ReceptoresOpticos Comopticas

RECEPTORES OPTICOS
Detectores de luz
Preparado por: Ing. Luis Carlos Gil Bernal MSC Telemtica
Receptor ptico
Consta bsicamente de un fotodetector y de una electrnica. Para detectar las seales, en la tecnologa de comunicaciones a travs de fibra ptica, solo son usados fotodiodos semiconductores en miniatura.
El fotodiodo (FD)
Funcin: Convertir luz en una seal elctrica. Opera de manera exactamente opuesta a como trabaja un LED. La discusin sobre la operacin de un PD envuelve los mismos elementos: bandas de energa y juntura p-n.
Fotodiodo p-n
Los electrones en la banda de conduccin estn libres y cuando un pequeo voltaje es aplicado, se mueven constituyendo la corriente. Para inducir el material a conducir corriente, se requiere poblar la banda de conduccin de electrones.
Fotodiodo p-n
El nico obstculo para esto es la diferencia de energa entra la banda de valencia y la de conduccin (Eg). En los conductores no existe separacin o banda prohibida entre la banda de conduccin y la de valencia.
Fotodiodo p-n
Los buenos aislantes tienen una banda prohibida grande. En los semiconductores dicha banda es intermedia entre los dos casos anteriores. El diamante (buen aislante), tiene un valor de Eg de 6 eV. El silicio (Si) y el germanio (Ge), (semiconductores), tienen un Eg de 1.17 eV y 0.775 eV respectivamente.
Fotodiodo p-n
Principio de operacin (absorcin)

(a) Diagrama de bandas de energa (b) Juntura p-n
Fotodiodo p-n
Cuando un fotn con energa Ep = hf = hc/ choca con el material, es absorbido y su energa es adquirida por un electrn. El electrn es excitado y pasa a la banda de conduccin (apto para moverse).
Fotodiodo p-n
Esta es la manera como la potencia luminosa, es convertida en corriente elctrica. Si se aplica un voltaje externo (de polarizacin), los electrones fluirn, incrementndose la eficiencia de la conversin de luz en corriente.
Fotodiodo p-n
En la juntura p-n, los electrones y huecos se han recombinado creando una zona de deplexin. Cuando un fotn golpea la zona de deplexin, su energa separa un electrn de su correspondiente hueco.
Fotodiodo p-n
Tanto el electrn como el hueco separados son atrados por los potenciales positivo y negativo del voltaje de deplexin, respectivamente. De esta manera, se genera un flujo de portadores de carga (corriente).
Fotodiodo p-n
Aplicando un voltaje externo (polarizacin inversa), mejora el flujo de electrones y huecos.
Fotodiodo p-n
Circuito elctrico
Caractersticas Entrada/Salida
La entrada para un fotodiodo es potencia luminosa (P); la salida es corriente (Ip) (fotocorriente)
Caractersticas Entrada/Salida
A mayor nmero de fotones que golpean el rea activa del fotodiodo, ms portadores de carga sern creados y mayor ser la fotocorriente. Por lo tanto Ip es proporcional a P. Ip = R P R es constante.
Responsividad
La pendiente de la curva de entrada /salida es uno de los parmetros ms importantes del PD y se llama responsividad: R (A/W) Est definida por la frmula: R (A/W) = Ip/P
Responsividad
Valores tpicos de la Responsividad varan entre 0.5 A/W y 1.0 A/W. Esta caracterstica muestra qu tan eficientemente un fotodiodo convierte luz en seal elctrica.
Responsividad
El valor de R es suministrado por los fabricantes del fotodiodo y permite calcular la fotocorriente de salida a partir de la potencia de la luz de entrada.
Responsividad Vs Longitud de onda
La relacin del nmero de electrones producidos, Ne, al nmero de fotones recibidos, Np, muestra qu tan eficientemente el material semiconductor convierte luz en corriente.
Esta relacin es llamada la eficiencia cuntica del fotodiodo, : = Ne/Np La eficiencia cuntica de un fotodiodo de comunicaciones regular vara desde 50% hasta casi 100%.
La relacin entre longitud de onda y responsividad est dada por la frmula siguiente: O sea que, a mayor , mayor es la corriente producida por la misma cantidad de potencia luminosa

Si C ~1100 nm InGaAs C ~1700 nm.
C determina la longitud de onda ms larga que un FD puede detectar.
El fotodetector solo detectar aquellas longitudes de onda menores que C
< C = hc/Eg
Modos de operacin del PD

Modo fotovoltaico. Un PD puede producir corriente sin voltaje de polarizacin porque la luz transporta la energa externa necesaria para excitar los electrones (separar electrones de sus huecos). El voltaje de deplexin (VD) hace que los electrones fluyan.

Modo fotoconductivo. Ocurre cuando se aplica un voltaje externo al PD y por tanto, fluye una mayor cantidad de corriente. Sin polarizacin, un PD trabaja como una fuente de seal elctrica

Modo fotoconductivo. Con polarizacin, es un buen conductor de la corriente originada por luz incidente. Un fotodiodo es una fuente de corriente, con o sin polarizacin.
Corriente oscura
Algunas
cargas libres pueden ser creadas en la regin de deplexin, sin que haya ninguna luz incidente (por energa trmica externa). El flujo de estas cargas crea la corriente oscura (Id).
Corriente oscura
Esta
es generada por un fotodiodo, sin que este reciba luz. Es un fenmeno indeseable en los PDs.
Sensitividad a la corriente oscura
Id tpica en fotodiodos modernos = 5 nA (a temperatura ambiente).
Corriente oscura
La corriente oscura es el parmetro clave que determina la calidad de un fotodiodo. Se refiere a la mnima potencia de luz que un fotodiodo dado puede detectar (en W o en dBm).
Ancho de banda y eficiencia de potencia

Existe un compromiso entre las eficiencias de potencia y de ancho de banda en un fotodiodo p-n. Se puede decir que un fotodiodo p-n, no es un dispositivo muy eficiente para propsitos de comunicaciones.

Para incrementar la eficiencia de potencia y tener un ancho de banda aceptable se requiere de una regin de deplexin ancha. Esto se logra incrementando la polarizacin inversa, porque este voltaje determina el ancho de la regin de deplexin.
Ancho de banda y eficiencia de potencia Se debe encontrar el voltaje de polarizacin inversa apropiado para optimizar los parmetros de un fotodiodo. Pero este voltaje no puede ser escogido en forma arbitraria, pues un fotodiodo es parte de un receptor, donde se emplea una electrnica de bajo voltaje.

El punto clave es simplemente: Se necesita incrementar el ancho de la zona de deplexin sin manipular innecesariamente el valor del voltaje de polarizacin inversa. La solucin a este dilema es:
El fotodiodo p-i-n.
Fotodiodo p-i-n
Consta
de una capa intrnseca, gruesa y ligeramente dopada, ubicada entre dos delgadas regiones, una p y otra n. La palabra intrnseca, en el lenguaje de la industria de los semiconductores significa natural, no dopada.
Fotodiodo p-i-n
El
significado completo de las letras p-i-n es: positivo-intrnseco-negativo
Fotodiodo p-i-n
Fotodiodo p-i-n: iluminado por el frente
Fotodiodo p-i-n
Fotodiodo p-i-n iluminado por el frente La luz penetra por un hueco a travs del contacto superior. Para reducir la reflexin de la luz incidente, la superficie activa se cubre con una capa antirreflectiva.
Fotodiodo p-i-n
Fotodiodo p-i-n iluminado por el frente La luz pasa luego a travs de la delgada regin p y genera pares electrn-hueco en la gruesa capa intrnseca.
Fotodiodo p-i-n
Corriente de difusin pequea Campo elctrico grande. Decrementa corriente oscura
Zona intrnseca ancha = Zona de deplexin
Eg > Ep
Fotodiodo p-i-n: iluminado por detrs.
Fotodiodo p-i-n
Fotodiodo p-i-n iluminado por detrs La luz entra a la regin activa a travs de una capa n+ altamente dopada. Esta capa es transparente a la luz incidente debido a que su banda prohibida (energy gap), es mayor que la energa de los fotones incidentes.
Fotodiodo p-i-n
Fotodiodo p-i-n iluminado por detrs Todos los dems procesos son similares a aquellos que tienen lugar en el FD iluminado por el frente.
Ventajas del fotodiodo p-i-n

No
se requiere modificar el voltaje inverso para incrementar el ancho de la capa de absorcin. Tanto la eficiencia de potencia como la de ancho de banda son altas.
Ventajas del fotodiodo p-i-n

El
resultado es una separacin eficiente de electrones y huecos, generada por los fotones incidentes.
reas de aplicacin
Un
FD de silicio se emplea en la primera ventana transparente (cerca de 850 nm), donde operan las redes de relativamente baja velocidad.
reas de aplicacin
Un
FD de InGaAs es adecuado para las ventanas transparentes segunda y tercera (cerca de 1300 y 1500 nm, respectivamente), donde trabajan las redes de alta velocidad.
Fotodiodo p-i-n
Es el detector de luz ms usado hoy en da en sistemas de comunicaciones, por: - facilidad de fabricacin - alta confiabilidad - bajo ruido - bajo voltaje - relativamente alto ancho de banda.
Fotodiodo p-i-n
Actualmente
se logran anchos de banda de hasta 110 GHz.
Fotodiodo de avalancha (APD)

La sensitividad es uno de los principales parmetros de un fotodiodo (mnima cantidad de potencia luminosa que un FD puede detectar). Este parmetro determina la longitud de un enlace de fibra ptica, impuesta por el nivel de potencia.
Fotodiodo de avalancha (APD)

Mientras
ms sensitivo sea el fotodiodo, mayor podr ser la longitud del enlace para unas prdidas dadas. Solucin: Usar un amplificador para magnificar la fotocorriente producida por el fotodiodo.
Fotodiodo de avalancha
Un
circuito receptor siempre incluye un amplificador, pero este introduce su propio ruido.
La
solucin sera amplificar solamente la fotocorriente sin un amplificador externo y por lo tanto, sin el ruido asociado con esta circuitera. Aparece entonces el fotodiodo de avalancha (APD).
APD - Mecanismo bsico

Se
emplea un FD p-i-n con una estructura especial. Los fotones incidentes generan electrones y huecos primarios (como en un fotodiodo p-i-n normal).

Se
aplica al fotodiodo un voltaje inverso relativamente alto (alrededor de 20 V), para acelerar los electrones fotogenerados, los cuales adquieren alta energa.

Estos electrones golpean tomos neutros y separan otros electrones y huecos ligados. Estos portadores secundarios ganan suficiente energa para ionizar otros portadores, causando un proceso de avalancha, que crea nuevos portadores.

De
esta manera, un fotn eventualmente genera muchos portadores de carga (se amplifica la fotocorriente). Es decir, la eficiencia cuntica de un APD es mayor que 1 (tpicamente entre 10 y 100).
Los
fotones pasan a travs de la regin fuertemente dopada p+ y penetran a la capa intrnseca, donde generan pares electrn-hueco.
El
voltaje inverso separa electrones y huecos fotogenerados y los mueve hacia la juntura pn+ donde existe un elevado campo elctrico (del orden de 105 V/cm).
Este
campo elctrico acelera los portadores de carga, lo cual da como resultado una ionizacin de impacto.
Ventaja principal
La
eficiencia de quamtum es M veces ms grande que la de un FD p-i-n. (M = factor de multiplicacin o ganancia).
Ventaja principal
En
realidad un APD produce M portadores de carga en respuesta a un fotn. Entonces, la responsividad de un APD, se puede escribir:
( en nm)
As mismo, de la fsica del proceso de avalancha se desprende, que este proceso es ruidoso. Esto no anula la principal ventaja del APD: amplificacin interna de la fotocorriente, sin el ruido asociado a la circuitera electrnica externa.
Los
APDs de Si son tiles para una red de fibra ptica de velocidad moderada (hasta 1 GHz), la cual usualmente opera a 850 nm.
Los
APDs de InGaAs pueden ser usados en enlaces de fibra de mayor velocidad (hasta 3 GHz), los cuales regularmente operan a 1300 y 1500 nm.
Un
APD es al menos 10 veces ms sensitivo que un FD pin, con un BW comparable. Esto implica un tramo de fibra ptica 10 veces ms largo entre transmisor y receptor.
Pero
esta ventaja casi se desvanece si recordamos que un APD requiere un voltaje inverso relativamente alto.
Conclusin
A
la hora de escoger un fotodetector para su sistema de comunicaciones por fibra ptica, considere varias soluciones y tenga en cuenta todas las ventajas y defectos de cada tipo de dispositivo.
Caractersticas del FD PIN y del APD
Resumen de caractersticas tpicas de FDs pin y de avalancha
Fotodetectores MSM
Un
MSM (metalsemiconductor-metal) es otro tipo de fotodetector usado en comunicaciones por fibra ptica.
Fotodetectores MSM
Este
no es un diodo de juntura p-n, sin embargo, su mecanismo bsico de conversin de luz en corriente es el mismo: Los fotones generan pares electrn-hueco cuyo flujo genera corriente.
Fotodetectores MSM
El contacto metlico es negro y el rea activa se muestra sombreada
Fotodetectores MSM
Un
conjunto de contactos metlicos planos se deposita sobre la superficie de un semiconductor.
Fotodetectores MSM
Estos
contactos son llamados dedos y son polarizados alternativamente, de tal manera que entre ellos exista un campo elctrico relativamente alto.
Fotodetectores MSM
La
ventaja de este fotodetector, comparado con los dos tipos de fotodiodos, es que una estructura planar resulta en baja capacitancia y consecuentemente, en un alto ancho de banda.
Fotodetectores MSM
El
fotodetector MSM promete trabajar a 300 GHz. La facilidad de su fabricacin es otra ventaja de una estructura planar.
Fotodetectores MSM
Desventaja Su responsividad relativamente baja (vara desde 0.4 hasta 0.7 A/W). Adems, un rea esencial del material semiconductor est ocupada por contactos metlicos, con lo cual se reduce el rea activa del dispositivo.
Fotodetectores MSM
Son
un rea de intensa investigacin y desarrollo hoy en da. Se espera que estos dispositivos estn compitiendo en el mercado en un futuro prximo.
UNIDAD DE RECEPCIN
Unidad de recepcin
Es
una unidad que convierte una seal ptica de entrada en una seal elctrica de salida adecuadamente formateada.
Unidad de recepcin
Para
el caso digital, se puede decir que un receptor convierte un flujo de pulsos de luz en un flujo de pulsos elctricos, capaces de manejar la electrnica que le sigue, dentro del sistema.
Unidad de recepcin
Los fotodiodos determinan la principal caracterstica de estos dispositivos, pero an un fotodiodo ideal no puede dar origen a un receptor ideal. Se requiere una buena electrnica, un buen empaque y un buen diseo a fin de obtener un buen dispositivo.
Unidad de recepcin
ERM 577
Mdulos receptores pticos con Fotodiodos de Avalancha de alta ganancia (2.5 Gbps)
Unidad de recepcin
Terminal ptico de entrada
Diagrama funcional en bloques de un receptor
Unidad de recepcin
La
luz proveniente de la fibra ptica pasa a travs de una ptica de acoplamiento y cae en el rea sensitiva de un fotodiodo. El fotodiodo convierte la luz en fotocorriente.
Unidad de recepcin
La
fotocorriente es convertida en voltaje y ste amplificado por un preamplificador (Preamp).
Unidad de recepcin
El
voltaje de salida del preamplificador entra a un bloque (usualmente denominado cuantizador), cuya salida son las seales de datos y de reloj en un formato apropiado.

Lo
conforman: Un fotodiodo y el preamp. Su funcin es convertir luz en voltaje elctrico de la amplitud requerida.

Esto
se hace en dos pasos: - el fotodiodo convierte la luz en fotocorriente. - el preamplificador convierte la fotocorriente en voltaje, amplifica la seal y la entrega a un cuantizador.

El
preamplificador amplifica la seal y convierte corriente en voltaje. Esta ltima funcin es realizada por un amplificador con realimentacin negativa.

A
este tipo de conexin entre el fotodiodo y el preamplificador se le llama diseo transimpedancia.
(a) Diseo alta-impedancia; (b) diseo transimpedancia; (c) diseo transimpedancia con control automtico de ganancia (AGC).

Un
fotodiodo se encuentra normalmente integrado con un amplificador transimpedancia en un componente llamado PINAMP.

Pero
el diseo transimpedancia por s solo no puede satisfacer una variedad de requerimientos que los receptores deben tener en las aplicaciones actuales.

Otra
caracterstica importante en un receptor, es el rango dinmico, el cual es la diferencia entre la ms alta y la ms baja seales de entrada a las cuales un preamplificador puede operar.

El
rango dinmico de un receptor es medido en dBs y sus valores tpicos varan entre 35 y 45 dB.

En
redes de fibra ptica, la seal de entrada puede fluctuar ampliamente. Un amplificador transimpedancia tiene un rango dinmico mucho ms ancho que uno de alta impedancia.

Para
incrementar el rango dinmico de un preamp transimpedancia, se incluye una circuitera para el control automtico de ganancia (AGC), en el lazo de realimentacin.

El
AGC controla la ganancia del amplificador para mantener estable el voltaje de salida.

La
transimpedancia (RZ) se vara de tal manera que sea alta para una baja seal de entrada y sea baja para una alta seal de entrada.

Esta es la manera como un preamplificador puede manejar una seal de entrada en un amplio rango dinmico. Para concluir, un terminal ptico de entrada acepta una seal ptica y presenta un voltaje amplificado al siguiente bloque, el cuantizador.
El cuantizador
El cuantizador
Tpicamente
incluye tres componentes: - un filtro de ruido - un amplificador/limitador de potencia - y un circuito de decisin.
Filtro de ruido
El
ruido es directamente dependiente del ancho de banda y un exceso de ancho de banda contribuye a tener un ruido adicional. Esto a su vez, reduce la sensitividad del receptor.
Filtro de ruido
Esto
a su vez, reduce la sensitividad del receptor. Este filtro elimina el ruido fuera de la banda utilizada por el sistema, mejorando la SNR.
El amplificador/limitador
Esta
amplificacin es necesaria para lograr una seal con suficiente potencia para manejar el circuito de decisin.
Si
la seal amplificada por el preamp es suficientemente grande, este circuito la recorta (de ah el nombre de limitador).
La
ganancia de este amplificador es una funcin de la amplitud de la seal de entrada: A mayor amplitud, menor ganancia. Puede incluir tambin control automtico de ganancia (AGC).
Esta
unidad podra incluir tambin un ecualizador, para corregir cualquier distorsin de la seal causada por el BW.
Circuito de decisin
Principio de operacin
(a) Circuito bsico; (b) salida del comparador; (c) proceso para tomar la decisin
Circuito de decisin
Determina el significado lgico de la seal recibida. Se trata de un comparador manejado por la seal de entrada. Cuando la seal recibida est por encima del umbral, la salida del comparador es alta (estado lgico ALTO = `1`).
Circuito de decisin
Cuando
la seal es ms baja que el umbral, la salida del comparador es baja (se decide que la seal recibida es un estado lgico BAJO = `0`).
Buffers
Un
buffer transfiere sin alteracin la seal lgica desde la entrada hasta la salida, pero restablece la forma elctrica de esta seal. Tpicamente, este es un circuito seguidor de emisor.
Recuperacin del reloj

Esta
seccin extrae la informacin de temporizacin a partir del flujo de datos y ayuda al circuito de decisin a generar las salidas diferenciales, DATA y DATA negado.

Los
circuitos digitales sincrnicos trabajan bajo el control de una seal de reloj que debe ser la misma en el receptor y en el transmisor, para sincronizar todas las operaciones.
Circuito tpico de recuperacin del reloj
Circuito de Recuperacin del reloj Principio de operacin El oscilador controlado por voltaje (VCO), genera aproximadamente la misma frecuencia que el generador del transmisor.
Circuito de Recuperacin del reloj Principio de operacin La fase de los datos recibidos es comparada con la fase de la seal generada por el VCO y su diferencia es convertida por un filtro pasa-bajo en una seal DC.
Circuito de Recuperacin del reloj

Esta
seal hace que el VCO cambie su frecuencia a fin de eliminar cualquier discrepancia entre las frecuencias recibida y generada.
Circuito de Recuperacin del reloj

La
seal de frecuencia corregida, controla la operacin del circuito de decisin. El VCO es en realidad un bucle enganchado en fase (PLL: Phase-locked loop).
Deteccin de seal
Es
esencialmente un circuito de alarma. Monitorea el nivel de la seal entrante y genera una seal lgica BAJA cuando la SNR no es suficiente.
Deteccin de seal
La
salida de este circuito es una bandera lgica, que indica cundo el nivel de la seal de entrada cae por debajo de un nivel aceptable (umbral).
Circuitos de monitoreo
Se tienen dos circuitos de monitoreo en este receptor tpico. Monitoreo de la cada de voltaje producida por la fotocorriente que fluye a travs de un resistor. Permite el control de la potencia de entrada.
Circuitos de monitoreo
Una seal bandera procedente del circuito detector de seal, vigila para detectar cualquier situacin de prdida de seal.

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Principio de operacin (absorcin)

Aplicando un voltaje externo (polarizacin inversa), mejora el flujo de electrones y huecos.

Responsividad Vs Longitud de onda

Responsividad Vs Longitud de onda

Responsividad Vs Longitud de onda

Responsividad Vs Longitud de onda

C determina la longitud de onda ms larga que un FD puede detectar.

El fotodetector solo detectar aquellas longitudes de onda menores que C

Modos de operacin del PD

Modos de operacin del PD

Modos de operacin del PD

Sensitividad a la corriente oscura

Id tpica en fotodiodos modernos = 5 nA (a temperatura ambiente).

Ancho de banda y eficiencia de potencia

Ancho de banda y eficiencia de potencia

Ancho de banda y eficiencia de potencia

significado completo de las letras p-i-n es: positivo-intrnseco-negativo

Fotodiodo p-i-n: iluminado por el frente

Zona intrnseca ancha = Zona de deplexin

Fotodiodo p-i-n: iluminado por detrs.

Ventajas del fotodiodo p-i-n

Ventajas del fotodiodo p-i-n

se logran anchos de banda de hasta 110 GHz.

Fotodiodo de avalancha (APD)

Fotodiodo de avalancha (APD)

APD - Mecanismo bsico

APD - Mecanismo bsico

APD - Mecanismo bsico

APD - Mecanismo bsico

eficiencia de quamtum es M veces ms grande que la de un FD p-i-n. (M = factor de multiplicacin o ganancia).

Caractersticas del FD PIN y del APD

Resumen de caractersticas tpicas de FDs pin y de avalancha

El contacto metlico es negro y el rea activa se muestra sombreada

conjunto de contactos metlicos planos se deposita sobre la superficie de un semiconductor.

Terminal ptico de entrada

Diagrama funcional en bloques de un receptor

fotocorriente es convertida en voltaje y ste amplificado por un preamplificador (Preamp).

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

este tipo de conexin entre el fotodiodo y el preamplificador se le llama diseo transimpedancia.

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

Terminal ptico de entrada

incluye tres componentes: - un filtro de ruido - un amplificador/limitador de potencia - y un circuito de decisin.

Recuperacin del reloj

Recuperacin del reloj

Recuperacin del reloj

Circuito tpico de recuperacin del reloj

Circuito de Recuperacin del reloj

Circuito de Recuperacin del reloj

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