle
vaut dans les 130V pour les transistors NPN et 60V pour les PNP.
application
Le comportement dun TR bipolaire en petits signaux peut tre tudi laide du
schma de Giacoletto
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-102
Analyse statique / analyse dynamique

Exemple: Amplificateur de tension
V
CC

R
1

R
2

R
c

R
E

C
v
g

V
s
=V
S
+v
s

composante
continue
signal
V
CC

R
1

R
2

R
c

R
E

V
S

statique
Point de fonctionnement statique Q
Analyse statique : on ne considre que la composante continue des courants et tensions
C circuit ouvert (aucun courant moyen circule travers C).
V I R V V
N A
C c CC S
Q
10
.
= =
mA I
R
V V
R R
R
I
N A
C
E
BE CC
E
Q Q
2 . 2
.
2 1
2
=
|
|
.
|

\
|

+
~
A.N.:
V
cc
=15V
R
1
=47k
R
2
=27k
R
c
=2.4k
R
E
=2.2k
|=100

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-103
Hypothses :transistor en mode actif schma quivalent du transistor
Analyse dynamique :
h
11
i
b

h
ie

h
oe
-1

h
fe
i
b

transistor
Hypothse:
-Vcc la masse
-Schma du TR
i
c

e iC
1
v
g

R
12

R
E

h
fe
i
b

v
s

R
c

Schma dynamique du circuit :
e iC
1
v
g

R
1

R
2

R
E

i
b

v
s

R
c

(circuit ouvert)
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-104
Pour C suffisamment leve on peut : Zc <<< les R :
Calcul de la fonction de transfert v
s
/v
g
:
E E ce b g
i R v h i h v + + =
12 11
c c s
i R v =

= =
g
s
v
v
ce b c
v h i h i + =
22 21
c b E
i i i + =
R
12
h
21
i
b
h
12
v
ce
i
E
1/h
22
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-105
Amplificateur metteur commun (EC)
Le transistor en mode actif

Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor

La sortie est prise sur le collecteur

La borne de lmetteur est commune lentre et la sortie Emetteur commun

Particularits des amplificateurs EC :
Les diffrences dun amplificateur EC lautre sont :
Le circuit de polarisation

Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage (cf plus loin).
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-106
R
1

R
2

R
E

R
C

C
B

v
s

v
g

V
CC

C
C

R
L

Exemple :
4 A la frquence du signal les impdances des condensateurs de liaison sont
ngligeables :
L
C B
R
C
R R
C
<< <<
e e
1
; //
1
2 1
hypothses :
4 Point de repos du transistor: mode actif
( choix des rsistances)
C
B
est ncessaire pour que le point de fonctionnement statique (v
g
= 0) ne soit
pas modifi par la prsence du gnrateur de signaux.

C
c
vite que la charge voit la composante continue de V
C
, et quelle influence le
point de repos du transistor.
O Polarisation par diviseur de tension

O Couplage capacitif avec la source, v
g
, et la charge R
L
.
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-107
Analyse statique :
Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
circuit de polarisation pont diviseur
Analyse dynamique :
R
1

R
2

R
E

R
C

v
L

v
g

C
R
L

Gain en tension (sur charge):

= =
e
s
v
v
v
A
L
Gain en circuit ouvert :
1/h22
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-108
v
g

r
B

h
11

h
21
i
b

i
e

v
e

i
L

R
E

Gain en courant :
( )
B
E
e
L
i
r
R h h
h
i
i
A
1
1
21 11
21
+ +
+
= =
r
c

Impdance dentre :
( ) | | | |
E B E B
e
e
e
R h r R h h r
i
v
Z
21 21 11
// 1 // ~ + + = =
Impdance dentre vue de la source :
( )
E E e
R h R h h Z
21 21 11
1 ' ~ + + =
Impdance dentre vue aprs les rsistances de polarisation :
'
e
Z
Z
e
dpend de lendroit do vous regardez
lentre de lamplificateur.
( )
b E R
i h R V
E
+ = 1
21
O schma quivalent vu de la source :
r
B

h
11

i
e

v
e

( ) 1
21
+ h R
E Z
e

b
i h
21
(h
11
~qq. 100 qq. 1k Ohms)
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-109
Impdance de sortie :
c s
R Z = OImpdance de sortie vue de la charge (R
L
):
h
fe
i
b

R
c

Z
s

R
L

O Z
s
de lordre de quelques kO loin dune source de tension idale

A
vL
diminue lorsque R
L
< ~R
c

O Z
s
dpend de lendroit do vous regardez la sortie.
O Parfois R
C
constitue aussi la charge de lamplificateur (tout en permettant la polarisation du
transistor)
O Impdance de sortie vue de R
c
:
Z
s

" "
'
=
s
Z
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-110
Mthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :
Z
s
= R
AB
=rsistance entre A et B, avec v
g
court-circuit

Zs =-v
s
/ i
s
!
i
s

v
s

A
B
R
12

R
E

h
11

h
21
i
b

i
b

R
c

i
c

h
12
v
ce

1/h
22

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-111
Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
O le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

u
CE
c
c E ce c u
R
V E
I
i Z v i R

=
= + 0
v
ce

droite de charge dynamique: pente 1/(R
c
+R
E
), passe par Q
repos

t
i
c

v
ce

droite de charge statique
E C
CE CC
C
R R
V V
I
+

=
I
c

V
CE

I
BQ

Q(repos)
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-112
I
c

V
CE

I
BQ

Q(repos)
droite de charge
+ Point de repos optimale pour une dynamique maximale :
( )
Q Q
C E c CE
I R r V + ~
La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloque ou sature, du domaine linaire.
ce s ce
E c
c
c c s
v v v
R r
r
i r v
+
= =
I
c

V
CE

I
BQ

Q(repos)
( )
Q
C E c
I R r +
Q
CE
V
Q
C
I
Q
CE
V
v
ce

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-113
Amplificateur EC avec metteur la masse :
Remde : dcoupler (shunter) R
E
par un condensateur en parallle
+ seul le schma dynamique est modifi.
C
E

R
E
est ncessaire pour la stabilit du point de fonctionnement statique.

R
E
diminue considrablement le gain...
R
1

R
2

R
E

R
C

C
B

v
s

v
g

V
CC

C
C

R
L

v
g

r
B

h
ie

h
fe
i
b

i
e

v
e

r
c

i
b

pour C
E
ou f suffisamment
*
lev :
* :
21
11
//
h
h
C R
E E
<<
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-114
Le transistor en mode actif

Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor

La sortie est prise sur lmetteur

La borne du collecteur est commune lentre et la sortie + Collecteur commun
Particularits des amplificateurs CC :
Les diffrences dun amplificateur CC lautre sont :
Le circuit de polarisation

Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage.
4.7.3 Amplificateur collecteur commun (CC) ou encore montage metteur suiveur
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-115
Exemple:
+ Polarisation par diviseur de tension

+ Couplage capacitif avec la source, v
g
, et la charge R
L
.
hypothse: Mode actif
Analyse simplifie ( 1
ire
approximation ) :
V V actif Mode
BE
7 . 0 ~ V V V
B E
7 . 0 =
g B E s
v v v v = ~ =
1 ~ =
g
s
v
v
v
A Lmetteur suit la base.
R
1

R
2

R
E

V
CC

C
v
s

v
g

E
B
C
R
L

sortie
i
Z
e

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-116
Le transistor en mode actif

Le signal dentre est appliqu (inject) lmetteur du transisor

La sortie est prise sur le collecteur

La borne de la base est commune lentre et la sortie + Base commune
Particularits des amplificateurs BC :
4.7.4 Amplificateur base commune (BC)
V
CC

v
g

R
L

R
E

R
C

R
1

R
2

h
ie

h
fe
i
b

i
b

r
c

R
E

E
C
B
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-117
On se limitera au montage EC pour illustrer linfluence de la frquence du signal sur les
performances dun amplificateur transistor bipolaire.
Limitation basse frquence condensateurs de liaison et de dcouplage
Limitation haute frquence capacits internes au transistor
4.7.5 Influence de la frquence du signal
{ }
o i
c c
f f , max
Frquence de coupure infrieure du
montage =
( )C R R
f
C L
c
o
+
=
t 2
1
filtres passe-haut
g e
i
c
R Z R R r
rC
f + = = // // avec ,
2
1
2 1
t
Z
e
= impdance
d entre de l tage
0 // = =
E E E
C R Z
Z
E
diminue le gain
(voir ampli stabilis)
2 1
// R R
C R
g

v
g

h
ie
h
fe
i
b

i
b

R
E
C
E

C
R
C
R
L

Basse frquence
C et C
e
= court circuit
dynamique
R
C

R
E

R
1

R
2

R
L

R
G

+V
CC

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-118
Hautes frquences
2 1
// R R
R
g

h
ie

h
fe
i
b
L c
R R //
C
be

C
bc

i
b

qualitativement: aux frquences leves, C
be
court-circuite la jonction base-metteur i
b
diminue
C
bc
cre une contre-raction.
On montre que :
| |
2 / 1
// // 1 2
1
R R h R
h
h
C C
f
g ie L
ie
fe
bc be
c
h
(

|
|
.
|

\
|
+ +
~
t
Comportement en filtre passe-bas, avec
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-119
4.7.6 Couplage entre tages
Objectif
Coupler plusieurs tages pour amliorer les proprits du circuit...
Exemple : Amplificateur avec
- gain en tension lev
- faible distorsion
- bonne stabilit (thermique, dispersion)
- impdance dentre leve
- impdance de sortie faible
Solution possible :
stabilit et faible distorsion EC stabilis (R
E
)

gain lev plusieurs tages en cascades

Z
e
leve tage C.C en entre

Z
s
faible tage C.C en sortie
Difficults du couplage : 4 Polarisation de chaque tage
4 Gain sur charge : chaque tage charge ltage prcdent
4 Rponse en frquence de lensemble (cf. couplage capacitif)
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-120
Couplage capacitif
Exemple: amplificateur trois tages CC - EC - CC
Utilisation de condensateurs de liaison, C
L

+V
CC

R
1

R
1

R
1

R
2

R
2

R
2

R
C

R
E

R
E


R
E

charge
v
entre
C
L

C
L

C
L

C
L

C
E

C.C. E.C. C.C.
+ Les points de fonctionnement des 3 tages sont indpendants (en statique C
L
= circuit ouvert)
(dans lhypothse o la rsistance interne de V
cc
ngligeable)
+ Les paramtres dynamiques (gains, impdances) ne sont pas indpendants
ex: limpdance dentre du 3
ime
tage (= charge de ltage E.C.) dtermine le
gain sur charge du 2
ime
tage, etc.
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-121
C.C.
+V
CC

R
1

R
1

R
1

R
2

R
2

R
2

R
C

R
E

R
E


R
E

charge
v
entre
C
L

C
L

C
L

C
L

C
E

E.C.
C.C.
I nconvnient: les condensateurs imposent une frquence de coupure basse au montage (cf. plus loin)
. 3 . 2 . 1 t
v
t
v
t
v
montage
v
ier
L
ier
L
ier
L L
A A A A =
comme et
. . EC
s
C C
e
CC
s
C E
e
Z Z Z Z >> >> v
tages
v
A A
L
~
=
2
2
.
1
T
ie
T
fe c
C E
v
montage
v
CC
v
h
h R
A A A
L
= ~ ~
T
1
T
2

T
3

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-122
Couplage direct
+ Pas de frquence de coupure basse
+ Les circuits de polarisation des diffrents tages ne sont pas indpendants.
E.C.
A
vL
~ -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x h
fe
>> 27k)
Darlington
| | O = ~ ~ M h h Z h Z
T
fe
T
fe
T
e
T
fe
e
50 5000
2 1
2
1
+ Z
e
leve : + Z
s
~ 24 kO
+ Amplificateur de tension stabilis :
2 # 1 # 2 # 1 # EC
v
EC
v
EC
v
EC
v
v
A A A A A
L L
~ =
E.C.
A
v
~ -10
T
3

30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s

v
g

Un exemple :
T
1

T
2

T
4

h
fe
~100
2 suiveurs A
vL
~1
T
1
,T
2
=PNP!!
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-123
Analyse statique :
3V
3
T
E
I
mA I I V V
T
E
T
C
T
E
1 7 . 0
3 3 3
~ ~ ~
V V
T
CE
3 . 2
3
~ T
3
en mode actif
mA I I V V
T
E
T
C
T
E
1 3 . 2
4 4 4
~ ~ ~ V V
T
CE
6 . 3
4
~ T
4
en mode actif
V
CC
polarise en directe les deux
jonctions EB de T
1
et T
2
(transistors PNP)

T
1
en mode actif
V V
T
CE
7 . 0
1
=
0.7V


En statique, v
g
= 0
0.7V
V V
T
CE
4 . 1
2
=
T
2
en mode actif
V V
T
C
6
4
~
V
CC
= 30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s

T
1

T
2

T
3

T
4

2
2
1
et 7 . 5
2
T
FE
E
E E
h
I
I mA I = ~
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-124
Mais attention.
3V
3
T
E
I
mA mA I I
V V
T
E
T
C
T
E
9 , 0 88 , 0
6 . 0
3 3
3
~ ~ ~
~
V V
T
CE
7 . 5
3
~
mA mA I I V V
T
E
T
C
T
E
2 1 , 2 1 . 5
4 4 4
~ ~ ~ ~
V V
T
CE
18
4
~ T
4
en mode satur !!
0.6V
0.6V
V V
T
CE
2 . 1
2
=
V
CC
= 30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s

v
g

T
1

T
2

T
3

T
4

refaisons le calcul avec V
BE
=0.6V :
au lieu de 3V
Amplification des drives des composantes statiques
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-125
Couplage par transformateur :
polarisation par
diviseur de
tension
transmission du signal dun tage l autre par le transformateur
condensateur de dcouplage
(masse en alternatif) (EC)
condensateur d accord:
le circuit rsonnant, LC, limite la
transmission aux frquences
proches de la frquence de
rsonnace
Application majeure: essentiellement en radiofrquences (>500kHz)
exemple: syntonisation d une station radiophonique ou d un canal de tlvision
|
|
.
|

\
|
=
f
c
v
r
Z
A
tage EC
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-126
V
cc

v
g

R
1

R
2

R
E

T
2

T
1

Gain en tension :
1 ~
v
A
Limpdance dentre de T
1
est trs leve et ne
charge pas beaucoup T
2

Darlington
+ Amplificateur comprenant deux tages metteur-suiveur monts en cascade
Amplificateur de Darlington
Gain en courant :
2 1
2
2
1
1
2
1
1
1
2
1
fe fe
T
b
T
E
T
b
T
E
T
b
T
b
T
b
T
E
T
b
T
E
i
h h
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i
A = = = =
v
s

T
1
: h
fe1
T
2
:h
fe2

Impdance dentre du Darlington :
(aprs les rsistances du pont diviseur)
Limpdance dentre leve de T
1
constitue la
rsistance dmetteur (R
E
) de T
2

1
1 2
1
2
>> ~ ~
E fe fe
T
e fe e
R h h Z h Z
Z
e

I
b
(T
2
) trs faible choix de R
1
et R
2

Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-127
+ Deux signaux dentre, V
+
, V
-

+ Sortie = collecteur d un transistor
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE

+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2

E
V
s
I
E

I
E

hypothse : T
1
et T
2
apparis (circuit intgr)
4.7.8 Amplificateur diffrentiel
E
EE
E
R
V
I
2
7 . 0
~
+ Pour R
B
<<h
fe
R
E
:

2I
E

Rgime statique :
( ) 0 = =
+
V V
+ Par symtrie : I
E1
=I
E2
=I
E

+ Tension continue en sortie :
E c CC s
I R V V =
E E EE E E B B R
I R V I R I R V
B
2 7 . 0 2 + ~ << =
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-128
Rgime dynamique:
Mode diffrentiel:
tage EC
( )
e
ie
fe c
e
ie
fe c
s
v
h
h R
v
h
h R
v = =
+ Le courant dans R
E
na pas chang, et la tension en E reste constante.
+ E constitue une masse dynamique !
B
R
B
R
R
c R
c
e
v
e
v
v
s
E
d o le gain en mode diffrentiel :
1 >> = =
ie
fe c
e
s
d
h
h R
v
v
A
V
+
= entre non-inverseuse
V
-
= entre inverseuse
" "
e
v V V = =
+
hyp:

1
1
e E E
i I I + =
et
2
2
e E E
i I I =
avec I
E
la composante continue du courant metteur.
Par consquent :
E E E R
I I I I
E
2
2 1
= + =
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE

+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2

E
V
s
Pour de signaux dentre de faible amplitude :
2
1
e e
i i ~
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-129
e
v V V = =
+
hyp:
e E E
i I I + =
1
et
e E E
i I I + =
2
2 tages EC stabiliss indpendants
e
E
c
s
v
R
R
v
2
~
do le gain en mode commun :
C E
E
c
c
R R
R
R
A >> << = pour 1
2
( )
e E E E R
i I I I I
E
+ = + = 2
2 1
( )
e E E E e E E E
i R I R i I R V 2 2 2 + = + =
+La tension en E quivaut celle dun tage unique
ayant une rsistance d metteur double. D o le
schma quivalent :
B
R
R
c
R
c
2R
E 2R
E
B
R
v
s
e
v
e
v
E E
Mode commun:
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE

+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2

E
V
s
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-130
Signaux dentre quelconques :
On peut toujours crire :
md mc
V V
V V V V
V + =

+
+
=
+ +
+
2 2
md mc
V V
V V V V
V =

+
=
+ +

2 2
avec
2
et
2
+ +

=
+
=
V V
V
V V
V
md mc
Do, par le principe de superposition :
|
.
|

\
|
= + =
CMRR
v
v A v A v A v
mc
md d mc c md d s
o
ie
E fe
c
d
h
R h
A
A
CMMR
2
= = = taux de rjection en mode commun
(common mode rejection ratio)
Intrts de lamplificateur diffrentiel : Entres en couplage direct (seule v
md
est amplifie)
+ Ampli. diffrentielle = tage dentre des Amplificateur oprationnel.
E Impdance dentre et CMRR trs levs
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-131
Schma quivalent de lampli diffrentiel:
+ h
oe
-1
(effet Early de T
3
) est de lordre de quelques 100kO.
+ En dynamique, h
oe
-1
joue le mme rle que R
E
et augmente considrablement CMRR.
I
EE

h
oe
-1

-V
EE

+V
cc

V
s

h
oe
-1

v
s

en dynamique
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-132
Exemple dapplication
Thermostat
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-133
Figure 2.76
source de courant
paire diffrentielle
A
B
charge active
R
0.5mA
Thermostat
Exemple dapplication
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-134
6. Contre-raction et amplificateur oprationnel
Montage transistor avec rtroaction positive: transistor en satur/bloqu
Rtroaction positive : laction de la sortie sur lentre renforce la variation du signal de sortie
L | | + |
s s s
v e Bv v
ex: A>0, B <0
(sans dphasage)
+ la sortie diverge les composants sortent du domaine linaire
par exemple : transistor sature
e s
v
AB
A
v
+
=
1
comportement non-linaire A,B modifis
Circuit boucl et rtroaction
A

B
v
e

v
s

e
B
.
v
s
La sortie agit sur lentre
Circuit boucl :
( )
s e s
v B v A e A v = =
e s
v
AB
A
v
+
=
1
?
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-135
A

B
v
e

v
s

e
B
.
v
s
Rtroaction ngative ou contre-raction :
Laction de la sortie sur lentre attnue la
variation du signal de sortie
L + + | |
s s s
v e Bv v
ex: A>0, B >0 (sans dphasage)
+ la sortie converge vers :
e e s
v G v
AB
A
v =
+
=
1
G = gain en boucle ferme :
G<A
Si AB >>1 ,
B
G
1
~ la variation ou toute incertitude sur A naffecte pas G.
Amlioration de la linarit
B = taux de rinjection
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-136
Amplificateur oprationnel
Architecture dun amplificateur oprationnel:
Ajustement DC pas de composante continue en sortie
Etage amplificateur
augmente le gain total (A
v
>>1)
ex: montage metteur commun avec transistor composite
(Darlington, h
fe
>>1) et R
C
leve charge active
Emetteur suiveur impdance de sortie faible
Configuration Push-Pull : domaine de linarit
Etage
amplificateur
(EC, Darlington)
Ajustement
composante
continue
Emetteur
suiveur
sortie
Amplificateur
diffrentiel
+
-
Amplificateur
diffrentiel
Z
e
leve Darlington, MOSFET,...
amplification de v
+
-v
-

attnuation de
2
+
+ v v
(gain lev en mode diffrentiel )
(gain <<1 en mode commun )
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-137
Le schma simplifi (!) du LM741 :
Paire diffrentielle
avec Darlington
sources (mirroirs) de courant
Push-Pull
EC Darlington
1.12V
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-138
Exemples de circuits avec rtroaction ngative :
Sources de courant
Version avec tensionde commande
refrence par rapport la masse :
I
sortie

V
e

R
1

R
2

R
3

V
cc

e sortie
V
R R
R
I
3 2
1
= L
+ Par contre-raction : v
i
~0
R
V V
I
e cc
sortie

~ + (hyp: h
FE
lev , AO parfait)
V
CC

V
CC

V
EE

charge
I
sortie

R
1

R
2

R
v
i

V
e

I
sortie
~ indpendant de la charge,
( leffet Early prs)
tension de commande = V
cc
-V
e

A.O.
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-139
Pr. B. ABBOUD Parcours EEA : Introduction l'lectronique 4-140

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