Qumica.

ENLACES QUMICOS, ETC.

Grupo TG02A

Belmont Gonzlez Jos ngel 13639583 Dominguez Jasso Ivn Francisco 13714204

El enlace inico se debe a la atraccin elctrica entre iones positivos e iones negativos. Los metales forman compuestos inicos con los no metales. El no metal cede electrones al metal.

Propiedades de los compuestos inicos:

- Son slidos a temperatura ambiente - Son duros - No conducen la electricidad en estado slido. - Son solubles en agua - Fundidos tambin conducen la electricidad

El enlace covalente se produce cuando dos tomos comparten pares de electrones para completar su capa de valencia. Hay dos tipos de sustancias covalentes: las sustancias moleculares y los slidos covalentes.

Una molcula es la agrupacin de un nmero concreto de tomos unidos entre s mediante enlaces covalentes. Son ejemplos de sustancias moleculares: el hidrgeno (H2), el oxgeno

(O2), el ozono (O3), el cloro (Cl2), el agua (H2O) y el amonaco (NH3).

Propiedades de las sustancias moleculares:

- A temperatura ambiente son gases, lquidos voltiles o slidos. - Presentar temperaturas de fusin y de ebullicin muy bajas

- No conducen el calor ni la electricidad.

- La mayora son pocos solubles en agua.

En los cristales covalentes no se forman molculas; los tomos se enlazan unos con otros constituyendo redes cristalinas tridimensionales; como el cuarzo (SiO4).

Propiedades de los cristales covalentes:

- Son slidos a temperatura ambiente. - Presentar temperaturas de fusin y de ebullicin muy elevadas - Son muy duros - No conducen el calor ni la electricidad - Son solubles en agua

Los tomos de los metales tienen tendencia a ceder electrones para completar su octeto y convertirse en iones positivos. En el enlace metlico los iones positivos formados comparten el conjunto de electrones cedidos, formando la nube electrnica. Este enlace se da en todos los metales. Los iones se empaquetan de modo que ocupen el menor volumen posible. En los metales no se forman molculas, sino redes tridimensionales extensas de iones positivos.

Aleaciones.
Una aleacin es la mezcla de varios elementos, de los cuales uno al menos es un metal; bronce (cobre y estao), el acero (hierro y carbono), el latn (cobre y cinc) y la plata de ley (plata y cobre).

Son slidos a temperatura ambiente. Presentan elevadas temperaturas de fusin y ebullicin Son buenos conductores del calor y la electricidad. Don dctiles y maleables. Son generalmente duros. Al ser expuestos al aire libre, la mayora experimenta el fenmeno de la corrosin.

Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le agregan impurezas donoras (que donan un electrn). Estas impurezas suelen tener 5 electrones. De estos 5 electrones 4 formaran una unin con los tomos vecinos y 1 quedara libre. De esta forma este material contiene un mayor nmero de electrones libres comparados con los huecos libres. Este material es de tipo N debido a que la conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de electrones (Portadores mayoritarios) de polaridad negativa. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se dona un electrn.

Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco en el material. Estas son impurezas con 3electrones en su rbita de valencia. Al tener solo 3 electrones queda una unin incompleta dejando un hueco para que un electrn libre pueda tomar ese lugar. Este material es de tipo P debido a que la conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de huecos(portadores mayoritarios). Comparados con los electrones los huecos tienen polaridad positiva. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

Su uso en Electrnica.

El material semiconductor (silicio o germanio) tiene 4 electrones en su ltima rbita. Con fines electrnicos se contamina estos materiales con impurezas del tipo N electrones y tipo P protones. Esto se hace para poder utilizar los semiconductores como elementos.

En la teora de slidos, se denomina banda de valencia al ms alto de los intervalos de energas electrnicas (o bandas) que se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto. En semiconductores y aislantes aparece una banda prohibida o gap por encima de la banda de valencia, seguida de una banda de conduccin a energas an mayores. En los metales, por el contrario, no hay ningn intervalo de energas prohibidas entre las bandas de valencia y de conduccin.

Su contribucin al desarrollo de los dispositivos electrnicos ha sido uno de los activos para que Carver Mead haya sido reconocido con el Premio Fundacin BBVA Fronteras del Conocimiento en su apartado de Tecnologas de la Informacin y Comunicacin. Ha hecho posible, segn el jurado, la construccin de los microchips con miles de millones de transistoresque rigen el funcionamiento de aparatos como los actuales ordenadores porttiles, tabletas, mviles y DVDs, todos ellos omnipresentes en nuestra vida diaria. Carver Mead (California, 1934), catedrtico emrito del Instituto Tecnolgico de California (Caltech), fue el primero en predecir, a principios de los aos setenta, que los chips integraran millones de transistores, y que con ello la industria crecera de forma exponencial.