Parmetros de Lineas de

Transmisin
Parmetros de Lineas de Transmisin.
Conductancia G:
Asumir G ~ 0 para clima seco y sin corona.
Resistencia R.
A
l
R =
Tipo ACSR
ACAR
Considerar el efecto skin en AC.
N Al
N St
Ejemplo: Falcon 54 Al
Inductancia L.
Conductor simple
a) Flujo concatenado externo.
)
a
R
(ln
2
l . i u
r
dr
2
l . i u
0
R
a
0
ext
t
=
t
=
}
l
dr
i
i
L

=
} }

= =
R
a
R
a
ext
Bldr d
B =
0
.H
} }}
=
i
s d . J l d . H


H.2tr = i
r 2
iu
H . u B
0
0
t
= =
b) Flujo concatenado interno.
Considerar: Conductor cilndrico uniforme.
Distribucin de corriente uniforme.
Encerrado I =
2
2
2
a
r
i
a
r
i
|
.
|

\
|
=
r 2
) a / r ( i
H
2
t
=
B = u
i
H ~ u
0
H
r 2
) a / r ( ldr u
d
2
0
t
=
4
3
0
int
a 2
dr ir lu
2
a
r
d d
t
=
|
.
|

\
|
=
t
=
t
=
}
8
i lu
dr
a 2
ir lu
0
a
0
4
3
0
int
dr
r
a
b) Flujo total concatenado.
(

+
t
= + =

)
a
R
ln(
4
1
2
li u
0
int ext
Dos conductores:
(

+ +
t
= + =
12
2
2 1
1 0
12 11 1
d
R
ln i
a
R
ln i
4
i
2
l u
1
2
d12
12
2 2 0
12
d
R
ln
2
li u
t
=
Cuando i
2
= -i
1
(

+
t
=
12
2 1 0
1
d
R
ln
a
R
ln
4
1
2
li u
(

+ +
t
=
a
d
ln
R
R
ln
4
1
2
li u
12
2
1 1 0
1
En el limite R
1
= R
2
(

+
t
=

=
a
d
ln
4
1
2
u
li l
L
12 0
1
1 1
Ld La
) ft ( d ln ) ft ( a ln
4
1
2
u
l
L
12
0 1

(

+
t
=
Uso de tablas:
Ver las tablas al final de Xa y Xd ohm/milla
Conductores Trifsico:
1.- Caso de linea balanceada.
Si: i
1
+ i
2
+ i
3
= 0
Tambien: d
12
= d
13
= d
23
= d
Por fase
l / hr
a
d
ln
4
1
2
u
l
L
0 1
(

+
t
=
1
2 3
13 12 11 1
+ + =
(
(

+ +
t
=
13
3
3
12
1
1
1
1
0
d
R
ln i
d
R
ln i
a
R
ln i
2
l u
2.- Caso de linea no balanceada.
De
(

t
=

a
d
ln i
a
d
ln i
4
i
2
u
l
13
3
12
2
1 0 1
3 13 2 12 1 a
1
i L i L i L
l
=

, anlogo para
2
y
3
donde:
(

t
= a ln
4
1
2
u
La
0
12
0
12
d ln
2
u
L
t
=
13
0
13
d ln
2
u
L
t
=
3.- Caso de transposicin de lineas.
Cada fase ocupa una posicin de un tercio:
) i i (
3
L
) i i (
3
L
) i i (
3
L
3 x ) i
3
L
(
l
3 2
23
3 2
13
3 2
12
1
a 1
+ + + =

+ +
+ =

3
L L L
La i
l
23 13 12
1
1
La distancia media puede ser hallada mediante la media geomtrica.
3
23 13 12
d d d GMD d = =
el radio medio geomtrico es usado por algunos autores.
4 / 1
e a GMR

=
4
1
a ln GMR ln =
Luego:
)
GMR
1
ln(
2
u
Xa
0
t
e
=
y Xa + Xd =
)
GMR
GMD
ln(
2
u
0
t
e
4.- Caso de conductores mltiples.
Linea trifsica de tres conductores por fase
m m 1 2 12 1 a 11
I
~
L ... .......... I
~
L I
~
L
~
=
m m 1 2 12 1 a 1
I
~
X ... .......... I
~
X I
~
X ( j V
~
=
| | | || | I
~
X j V
~
=
x
ii
= x
ai
x
ij
= -x
dij

i = j
1, 1 1, 2
1, 3
2, 1 2, 2
2, 3
3, 1 3, 2
3, 3
f ase
posicion

=
=

1 1
1 1
3 , V
~
2 , V
~

=

3
V
Caida de tension de fase promedio.
1 1 a 1 1
I
~
) jX R ( V
~
+ =
Para m = 3
3
Ra
R
1
=
(

+ +
=
3
X X X
3
2
3
Xa
X
23 d 13 d 12 d
1 a
Determinacin de Xa:
Bundled GMR = [GMR x m x A
n-1
]
1/n
Determinacin de Xd:
Para m = 3.
GMD = [d
14
d
15
d
16
d
24
d
25
d
26
d
34
d
35
d
36
]
1/9
| |
3 ; 1 1
2
;
1 1 1 , 1 1 , 1
1
1 1
1 1 1 , jXd , jXd jXa R
3
I
, V
~

+ =
fase
posicion
corriente
en fase 1
A m = # de subconductores
GMR = radio medio geomtrico
del subconductor
Capacitancia C.
En general:
D =
r 2
q
t
( Ley de Gauss)
V =
)
R
r
ln(
l 2
q
c t

Aplicar lo anterior para un sistema de n conductores.

Potencial en el i
th
conductor debido a su propia carga.
)
R
r
ln(
l 2
q
V
i
i
0
i
ii
c t
=
Potencial en el i
th
conductor debido a carga en el conductor j.
)
R
d
ln(
l 2
q
V
j
ij
0
j
ij
c t
=
q
r
R
}
=
r
R
r d . E V

E =
c
D
c
0
= 8.854 pF/metro.
Potencial total del conductor i debido a cargas en todos los n conductores.
(
(

c t
=
=
c t
= =


= =
= =
n
1 j
j j
n
1 j
ij j
0
i ii
n
1 j
j
ij
j
0
n
1 j
ij i
) R ln( q ) d ln( q
l 2
1
r d : donde )
R
d
ln( q
l 2
1
V V
Considerar el segundo termino de esta relacin:

= =
+ =
n
1 j
n
i j
j j i i j j
) R ln( q R ln q ) R ln( q
Hagamos :
0 q
n
1 j
j
=

=
as

=
=
n
i j
j i
q q
Entonces :

=
=
n
i j
i j i i
) R ln( q R ln q
Y el segundo termino es:

=
n
i j
i
j
j
)
R
R
ln( q
En el limite, de modo que las Rs este ultimo termino 0.
Entonces:
i ii
n
1 j
ij j
0
i
r d donde , ) d ln( q
l 2
1
V =
c t
=

=
En notacin matricial:
[V] = [P] [q]
P , es la matriz de coeficiente de potencial y P
ij
=
( )
0
ij
l 2
d ln
c t

Ahora consideramos variacin sinusoidal de todas las cantidades envueltas.

dt
i
dq
t j
I I
t j
q q
t j
V V e e e
i i i i i i
=
e
=
e
=
e
=
La derivacin de la ecuacin matricial de:
t j
I P
dt
dq
P V
t j
j
dt
dV
e e
e
= =
e
e =
I P V j = e
lo cual puede ser expresado como:
P
j
Z si I Z V
e
= =
Esto se conoce como la matriz de reactancia capacitiva.
' jX Z =
donde:
e
=
P
' X
y sus elementos son
ij
0
ij
ij
d ln
lf 4
1
P
' X
c t
=
e
=
Caso de 2 conductores
I
1
= -I
2
d ' X a ' X ' X
I j
V
1
i
+ = =

d a
12
1
0
2
' X ' X
d ln
r
1
ln
l f 4
1
' X
+

(

+
c t
=
Las tablas estn dadas por unidad de longitud, luego para hallar el valor neto de la
reactancia, tenemos que dividir por la longitud.
2
d ' X a ' X
' X
+
=
- Caso trifsico balanceado: n = 3
La suma de corriente es cero, para el caso balanceado, los conductores estan a una
distancia d.
Se hace igual que la reactancia inductiva.
- Caso trifsico desbalanceado para transpuesta.
Se calcula la distancia media geomtrica.
- Caso de conductores mltiples (bundled):
Se usa bundled GMR.
Casos prcticos:
Sistemas de 3 conductores + retorno a tierra con perfecta transposicin.
Z
1
= Z
2
= Ra + jXa + jXd.
Donde Xd basa en GMD =
3
23 13 12
d d d
Zo = Ra + Re + j(Xa + Xe 2Xd)
ij ii 2 1
eq ' X eq ' X ' X ' X = =
ij ii o
eq ' X 2 eq ' X ' X + =